JP2994046B2 - センサマトリックスの電荷読取装置 - Google Patents

センサマトリックスの電荷読取装置

Info

Publication number
JP2994046B2
JP2994046B2 JP2403181A JP40318190A JP2994046B2 JP 2994046 B2 JP2994046 B2 JP 2994046B2 JP 2403181 A JP2403181 A JP 2403181A JP 40318190 A JP40318190 A JP 40318190A JP 2994046 B2 JP2994046 B2 JP 2994046B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
row
line
read
sensor elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2403181A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03289778A (ja
Inventor
ヴィーゾレック ヘルフリード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JPH03289778A publication Critical patent/JPH03289778A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2994046B2 publication Critical patent/JP2994046B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリックスの行及び
列に配置された幾つかの光感知又はX線感知センサ素子
と、各センサ素子に設けられる夫々の電気的スイッチ
と、各センサ列に対して設けられる共通読取りライン
と、各センサ行に対して設けられるスイッチングライン
とを含み、センサ素子に設けられた電気的スイッチはス
イッチングラインを介して活性化されえ、これにより活
性化された行のセンサ素子の電荷は共通読取りラインを
介して出力される、上記幾つかの光感知又はX線感知セ
ンサ素子の電荷を読取る装置に係る。
【0002】
【従来の技術】この種の装置は例えば西独公開特許明細
書第3531448号から公知である。引用明細書はX
線映像装置用の光電池の行列を示し、該光電池の電荷は
各センサに関連したスイッチが一行当たりに設けられた
スイッチングラインを介して活性化されるよう読取られ
る。センサに蓄積された電荷の読取りは各共通読取りラ
インを介して列状に実行される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この種の装置では、各
センサ素子の電荷が読取られる読取りライン及びスイッ
チの寄生容量が読取り信号に逆の効果を有する問題があ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は該問題に
関して改良される上記種類の装置を提供することであ
る。
【0005】本目的は、各センサ列に対して幾つかの部
分読取りラインが設けられ、各部分読取りラインは、当
該の電気的スイッチを介して1つの列のうちの幾つかの
センサ素子にのみ接続されえ、更なる電気的スイッチを
介してその列の共通読取りラインに個々に接続されうる
こと、及び、センサ行の読取り動作に対して、電気的ス
イッチを介して活性化されたセンサ行に接続される部分
読取りラインのみが各列の共通読取りラインに接続可能
である本発明により達成される。
【0006】
【作用】マトリックスのセンサ素子のそれぞれで、所定
の時間の期間中にセンサ素子への光又はX線入射の量に
対応する電荷が蓄積される。この蓄積された電荷は電気
的スイッチを介して読取られ、その一つは各センサ素子
に対して設けられる。センサ素子行につき一つのスイッ
チングラインが設けられる。適切なスイッチング信号が
これらのスイッチングラインの1つに発せられる時、こ
の行のセンサ素子の電気的スイッチが活性化され、その
センサ素子に蓄積された電荷が読取られる。これは読取
りラインを介して実現され、その一つのセンサ素子の各
列に対して設けられる。次に、一行のセンサ素子の読取
り中、各列においてそこに存在するセンサ素子の全ての
電気的スイッチが読取りラインに接続される問題が生ず
る。丁度読取られたセンサ行を除いて、全ての電気的ス
イッチが閉成される時でも、それらは読取りライン自体
のように寄生容量を示し、それにより雑音は読取られた
信号に重畳される。
【0007】本発明による装置では、この問題は、共通
読取りライン以外にセンサマトリックスの各個々の列に
対して多くの部分読取りラインが設けられることにより
緩和される。部分読取りラインは電気的スイッチを設け
られ、それらを介して共通読取りラインに接続される。
関連した列の個々のセンサ素子はもはや共通読取りライ
ンに接続されず、部分読取りラインに接続される。毎回
一列のセンサの数個の電気的スイッチだけが、部分読取
りラインに接続される。例えば、一列が9つのセンサ素
子からなる時、3つの部分読取りラインが設けられ、そ
れに毎回3つのセンサ素子がそれらの電気的スイッチを
介して接続される。
【0008】読取り動作に対して、一行のセンサ素子の
スイッチは各行に設けられたスイッチングラインを介し
て活性化される。読取り動作は、関連するセンサ行に存
在するセンサ素子が関連する部分読取りラインに接続さ
れるよう実行される。部分読取りライン自体は別な電気
的スイッチを介して共通読取りラインに接続される。次
に各部分読取りラインは一列のセンサ素子のスイッチの
比較的小さい部分だけに接続されるので雑音の改善作用
が得られる。共通読取りラインは部分読取りラインがあ
るのと同じ数だけのスイッチング素子が必要とされるの
で、比較的少ないスイッチング素子からなる。この装置
の雑音の改善作用はより多くのセンサ素子が一列に存在
するほどより明白になる。実用的装置は通常一列に千以
上のセンサ素子からなるので、かかる場合雑音は実質的
に減少される。
【0009】部分読取りラインに必要とされる別な電気
的スイッチの製造は、本発明の別な実施例による如く、
薄膜トランジスタの形の電気的スイッチが部分読取りラ
インに対すると同様センサ素子用に対し設けられる場
合、共通製造処理の他の電気的スイッチと共に実現され
うる。
【0010】
【実施例】以下図面と共に本発明による実施例を説明す
る。
【0011】図は例えば全部で各列及び各行あたり2千
のセンサ素子からなるセンサマトリックス1の一部を示
す。そのようなセンサマトリックスは例えば高解像放射
線写真法に用いられうる。
【0012】図示されるセンサマトリックスの一部はセ
