JP2982642B2 - 赤外線加熱単結晶製造装置 - Google Patents
赤外線加熱単結晶製造装置Info
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- JP2982642B2 JP2982642B2 JP7037925A JP3792595A JP2982642B2 JP 2982642 B2 JP2982642 B2 JP 2982642B2 JP 7037925 A JP7037925 A JP 7037925A JP 3792595 A JP3792595 A JP 3792595A JP 2982642 B2 JP2982642 B2 JP 2982642B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線加熱単結晶製造装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高融点酸化物の単結晶製造にはハロゲン
ランプ等の赤外線ランプを利用した赤外線加熱フローテ
ィングゾーン方式の単結晶製造装置が使用されている。
これは、日本電気技報１９７４年Ｎｏ．１１２号Ｐ１３
〜Ｐ１８や応用物理第４７巻１９７８年Ｐ１１６６〜Ｐ
１１６９に紹介されているように、回転楕円面鏡の一方
の焦点に熱源としてハロゲンランプ等の赤外線ランプを
配置し、他方の焦点に原料棒や結晶棒の被加熱物を配置
して、上記赤外線ランプから照射された赤外線を回転楕
円面鏡で反射させて被加熱物に集光させ加熱する装置で
ある。
ランプ等の赤外線ランプを利用した赤外線加熱フローテ
ィングゾーン方式の単結晶製造装置が使用されている。
これは、日本電気技報１９７４年Ｎｏ．１１２号Ｐ１３
〜Ｐ１８や応用物理第４７巻１９７８年Ｐ１１６６〜Ｐ
１１６９に紹介されているように、回転楕円面鏡の一方
の焦点に熱源としてハロゲンランプ等の赤外線ランプを
配置し、他方の焦点に原料棒や結晶棒の被加熱物を配置
して、上記赤外線ランプから照射された赤外線を回転楕
円面鏡で反射させて被加熱物に集光させ加熱する装置で
ある。
【０００３】以下、本出願人が出願し、特開昭６３ー２
７４６８５号公報に開示された双楕円型の赤外線加熱単
結晶製造装置を、図４及び図５を参照しながら説明す
る。図４において、９、１０は対称形の二つの回転楕円
面で、各々の楕円体の一方の焦点Ｆ０、Ｆ０が一致する
ように対向結合させて加熱炉を構成したものである。１
１、１２は各回転楕円面鏡９、１０の他方の各第一、第
二の焦点Ｆ１、Ｆ２に固定配置した二つの光熱源の赤外
線ランプである。１３は各回転楕円面鏡９、１０の一致
した焦点Ｆ０に被加熱部、即ち上方から鉛直下方に延び
る原料棒１５と、下方から鉛直上方に延びる結晶棒１７
を突き合わせた部分を配置し、赤外線ランプ１１、１２
からの加熱時その部分が加熱溶融されて形成されるフロ
ーティングゾーン１３である。１８はフローティングゾ
ーン１３の結晶側固液界面２１近傍を囲繞するように設
置したリング状の遮蔽物である。１９は上記原料棒１５
と結晶棒１７とが配置された空間ｍ１と赤外線ランプ１
１、１２が配置された空間ｍ２とを区画する透明な石英
板である。
７４６８５号公報に開示された双楕円型の赤外線加熱単
結晶製造装置を、図４及び図５を参照しながら説明す
る。図４において、９、１０は対称形の二つの回転楕円
面で、各々の楕円体の一方の焦点Ｆ０、Ｆ０が一致する
ように対向結合させて加熱炉を構成したものである。１
１、１２は各回転楕円面鏡９、１０の他方の各第一、第
二の焦点Ｆ１、Ｆ２に固定配置した二つの光熱源の赤外
線ランプである。１３は各回転楕円面鏡９、１０の一致
した焦点Ｆ０に被加熱部、即ち上方から鉛直下方に延び
る原料棒１５と、下方から鉛直上方に延びる結晶棒１７
を突き合わせた部分を配置し、赤外線ランプ１１、１２
