DE69913475T2 - Auslesesequenz zum Entfernen eines Restbildes aus einer Strahlungsdetektorplatte - Google Patents

Auslesesequenz zum Entfernen eines Restbildes aus einer Strahlungsdetektorplatte Download PDF

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Rest-Artefakten in einem Strahlungsdetektionspanel und insbesondere ein Verfahren zum Betreiben und Auslesen von Informationen von einem Röntgenstrahldetektionspanel durch kontinuierliches Durchlaufen des Panels und Verwenden von Pre- und Post-Belichtungsinformationen, um Restbilder zu minimieren.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Eine direkte Röntgenbildgebung unter Verwendung von Panelen mit einem zweidimensionalen Array von winzigen Sensoren zum Einfangen eines durch eine Strahlung erzeugten Bildes ist aus dem Stand der Technik wohl bekannt. Die Strahlung wird bildweise moduliert während sie durch ein Objekt mit variierenden Strahlungsabsorptionsbereichen passiert. Eine bildrepräsentierende Information wird als eine Ladungsverteilung eingefangen, welche in einer Vielzahl von Ladungsspeicherkondensatoren in als eine zweidimensionale Matrix angeordnete individuelle Sensoren gespeichert sind.
  • Die Panele weisen ein zweidimensionales Array von Sensoren mit einer assoziierten Schalt- und Adressierschaltung auf, welche auf einem isolierenden Substrat, üblicherweise eine Glasplatte, aufgebaut sind. Derartige Sensoren weisen typischerweise ein Paar von coplanaren leitfähigen Mikroplatten auf, welche durch eine dielektrische Schicht getrennt ist, wodurch ein Ladungsspeicherkondensator ausgebildet wird. Die sich über die obigen Sensoren erstreckenden Mikroplatten stellen eine fotoleitfähige Schicht dar, welche röntgenstrahlungsempfindlich ist. Eine obere Elektrode wird über der fotoleitfähigen Schicht platziert.
  • Zwei Mikroplatten in jedem Sensor dienen zum Sammeln und Speichern von Ladungen, welche die Strahlungsbelichtung des Sensors repräsentieren. US 5,319,206 für Lee et al. vom 7. Juni 1997, welches ursprünglich von E.I. Dupont de Nemours und Co. Inc. angemeldet wurde und nun auf den Anmelder der vorliegenden Erfindung umgeschrieben worden ist, zeigt ein typisches Strahlungsdetektionspanel mit einem Sensorarray zur Erzeugung und zum Einfangen von Ladungen nach einer Belichtung mit Röntgenstrahlung.
  • Wenn ein in dem Lee et al. Patent beschriebenes Panel verwendet wird, wird eine Ladespannung an die unteren Mikroplatten für alle Sensoren und an die obere Elektrode angelegt. Dies erzeugt ein elektrisches Feld in der fotoleitfähigen Schicht. Bei Belichtung mit Strahlung werden Elektron/Löcherpaare in der fotoleitfähigen Schicht durch die absorbierte Strahlungsbelichtungsenergie erzeugt.
  • Unter dem Einfluß des angelegten elektrischen Feldes trennen sich die erzeugten Elektronen und Löcher und wandern zur oberen Elektrode und zu den Mikroplatten. In Detektorsstrukturen, bei denen eine positive Ladungsspannung an die obere Elektrode angelegt wird, bewegen sich Elektronen zur oberen Elektrode hin und Löcher wandern zur oberen Mikroplatte. Die Lochmigration resultiert in eine Ladungsakkumulation während der Belichtung in den Ladungsspeicherkondensatoren, welche aus den beiden Mikroplatten und der diese trennende Dielektrikum ausgebildet wird. Eine wiederholte Entfernung der Ladespannung und der Belichtungsstrahlung hinterläßt die akkumulierten Ladungen gefangen in den Kondensatoren.
  • Die Menge der in den Speicherkondensatoren gespeicherten Ladungen variiert in direkter Proportion zu der Strahlungsbelichtung. Eine Belichtung wird normalerweise als das Produkt der Strahlungsintensität "l" mit der Dauer "t", während der die Strahlung auf den Detektor trifft, definiert. (E = l × t). Die während der Belichtung erzeugte Ladung Q ist durch Q = e × (E/ϵ) gegeben, wobei E die aufgrund der Belichtung absorbierte Energie darstellt, ϵ ist die zur Erzeugung eines Elektron/Lochpaares benötigte Energie und e ist die elektrische Ladung eines Elektrons.
  • Ein Auslesen der gespeicherten Ladungen wird durch eine Vielzahl von Arten erhalten. Die Patentanmeldung 08/583,256 von Lee et al., welche ursprünglich von E.I. Dupont de Nemours angemeldet wurde und zur Zeit ebenfalls auf den Anmelder der vorliegenden Anmeldung umgeschrieben wurde, zeigt ein Verfahren zum Auslesen der gespeicherten Ladungen in einem direkten Röntgenbildgebungspanel.
