JP2993192B2 - 光制御回路 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波の変調、光切り替え
等を行う光制御回路に係わり、特に基板中に設けた光導
波路を用いて制御を行う導波型の光制御回路に関する。
等を行う光制御回路に係わり、特に基板中に設けた光導
波路を用いて制御を行う導波型の光制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化が進むにつれ、
さらに大容量や多機能をもつ高度のシステムが求められ
ており、より高度の光信号の発生や光伝送路の切り替
え、交換等の新たな機能の付加が必要とされている。現
在の実用システムでは光信号は直接半導体レーザや発光
ダイオードの注入電流を変調することによって得られて
いるが、直接変調では緩和振動等の効果のため、１０Ｇ
ＨZ 前後以上の高速変調が難しいこと、波長変動が発生
するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい等の
欠点がある。
さらに大容量や多機能をもつ高度のシステムが求められ
ており、より高度の光信号の発生や光伝送路の切り替
え、交換等の新たな機能の付加が必要とされている。現
在の実用システムでは光信号は直接半導体レーザや発光
ダイオードの注入電流を変調することによって得られて
いるが、直接変調では緩和振動等の効果のため、１０Ｇ
ＨZ 前後以上の高速変調が難しいこと、波長変動が発生
するためコヒーレント光伝送方式には適用が難しい等の
欠点がある。
【０００３】これを解決する手段としては、外部変調器
を使用する方法が提案されており、特に基板中に形成し
た光導波路により構成した導波型の光変調器は、小型、
高効率、高速という特長がある。一方、光伝送路の切り
替えやネットワークの交換機能を得る手段としては光ス
イッチが使用されている。現在実用されている光スイッ
チは、プリズム、ミラー、ファイバ等を機械的に移動さ
せるものであるが、低速であること、信頼性が不十分で
あること、および形状が大きくマトリクス化に不適であ
る等の欠点がある。これを解決する手段として開発が進
められているものは、やはり光導波路を用いた導波型の
光スイッチであり、この光スイッチは高速かつ多素子の
集積化が可能で、信頼性が高い等の特長がある。特に、
ニオブ酸リチウム（以下、ＬｉＮｂＯ3 とする）結晶等
の強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失
であると共に、大きな電気光学効果を有しているため高
効率である等の特長があり、従来からも方向性結合器型
光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチまたはマッハ
ツェンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。
を使用する方法が提案されており、特に基板中に形成し
た光導波路により構成した導波型の光変調器は、小型、
高効率、高速という特長がある。一方、光伝送路の切り
替えやネットワークの交換機能を得る手段としては光ス
イッチが使用されている。現在実用されている光スイッ
チは、プリズム、ミラー、ファイバ等を機械的に移動さ
せるものであるが、低速であること、信頼性が不十分で
あること、および形状が大きくマトリクス化に不適であ
る等の欠点がある。これを解決する手段として開発が進
められているものは、やはり光導波路を用いた導波型の
光スイッチであり、この光スイッチは高速かつ多素子の
集積化が可能で、信頼性が高い等の特長がある。特に、
ニオブ酸リチウム（以下、ＬｉＮｂＯ3 とする）結晶等
の強誘電体材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失
であると共に、大きな電気光学効果を有しているため高
効率である等の特長があり、従来からも方向性結合器型
光変調器・スイッチ、全反射型光スイッチまたはマッハ
ツェンダ型光変調器等の種々の方式の光制御素子が報告
されている。
【０００４】図３に従来の光制御デバイスの一例として
方向性結合器型光スイッチの平面図、図４に図３のＩＶ
−ＩＶ線に沿った断面図を示す。図３において、ＬｉＮ
ｂＯ 3 結晶から成る基板１上には、Ｔｉを拡散して屈折
率を基板１よりも大きくして形成したストライプ状の光
導波路２、３が形成されている。この光導波路２、３は
中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、方向性結合器４