ンサ素子12,13,22,23,…,73からなる。
これらのセンサ素子はマトリックスの行及び列で配置さ
れる。センサ素子自体は図で概略的にのみ示される。そ
のようなセンサマトリックスが例えば放射線写真法用に
用いられる時、センサ素子は図示されないセンサからな
り、各センサ素子に設けられるキャパシタンスに電荷を
蓄積するのに役立つX線感知素子である。蓄積電荷は所
定の時間の期間中に入射する放射の量に比例する。図に
示される各センサ素子は例えば薄膜トランジスタである
電気的スイッチ2を設けられている。
【0013】これらの電気的スイッチ2は共通製造工程
でセンサ素子12,…,73と共に実現されうる。
【0014】図の切截した表示では、マトリックスの第
1の行に対しセンサ素子12及び13だけを完全に示
す。毎回2つのセンサ素子が示される他の行に対しても
同じことがあてはまる。更に、図は各列に対し7つのセ
ンサ素子を示す。例えば一列はセンサ素子12,22,
32,42,52,62及び72からなる。
【0015】一行のセンサ素子即ちより正確に言えば、
それらの電気的スイッチ2は関連した行と関連するスイ
ッチングライン19,29,39,49,59,69又
は79を介して活性化されうる。従って、図示の実施例
では2つのセンサ素子12及び13の電気的スイッチ2
はこの行に対し設けられたスイッチングライン19を介
して活性化されうる。別な行に対する別なスイッチング
ライン29,39,49,59,69,及び79に対し
ても同じことがあてはまる。
【0016】センサ素子の各列に対して、共通読取りラ
インが設けられる。センサ素子12,22,32,4
2,52,62,72の列に対してこれが共通読取りラ
イン82である。共通読取りライン83はセンサ素子1
3,23,33,43,53,63,73の列に対し設
けられる。
【0017】しかし、各列に対し、幾つかの部分読取り
ラインが設けられる。例えば、センサ素子12及び22
は電気的スイッチ2と同様に薄膜トランジスタでよい電
気的スイッチ4を介してこの列の共通読取りライン82
に接続されうる部分読取りライン91に接続される。こ
のために、部分読取りライン91及び94の電気的スイ
ッチ4及び6を介して夫々活性化されうるスイッチング
ライン8が設けられる。この列に存在する別なセンサ素
子32,42及び52は、その電気的スイッチ2を介し
て電気的スイッチ5を介してそれ自体がこの列の共通読
取りライン82に接続されうる部分読取りライン92に
接続されうる。このために、部分読取りライン92の電
気的スイッチ5及び部分読取りライン95の電気的スイ
ッチ7を介して活性化されうるスイッチングライン9が
設けられる。切截した図では、別な部分読取りライン9
3はこの列の別なセンサ素子62及び72用に示され、
該部分読取りライン93は図示されない方法で共通読取
りライン82にも接続される。図示されてないがこの列
に存在する別なセンサ素子は部分読取りラインを介して
この列の共通読取りライン82に同様に接続される。こ
れは、部分読取りラインの電気的スイッチを活性化でき
る別なスイッチングラインが設けられ、これにより部分
読取りラインが関連する共通読取りラインに接続されう
ることで実現される。
【0018】例えば図の第3行のセンサ素子、即ちセン
サ素子32及び33から読取られる時、その電気的スイ
ッチ2はスイッチングライン39を介して活性化さるべ
きである。センサ素子32の電荷は次に部分読取りライ
ン92を介して流れ、センサ素子33の電荷は部分読取
りライン95を介して流れる。スイッチングライン39
だけが活性化されるので、この場合、これらのセンサ素
子に関連する電気的スイッチだけが活性化される。他の
行のセンサ素子の他の全ての電気的スイッチは阻止され
る。部分読取りライン92及び95は、スイッチングラ
イン9に対応するスイッチング信号を用いて、夫々その
関連した電気的スイッチ5及び7を介して読取り動作の
為に活性化され、これにより部分読取りライン92はこ
の列の為に設けられた共通読取りライン82に接続され
る。電気的スイッチ7の活性化の後、この列に対し設け
られた共通読取りライン83に接続される部分読取りラ
インにも同じことがあてはまる。従って、センサ素子3
2の電荷はその電気的スイッチ2を介して部分読取りラ
イン92に流れ、更に電気的スイッチ5を介して共通読
取りライン82に流れる。この行に存在するセンサ素子
33及び図示されてないが他のセンサ素子にも同じこと
があてはまる。
【0019】対応する読取り動作は全ての行で順次実行
されえ;毎回読取られるべき行に関連し、各列に対し設
けられた読取りラインは共通読取りラインに接続されな
ければならない。
【0020】小さい寄生容量のため雑音作用の改善が、
各列の共通読取りラインが比較的少ない電気的スイッチ
を介して部分読取りラインに接続されることで達成され
る。各部分読取りライン自体は列の少ないセンサ素子と
だけに接続される。その結果、部分ライン及び共通読取
りラインを介する読取り動作中、2つのラインは関連す
る列に存在するセンサ素子の数より実質的に少ない数の
電気的スイッチに接続される。この効果は、各列に存在
するセンサ素子がより多くあると、より明らかである。
この効果は図示されるマトリックスの一部から既に明ら
かであり、その理由は、この実施例では従来技術の装置
の読取りラインは7つの電気的スイッチを介して一列の
7つの素子に接続される。しかし、本発明による解決策
によれば、部分読取りラインには3つの電気的スイッチ
だけが設けられ、共通読取りラインには2つの電気的ス
イッチが設けられ、これによりこの比較的小さい装置に
対し利点が得られる。より大きい装置の場合には、例え
ば1列あたり2千のセンサ素子からなり、略6から7の
係数による各列の読取りラインの容量の減少が本発明に
より達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】センサマトリックスの一部を示す図である。
【符号の説明】
1 センサマトリックス 2,3,4,5,6,7 電気的スイッチ 8,9,19,29,39,49,59,69,79,
スイッチングライン 12,13,22,23,32,33,42,43,5
2,53,62,63,72,73 センサ素子 82,83 共通読取りライン 91,92,93,94,95,96 部分読取りライ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, T he Netherlands (56)参考文献 特開 昭62−23162(JP,A) 特開 平1−238054(JP,A) 特開 昭63−135074(JP,A) 特開 昭54−37427(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H04N 5/30 - 5/335 H01L 27/146