  • Beim Auslesen von Informationen aus den Panelen, welche eine fotoleitfähige Schicht aufweisen, begegnet man häufig dem Problem, welches als Speicher (Memory) bezeichnet wird. Dieses Speichern ist ein Resultat eines langsamen expotentiellen Rückgang des Fotoleiters in seinen ursprünglichen "dunklen" Zustand nach einer Belichtung mit Strahlung. Somit weist der Fotoleiter Bereiche nach jeder Belichtung auf, welche Informationen hinsichtlich des vorhergehenden Bildes aufweisen. Wenn eine nachfolgende Belichtung eines zweiten Bildes durchgeführt wird, erzeugen Restbildinformationen in dem Panel etwas, was als Phantom- oder Geisterartefakte bezeichnet werden. Derartige Artefakte sind offensichtlich unerwünscht, weil sie die Bildqualität der Röntgenaufnahme verschlechtern und der Wert des Bildes für diagnostische Zwecke verschlechtert.
  • Ansätze dieses Problem zu lösen beinhalten ein Messen der Abfalleigenschaften des Fotoleiters, ein Aufzeichnen der verstrichenen Zeit zwischen Belichtungen und ein Versuch einer Korrektur der Ausgabe jedes Pixels durch Subtrahieren eines berechneten Ladungswertes basierend auf der verstrichenen Zeitdauer zwischen einer vorhergehenden Belichtung und der augenblicklichen Belichtung von dem Ausgangssignal. Variationen dieses Verfahrens sind in dem Patent US 4,975,935 vom 4. Dezember 1990 von Hillen et al. und in US 5,530,238 von Meulenbruge et al. vom 25. Juni 1996 gezeigt, welche beide von der U.S. Philips Corporation angemeldet wurden. Dieses Verfahren erweist sich dahingehend als nachteilig, als dass es auf einem errechneten Wert beruht, welcher lediglich angenähert ist und welcher nicht die gesamte vorherige Geschichte des Fotoleiterbereiches über jedem Sensor wie beispielsweise den Resteffekt von multiplen Belichtungen bei verschiedenen Zeitintervallen berücksichtigt.
  • Aus dem US-Patent 5,812,191 (22. September 1998), ist es bekannt, ein Kalibrationsbild zu verwenden, welches aufgenommen wird, bevor die tatsächliche Messung durchgeführt wird, um ein Hintergrundrauschen zu korrigieren.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren vorzusehen, durch welches die oben beschriebenen Phantomartefakte im Wesentlichen eliminiert wer den und welches nicht auf theoretischen Berechnungen der Fotoleit-Abklingcharakteristika abhängt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die obige Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Prozess zum Entfernen von Restbildinformationen eines vorherigen Bildes, welches vorhergehende Belichtungsartefakte darstellt, aus Informationen eines neuen Bildes, welches durch eine Strahlungsbelichtung eines Bilddetektionsarrays erzeugt wird, welches eine Vielzahl von strahlungsempfindlichen Bildelementen (Pixel) enthält, welche einfallende Strahlung in elektrische Ladungen umwandelt. Als ein Resultat der Strahlungsbelichtung erzeugte elektrische Ladungen werden in individuellen Ladungskondensatoren in jedem der Pixel gespeichert und werden mit Auslese-Elektronikschaltungen ausgelesen und in einem Speicher zur weiteren Verwendung beim Anzeigen des Bildes gespeichert.
  • Dies ist kurz gesagt ein Prozess zum Korrigieren eines elektrischen Signals, welches ein Bild mit einer Vielzahl von Pixeln darstellt, wobei das Bild aus einer Belichtung eines Detektors mit einer bildgebenden Strahlung resultiert. Dieser Prozess weist ein Betreiben des Detektors ohne Belichtung mit einer bildgebenden Strahlung und ein Erhalten eines elektronischen Signals einer Vorbelichtung für die Vielzahl von Pixeln, ein Betreiben eines Detektors ein zweites Mal und ein Belichten mit einer bildgebenden Strahlung und ein Erhalten eines belichteten elektranischen Signals für eine Vielzahl von Pixeln auf. Dann weist der Prozess ein pixelweises Subtrahieren des elektronischen Signals der Vorbelichtung von dem Belichtungssignal auf, um ein korrigiertes elektronisches Signal der Belichtung zu produzieren.
  • Vorzugsweise weist der obige Prozess den zusätzlichen Schritt des Betreibens des Detektors ein drittes Mal, gefolgt von einer Belichtung mit einer bildgebenden Strahlung, wieder ohne Belichtung mit einer bildgebenden Strahlung auf, um Nachbelichtungsdaten zu erhalten. Danach werden Vorbelichtungs- und Nachbelichtungssignale pixelweise gemittelt, um gemittelte Daten zu erhalten, welche von dem Belichtungssignal pixelweise subtrahiert werden, um korrigierte Belichtungsdaten zu erhalten.
