JPH03289778A - センサマトリックスの電荷読取装置 - Google Patents
センサマトリックスの電荷読取装置Info
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- JPH03289778A JPH03289778A JP2403181A JP40318190A JPH03289778A JP H03289778 A JPH03289778 A JP H03289778A JP 2403181 A JP2403181 A JP 2403181A JP 40318190 A JP40318190 A JP 40318190A JP H03289778 A JPH03289778 A JP H03289778A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は、マトリックスの行及び列に配置された幾つか
の光感類又はＸ線感知センサ素子の電荷を読取り薄膜ト
ランジスタは各電気的スイッチからなり、各センサ列に
対し共通読取りラインが設けられ、一方各センサ行に対
し、センサ素子のスイッチを介して活性化されうるスイ
ッチングラインが設けられ、これにより活
の光感類又はＸ線感知センサ素子の電荷を読取り薄膜ト
ランジスタは各電気的スイッチからなり、各センサ列に
対し共通読取りラインが設けられ、一方各センサ行に対
し、センサ素子のスイッチを介して活性化されうるスイ
ッチングラインが設けられ、これにより活
この種の装置は例えば西独公開特許明細書第３５３１４
４８号から公知である。引用明細書はＸ線映像装置用の
光電池の行列を示し、該光電池の電荷は各センサに関連
したスイッチが一行当たりに設けられたスイッチングラ
インを介して活性化されるよう読取られる。センサに蓄
積された電荷の読取りは各共通読取りラインを介して列
状に実行される。 ［０００３］
４８号から公知である。引用明細書はＸ線映像装置用の
光電池の行列を示し、該光電池の電荷は各センサに関連
したスイッチが一行当たりに設けられたスイッチングラ
インを介して活性化されるよう読取られる。センサに蓄
積された電荷の読取りは各共通読取りラインを介して列
状に実行される。 ［０００３］
この種の装置では薄膜トランジスタの電荷が読取られる
読取りライン及びスイッチの寄生容量が読取り信号に逆
の効果を有する問題がある。 ［０００４］
読取りライン及びスイッチの寄生容量が読取り信号に逆
の効果を有する問題がある。 ［０００４］
本発明の目的は該問題に関して改良される上記種類の装
置を提供することである。 ［０００５］ 本目的は各センサ列に対して、関連するスイッチを介し
てそれぞれが一列の少ないセンサ素子に接続されえ、別
な電気的スイッチを介してその列の共通読取りラインに
個々に接続されうる幾つかの部分読取ラインが設けられ
、センサ行の読取り動作に対しそのスイッチを介して活
性化されたセンサ行に接続される部分読取りライン各列
で共通読取りラインに接続可能である本発明により達成
される［０００６１
置を提供することである。 ［０００５］ 本目的は各センサ列に対して、関連するスイッチを介し
てそれぞれが一列の少ないセンサ素子に接続されえ、別
な電気的スイッチを介してその列の共通読取りラインに
個々に接続されうる幾つかの部分読取ラインが設けられ
、センサ行の読取り動作に対しそのスイッチを介して活
性化されたセンサ行に接続される部分読取りライン各列
で共通読取りラインに接続可能である本発明により達成
される［０００６１
【作用］
マトリックスのセンサ素子のそれぞれで、所定の時間の
期間中にセンサ素子への光又はＸ線入射の量に対応する
電荷が蓄積される。この蓄積された電荷は電気的スイッ
チを介して読取られ、その一つは各センサ素子に対して
設けられる。センサ素子行につき一つのスイッチングラ
インが設けられる。適切なスイッチング信号がこれらの
スイッチングラインの１つに発せられる時、この行のセ
ンサ素子のスイッチが活性化され、そのセンサ素子に蓄