を形成している。また、この方向性結合器４を構成する
光導波路２、３上には、図４に示すように、電極による
光吸収を防ぐためのバッファ層５を介して一対の光制御
電極６、７が形成されている。この光制御電極６、７に
はスイッチ８、スイッチ電源９が接続されている。
方向性結合器型光スイッチの平面図、図４に図３のＩＶ
−ＩＶ線に沿った断面図を示す。図３において、ＬｉＮ
ｂＯ 3 結晶から成る基板１上には、Ｔｉを拡散して屈折
率を基板１よりも大きくして形成したストライプ状の光
導波路２、３が形成されている。この光導波路２、３は
中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、方向性結合器４
を形成している。また、この方向性結合器４を構成する
光導波路２、３上には、図４に示すように、電極による
光吸収を防ぐためのバッファ層５を介して一対の光制御
電極６、７が形成されている。この光制御電極６、７に
はスイッチ８、スイッチ電源９が接続されている。
【０００５】以上のような構成において、光制御電極６
と７が同電位の場合、図３に示すごとく、光導波路２に
入射した入射光１０は方向性結合器４の部分を伝搬する
にしたがって、近接した光導波路３へ徐々に光エネルギ
ーが移り、方向性結合器４を通過した後は、光導波路３
にほぼ１００％エネルギーが移って出射光１１となる。
一方、光制御電極６、７間に電圧を印加した場合、この
光制御電極６、７間に発生する電界によるＬｉＮｂＯ3
の電気光学効果で光制御電極６、７下の光導波路２、３
の屈折率が変化し、光導波路２と３を伝搬する導波モー
ドの間に位相速度の不整合が生じ、両者の間の結合状態
が変化する。印加電圧の増加によって光導波路３の出射
光１１の強度は減少し、ある特定の電圧（以下、ＶS と
する）において極小値をとる。このとき、もう一方の光
導波路２の出射光強度が最大となる。一方、印加電圧の
極性を反転させた場合も同様で印加電圧０Ｖにおいて出
射光１１が最大に、−ＶS において最小になる。図５に
印加電圧に対する出射光１１の変化の一例を実線１２で
示す。したがって、光伝送路の切り替えを行う場合は、
光制御電極６、７間の電圧を０ないしはＶS とすること
により、光信号の出力先を選択するようにしている。こ
のような導波型の光制御素子を実際の光通信システムに
適用する場合、低損失、高速性等の基本的性能と同時に
特に、動作特性の安定性が重要である。しかし、従来の
導波型光制御デバイスでは、動作特性の安定性に関して
は十分な特性が得られていない。
と７が同電位の場合、図３に示すごとく、光導波路２に
入射した入射光１０は方向性結合器４の部分を伝搬する
にしたがって、近接した光導波路３へ徐々に光エネルギ
ーが移り、方向性結合器４を通過した後は、光導波路３
にほぼ１００％エネルギーが移って出射光１１となる。
一方、光制御電極６、７間に電圧を印加した場合、この
光制御電極６、７間に発生する電界によるＬｉＮｂＯ3
の電気光学効果で光制御電極６、７下の光導波路２、３
の屈折率が変化し、光導波路２と３を伝搬する導波モー
ドの間に位相速度の不整合が生じ、両者の間の結合状態
が変化する。印加電圧の増加によって光導波路３の出射
光１１の強度は減少し、ある特定の電圧（以下、ＶS と
する）において極小値をとる。このとき、もう一方の光
導波路２の出射光強度が最大となる。一方、印加電圧の
極性を反転させた場合も同様で印加電圧０Ｖにおいて出
射光１１が最大に、−ＶS において最小になる。図５に
印加電圧に対する出射光１１の変化の一例を実線１２で
示す。したがって、光伝送路の切り替えを行う場合は、
光制御電極６、７間の電圧を０ないしはＶS とすること
により、光信号の出力先を選択するようにしている。こ
のような導波型の光制御素子を実際の光通信システムに
適用する場合、低損失、高速性等の基本的性能と同時に
特に、動作特性の安定性が重要である。しかし、従来の
導波型光制御デバイスでは、動作特性の安定性に関して
は十分な特性が得られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の光ス
イッチにおいては、伝送路の切り替えのために電圧を印
加した状態を続けるとスイッチの光出力−電圧特性が印
加電圧方向へドリフトする現象が起こる（以下、この現
象をＤＣドリフトと呼ぶ）。このＤＣドリフトにより変
化した光スイッチの電圧−光出力特性の一例を図５の破
線１３に示す。ＤＣドリフトが発生すると出射光１１の
最大値、最小値が得られる電圧はそれぞれ０、ＶS から