  • Der Prozess gemäß der Erfindung weist die folgenden Schritte auf:
    • A) kontinuierliches Betreiben des Arrays;
    • B) Erhalten und Speichern von Vorbelichtungsdaten in einem Speicher, welche eine pixelweise Rest-Ladungsverteilung darstellt, welche von dem Array vor einer Bildbelichtung ausgelesen werden;
    • C) Erhalten und Speichern von Belichtungsdaten in einem Speicher, welche eine pixelweise Bildladeverteilung darstellen, welche aus dem Array nach einer Bildbelichtung ausgelesen wurden; und pixelweises Subtrahieren der Belichtungsdaten mit den Vorbelichtungsdaten, um korrigierte Daten zu erhalten, welche neue Bilddaten ohne Artefakte einer früheren Belichtung darstellen.
  • In einer fortgeschrittenen Version der Erfindung weist der Prozess ferner die zusätzlichen Schritte auf, welche vor dem Subtrahierschritt durchgeführt werden:
    • D) Erhalten und Speichern in einem Speicher von Nachbelichtungsdaten, welche eine pixelweise Ladungsverteilung der Nachbelichtung darstellen, welche aus dem Array unmittelbar nach der Belichtung des neuen Bildes ohne weitere Bildbelichtung des Panels ausgelesen werden; und
    • E) Mitteln für jedes Pixel der Vor- und Nachbelichtungsdaten entsprechend eines derartigen Pixels, um ein Korrektursignal für jedes Pixel zu erhalten.
  • Die Daten sind vorzugsweise ein digitales Signal, welches die in jedem Pixel gespeicherte Ladung darstellt.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung kann anhand der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Gleichungen besser verstanden werden.
  • 1 zeigt ein typisches Strahlungsdetektionspanel-Array gemäß dieser Erfindung.
  • 2 zeigt einen Querschnitt des Panels von 1 entlang der Linie 2-2.
  • 3 zeigt ein Zeitdiagramm zur Veranschaulichung der Sequenz der Operation, welche durch das Array von 1 zum Einfangen eines Bildes durchgeführt wird.
  • 4 zeigt ein Zeitdiagramm zur Veranschaulichung des Betriebes eines in 1 gezeigten Arrays gemäß dieser vorliegenden Erfindung.
  • 5 zeigt ein Flussablaufdiagramm der Datenverarbeitungssequenz für die durch diese Verwendung des Prozesses der vorliegenden Erfindung erhaltenen Daten.
  • 6 zeigt ein Flussablaufdiagramm der Datenverarbeitungssequenz für die durch die Verwendung des bevorzugten Ausführungsbeispieles des Prozesses der vorliegenden Erfindung erhaltenen Daten.
  • 7 zeigt eine schematische Veranschaulichung eines Gerätes zum Implementieren des Verfahrens der vorliegenden Erfindung.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • In der nachfolgenden detaillierten Beschreibung beziehen sich ähnliche Bezugszeichen auf ähnliche Elemente in den Figuren der Zeichnungen.
  • In 1 ist eine schematische Darstellung eines bevorzugten Strahlungsdetektionspanels bzw. Strahlungsdetektionsplatte 40 mit einer Vielzahl von Strahlungsdetektionselementen 10a, 10b, 10c, ..., 10n gezeigt, welche in einer Vielzahl von Reihen R1, R2, R3, R4, ... Rm und einer Vielzahl von Spalten C1, C2, C3, ..., Cn angeordnet sind. Dieses Panel und das Verfahren zum Auslesen der gespeicherten Ladungen in den Speicherkondensatoren, so dass ein Signal mit reduzierten Rausch pegeln erhalten wird, ist detailliert in der US Patentanmeldung 08/538,256 von Lee et al. beschrieben.
  • 2 zeigt die schematische Veranschaulichung eines Querschnittes durch das in 1 gezeigte Panel entlang der Pfeile 2-2. 2 zeigt einen Querschnitt eines Panels 40 mit zwei Detektionselementen 10n-1 und 10n-2 mit identischer Struktur. Lediglich einer davon wird nachfolgend beschrieben. Die Elemente sind auf einer nicht leitfähigen Auflage 62 aufgebaut, welche vorzugsweise eine Glasauflage darstellt. Bei der Konstruktion jedes Elementes des Panels auf der Oberfläche dieser Glasauflage, dessen Oberfläche nun zur inneren Oberfläche wird, wird eine erste leitfähige Elektrode 64 aufgebracht. Die Elektrode 64 wird als nächstes mit einer dielektrischen Schicht 66 bedeckt. Eine zweite leitfähige Elektrode, welche als Mikroplatte 68 bezeichnet wird, wird über dem Dielektrikum 66 platziert. Die Mikroplatte 68 zusammen mit dem Dielektrikum 66 und der leitfähigen Elektrode 64 bilden einen Kondensator, welcher als Ladungsakkumulator dient. Die Elektrode 64 ist mit Masse (common ground) verbunden. Ein FET Transistor ist ebenfalls neben dem Ladungsakkumulator für jedes Detektionselement durch Abscheiden einer Gate-Elektrode 74 auf der Glasauflage hergestellt. Ein dielektrisches Material 75, welches in dieser Figur nicht maßstabsgetreu gezeigt ist, wird über dem Gate 74 platziert. Ein Halbleiter 80, d. h. Amorphos Silizium, Kadmium Selenid etc. wird über dem Dielektrikum 75 platziert. Eine Source-Elektrode 78 und eine Drain-Elektrode 68 werden mit dem Halbleiter 80 als nächstes verbunden, um den Transistor fertig zustellen. Der Drain 68', ist mit der Mikroplatte 68 verbunden. Ein Dielektrikum 76 isoliert den Transistor. Die Source 78 ist von außerhalb des Panels über Leitungen 18 zugängig. Das Gate 74 wird über Gate-Adressierleitungen 17a adressiert. Gemäß dieser Figur werden alle Gateleitungen in derselben Reihe miteinander verbunden.