からの加熱時その部分が加熱溶融されて形成されるフロ
ーティングゾーン１３である。１８はフローティングゾ
ーン１３の結晶側固液界面２１近傍を囲繞するように設
置したリング状の遮蔽物である。１９は上記原料棒１５
と結晶棒１７とが配置された空間ｍ１と赤外線ランプ１
１、１２が配置された空間ｍ２とを区画する透明な石英
板である。
【０００４】上記装置を用いた単結晶育成法は各回転楕
円面鏡９、１０の各第一、第二の焦点Ｆ１、Ｆ２に配置
された赤外線ランプ１１、１２から照射される赤外線を
回転楕円面鏡９、１０にて反射させ、焦点Ｆ０に配置さ
れた原料棒１５の下端に集光させ、輻射エネルギーによ
って原料棒１５の下端から結晶棒１７の上端部分を溶融
し、回転させながら上主軸１４と下主軸１６を鉛直方向
に下降させることにより単結晶育成を行なわせる。単結
晶育成にはフローティングゾーン１３の安定維持が必要
であり、遮蔽物１８をフローティングゾーン１３の結晶
側固液界面２１近傍を取り囲むように配設し、結晶側固
液界面２１近傍の鉛直方向の温度勾配を急峻にしてフロ
ーティングゾーン１３の水平方向の温度分布を改善した
り、フローティングゾーン１３の長さを抑え溶融液の自
重による垂れを防いだりしてフローティングゾーン１３
の安定維持には細心の注意を払っている。
円面鏡９、１０の各第一、第二の焦点Ｆ１、Ｆ２に配置
された赤外線ランプ１１、１２から照射される赤外線を
回転楕円面鏡９、１０にて反射させ、焦点Ｆ０に配置さ
れた原料棒１５の下端に集光させ、輻射エネルギーによ
って原料棒１５の下端から結晶棒１７の上端部分を溶融
し、回転させながら上主軸１４と下主軸１６を鉛直方向
に下降させることにより単結晶育成を行なわせる。単結
晶育成にはフローティングゾーン１３の安定維持が必要
であり、遮蔽物１８をフローティングゾーン１３の結晶
側固液界面２１近傍を取り囲むように配設し、結晶側固
液界面２１近傍の鉛直方向の温度勾配を急峻にしてフロ
ーティングゾーン１３の水平方向の温度分布を改善した
り、フローティングゾーン１３の長さを抑え溶融液の自
重による垂れを防いだりしてフローティングゾーン１３
の安定維持には細心の注意を払っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記赤外線
加熱による単結晶育成では、原料棒１５に酸化物粉末の
焼結材を使うが、焼結材には細孔が多く、また焼結状態
の違いでその細孔の分布状態のバラツキも大きいため、
細孔が多く原料棒が粗な部分と細孔が少なく密な部分で
は溶け込む原料の量が違うため原料供給が一定にならな
かったり、溶融液が原料棒１５の細孔に毛細管現象でし
み込むためフローティングゾーン１３の容量が変化して
フローティングゾーン１３の安定を乱し良好な結晶成長
を妨げたり、細孔にしみ込んだ溶融液のために部分的に
組成の変化がおこり、結晶に組成偏析を生じたりする問
題があった。そこで、本発明は上記問題に鑑みて提案さ
れたものでその目的とするところは、原料棒の細孔への
溶融液のしみ込みが少ない赤外線加熱単結晶製造装置を
提供することにある。
加熱による単結晶育成では、原料棒１５に酸化物粉末の
焼結材を使うが、焼結材には細孔が多く、また焼結状態
の違いでその細孔の分布状態のバラツキも大きいため、
細孔が多く原料棒が粗な部分と細孔が少なく密な部分で
は溶け込む原料の量が違うため原料供給が一定にならな
かったり、溶融液が原料棒１５の細孔に毛細管現象でし
み込むためフローティングゾーン１３の容量が変化して
フローティングゾーン１３の安定を乱し良好な結晶成長
を妨げたり、細孔にしみ込んだ溶融液のために部分的に
組成の変化がおこり、結晶に組成偏析を生じたりする問
題があった。そこで、本発明は上記問題に鑑みて提案さ
れたものでその目的とするところは、原料棒の細孔への
溶融液のしみ込みが少ない赤外線加熱単結晶製造装置を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転楕円面鏡