ΔＶ、ＶS ＋ΔＶへとシフトする。
イッチにおいては、伝送路の切り替えのために電圧を印
加した状態を続けるとスイッチの光出力−電圧特性が印
加電圧方向へドリフトする現象が起こる（以下、この現
象をＤＣドリフトと呼ぶ）。このＤＣドリフトにより変
化した光スイッチの電圧−光出力特性の一例を図５の破
線１３に示す。ＤＣドリフトが発生すると出射光１１の
最大値、最小値が得られる電圧はそれぞれ０、ＶS から
ΔＶ、ＶS ＋ΔＶへとシフトする。
【０００７】このドリフト電圧ΔＶは電圧印加時間およ
び印加電圧により変化し、図６に示すように一定時間で
ドリフト量は飽和する。また、ＤＣドリフトは可逆的な
現象であり電圧を除くと減少し、ΔＶは０に戻る。この
ＤＣドリフトの原因は、ドリフト量の飽和特性および可
逆性より基板ないしはＳｉＯ2 バッファ層に含まれる不
純物イオンが電極間の電界に引かれて移動して反電界を
形成し、電気光学効果による屈折率変化に関与する電界
が実効的に減少するためと推定される。以上説明したＤ
Ｃドリフトが発生すると光スイッチの特性はスイッチン
グ状態の履歴により変動することになり、例えば動作電
圧を一定に設定した場合、クロストーク劣化が起こり、
安定な動作が望めず、実用化の上で大きな問題となって
いた。
び印加電圧により変化し、図６に示すように一定時間で
ドリフト量は飽和する。また、ＤＣドリフトは可逆的な
現象であり電圧を除くと減少し、ΔＶは０に戻る。この
ＤＣドリフトの原因は、ドリフト量の飽和特性および可
逆性より基板ないしはＳｉＯ2 バッファ層に含まれる不
純物イオンが電極間の電界に引かれて移動して反電界を
形成し、電気光学効果による屈折率変化に関与する電界
が実効的に減少するためと推定される。以上説明したＤ
Ｃドリフトが発生すると光スイッチの特性はスイッチン
グ状態の履歴により変動することになり、例えば動作電
圧を一定に設定した場合、クロストーク劣化が起こり、
安定な動作が望めず、実用化の上で大きな問題となって
いた。
【０００８】本発明の目的は上述した問題に鑑みなされ
たもので、ＤＣドリフトによる特性の変動を抑圧し、安
定な動作が得られるようにした光制御回路を提供するに
ある。
たもので、ＤＣドリフトによる特性の変動を抑圧し、安
定な動作が得られるようにした光制御回路を提供するに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）電気光学効果を有する誘電体基板に形成され
た光導波路と、（ロ）この光導波路の近傍に設けられか
つ電界を制御することにより前記した光導波路の屈折率
を変化させる第１および第２の電極からなる一対の光制
御電極と、（ハ）光制御電極の第１の電極に一方の極を
接続し他方の極を誘電体基板の光制御電極形成面に対し
裏面に設けられたバイアス電極に接続したバイアス電源
と、（ニ）このバイアス電源の電圧よりも低い電圧を有
し前記した第１の電極にバイアス電源の前記した他方の
極と同一の極を接続したスイッチ電源と、（ホ）第２の
電極と一端を接続され、他端を前記した第１の電極と接
続するかスイッチ電源の残りの極に接続するかを選択す
るスイッチとを光制御回路に具備させる。
は、（イ）電気光学効果を有する誘電体基板に形成され
た光導波路と、（ロ）この光導波路の近傍に設けられか
つ電界を制御することにより前記した光導波路の屈折率
を変化させる第１および第２の電極からなる一対の光制
御電極と、（ハ）光制御電極の第１の電極に一方の極を
接続し他方の極を誘電体基板の光制御電極形成面に対し
裏面に設けられたバイアス電極に接続したバイアス電源
と、（ニ）このバイアス電源の電圧よりも低い電圧を有
し前記した第１の電極にバイアス電源の前記した他方の
極と同一の極を接続したスイッチ電源と、（ホ）第２の
電極と一端を接続され、他端を前記した第１の電極と接
続するかスイッチ電源の残りの極に接続するかを選択す
るスイッチとを光制御回路に具備させる。
【００１０】請求項２記載の発明は、光導波路がＬｉＮ
ｂＯ3 結晶基板にＴｉを拡散することにより形成されて
成ることを特徴とする。
ｂＯ3 結晶基板にＴｉを拡散することにより形成されて
成ることを特徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、光制御電極が方向
性結合器を構成する光導波路上にバッファ層を介して形
成されて成ることを特徴とする。
性結合器を構成する光導波路上にバッファ層を介して形
成されて成ることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、光制御電極とバイアス電極間