積された電荷が読取られる。これは読取りラインを介し
て実現され、その一つのセンサ素子の各列に対して設け
られる。次に、−行のセンサ素子の読取り中、各列にお
いてそこに存在するセンサ素子の全スイッチが読取りラ
インに接続される問題が生ずる。丁度読取られたセンサ
行を除いて、全てのスイッチが閉成される時でも、それ
らは読取りライン自体のように寄生容量を示し、それに
より雑音は読取られた信号に重畳される。 ［０００７］ 本発明による装置では、この問題は、共通読取りライン
以外にセンサマトリックスの各個々の列に対して多くの
部分読取りラインが設けられることにより緩和される。 部分読取りラインはスイッチからなり、それらを介して
共通読取りラインに接続される。関連した列の個々のセ
ンサ素子はもはや共通読取りラインに接続されず、部分
読取りラインに接続される。毎回−列のセンサの数個の
スイッチだけが、部分読取りラインに接続される。例え
ば、−列が９つのセンサ素子からなる時、３つの部分読
取りラインが設けられ、それに毎回３つのセンサ素子が
それらのスイッチを介して接続される。 ［０００８］ 読取り動作に対して、−行のセンサ素子のスイッチは各
行に設けられたスイッチングラインを介して活性化され
る。読取り動作は、関連するセンサ行に存在するセンサ
素子が関連する部分読取りラインに接続されるよう実行
される。部分読取りライン自体は別な電気的スイッチを
介して共通読取りラインに接続される。 次に各部分読取りラインは一列のセンサ素子のスイッチ
の比較的小さい部分だけに接続されるので雑音の改善作
用が得られる。共通読取りラインは部分読取りラインが
あるのと同じ数だけのスイッチング素子が必要とされる
ので、比較的少ないスイッチング素子からなる。この装
置の雑音の改善作用はより多くのセンサ素子が一列に存
在するほどより明白になる。実用的装置は通常−列に千
以上のセンサ素子からなるので、かかる場合雑音は実質
的に減少される。 ［０００９］ 部分読取りラインに必要とされる別な電気的スイッチの
製造は、本発明の別な実施例による如く、薄膜トランジ
スタの形の電気的スイッチが部分読取りラインスイッチ
と共に実現されうる。 ［００１０］ 【実施例】 以下図面と共に本発明による実施例を説明する。 ［００１１］ 図は例えば全部で各列及び各行あたり２千のセンサ素子
からなるセンサマトリックス１の一部を示す。そのよう
なセンサマトリックスは例えば高解像放射線写真法に用
いられうる。 ［００１２］ 図示されるセンサマトリックスの一部はセンサ素子１２
，１３，２２，２３゜…，７３からなる。これらのセン
サ素子はマトリックスの行及び列で配置される。センサ
素子自体は図で概略的にのみ示される。そのようなセン
サマトリックスが例えば放射線写真法用に用いられる時
、センサ素子は図示されないセンサからなり薄膜トラン
ジスタに設けられるキャパシタンスに電荷を蓄積するの
に役立つＸ線感知素子である。蓄積電荷は所定の時間の
期間中に入射する放射の量に比例する。 図に示される
各センサ素子は例えば薄膜トランジスタである電気的ス
イッチ２からなる。 ［００１３］ これらの薄膜トランジスタ２は共通製造工程でセンサ素
子１２．…，７３と共に実現されうる。 ［００１４］ 図の切截した表示では、マトリックスの第１の行に対し
センサ素子１２及び１３だけを完全に示す。毎回２つの
センサ素子が示される他の行に対しても同じことがあて
はまる。更に、図は各列に対し７つのセンサ素子を示す
。例えば−列はセンサ素子１２，２２，３２，４２，５
２．６２及び７２からなる。 ［００１５］ 一行のセンサ素子即ちより正確に言えば、それらの電気
的スイッチ２は関連した行と関係するスイッチングライ
ン１９，２９，３９，４９，５９．６９又は７９を介し
て活性化されうる。従って、図示の実施例では２つのセ
ンサ素子１２及び１３のスイッチ２はこの行に対し設け
られたスイッチングライン１９を介して活性化されうる
。別な行に対する別なスイッチングライン２９，３９，
４９，５９．６９．及び７９に対しても同じことがあて