の一方の焦点に赤外線ランプを配置し、他方の焦点を被
加熱部とし、被加熱部は透明板で前記赤外線ランプとは
隔絶され、被加熱部で、送り込まれた原料棒を溶融して
フローティングゾーンを形成し、このフローティングゾ
ーンから溶融物を引き出しながら結晶棒を育成させる赤
外線単結晶製造装置において、被加熱部には原料棒とフ
ローティングゾーンとの固液界面近傍を囲繞する遮蔽物
を配置し、遮蔽物は冷媒で冷却されることを特徴とする
赤外線単結晶製造装置を提供する。また、回転楕円面鏡
が双楕円型に形成され、一方の焦点にそれぞれ赤外線ラ
ンプ、他方の共通の焦点に被加熱部を配置したことも特
徴とする。
の一方の焦点に赤外線ランプを配置し、他方の焦点を被
加熱部とし、被加熱部は透明板で前記赤外線ランプとは
隔絶され、被加熱部で、送り込まれた原料棒を溶融して
フローティングゾーンを形成し、このフローティングゾ
ーンから溶融物を引き出しながら結晶棒を育成させる赤
外線単結晶製造装置において、被加熱部には原料棒とフ
ローティングゾーンとの固液界面近傍を囲繞する遮蔽物
を配置し、遮蔽物は冷媒で冷却されることを特徴とする
赤外線単結晶製造装置を提供する。また、回転楕円面鏡
が双楕円型に形成され、一方の焦点にそれぞれ赤外線ラ
ンプ、他方の共通の焦点に被加熱部を配置したことも特
徴とする。
【０００７】
【作用】本発明に係る赤外線加熱単結晶製造装置ではフ
ローティングゾーンと原料棒との固液界面近傍を囲繞す
るように遮蔽物を設置することで赤外線ランプの照射が
遮断され、原料側に対する熱供給は溶融部分からの熱伝
導のみによってなされるために固液界面近傍部の鉛直方
向の温度勾配が急峻になる。すなわち、原料棒の温度が
固液界面近傍からはなれると急激に下がるので毛細管現
象の起きる範囲が固液界面近傍のみに止まり、細孔への
しみ込みが少なくなるのでフローティングゾーンの安定
が保たれる。
ローティングゾーンと原料棒との固液界面近傍を囲繞す
るように遮蔽物を設置することで赤外線ランプの照射が
遮断され、原料側に対する熱供給は溶融部分からの熱伝
導のみによってなされるために固液界面近傍部の鉛直方
向の温度勾配が急峻になる。すなわち、原料棒の温度が
固液界面近傍からはなれると急激に下がるので毛細管現
象の起きる範囲が固液界面近傍のみに止まり、細孔への
しみ込みが少なくなるのでフローティングゾーンの安定
が保たれる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例である双楕円型の赤外線加
熱単結晶製造装置を図１乃至図３を参照しながら説明す
る。この装置は原料側遮蔽物２２を除いて従来例の図
４、図５と同じであるので同一部分には同一番号を付し
て説明する。図１において９、１０は対称形の二つの回
転楕円面鏡で、各々の回転楕円面鏡の一方の焦点Ｆ０、
Ｆ０が一致するように対向結合させて加熱炉を構成す
る。尚、上記回転楕円面鏡９、１０の内面即ち反射面
は、高反射率で反射させるために金メッキ処理が施され
ている。１１、１２は各回転楕円面鏡９、１０の他方
の、第１、第２の焦点Ｆ１、Ｆ２近傍に固定配置したハ
ロゲンランプ等の赤外線ランプである。１３は各回転楕
円面鏡９、１０の一致した焦点Ｆ０に位置する被加熱部
に形成されたフローティングゾーンで、上方から鉛直下
方に伸びる上主軸１４の下端に固定した原料棒１５と下
方から鉛直上方に伸びる下主軸１６の上端に固定した結
晶棒１７とを突き合わせた原料棒１５の溶解した部分で
ある。
熱単結晶製造装置を図１乃至図３を参照しながら説明す
る。この装置は原料側遮蔽物２２を除いて従来例の図
４、図５と同じであるので同一部分には同一番号を付し
て説明する。図１において９、１０は対称形の二つの回
転楕円面鏡で、各々の回転楕円面鏡の一方の焦点Ｆ０、