  • Optional aber vorzugsweise wird eine zweite leitfähige Elektrode über der dielektrischen Schicht 76 platziert und mit der Mirkoplatte 68 verbunden, um eine Pilzelektrode 70 auszubilden. Das Vorhandensein dieser Elektrode hat keinen Effekt auf die Operation dieser Erfindung, jedoch arbeiten Detekionselemente mit „Pilz"-Elektroden (wie in US 5,498,880 für Lee et al. beschrieben) besser und werden daher als Detektoren bevorzugt. Eine Ladungsblockierschicht 72 wird vorzugsweise als eine Aluminiumoxidschicht vorgesehen, welche über der Elektrode 70 platziert wird.
  • Eine fotoleitfähige Schicht 82, typischerweise Selen, wird als nächstes über dem gesamten Panel vorgesehen und bedeckt alle Elemente da drauf. Die fotoleitfähige Schicht 82 wird mit einer kontinuierlichen dielektrischen Schicht 84 bedeckt, welche wiederum durch eine kontinuierliche obere leitfähige Elektrodenschicht 86 bedeckt wird. Eine programmierbare Energieversorgung 44 wird mit dieser Schicht 86 durch eine Leitung 43 verbunden. Die Energieversorgung 44 ist ebenfalls über Leitungen 43', mit einer gemeinsamen Masse verbunden, mit der Elektroden 64 ebenfalls verbunden werden.
  • Die dielektrische Schicht 84 und die leitfähige Schicht 86 sind hinsichtlich der beabsichtigen Strahlung transparent, um durch das vorliegende Panel detektiert zu werden. Wie in 2 gezeigt (und ebenfalls in 1) wird mit der bevorzugten Ausführungsbeispiel und aus dein in der Lee Anmeldung 08/583,256 angeführten Gründen ein Abschnitt des Panels von der einfallenden Strahlung mit einem Schild 37 abgeschirmt.
  • Der Betrieb des Panels zum Einfangen eines Bildes wird nachstehend unter Bezugnahme auf 3 erläutert, welches ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen benötigten Operationen zeigt.
  • Die Energieversorgung 44 liefert eine Ladespannung Vc an die obere Elektrode 86 zum Zeitpunkt t1. Dies ist eine hohe Gleichspannung und wird graduell angelegt. Nachdem die Ladespannung angelegt wurde, wird das Panel einer bildgebenden Röntgenstrahlung für eine Zeitperiode t2 bis t3 ausgesetzt. Diese Zeitperiode entspricht der für die Röntgenstrahlen bildgebenden Strahlungsbelichtung benötigte Zeitperiode. Die Ladespannung wird auf Masse zurückgeführt.
  • Ein Auslesen der Ladungen in den individuellen Ladungskondensatoren beginnt zu einem Zeitpunkt t4. Die vorstehend angeführte Anmeldung von Lee et al. beschreibt detailliert den bevorzugten Betrieb, um ein elektronisches Signal von dem Array zu erhalten, welches die Ladungen und die von ihnen dargestellten Daten zu erhalten. Das gezeigte Verfahren resultiert in einem Erhalten von Daten, welche im Wesentlichen frei von Schaltungsrauschen in den integrierten Verstärkern und frei von einem Gleichtaktrauschen (common mode noise) in den Leitungen eines Panels mit einer Vielzahl von derartigen Detektionselementen sind.
  • Zu einem Zeitpunkt t5 nachdem alle Kondensatoren adressiert worden sind und das Auslesen der Ladungen beendet worden ist, wird das Panel mit einer gleichförmigen Intensität einer Beleuchtungsstrahlung geflutet, wie es in dem vorstehend angeführten US-Patent 5,56,421 offenbart ist. Die Belichtung kann sichtbar, infrarot oder eine andere geeignete Strahlung darstellen, auf welche die fotoleitfähige Schicht empfindlich reagiert. Die Beleuchtung des Panels wird zu einem Zeitpunkt t6 beendet und das Panel ist wieder bereit für eine Aufladung für den nächsten Zyklus.
  • Unter Einfluss der Strahlungsbelichtung, werden Löcher und Elektronen in der fotoleitfähigen Schicht befreit und diese Ladungen beginnen zu der oberen Elektrode und der oberen Mikroplatte unter dem Einfluss der angelegten Gleichspannungs-Ladungsspannung zu migrieren. Wenn die Belichtung beendet wird, sind immer noch einige Löcher und Elektronen vorhanden, welche keine der Elektroden erreicht haben, aber sich irgendwo in der Hauptmasse der fotoleitfähigen Schicht befinden. Wenn diese Ladungen nicht vor dem nächsten Belichten neutralisiert werden, werden Geisterartefakte in dem nachfolgenden Bild erzeugt.