に、スイッチ電源の電圧よりも大きな電圧のバイアス電
源によって常時バイアス電圧を印加しておくことによ
り、ＤＣドリフトを引き起こす不純物イオンの移動を抑
えることができる。したがって、スイッチングあるいは
変調時のドリフトを抑圧でき、安定な動作をする光制御
回路が得られる。
に、スイッチ電源の電圧よりも大きな電圧のバイアス電
源によって常時バイアス電圧を印加しておくことによ
り、ＤＣドリフトを引き起こす不純物イオンの移動を抑
えることができる。したがって、スイッチングあるいは
変調時のドリフトを抑圧でき、安定な動作をする光制御
回路が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明に係わるクロック光制御回路
の一実施例を示す斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断
面図である。Ｚ−Ｃｕｔ、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板２０の
−Ｚ面上にストライプ状のＴｉを９００〜１１００℃で
数時間拡散することにより、幅３〜１０μｍ程度の光導
波路２１、２２を形成している。なお、ＬｉＮｂＯ3 は
３方晶系の結晶系に属し、Ｚ軸が３回対称軸、Ｙ軸が鏡
面内にあり、Ｘ軸がＹ軸に垂直な結晶である。光導波路
２１、２２は中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、方
向性結合器２３を形成している。この方向性結合器２３
の長さは光導波路２１、２２間の光の移動が１００％と
なるよう設定されている。また、この方向性結合器２３
を構成する光導波路２１、２２上には電極による光吸収
を防ぐためのバッファ層２４を介して光制御電極２５、
２６が形成されている。光制御電極２６は接地されてお
り、かつ光制御電極２５、２６間にはスイッチ２７を切
り替えることによりスイッチ電圧ＶS を印加できるよう
に、スイッチ電源２８が接続されている。また、ＬｉＮ
ｂＯ3 結晶基板２０の裏面である＋Ｚ面には、光制御電
極２５、２６と対向するようにバイアス電極２９が形成
されている。このバイアス電極２９にはバイアス電源３
０が接続されており、バイアス電極２９と光制御電極２
５、２６間にはスイッチ電圧ＶS よりも十分に大きい負
のバイアス電圧ＶB が常時印加されている。
の一実施例を示す斜視図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断
面図である。Ｚ−Ｃｕｔ、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板２０の
−Ｚ面上にストライプ状のＴｉを９００〜１１００℃で
数時間拡散することにより、幅３〜１０μｍ程度の光導
波路２１、２２を形成している。なお、ＬｉＮｂＯ3 は
３方晶系の結晶系に属し、Ｚ軸が３回対称軸、Ｙ軸が鏡
面内にあり、Ｘ軸がＹ軸に垂直な結晶である。光導波路
２１、２２は中央部で互いに数μｍ程度まで近接し、方
向性結合器２３を形成している。この方向性結合器２３
の長さは光導波路２１、２２間の光の移動が１００％と
なるよう設定されている。また、この方向性結合器２３
を構成する光導波路２１、２２上には電極による光吸収
を防ぐためのバッファ層２４を介して光制御電極２５、
２６が形成されている。光制御電極２６は接地されてお
り、かつ光制御電極２５、２６間にはスイッチ２７を切
り替えることによりスイッチ電圧ＶS を印加できるよう
に、スイッチ電源２８が接続されている。また、ＬｉＮ
ｂＯ3 結晶基板２０の裏面である＋Ｚ面には、光制御電
極２５、２６と対向するようにバイアス電極２９が形成
されている。このバイアス電極２９にはバイアス電源３
０が接続されており、バイアス電極２９と光制御電極２
５、２６間にはスイッチ電圧ＶS よりも十分に大きい負
のバイアス電圧ＶB が常時印加されている。
【００１５】以上のような構成において、光制御電極２
５と２６間が同電位の場合、光導波路２１に入射した入
射光３１は方向性結合器２３の部分を伝搬するにしたが
って、近接した光導波路２２へ徐々に光エネルギーが移
り、方向性結合器２３を通過した後は、光導波路２２に
ほぼ１００％エネルギーが移って出射光３２となる。一
方、光制御電極２５、２６間にスイッチ電圧ＶS を印加
した場合、この光制御電極２５、２６間に発生する電界
によるＬｉＮｂＯ3の電気光学効果で光制御電極２５、
２６下の光導波路２１、２２の屈折率が変化し、光導波