Ｆ０が一致するように対向結合させて加熱炉を構成す
る。尚、上記回転楕円面鏡９、１０の内面即ち反射面
は、高反射率で反射させるために金メッキ処理が施され
ている。１１、１２は各回転楕円面鏡９、１０の他方
の、第１、第２の焦点Ｆ１、Ｆ２近傍に固定配置したハ
ロゲンランプ等の赤外線ランプである。１３は各回転楕
円面鏡９、１０の一致した焦点Ｆ０に位置する被加熱部
に形成されたフローティングゾーンで、上方から鉛直下
方に伸びる上主軸１４の下端に固定した原料棒１５と下
方から鉛直上方に伸びる下主軸１６の上端に固定した結
晶棒１７とを突き合わせた原料棒１５の溶解した部分で
ある。
【０００９】１８は上記フローティングゾーン１３の結
晶側固液界面２１近傍を囲繞するように設置したリング
状の遮蔽物である。また、２２は本発明を特徴づけるフ
ローティングゾーンの原料棒側固液界面２３近傍を囲繞
するように設置した遮蔽物である。これらの遮蔽物は、
５mmφの水冷銅パイプで内径１０〜２０mmφのリングと
した。１９は原料棒１５と結晶棒１７とが配置された空
間ｍ１と赤外線ランプ１１、１２が配置された空間ｍ２
とを区画して試料室２０を形成する透明な石英板であ
り、赤外線ランプあるいは回転楕円面鏡からの光を透過
させる一方で、結晶育成に必要な雰囲気ガスを下方から
流入充満させ上方に抜けるようにするとともに、空間ｍ
１の高熱を遮断し、赤外線ランプ１１、１２を保護する
働きをもつ。
晶側固液界面２１近傍を囲繞するように設置したリング
状の遮蔽物である。また、２２は本発明を特徴づけるフ
ローティングゾーンの原料棒側固液界面２３近傍を囲繞
するように設置した遮蔽物である。これらの遮蔽物は、
５mmφの水冷銅パイプで内径１０〜２０mmφのリングと
した。１９は原料棒１５と結晶棒１７とが配置された空
間ｍ１と赤外線ランプ１１、１２が配置された空間ｍ２
とを区画して試料室２０を形成する透明な石英板であ
り、赤外線ランプあるいは回転楕円面鏡からの光を透過
させる一方で、結晶育成に必要な雰囲気ガスを下方から
流入充満させ上方に抜けるようにするとともに、空間ｍ
１の高熱を遮断し、赤外線ランプ１１、１２を保護する
働きをもつ。
【００１０】本発明の赤外線加熱単結晶製造装置による
単結晶育成を説明する。先ず、回転楕円面鏡９、１０の
第１、第２の焦点Ｆ１、Ｆ２に配置された赤外線ランプ
１１、１２から照射される赤外線を上記回転楕円面鏡
９、１０にて反射させ、焦点Ｆ０に集光させ、そこに位
置する原料棒の被加熱部を加熱する。この部分に原料棒
の下端と種結晶１７ｓの上端を位置させると、この赤外
線による輻射エネルギーにより原料棒の下端と種結晶１
７ｓが溶融する、この溶融した原料棒１５の下端と種結
晶棒１７ｓの上端を加熱しながら近づけて円滑に接触さ
せることにより、原料棒１５と種結晶棒１７ｓ間に融け
て液状になったフローティングゾーン１３が形成され
る。次に、このフローティングゾーン１３を原料棒、種
結晶棒とともに徐々に下降させて行けば炉の温度が結晶
化温度になった所で種結晶の結晶面軸を受け継いで結晶
が成長する。ここで原料棒の降下速度を調節することで
所定の径の結晶棒にすることができるし、回転をあたえ
ることで水平方向の温度分布をより均一にすることがで
きる。遮蔽物２２を設置したため赤外線ランプの照射が
遮断され、原料側に対する熱供給は溶融部分からの熱伝
導のみによってなされるために固液界面近傍部の鉛直方
向の原料棒側の温度勾配は急峻になり、毛細管現象によ
る原料棒の細孔への融液のしみ込みが固液界面２３の近
傍のみにとどまり、フローティングゾーン１３の安定維
持と原料の安定供給をおこなえる。また結晶側固液界面
２１近傍に遮蔽物１８を設置して高温領域の幅を狭くし
ているが、遮蔽物２２を設置したことにより更に高温領
域の幅を狭くすることができる。その結果、遮蔽物１８
だけの場合よりも更にフローティングゾーン１３が長く