  • Diese durch eine bildgebende Belichtung erzeugten Ladungen migrieren zu den entsprechenden Elektroden in der fotoleitfähigen Schicht. Der Abstand, den sie zurücklegen, bevor sie gefangen werden, ist als Bereiche „R" bekannt und stellt eine Funktion der Ladungsmobilitätskonstante des fotoleitfähigen Materials dar, die Wahrscheinlichkeits-Zeitkonstante einer freien Ladung in dem Material gefangen zu werden, welche von der Reinheit des fotoleitfähigen Materials und dem angelegten Feld abhängt. Das fotoleitfähige Material und die Schichtdicke werden vorzugsweise derart ausgewählt, dass der Bereicht „R" größer als die Dicke der Schicht ist.
  • Bei einem typischen Beispiel einer fotoleitfähigen Schicht mit Selen, liegt der Wert von R für Löcher in der Größenordnung von 600 μm. In einem derartigen Fall minimiert eine fotoleitfähige Schichtdicke von ungefähr 500 μm die Restladungsartefakte.
  • Jedoch migrieren nicht alle Ladungen erfolgreich. Während die obigen Zahlenbeispiele hinsichtlich des Bereiches hilfreich bei dem Auswählen des fotoleitfähigen Materials und beim Entscheiden einer bevorzugten Schichtdicke ist, unterliegt die Ladungsmigration und der Bereich der Wahrscheinlichkeit, dass für eine gegebene Zeitperiode ein Prozentsatz dieser Ladungen innerhalb der Hauptmasse der fotoleitfähigen Schicht gefangen werden, und dass nicht alle Ladungen den gesamten Bereich durchlaufen. Diese gefangenen Ladungen werden dann den in einer nachfolgenden Belichtung erzeugten Ladung hinzugefügt und erzeugen Artefakte.
  • Wenn eine dielektrische Schicht wie beispielsweise Schicht 84 zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der oberen Elektrode platziert wird und eine positive Spannung an die obere Elektrode angelegt wird, finden Elektronen, welche durch eine folgende Belichtung erzeugt wurden und zur positiven Elektrode hin migrieren, ihren Weg durch die dielektrische Schicht blockiert und werden an der Grenzfläche zwischen dem Dielektrikum und den fotoleitfähigen Schichten gefangen. Ihre dortige Anwesenheit neigt dazu, ein sekundäres Feld aufzubauen, welches dem primären Feld gegenübersteht, welches durch die an die obere Elektrode angelegte Ladespannung aufgebaut wird. Da diese Elektronen nicht gleichmäßig entlang der Dielektrikum/Fotoleitergrenzfläche verteilt sind, erzeugen sie ein nicht gleichförmiges Feld, welches zur Quelle von zusätzlichen Artefakten in der nachfolgenden Belichtung wird.
  • Die Beleuchtung des Panels tendiert dazu, Restladungen in der fotoleitfähigen Schicht durch die Erzeugung einer großen Anzahl von Elektroden/Lochpaaren in der fotoleitfähigen Schicht zu neutralisieren. Der Effekt der Beleuchtung des Panels sowie Details hinsichtlich der unterschiedlichen Beleuchtungsquellen ist detailliert in dem oben angeführten US-Patent 5,563,421 vom 8. Oktober 1996 an Lee et al. beschrieben, auf deren Inhalt Bezug genommen wird.
  • Während dieser Prozessschritt theoretisch alle Artefakte aus vorhergehenden Belichtungen durch „Rekonditionierung" in der fotoleitfähigen Schicht beseitigt sein sollte, erfolgt dies nicht so effektiv wie gewünscht.
  • Um das Geisterartefakt aufgrund von vorhergehenden Belichtungen zu beseitigen, wird das Panel durch beständiges Unterziehen des Panels von kontinuierlichen „Lade/Auslesen/Entlade"-Zyklen in einem Standby-Modus gemäß der Erfindung gehalten.
  • Gemäß 4 wird das Panel kontinuierlich Durchläufen wie folgt unterzogen: Zum Zeitpunkt t1 wird eine hohe Gleichspannung (VC) graduell an die obere Elektrode angelegt. Sobald die volle Spannung zum Zeitpunkt t2 angelegt wird, wird sie auf diesem Pegel bis zu einem Zeitpunkt t3 gehalten. Die Gleichspannung wird als nächstes graduell auf Erde (oder 0) zum Zeitpunkt t4 zurückgeführt und die Speicherkondensatoren aller Detektorelemente (Pixel) werden ausgelesen. Die Daten von den Kondensatoren werden in einem Speicher gespeichert. Zum Zeitpunkt t5 wird das Panel nach einem Auslesen vorzugsweise mit einer gleichförmigen Beleuchtungsstrahlung geflutet, wie beispielsweise eine sichtbare Strahlung, vorzugsweise von beiden Seiten bis zu einem Zeitpunkt t6 geflutet. Dieser Schritt kann identisch zu dem Beleuchtungsschritt aus dem vorstehend angeführten US-Patent 5,563,421 durchgeführt werden. Zum Zeitpunkt t6 wird der Beleuchtungsschritt beendet und die hohe Gleichspannung wird wieder an die obere Elektrode angelegt. Dieser Zyklus wird kontinuierlich durchgeführt und die ausgelesenen Daten aus jedem Auslesevorgang werden in dem Speicher gespeichert, wobei die vorher gesammelten Daten ersetzt werden. Während diesem Operationsmodus befindet sich das Panel in dem Standby-Modus.