路２１、２２を伝搬する導波モードの間に位相速度の不
整合が生じて、両者の間の結合状態が変化し、出射光３
２の強度は殆ど０となる。
５と２６間が同電位の場合、光導波路２１に入射した入
射光３１は方向性結合器２３の部分を伝搬するにしたが
って、近接した光導波路２２へ徐々に光エネルギーが移
り、方向性結合器２３を通過した後は、光導波路２２に
ほぼ１００％エネルギーが移って出射光３２となる。一
方、光制御電極２５、２６間にスイッチ電圧ＶS を印加
した場合、この光制御電極２５、２６間に発生する電界
によるＬｉＮｂＯ3の電気光学効果で光制御電極２５、
２６下の光導波路２１、２２の屈折率が変化し、光導波
路２１、２２を伝搬する導波モードの間に位相速度の不
整合が生じて、両者の間の結合状態が変化し、出射光３
２の強度は殆ど０となる。
【００１６】本実施例の構成では光制御電極２５、２６
とバイアス電極２９間に常時スイッチ電圧ＶS よりも十
分に大きい負バイアス電圧ＶB を印加しているため、基
板２０に含まれるプラスの不純物イオンがバイアス電圧
に引かれて移動し、バイアス電極２９の近傍に集中し光
制御電極２５、２６近傍から不純物イオンが無くなる。
このため、光制御電極２５、２６間の電圧の有無による
不純物イオンの移動による実効的電界の減少、すなわち
ＤＣドリフトもなくなる。
とバイアス電極２９間に常時スイッチ電圧ＶS よりも十
分に大きい負バイアス電圧ＶB を印加しているため、基
板２０に含まれるプラスの不純物イオンがバイアス電圧
に引かれて移動し、バイアス電極２９の近傍に集中し光
制御電極２５、２６近傍から不純物イオンが無くなる。
このため、光制御電極２５、２６間の電圧の有無による
不純物イオンの移動による実効的電界の減少、すなわち
ＤＣドリフトもなくなる。
【００１７】また、本実施例ではバイアス電圧による電
気光学効果によっても光導波路２１、２２の屈折率は変
化するが、光導波路２１、２２にかかる電界の強度・向
きは等しくなるため、両光導波路２１、２２を伝播する
光の導波モードの間に位相速度の不整合は生じない。こ
のため、スイッチ動作にはまったく影響を及ぼさない。
気光学効果によっても光導波路２１、２２の屈折率は変
化するが、光導波路２１、２２にかかる電界の強度・向
きは等しくなるため、両光導波路２１、２２を伝播する
光の導波モードの間に位相速度の不整合は生じない。こ
のため、スイッチ動作にはまったく影響を及ぼさない。
【００１８】なお、上述した実施例においては、Ｔｉ拡
散ＬｉＮｂＯ3 光導波路の場合を例にとって説明した
が、別にこれに限定されるものではなく他の電気光学効
果を有する誘電体基板や光導波路に本発明を用いる場合
も同様の効果が得られる。また、集中定数型電極に限ら
ず進行波型電極でも同様の効果が得られる。さらに、上
述した実施例では負バイアス電圧を印加する場合につい
て説明したが、ＬｉＮｂＯ3 基板に含まれる不純物イオ
BR>ンの極性が負イオンである場合は正バイアス電圧を
印加することにより同様の効果が得られる。
散ＬｉＮｂＯ3 光導波路の場合を例にとって説明した
が、別にこれに限定されるものではなく他の電気光学効
果を有する誘電体基板や光導波路に本発明を用いる場合
も同様の効果が得られる。また、集中定数型電極に限ら
ず進行波型電極でも同様の効果が得られる。さらに、上
述した実施例では負バイアス電圧を印加する場合につい
て説明したが、ＬｉＮｂＯ3 基板に含まれる不純物イオ
BR>ンの極性が負イオンである場合は正バイアス電圧を
印加することにより同様の効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係わる光制
御回路によれば、光制御電極を構成する一対の電極のう
ちの一方の電極とバイアス電極間に、スイッチ電源の電
圧よりも大きな電圧のバイアス電源によって常時バイア
ス電圧を印加した構成とすることにより、ＤＣドリフト
を引き起こす不純物イオンの移動を確実に抑えることが
可能となった。したがって、ＤＣドリフトによる特性の
変動を抑圧でき、安定した動作を得ることができるとい
う優れた効果を奏する。
御回路によれば、光制御電極を構成する一対の電極のう
ちの一方の電極とバイアス電極間に、スイッチ電源の電
圧よりも大きな電圧のバイアス電源によって常時バイア
ス電圧を印加した構成とすることにより、ＤＣドリフト
を引き起こす不純物イオンの移動を確実に抑えることが
可能となった。したがって、ＤＣドリフトによる特性の
変動を抑圧でき、安定した動作を得ることができるとい