ならず、溶融状態をコントロールするためのランプパワ
ー微調整が容易になり、かつフローティングゾーン１３
の融液量が少なくなるので自重によって融液が垂れ下る
こともなく、品質の良い単結晶の製造を実現できる。
単結晶育成を説明する。先ず、回転楕円面鏡９、１０の
第１、第２の焦点Ｆ１、Ｆ２に配置された赤外線ランプ
１１、１２から照射される赤外線を上記回転楕円面鏡
９、１０にて反射させ、焦点Ｆ０に集光させ、そこに位
置する原料棒の被加熱部を加熱する。この部分に原料棒
の下端と種結晶１７ｓの上端を位置させると、この赤外
線による輻射エネルギーにより原料棒の下端と種結晶１
７ｓが溶融する、この溶融した原料棒１５の下端と種結
晶棒１７ｓの上端を加熱しながら近づけて円滑に接触さ
せることにより、原料棒１５と種結晶棒１７ｓ間に融け
て液状になったフローティングゾーン１３が形成され
る。次に、このフローティングゾーン１３を原料棒、種
結晶棒とともに徐々に下降させて行けば炉の温度が結晶
化温度になった所で種結晶の結晶面軸を受け継いで結晶
が成長する。ここで原料棒の降下速度を調節することで
所定の径の結晶棒にすることができるし、回転をあたえ
ることで水平方向の温度分布をより均一にすることがで
きる。遮蔽物２２を設置したため赤外線ランプの照射が
遮断され、原料側に対する熱供給は溶融部分からの熱伝
導のみによってなされるために固液界面近傍部の鉛直方
向の原料棒側の温度勾配は急峻になり、毛細管現象によ
る原料棒の細孔への融液のしみ込みが固液界面２３の近
傍のみにとどまり、フローティングゾーン１３の安定維
持と原料の安定供給をおこなえる。また結晶側固液界面
２１近傍に遮蔽物１８を設置して高温領域の幅を狭くし
ているが、遮蔽物２２を設置したことにより更に高温領
域の幅を狭くすることができる。その結果、遮蔽物１８
だけの場合よりも更にフローティングゾーン１３が長く
ならず、溶融状態をコントロールするためのランプパワ
ー微調整が容易になり、かつフローティングゾーン１３
の融液量が少なくなるので自重によって融液が垂れ下る
こともなく、品質の良い単結晶の製造を実現できる。
【００１１】上記実施例では遮蔽物として水冷銅パイプ
を使用したが本発明はこれに限定されることなく液体窒
素等の液体やガス等で冷却された金属リングやセラミッ
クス等の耐熱材料を用いた遮蔽物としてもよい。また、
上記実施例では二つの回転楕円面鏡９、１０を組みつけ
た双楕円型の加熱炉について説明したが、単楕円型の加
熱炉や三つ以上の回転楕円面鏡を組みつけた加熱炉につ
いても適用可能である。また上記実施例では石英板によ
り結晶育成チャンバーを構成していたが、石英管で結晶
育成チャンバーを構成したものに本発明の遮蔽物を設置
してもよい。また、ハロゲンランプの定格に拘束される
ものでもない。
を使用したが本発明はこれに限定されることなく液体窒
素等の液体やガス等で冷却された金属リングやセラミッ
クス等の耐熱材料を用いた遮蔽物としてもよい。また、
上記実施例では二つの回転楕円面鏡９、１０を組みつけ
た双楕円型の加熱炉について説明したが、単楕円型の加
熱炉や三つ以上の回転楕円面鏡を組みつけた加熱炉につ
いても適用可能である。また上記実施例では石英板によ
り結晶育成チャンバーを構成していたが、石英管で結晶
育成チャンバーを構成したものに本発明の遮蔽物を設置
してもよい。また、ハロゲンランプの定格に拘束される
ものでもない。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係る赤外線加熱単結晶製造装置
によればフローティングゾーンの原料棒側の固液界面近
傍に遮蔽物を設置することで毛細管現象による融液の原
料棒へのしみ込みが固液界面の近傍のみにとどまり、安
定した原料供給が可能になり、高品質の単結晶がえられ
る。
によればフローティングゾーンの原料棒側の固液界面近