  • Wenn eine bildgebende Belichtung auftritt, wird das Panel wieder einem graduellen Anlegen einer Gleichspannung an der oberen Elektrode unterzogen. Während die Gleichspannung an der oberen Elektrode angelegt bleibt, tritt eine bildgebende Strahlungsbelichtung auf. Nach der Strahlungsbelichtung werden die in dem Kondensatoren gespeicherten Ladungen erneut ausgelesen und die Beleuchtungspixeldaten werden in einer anderen Speicherstelle oder einem anderen Speicher gespeichert, ohne die Daten der unmittelbar vorherigen Auslesens des Panels zu ersetzen.
  • Nach der Strahlungsbelichtung kehrt das Panel zu dem Standby-Modus zurück und fährt durch die Beleuchtung, das Anlegen des hohen Gleichspannung, das Auslesen des Kondensators u. s. w., vor den Belichtungszyklen durchzuführen, fort. Die Daten aus der letzten Belichtung vor der bildgebenden Belichtung werden zur Verwendung in der Korrektur der Belichtungsdaten konserviert.
  • In einem bevorzugten Operationsmodus werden die Daten aus dem unmittelbar nachfolgenden Zyklus von Beleuchtung, Aufladung und Auslesen ebenfalls ohne Ersetzen der vorab gespeicherten Pixeldaten von dem Vorbelichtungsauslesen oder dem tatsächlichen Belichtungsauslesen gespeichert, bevor zu dem Standby-Modus gefolgt von einer Akquisition der Belichtungsdaten zurückgekehrt wird. Das Speichern kann in einem separaten individuellen ersten, zweiten und dritten Speicher oder in einem einzelnen Speicher mit einer großen Kapazität erfolgen. Typischerweise sind derartige Speicher elektronische Speicher wie sie weitgehend in Personalcomputern verwendet werden.
  • Die aus dem Panel als Resultat der Strahlungsbeleuchtung erhaltenen Pixeldaten werden korrigiert, um Artefakte aufgrund von vorhergehenden Belichtungen durch Kombinieren der gespeicherten Daten entfernt, um Artefaktrauschen zu beseitigen.
  • In dem bevorzugten Modus wird dies durch Subtrahieren eines berechneten Wertes entsprechend dem Mittelwert der gespeicherten Vorbelichtungs- und Nachbelichtungswerten für dieses Pixel für jedes Pixel von den gespeicherten Bildbelichtungsdaten durchgeführt. Wenn ein Pixel somit einen Wert P1 aufweist, welcher in einem Speicher gespeichert ist, welcher den letzten erhaltenen Vorbelichtungswert darstellt, und dasselbe Pixel einen gespeicherten Wert P3 aufweist, welcher den ersten Nachbelichtungswert repräsentiert, welcher nach einer bildgebenden Belichtung erhalten wird, dann ist der bevorzugte korrigierte Wert für diesen Pixel: PC = P2 – {(P1 + P3)/2},wobei P2 den erhaltenen Belichtungspixelwert für dasselbe Pixel darstellt.
  • Es sind diese korrigierten Pixelwerte Pc, welche gespeichert werden und in der Endbildanzeige der aufgezeichneten Röntgenaufnahme verwendet werden.
  • Nach der Korrektur der Pixelwerte werden alle Speicher gelöscht und das Durchlaufen des Panels wird fortgesetzt, wobei wieder die Auslese jedes Durchlaufes in dem ersten Speicher bis zur nächsten bildgebenden Belichtung gespeichert wird.
  • Es ist jedoch nicht essentiell, dass sowohl die Vorbelichtungs- als auch die Nachbelichtungsdaten in der Korrekturformel verwendet werden. In Fällen, wo Gründe vorliegen, den verfügbaren Speicher zu begrenzen, kann der dritte Speicher und das korrigierte Pixel entfernt werden, welches durch Subtrahieren des Vorbelichtungs wertes von dem Belichtungswert erhalten wurde. Auf ähnliche Weise kann mehr als ein Vorbelichtungs- und Nachbelichtungsframe gespeichert werden und zur Ableitung eines gemittelten Korrekturwertes verwendet werden, welches von dem Belichtungswert zu subtrahieren ist. Es ist ferner nicht absolut essentiell, dass ein einfacher Mittelwert der Vor- und Nachbelichtungspixelwerten verwendet wird. Den Pixeln können unterschiedliche Wichtungen in dem Mittelwertbildungsprozess in Abhängigkeit von dem Typ des verwendeten Fotoleiters zugeordnet werden.
  • 5 zeigt ein Flussablaufdiagramm der Operationssequenz, wenn das Panel kontinuierlich Durchläufen unterzogen wird. Nach dem Anlegen der hohen Gleichspannung, wird bestimmt, ob eine bildgebende Belichtung in diesem Durchlauf vorhanden sein wird. Wenn dies nicht der Fall ist, wird die hohe Spannung entfernt und das Panel wird ausgelesen. Die erhaltenen Daten werden in dem ersten elektronischen Speicher gespeichert, welches einen Teil eines größeren Speichers darstellen kann. Das Panel wird nachfolgend unter Verwendung einer Flutbeleuchtung gelöscht und der Prozess wird wiederholt.
  • Wenn eine Belichtung in dem Durchlauf nach dem Entfernen der hohen Spannung auftritt, werden die ausgelesenen Daten in einem zweiten elektronischen Speicher (oder einem zweiten Abschnitt eines größeren Speichers) gespeichert und die Daten aus dem ersten Speicher werden von den zweiten subtrahiert, um die Bilddaten zu berechnen, welche zum Anzeigen des Bildes verwendet werden.
  • 6 zeigt ein Flussablaufdiagramm eines bevorzugten Operationsmodus. Wenn wie gezeigt keine Belichtung auftritt, wird der Durchlauf wie oben beschrieben wiederholt. Wenn eine Belichtung auftritt, wird der Durchlauf nicht wie oben wiederholt, aber der Fluss folgt dem Zweig des Flussablaufdiagramms auf der ganz rechten Seite, die ausgelesenen Daten des ersten Nachbelichtungsdurchlaufes werden in dem Speicher Nr. 3 gespeichert.
  • Sobald die Daten gespeichert werden, wird ein korrigierter Belichtungswert unter Verwendung der gespeicherten Werte in den drei Speichern berechnet und der ursprüngliche Durchlauf wird fortgesetzt.
  • In einer weiteren möglichen Variation kann das Panel wie beschrieben kontinuierlich Durchläufen unterzogen werden, aber die ausgelesenen Daten werden nicht in dem ersten Speicher gespeichert, bis eine Belichtung stattfinden soll. Lediglich danach werden die Vorbelichtungsdaten gespeichert.
  • 7 zeigt eine schematische Ansicht eines Gerätes zum Durchführen der oben angeführten Funktion. Ein derartiges Gerät weist ein Panel 40 auf, welches ein detailliert in den 1 und 2 dargestellter Typus sein kann, einschließlich einer oberen Elektrode 86 oberhalb einer fotoleitfähigen Strahlungsdetektionsschicht 82 und einer Vielzahl von Strahlungssensoren 10 auf einer Unterlage 62.
  • Dem Panel 40 ist ein Kontroller 12 assoziiert, welcher den Betrieb des Panels steuert und das Flussablaufdiagramm der 5 und 6 implementiert.
  • Unter anderen Funktionen steuert der Kontroller 12 das Durchlaufen des Panels durch Initiierung eines Anlegens und eines Entfernens der Ladespannung durch eine Energieversorgung 44, welche mit der oberen Elektrode durch die Leitung 43', und mit der unteren Mikroplatte durch die Leitung 43 verbunden ist, welche vorzugsweise geerdet ist. Der Kontroller initiiert die Auslesesequenz und richtet die Datenausgabe von einer Datenverarbeitungselektronik 30 an die entsprechenden ersten, zweiten und dritten Speicher (32, 36 und 34). Der Speicher 32 kann dazu verwendet werden, Vorbelichtungsdaten zu speichern, der Speicher 34 kann dazu verwendet, Belichtungsdaten und der Speicher 36 kann dazu verwendet, Nachbelichtungsdaten zu speichern.
  • Der Kontroller initiiert den Betrieb der Berechnung der korrigierten Pixelwerte durch Senden der passenden Pixelwerte von den drei Speichern an Berechnungsmodule 37, wo der Mittelwert der Vorbelichtungs- und Nachbelichtungsdaten erhalten wird und 38, wo der berechnete Mittelwert pixelweise von den Belichtungsdaten subtrahiert wird. Der Kontroller 12 weist vorzugsweise ein Taktmittel und eine CPU auf und ist dazu programmiert, alle unterschiedlichen Funktionen durchzuführen, die für einen einwandfreien Betrieb des Panels benötigt werden. Eine derartige Technologie ist aus dem Stand der Technik wohlbekannt.
  • Ein Mittel zum Anzeigen an dem Kontroller, dass eine Belichtung davorsteht zu beginnen, ist nicht gezeigt. Dies wird vorzugsweise automatisch durch Vorsehen des Kontrollers mit einer Kommunikationsverbindung durchgeführt, welche mit der Strahlungsausrüstung verbunden ist, so dass eine einwandfreie Taktgebung sichergestellt ist.