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マトリックスの行及び列に配置された幾
    つかの光感知又はX線感知センサ素子と、 各センサ素子に設けられる夫々の電気的スイッチと、 各センサ列に対して設けられる共通読取りラインと、 各センサ行に対して設けられるスイッチングラインとを
    含み、 センサ素子に設けられた電気的スイッチはスイッチング
    ラインを介して活性化されえ、これにより活性化された
    行のセンサ素子の電荷は共通読取りラインを介して出力
    される、上記幾つかの光感知又はX線感知センサ素子の
    電荷を読取る装置であって、 各センサ列に対して幾つかの部分読取りラインが設けら
    れ、各部分読取りラインは、関連する電気的スイッチを
    介して1つの列のうちの幾つかのセンサ素子にのみ接続
    されえ、更なる電気的スイッチを介してその列の共通読
    取りラインに個々に接続されうること、及び、 センサ行の読取り動作に対して、電気的スイッチを介し
    て活性化されたセンサ行に接続される部分読取りライン
    のみが各列の共通読取りラインに接続可能であることを
    特徴とするセンサマトリックスの電荷読取装置。
  2. 【請求項2】 センサ素子に設けられた電気的スイッチ
    及び部分読取りラインに設けられた更なる電気的スイッ
    チは共に薄膜トランジスタからなることを特徴とする請
    求項1の装置。
JP2403181A 1989-12-21 1990-12-18 センサマトリックスの電荷読取装置 Expired - Fee Related JP2994046B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE39422003 1989-12-21
DE3942200A DE3942200A1 (de) 1989-12-21 1989-12-21 Anordnung zum auslesen einer sensormatrix