はまる。 ［００１６］ センサ素子の各列に対して、共通読取りラインが設けら
れる。センサ素子１２２２．３２，４２，５２，６２．
７２の列に対してこれが共通読取りライン８２である。 共通読取りライン８３はセンサ素子１３，２３，３３，
４３，５３゜６３．７３の列に対し設けられる。 ［００１７］ しかし、各列に対し、幾つかの部分読取りラインが設け
られる。例えば、センサ素子１２及び２２は電子スイッ
チ２のような薄膜トランジスタでよい電子スイッチ４を
介してこの列の共通読取りライン８２に接続されうる部
分読取りライン９１に接続される。このために、部分読
取ライン９１及び９４のスイッチ４及び６を介して夫々
活性化されうるスイッチングライン８が設けられる。こ
の列に存在する別なセンサ素子３２，４２及び５２は、
そのスイッチ２を介して電子スイッチ５を介してそれ自
体がこの列の共通読取りライン８２に接続されうる部分
読取りライン９２に接続されうる。このために、部分読
取りライン９２の電気的スイッチ５及び部分読取りライ
ン９５の電気的スイッチ７を介して活性化されうるスイ
ッチングライン９が設けられる。切截した図では、別な
部分読取りライン９３はこの列の別なセンサ素子６２及
び７２用に示され、該部分読取りライン９３は図示され
ない方法で共通読取りライン８２にも接続される。図示
されてないがこの列に存在する別なセンサ素子は部分読
取りラインを介してこの列の共通読取りライン８２に同
様に接続される。これは、部分読取りラインのスイッチ
を活性化できる別なスイッチングラインが設けられ、こ
れにより部分読取りラインが関連する共通読取りライン
に接続されうろことで実現される。 ［００１８］ 例えば図の第３行のセンサ素子、即ちセンサ素子３２及
び３３から読取られる時、その電気的スイッチ２はスイ
ッチングライン３９を介して活性化さるべきである。セ
ンサ素子３２の電荷は次に部分読取りライン９２を介し
て流れ、センサ素子３３の電荷は部分読取りライン９５
を介して流れる。スイッチングライン３９だけが活性化
されるので、この場合、これらのセンサ素子に関連する
スイッチだけが活性化される。他の行のセンサ素子の他
の全てのスイッチは阻止される。 部分読取りライン９２及び９５は、スイッチングライン
９に対応するスイッチング信号を用いて、夫々その関連
した電気的スイッチ５及び７を介して読取り動作の為に
活性化され、これにより部分読取りライン９２はこの列
の為に設けられた共通読取りライン８２に接続される。 スイッチ７の活性化の後、この列に対し設けられた共通
読取りライン８３に接続される部分読取りラインにも同
じことがあてはまる。従って、センサ素子３２の電荷は
その電気的スイッチ２を介して部分読取りライン９２に
流れ、更に電気的スイッチ５を介して共通読取りライン
８２に流れる。この行に存在するセンサ素子３３及び図
示されてないが他のセンサ素子にも同じことがあてはま
る。 ［００１９］ 対応する読取り動作は全ての行で順次実行されえ；毎回
読取られるべき行に関連し、各列に対し設けられた読取
りラインは共通読取りラインに接続されなければならな
い。 ［００２０］ 小さい寄生容量のため雑音作用の改善が、各列の共通読
取りラインが比較的少ない電気的スイッチを介して部分
読取りラインに接続されることで達成される。 各部分読取りライン自体は列の少ないセンサ素子とだけ
に接続される。その結果部分ライン及び共通読取りライ
ンを介する読取り動作中、２つのラインは関連する列に
存在するセンサ素子の数より実質的に少ない数の電気的
スイッチに接続される。この効果は、各列に存在するセ
ンサ素子がより多くあると、より明らかである。この効
果は図示されるマトリックスの一部から既に明らかであ
り、その理由は、この実施例では従来技術の装置の読取
りラインは７つのスイッチを介して一列の７つの素子に
接続される。しかし、本発明による解決策によれば、部
分読取りラインには３つのスイッチだけが設けられ、共
通読取りラインには２つのスイッチが設けられ、これに
よりこの比較的小さい装置に対し利点が得られる。 より大きい装置の場合には、例えば１列あたり２千のセ
ンサ素子からなり、略６から７の係数による各列の読取
りラインの容量の減少が本発明により達成される
期間中にセンサ素子への光又はＸ線入射の量に対応する
電荷が蓄積される。この蓄積された電荷は電気的スイッ
チを介して読取られ、その一つは各センサ素子に対して
設けられる。センサ素子行につき一つのスイッチングラ
インが設けられる。適切なスイッチング信号がこれらの
スイッチングラインの１つに発せられる時、この行のセ
ンサ素子のスイッチが活性化され、そのセンサ素子に蓄
積された電荷が読取られる。これは読取りラインを介し
て実現され、その一つのセンサ素子の各列に対して設け
られる。次に、−行のセンサ素子の読取り中、各列にお
いてそこに存在するセンサ素子の全スイッチが読取りラ
インに接続される問題が生ずる。丁度読取られたセンサ
行を除いて、全てのスイッチが閉成される時でも、それ
らは読取りライン自体のように寄生容量を示し、それに
より雑音は読取られた信号に重畳される。 ［０００７］ 本発明による装置では、この問題は、共通読取りライン
以外にセンサマトリックスの各個々の列に対して多くの
部分読取りラインが設けられることにより緩和される。 部分読取りラインはスイッチからなり、それらを介して
共通読取りラインに接続される。関連した列の個々のセ
ンサ素子はもはや共通読取りラインに接続されず、部分
読取りラインに接続される。毎回−列のセンサの数個の
スイッチだけが、部分読取りラインに接続される。例え
ば、−列が９つのセンサ素子からなる時、３つの部分読
取りラインが設けられ、それに毎回３つのセンサ素子が
それらのスイッチを介して接続される。 ［０００８］ 読取り動作に対して、−行のセンサ素子のスイッチは各
行に設けられたスイッチングラインを介して活性化され
る。読取り動作は、関連するセンサ行に存在するセンサ
素子が関連する部分読取りラインに接続されるよう実行
される。部分読取りライン自体は別な電気的スイッチを
介して共通読取りラインに接続される。 次に各部分読取りラインは一列のセンサ素子のスイッチ
の比較的小さい部分だけに接続されるので雑音の改善作
用が得られる。共通読取りラインは部分読取りラインが
あるのと同じ数だけのスイッチング素子が必要とされる
ので、比較的少ないスイッチング素子からなる。この装
置の雑音の改善作用はより多くのセンサ素子が一列に存
在するほどより明白になる。実用的装置は通常−列に千
以上のセンサ素子からなるので、かかる場合雑音は実質
的に減少される。 ［０００９］ 部分読取りラインに必要とされる別な電気的スイッチの
製造は、本発明の別な実施例による如く、薄膜トランジ
スタの形の電気的スイッチが部分読取りラインスイッチ
と共に実現されうる。 ［００１０］ 【実施例】 以下図面と共に本発明による実施例を説明する。 ［００１１］ 図は例えば全部で各列及び各行あたり２千のセンサ素子
からなるセンサマトリックス１の一部を示す。そのよう
なセンサマトリックスは例えば高解像放射線写真法に用
いられうる。 ［００１２］ 図示されるセンサマトリックスの一部はセンサ素子１２
，１３，２２，２３゜…，７３からなる。これらのセン
サ素子はマトリックスの行及び列で配置される。センサ
素子自体は図で概略的にのみ示される。そのようなセン
サマトリックスが例えば放射線写真法用に用いられる時
、センサ素子は図示されないセンサからなり薄膜トラン
ジスタに設けられるキャパシタンスに電荷を蓄積するの
に役立つＸ線感知素子である。蓄積電荷は所定の時間の
期間中に入射する放射の量に比例する。 図に示される
各センサ素子は例えば薄膜トランジスタである電気的ス
イッチ２からなる。 ［００１３］ これらの薄膜トランジスタ２は共通製造工程でセンサ素
子１２．…，７３と共に実現されうる。 ［００１４］ 図の切截した表示では、マトリックスの第１の行に対し
センサ素子１２及び１３だけを完全に示す。毎回２つの
センサ素子が示される他の行に対しても同じことがあて
はまる。更に、図は各列に対し７つのセンサ素子を示す