  • Die Daten aus den Pixeln können einer weiteren Datenverarbeitung unterzogen werden, um andere Defekte zu entfernen, welche nicht mit den in dieser Erfindung diskutierten Geisterbildern in Beziehung stehen. Wie beispielsweise aus dem Stand der Technik wohlbekannt ist, weisen Panele eine Größe, welche für medizinische Röntgenaufnahmeanwendungen geeignet sind, Millionen von Pixeln und selbst wenn die beste momentan verfügbare Herstellungstechnologie verwendet wird, sind oftmals tote bzw. defekte Pixel in dem Panel vorhanden. Eine Korrektur derartiger Defekte wird oftmals durch Substitution eines Wertes durchgeführt, welcher aus benachbarten Pixeln gemäß einer in dem Stand der Technik bekannten Art und Weise abgeleitet werden. Derartige Korrekturen können entweder vor dem Speichern von Pixelwerten in den drei Speichern erfolgen oder nach Ableiten der korrigierten Pixelwerte aus der Kombination der in den drei Speichern gespeicherten Werten erfolgen.
  • Ein Fachmann kann basierend auf den Vorteilen der vorliegenden Erfindung viele Modifikationen durchführen. Diese Modifikationen werden als sich innerhalb des Schutzbereiches der vorliegenden Erfindung befindlich angesehen, wie er in den beigefügten Ansprüchen ausgeführt ist.

Claims (6)

  1. Verfahren zur Reduzierung von Rest-Artefakten eines vorherigen Bildes in einem elektronischen Signal, welches ein Bild mit einer Vielzahl von Pixeln darstellt, wobei dieses Bild aus einer Belichtung eines eine Fotoleiter-Schicht (82) aufweisenden Detektors (40) mit einer bildgebenden Strahlung resultiert, wobei die Fotoleiter-Schicht (82) elektrische Ladungen speichert, welche aus der bildgebenden Strahlung resultieren, und wobei die Artefakte bildgebende Ladungen darstellen, welche in der Fotoleiter-Schicht (82) nach einer Bildauslese des vorherigen Bildes gefangen bleiben, gekennzeichnet durch: I) Durchlaufen des Detektors (40) durch zumindest einen kompletten Operationszyklus mit Anlegen einer Ladespannung an den Detektor (40) unmittelbar bevor der Detektor (40) bildweise belichtet wird; Halten der Ladespannung ohne Belichten der Fotoleiter-Schicht (82) mit einer bildgebenden Strahlung für eine Zeitperiode, welche mit der Zeitperiode einer bildgebenden Belichtung vergleichbar ist; Rücksetzen der Ladespannung auf Masse und Erhalten eines elektronischen Vorbelichtungssignals von der Vielzahl von Pixel, wobei das elektronische Vorbelichtungssignal durch Geisterbild-Artefakte aufgrund einer vorherigen bildweise Belichtung des Detektors beeinflusst wird; II) Durchlaufen des Detektors (40) ein zweites Mal, während die Fotoleiter-Schicht mit einer bildgebenden Strahlung belichtet wird und Erhalten eines elektronischen Belichtungssignals von der Vielzahl der Pixel; und III) pixelweises Subtrahieren des elektronischen Vorbelichtungssignals von dem Belichtungssignal, um ein korrigiertes elektronisches Belichtungssignal zu erzeugen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, mit den Schritten: Durchlaufen des Detektors (40) ein drittes Mal ohne Belichten der Fotoleiter-Schicht (82) mit bildgebender Strahlung, um ein elektronisches Nachbelichtungssignal von der Vielzahl der Pixel unmittelbar nach Erhalt des elektronischen Belichtungssignals zu erhalten; Erhalten eines pixelweisen Mittelwertes der elektronischen Vorbelich tungs- und Nachbelichtungssignale, und pixelweises Subtrahieren des Mittelwertes von dem elektronischen Belichtungssignal, um das korrigierte elektronische Belichtungssignal zu erzeugen.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das korrigierte elektronische Belichtungssignal ein digitales Signal darstellt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, mit den Schritten: kontinuierliches Durchlaufen des Detektors (40) ohne Belichten der Fotoleiter-Schicht (82) mit bildgebender Strahlung gefolgt von Durchlaufen des Detektors (40) während die Fotoleiter-Schicht (82) mit bildgebender Strahlung belichtet wird, wobei das elektronische Vorbelichtungssignal während des letzten Durchlaufens des Detektors (40), unmittelbar bevor der Detektor (40) mit der bildgebenden Strahlung belichtet wird, erhalten wird und wobei das Verfahren ferner ein Darstellen des korrigierten elektronischen Belichtungssignals aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, mit Durchlaufen des Detektors (40) ein zusätzliches Mal ohne Belichten der Fotoleiter-Schicht (82) mit einer bildgebenden Strahlung, um ein elektronisches Nachbelichtungssignal von der Vielzahl von Pixel unmittelbar nach Erhalt des elektronischen Belichtungssignals zu erhalten; Erhalten eines pixelweisen Mittelwertes der elektronischen Vorbelichtungs- und Nachbelichtungssignale; und pixelweises Subtrahieren des Mittelwertes von dem elektronischen Belichtungssignal, um das elektronisch korrigierte Belichtungssignal zu erzeugen.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Fotoleiter in der Fotoleiter-Schicht (82) amorphes Selen aufweist.
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