傍に遮蔽物を設置することで毛細管現象による融液の原
料棒へのしみ込みが固液界面の近傍のみにとどまり、安
定した原料供給が可能になり、高品質の単結晶がえられ
る。
【図１】 本発明の赤外線加熱単結晶製造装置の縦断面
図
図
【図２】 図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図
【図３】 図１の被加熱部を示す要部拡大正面図
【図４】 従来例の赤外線加熱単結晶製造装置の縦断面
図
図
【図５】 図４のＡ−Ａ線に沿う断面図
９，１０ 回転楕円面鏡 １１，１２ 赤外線ランプ １３ フローティングゾーン １５ 原料棒 １７ 結晶棒 １７ｓ 種結晶棒 １８ 遮蔽物 ２２ 遮蔽物 Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２ 焦点
Claims (2)
- 【請求項１】回転楕円面鏡の一方の焦点に赤外線ランプ
を配置し、他方の焦点を被加熱部とし、前記被加熱部は
透明板で前記赤外線ランプとは隔絶され、前記被加熱部
で、送り込まれた原料棒を溶融してフローティングゾー
ンを形成し、このフローティングゾーンから溶融物を引
き出しながら結晶棒を育成させる赤外線単結晶製造装置
において、前記被加熱部には前記原料棒とフローティン
グゾーンとの固液界面近傍を囲繞する遮蔽物を配置し、
前記遮蔽物は冷媒で冷却されることを特徴とする赤外線
単結晶製造装置。 - 【請求項２】前記回転楕円面鏡が双楕円型に形成され、
一方の焦点にそれぞれ赤外線ランプ、他方の共通の焦点
に被加熱部を配置したことを特徴とする請求項１記載の
赤外線単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7037925A JP2982642B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 赤外線加熱単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7037925A JP2982642B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 赤外線加熱単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08231292A JPH08231292A (ja) | 1996-09-10 |
| JP2982642B2 true JP2982642B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=12511136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7037925A Expired - Fee Related JP2982642B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 赤外線加熱単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982642B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101910473A (zh) * | 2007-12-25 | 2010-12-08 | 株式会社水晶系统 | 浮区熔化装置 |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP7037925A patent/JP2982642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08231292A (ja) | 1996-09-10 |
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