。例えば−列はセンサ素子１２，２２，３２，４２，５
２．６２及び７２からなる。 ［００１５］ 一行のセンサ素子即ちより正確に言えば、それらの電気
的スイッチ２は関連した行と関係するスイッチングライ
ン１９，２９，３９，４９，５９．６９又は７９を介し
て活性化されうる。従って、図示の実施例では２つのセ
ンサ素子１２及び１３のスイッチ２はこの行に対し設け
られたスイッチングライン１９を介して活性化されうる
。別な行に対する別なスイッチングライン２９，３９，
４９，５９．６９．及び７９に対しても同じことがあて
はまる。 ［００１６］ センサ素子の各列に対して、共通読取りラインが設けら
れる。センサ素子１２２２．３２，４２，５２，６２．
７２の列に対してこれが共通読取りライン８２である。 共通読取りライン８３はセンサ素子１３，２３，３３，
４３，５３゜６３．７３の列に対し設けられる。 ［００１７］ しかし、各列に対し、幾つかの部分読取りラインが設け
られる。例えば、センサ素子１２及び２２は電子スイッ
チ２のような薄膜トランジスタでよい電子スイッチ４を
介してこの列の共通読取りライン８２に接続されうる部
分読取りライン９１に接続される。このために、部分読
取ライン９１及び９４のスイッチ４及び６を介して夫々
活性化されうるスイッチングライン８が設けられる。こ
の列に存在する別なセンサ素子３２，４２及び５２は、
そのスイッチ２を介して電子スイッチ５を介してそれ自
体がこの列の共通読取りライン８２に接続されうる部分
読取りライン９２に接続されうる。このために、部分読
取りライン９２の電気的スイッチ５及び部分読取りライ
ン９５の電気的スイッチ７を介して活性化されうるスイ
ッチングライン９が設けられる。切截した図では、別な
部分読取りライン９３はこの列の別なセンサ素子６２及
び７２用に示され、該部分読取りライン９３は図示され
ない方法で共通読取りライン８２にも接続される。図示
されてないがこの列に存在する別なセンサ素子は部分読
取りラインを介してこの列の共通読取りライン８２に同
様に接続される。これは、部分読取りラインのスイッチ
を活性化できる別なスイッチングラインが設けられ、こ
れにより部分読取りラインが関連する共通読取りライン
に接続されうろことで実現される。 ［００１８］ 例えば図の第３行のセンサ素子、即ちセンサ素子３２及
び３３から読取られる時、その電気的スイッチ２はスイ
ッチングライン３９を介して活性化さるべきである。セ
ンサ素子３２の電荷は次に部分読取りライン９２を介し
て流れ、センサ素子３３の電荷は部分読取りライン９５
を介して流れる。スイッチングライン３９だけが活性化
されるので、この場合、これらのセンサ素子に関連する
スイッチだけが活性化される。他の行のセンサ素子の他
の全てのスイッチは阻止される。 部分読取りライン９２及び９５は、スイッチングライン
９に対応するスイッチング信号を用いて、夫々その関連
した電気的スイッチ５及び７を介して読取り動作の為に
活性化され、これにより部分読取りライン９２はこの列
の為に設けられた共通読取りライン８２に接続される。 スイッチ７の活性化の後、この列に対し設けられた共通
読取りライン８３に接続される部分読取りラインにも同
じことがあてはまる。従って、センサ素子３２の電荷は
その電気的スイッチ２を介して部分読取りライン９２に
流れ、更に電気的スイッチ５を介して共通読取りライン
８２に流れる。この行に存在するセンサ素子３３及び図
示されてないが他のセンサ素子にも同じことがあてはま
る。 ［００１９］ 対応する読取り動作は全ての行で順次実行されえ；毎回
読取られるべき行に関連し、各列に対し設けられた読取
りラインは共通読取りラインに接続されなければならな
い。 ［００２０］ 小さい寄生容量のため雑音作用の改善が、各列の共通読
取りラインが比較的少ない電気的スイッチを介して部分
読取りラインに接続されることで達成される。 各部分読取りライン自体は列の少ないセンサ素子とだけ
に接続される。その結果部分ライン及び共通読取りライ
ンを介する読取り動作中、２つのラインは関連する列に
存在するセンサ素子の数より実質的に少ない数の電気的
スイッチに接続される。この効果は、各列に存在するセ
ンサ素子がより多くあると、より明らかである。この効
果は図示されるマトリックスの一部から既に明らかであ
り、その理由は、この実施例では従来技術の装置の読取
りラインは７つのスイッチを介して一列の７つの素子に
接続される。しかし、本発明による解決策によれば、部
分読取りラインには３つのスイッチだけが設けられ、共
通読取りラインには２つのスイッチが設けられ、これに
よりこの比較的小さい装置に対し利点が得られる。 より大きい装置の場合には、例えば１列あたり２千のセ
ンサ素子からなり、略６から７の係数による各列の読取
りラインの容量の減少が本発明により達成される
【図１】
センサマトリックスの一部を示す図である。
１ センサマトリックス
２．３，４，５，６．７ 電気的スイッチ８．９，１
９，２９，３９，４９，５９，６９，７９． スイッ
チングライン１２．１３，２２，２３，３２，３３，４
２，４３，５２，５３，６２，６３７２．７３ セン
サ素子 ８２．８３ 共通読取りライン ９１．９２，９３，９４，９５．９６ 部分読取りラ
イン
９，２９，３９，４９，５９，６９，７９． スイッ
チングライン１２．１３，２２，２３，３２，３３，４
２，４３，５２，５３，６２，６３７２．７３ セン
サ素子 ８２．８３ 共通読取りライン ９１．９２，９３，９４，９５．９６ 部分読取りラ
イン
図面
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】マトリックスの行及び列に配置された幾つ
かの光感知又はＸ線感知センサ素子（１２，１３，２２
，２３，…，７２，７３）の電荷を読取り、各センサ素
子は各電気的スイッチ（２）からなり、各センサ列に対
し共通読取りラインが設けられ、一方各センサ行に対し
、センサ素子のスイッチ（２）を介して活性化されうる
スイッチングラインが設けられ、これにより活性化され
た行のセンサ素子の電荷は読取りライン（８２，８３）
を介して出力される装置であって、各センサ列に対して
、関連するスイッチ（２）を介してそれぞれが一列の少
ないセンサ素子（１２，２２，…，７２，…）に接続さ
れえ、別な電気的スイッチ（４，５，…）を介してその
列の共通読取りライン（８２，８３）に個々に接続され
うる幾つかの部分読取ライン（９１，９２，９３）が設
けられ、センサ行の読取り動作に対しそのスイッチ（２
）を介して活性化されたセンサ行に接続される部分読取
りライン（９１，９２，…）が各列で共通読取りライン
（８２，８３）に接続可能であることを特徴とするセン
サマトリックスの電荷読取装置。 - 【請求項２】薄膜トランジスタは部分読取りライン（８
２，８３）の電気的スイッチと同様センサ素子（１２，
１３，２２，２３，…，７２，７３）の電気素子（２，
４，５，６，７）に用いられることを特徴とする請求項
１の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3942200A DE3942200A1 (de) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | Anordnung zum auslesen einer sensormatrix |
| DE39422003 | 1989-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03289778A true JPH03289778A (ja) | 1991-12-19 |
| JP2994046B2 JP2994046B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=6395950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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