う優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係わる光制御回路の一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】従来の光制御回路の一例を示す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】ＬｉＮｂＯ3 光スイッチのＤＣドリフト発生前
およびＤＣドリフト発生後の電圧−光出力特性の一例を
示す図である。
およびＤＣドリフト発生後の電圧−光出力特性の一例を
示す図である。
【図６】ＬｉＮｂＯ3 光スイッチの時間−ＤＣドリフト
量特性の一例を示す図である。
量特性の一例を示す図である。
２０ ＬｉＮｂＯ3 結晶基板 ２１、２２ 光導波路 ２４ バッファ層 ２５、２６ 光制御電極 ２９ バイアス電極
Claims (3)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する誘電体基板に形成
された光導波路と、 この光導波路の近傍に設けられかつ電界を制御すること
により前記光導波路の屈折率を変化させる第１および第
２の電極からなる一対の光制御電極と、光制御電極の第１の電極に一方の極を接続し他方の極を
前記誘電体基板の光制御電極形成面に対し裏面に設けら
れたバイアス電極に接続したバイアス電源と、 このバイアス電源の電圧よりも低い電圧を有し前記第１
の電極に前記バイアス電源の前記他方の極と同一の極を
接続したスイッチ電源と、 前記第２の電極と一端を接続され、他端を前記第１の電
極と接続するか前記スイッチ電源の残りの極に接続する
かを選択するスイッチ とから構成されて成ることを特徴
とする光制御回路。 - 【請求項２】 光導波路はＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＴｉ
を拡散することにより形成されて成ることを特徴とする
請求項１記載の光制御回路。 - 【請求項３】 光制御電極は方向性結合器を構成する光
導波路上にバッファ層を介して形成されて成ることを特
徴とする請求項１記載の光制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663391A JP2993192B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18663391A JP2993192B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527276A JPH0527276A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2993192B2 true JP2993192B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16191999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18663391A Expired - Lifetime JP2993192B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2993192B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5388170A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-07 | At&T Corp. | Electrooptic device structure and method for reducing thermal effects in optical waveguide modulators |
| JP4927358B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2012-05-09 | ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション | バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18663391A patent/JP2993192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527276A (ja) | 1993-02-05 |
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