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03289778A JPH03289778A (ja) 1991-12-19
JP2994046B2 true JP2994046B2 (ja) 1999-12-27

Family

ID=6395950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2403181A Expired - Fee Related JP2994046B2 (ja) 1989-12-21 1990-12-18 センサマトリックスの電荷読取装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5120964A (ja)
EP (1) EP0434154B1 (ja)
JP (1) JP2994046B2 (ja)
DE (2) DE3942200A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604347A (en) * 1995-07-13 1997-02-18 General Electric Company Method and means for compensating for row variable offsets in a large area solid state x-ray detector
DE69833848T2 (de) * 1997-01-06 2006-11-23 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Vorrichtung zum auslesen einer bildsensormatrix
US6476787B1 (en) 1998-11-04 2002-11-05 International Business Machines Corporation Multiplexing pixel circuits
US6310594B1 (en) 1998-11-04 2001-10-30 International Business Machines Corporation Driving method and circuit for pixel multiplexing circuits
US6414665B2 (en) 1998-11-04 2002-07-02 International Business Machines Corporation Multiplexing pixel circuits
DE10106221A1 (de) 2001-02-10 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Röntgendetektor mit großem Dynamikbereich

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853830B2 (ja) * 1977-07-13 1983-12-01 株式会社日立製作所 カラ−固体撮像装置
FR2469805A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Thomson Csf Matrice de detection d'un rayonnement electromagnetique et intensificateur d'images radiologiques comportant une telle matrice
FR2554999B1 (fr) * 1983-11-15 1986-01-17 Thomson Csf Dispositif photosensible pour l'infrarouge
US4689487A (en) * 1984-09-03 1987-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiographic image detection apparatus
FR2585183B1 (fr) * 1985-07-19 1987-10-09 Thomson Csf Procede de fabrication d'un detecteur d'image lumineuse et detecteur matriciel bidimensionnel obtenu par ce procede
JP2559465B2 (ja) * 1987-07-02 1996-12-04 株式会社日立製作所 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3942200A1 (de) 1991-06-27
EP0434154A2 (de) 1991-06-26
US5120964A (en) 1992-06-09
JPH03289778A (ja) 1991-12-19
DE59008716D1 (de) 1995-04-20
EP0434154B1 (de) 1995-03-15
EP0434154A3 (en) 1992-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6300977B1 (en) Read-out circuit for active matrix imaging arrays
JP3264693B2 (ja) センサマトリクスからなる装置
US5440130A (en) X-ray imaging system and solid state detector therefor
EP0809300B1 (en) Active pixel sensor with single pixel reset
US6552319B2 (en) Device for imaging radiation
US5184018A (en) Sensor matrix
US5631704A (en) Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US6255638B1 (en) Apparatus for radiation imaging using an array of image cells
EP0898312A2 (en) Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
JP3285083B2 (ja) 二次元アレイ型赤外線検出素子とその製造方法
EP1228384B1 (en) Exposure control in an x-ray image detector
US20030042425A1 (en) Image sensor, image-sensing apparatus using the image sensor, and image-sensing system
JPH04212458A (ja) センサマトリックス
US5430481A (en) Multimode frame transfer image sensor
JPH03137589A (ja) 画像形成又は再生のための大型マトリクス装置
EP2199829A1 (en) Solid-state imaging device
EP1716434B1 (en) X-ray detector with photogates and dose control
JP2994046B2 (ja) センサマトリックスの電荷読取装置
US5381013A (en) X-ray imaging system and solid state detector therefor
US8445986B2 (en) Image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus and radiation image pickup system
US5398275A (en) Method and apparatus for acquiring images by X-rays
EP0231265A1 (en) IMAGE SENSOR WITH CONDUCTING ELEMENTS THAT HAVE STANDARDIZED SURFACES TO ACHIEVE A UNIFORM CAPACITIVE LOAD.
Zarnowski et al. Performance of a large-format charge-injection device
JP4066531B2 (ja) 放射線検出器
JPH0316831B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees