JP2981098B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面に凹凸部を有する光
電変換素子の製造方法に関するものである。
電変換素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン太陽電池を例にとって説明す
る。
る。
【０００３】シリコン太陽電池において、表面への凹凸
部の形成による表面反射の低減は、光電変換効率の高効
率化を図る要素技術の１つとして重要なものとなってい
る。
部の形成による表面反射の低減は、光電変換効率の高効
率化を図る要素技術の１つとして重要なものとなってい
る。
【０００４】従来、単結晶シリコン基板を用いた太陽電
池においては、（１００）面を持つ基板を、アルカリ溶
液中でエッチングを行なうことによって、表面にピラミ
ッド状の凹凸が形成できる。また、表面にレジストを塗
布し、これを格子状にパターニングした後、アルカリ溶
液中でエッチングを行なうことによって、逆ピラミッド
状の凹凸が形成できる。
池においては、（１００）面を持つ基板を、アルカリ溶
液中でエッチングを行なうことによって、表面にピラミ
ッド状の凹凸が形成できる。また、表面にレジストを塗
布し、これを格子状にパターニングした後、アルカリ溶
液中でエッチングを行なうことによって、逆ピラミッド
状の凹凸が形成できる。
【０００５】一方、低コスト化に有効な多結晶シリコン
基板を用いた場合においては、基板内の面方位が様々で
あるため、結晶の面方位に依存するアルカリ溶液中のエ
ッチングでは、均一な凹凸は形成できず、そのため反射
も低減されない。そこで、近年、多結晶シリコンにおい
ては、結晶の面方位に依存せず表面反射を低減する方法
として、表面にＶ字状またはＵ字状の断面を持つ溝状の
凹凸を確保する方法が開発されている。溝の加工方法と
しては、表面にレジストを塗布し、パターニングをした
後、エッチングする化学的加工や、レーザビーム，ダイ
シングマシン等を用いた機械的加工が提案されている。
基板を用いた場合においては、基板内の面方位が様々で
あるため、結晶の面方位に依存するアルカリ溶液中のエ
ッチングでは、均一な凹凸は形成できず、そのため反射
も低減されない。そこで、近年、多結晶シリコンにおい
ては、結晶の面方位に依存せず表面反射を低減する方法
として、表面にＶ字状またはＵ字状の断面を持つ溝状の
凹凸を確保する方法が開発されている。溝の加工方法と
しては、表面にレジストを塗布し、パターニングをした
後、エッチングする化学的加工や、レーザビーム，ダイ
シングマシン等を用いた機械的加工が提案されている。
【０００６】太陽電池としては、ピラミッド状や溝のよ
うな凹凸が形成された基板に、不純物を拡散することに
よって接合を形成し、次いで受光面と裏面に電極をそれ
ぞれ形成することによって完成する。受光面電極の形成
法としては、蒸着法や金属ペーストのスクリーン印刷法
等があるが、低コスト化を要求される太陽電池において
は、金属ペーストのスクリーン印刷法が一般的である。
うな凹凸が形成された基板に、不純物を拡散することに
よって接合を形成し、次いで受光面と裏面に電極をそれ
ぞれ形成することによって完成する。受光面電極の形成
法としては、蒸着法や金属ペーストのスクリーン印刷法
等があるが、低コスト化を要求される太陽電池において
は、金属ペーストのスクリーン印刷法が一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、面方位
に依存しない凹凸の加工法としては、様々な方法が開発
されている。しかしながら、上記の方法には、反射率低
減の効果，コスト，量産性，受光面電極の占有率等に関
して、何らかの問題があるため、低コストの太陽電池を
量産することは困難であった。以下、これについて詳し
く述べる。
に依存しない凹凸の加工法としては、様々な方法が開発
されている。しかしながら、上記の方法には、反射率低
減の効果，コスト，量産性，受光面電極の占有率等に関
して、何らかの問題があるため、低コストの太陽電池を
量産することは困難であった。以下、これについて詳し
く述べる。
【０００８】まず、エッチングによる化学的加工におい
て、アルカリ溶液を用いた異方性エッチングでは、均一
な溝を形成することができず、酸溶液を用いた等方性エ
ッチングでは、エッチングが幅方向にも進行するため、
アスペクト比が低く反射率低減の効果が少ない。さら
に、レジストの塗布工程とパターニング工程というコス
トのかかる工程が必要であることも問題となる。
て、アルカリ溶液を用いた異方性エッチングでは、均一
な溝を形成することができず、酸溶液を用いた等方性エ
ッチングでは、エッチングが幅方向にも進行するため、
アスペクト比が低く反射率低減の効果が少ない。さら
に、レジストの塗布工程とパターニング工程というコス
トのかかる工程が必要であることも問題となる。
【０００９】次に、レーザビームにより加工する方法
は、溝の形成は１本ずつとなり、量産性に劣ること、多
数のレーザビームを同時に照射するのは、高価なレーザ
加工機を複数台必要とし、コストがかかることが問題と
なる。
は、溝の形成は１本ずつとなり、量産性に劣ること、多
数のレーザビームを同時に照射するのは、高価なレーザ
加工機を複数台必要とし、コストがかかることが問題と
なる。
【００１０】次に、ダイシングマシンによる加工は、コ
スト的には比較的安価であるが、基板表面の溝は１本な
いしは多くとも十数本ずつしか加工されないため、量産
性の点で十分とはいえない。
スト的には比較的安価であるが、基板表面の溝は１本な
いしは多くとも十数本ずつしか加工されないため、量産
性の点で十分とはいえない。
【００１１】さらに、ダイシングマシンにより加工する
方法では、溝の凹部に沿っての金属ペーストの広がり
や、溝の凸部での金属ペーストの断線が発生しやすいと
いう問題がある。これは、ダイシングマシンにより加工
する方法では、溝が基板全面に形成され、電極直下にも
溝が形成されるためである。電極直下の表面に凹凸があ
る場合には、スクリーン印刷法による電極形成の際に、
金属ペーストが溝の凹部に沿って広がり、そのため、印
刷可能な最小印刷線幅は表面が平坦な場合に比べ太くな
る。その結果、電極占有率は表面が平坦な場合に比べて
増加し、短絡電流が減少する。また、電極面積の増加に
伴って、電極の拡散層への接触面積も増加し、電極近傍
における再結合が増加するため、開放電圧が低下する。
一方、溝の凸部では金属ペーストの断線が発生しやす
く、この場合には曲線因子が大きく低下する。
方法では、溝の凹部に沿っての金属ペーストの広がり
や、溝の凸部での金属ペーストの断線が発生しやすいと
いう問題がある。これは、ダイシングマシンにより加工
する方法では、溝が基板全面に形成され、電極直下にも
溝が形成されるためである。電極直下の表面に凹凸があ
る場合には、スクリーン印刷法による電極形成の際に、
金属ペーストが溝の凹部に沿って広がり、そのため、印
刷可能な最小印刷線幅は表面が平坦な場合に比べ太くな
る。その結果、電極占有率は表面が平坦な場合に比べて
増加し、短絡電流が減少する。また、電極面積の増加に
伴って、電極の拡散層への接触面積も増加し、電極近傍
における再結合が増加するため、開放電圧が低下する。
一方、溝の凸部では金属ペーストの断線が発生しやす
く、この場合には曲線因子が大きく低下する。
【００１２】上述のように、表面への溝状の凹凸部の形
成は表面反射の低減には大きな効果があり、その加工法
としては、様々な方法が開発されているが、実際には、
コストの増加や、量産性に劣ることなどの問題がある。
また、電極直下にも凹部が形成された場合には、受光面
電極ペーストの凹部への広がりによる占有率増加等の問
題点がある。そのため、表面への凹凸部加工が量産工程
に導入された例はない。
成は表面反射の低減には大きな効果があり、その加工法
としては、様々な方法が開発されているが、実際には、
コストの増加や、量産性に劣ることなどの問題がある。
また、電極直下にも凹部が形成された場合には、受光面
電極ペーストの凹部への広がりによる占有率増加等の問
題点がある。そのため、表面への凹凸部加工が量産工程
に導入された例はない。
【００１３】本発明の目的は、上記問題点を解決し、面
方位に依存しない、溝状の凹凸部の形成による表面反射
の低減によって、短絡電流を向上させた太陽電池を、量
産性に富む方法で製造する方法を提供することにある。
方位に依存しない、溝状の凹凸部の形成による表面反射
の低減によって、短絡電流を向上させた太陽電池を、量
産性に富む方法で製造する方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による光電変換素
子の製造方法は、半導体基板の受光面側表面へ複数の凹
凸部を超音波加工法で形成し、さらに、この表面加工に
おいて、反射率低減のための凹凸部の形成を電極形成部
分でない部分に限定し、電極形成部分は溝を形成せず平
面のまま残すか、あるいは平坦な底面をもつ凹部を同時
に形成する。
子の製造方法は、半導体基板の受光面側表面へ複数の凹
凸部を超音波加工法で形成し、さらに、この表面加工に
おいて、反射率低減のための凹凸部の形成を電極形成部
分でない部分に限定し、電極形成部分は溝を形成せず平
面のまま残すか、あるいは平坦な底面をもつ凹部を同時
に形成する。
【００１５】
【作用】超音波加工法では、加工物を面状に一度に加工
することができる。したがって、多数の凹凸部を同時に
加工することができる点で、低コストで量産性に富む方
法である。また、受光面側表面の受光部分に溝を形成
し、同時に電極形成部分に、平面のまま残される部分、
または平坦な底面を持つ受光電極形成用の溝を形成する
ことができる。そのため、溝の凹部への受光面電極ペー
ストの広がりによる占有率増加等の問題は生じない。
することができる。したがって、多数の凹凸部を同時に
加工することができる点で、低コストで量産性に富む方
法である。また、受光面側表面の受光部分に溝を形成
し、同時に電極形成部分に、平面のまま残される部分、
または平坦な底面を持つ受光電極形成用の溝を形成する
ことができる。そのため、溝の凹部への受光面電極ペー
ストの広がりによる占有率増加等の問題は生じない。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の一実施例について説明する。
また、比較のため従来例についても示す。
また、比較のため従来例についても示す。
【００１７】図１は、本発明により製造した多結晶シリ
コン太陽電池の斜視図である。Ｐ型多結晶シリコン基板
１１の表面に後述の図２に示すような超音波加工機によ
り複数の溝１２を形成する。
コン太陽電池の斜視図である。Ｐ型多結晶シリコン基板
１１の表面に後述の図２に示すような超音波加工機によ
り複数の溝１２を形成する。
【００１８】図２は超音波加工機の構成の説明図であ
る。超音波加工機は超音波発振機２１，超音波振動子２
２，コーン２３，ホーン２４，工具２５，スラリー（砥
粒を含む加工液）２６を供給する砥粒供給装置２７およ
び加工テーブル２８等からなり、加工テーブル２８上に
Ｐ型多結晶シリコン基板２９が固定される。超音波加工
の原理は、超音波発振機２１で発生した高周波を超音波
振動子２２にかけて、周波数２０〜４０ＫＨｚ、振幅数
μｍの超音波振動を発生させる。これを半波長共振する
コーン２３およびホーン２４を用いて、工具２５の先端
で振幅５〜１００μｍとなるよう振幅拡大する。Ｐ型多
結晶シリコン基板２９と工具２５の先端の間には、スラ
リーを流し込み、工具２５に加工圧をかけてＰ型多結晶
シリコン基板２９に押し当てると、砥粒が振動してシリ
コン基板の表面を破砕し、表面は工具２５の形状に加工
される。
る。超音波加工機は超音波発振機２１，超音波振動子２
２，コーン２３，ホーン２４，工具２５，スラリー（砥
粒を含む加工液）２６を供給する砥粒供給装置２７およ
び加工テーブル２８等からなり、加工テーブル２８上に
Ｐ型多結晶シリコン基板２９が固定される。超音波加工
の原理は、超音波発振機２１で発生した高周波を超音波
振動子２２にかけて、周波数２０〜４０ＫＨｚ、振幅数
μｍの超音波振動を発生させる。これを半波長共振する
コーン２３およびホーン２４を用いて、工具２５の先端
で振幅５〜１００μｍとなるよう振幅拡大する。Ｐ型多
結晶シリコン基板２９と工具２５の先端の間には、スラ
リーを流し込み、工具２５に加工圧をかけてＰ型多結晶
シリコン基板２９に押し当てると、砥粒が振動してシリ
コン基板の表面を破砕し、表面は工具２５の形状に加工
される。
【００１９】図３は、工具２５の先端の加工面の概略の
斜視図であり、図４〜図６は図３の○印の部分の各種の
形状の拡大図である。工具２５は、たとえば１００ｍｍ
角の多結晶シリコン基板を加工できる寸法のものを用い
た。
斜視図であり、図４〜図６は図３の○印の部分の各種の
形状の拡大図である。工具２５は、たとえば１００ｍｍ
角の多結晶シリコン基板を加工できる寸法のものを用い
た。
【００２０】図４は、溝の断面形状がＵ字状となるよ
う、工具２５先端に、幅４０μｍ、ピッチ１００μｍで
多数の微小なＵ字状の突起４１を加工した。また、電極
形成部分は加工されずに残るよう、電極の寸法に合わせ
て、２．５ｍｍのピッチで、１５０μｍ幅の切欠き４２
を入れ、さらに図示されないが、主電極形成部分は１．
５ｍｍの幅で、工具に切欠きを入れた。
う、工具２５先端に、幅４０μｍ、ピッチ１００μｍで
多数の微小なＵ字状の突起４１を加工した。また、電極
形成部分は加工されずに残るよう、電極の寸法に合わせ
て、２．５ｍｍのピッチで、１５０μｍ幅の切欠き４２
を入れ、さらに図示されないが、主電極形成部分は１．
５ｍｍの幅で、工具に切欠きを入れた。
【００２１】加工条件として、周波数２５〜３０Ｋ
ＨZ 、発振機出力３００〜５００Ｗ、工具先端での振幅
５〜１５μｍ、加工圧０〜５０ｇｆとし、砥粒はボロン
カーバイドあるいはダイヤモンドで粒度が♯５００〜♯
１０００のものを用い、加工液としては純水を用いた。
ＨZ 、発振機出力３００〜５００Ｗ、工具先端での振幅
５〜１５μｍ、加工圧０〜５０ｇｆとし、砥粒はボロン
カーバイドあるいはダイヤモンドで粒度が♯５００〜♯
１０００のものを用い、加工液としては純水を用いた。
【００２２】以上の条件で加工を行なったところ、１枚
あたりの加工時間が１５秒から２分の時間で、基板上に
深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加工することが
できた。さらに、電極形成部分は上面を平坦に残すこと
ができた。加工後の溝の寸法は工具の寸法に比べて５〜
２０μｍ程度大きく形成された。これは砥粒の大きさに
よるものである。
あたりの加工時間が１５秒から２分の時間で、基板上に
深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加工することが
できた。さらに、電極形成部分は上面を平坦に残すこと
ができた。加工後の溝の寸法は工具の寸法に比べて５〜
２０μｍ程度大きく形成された。これは砥粒の大きさに
よるものである。
【００２３】従来例においては、溝はダイシングマシン
によって形成した。このとき、前記の実施例に対応させ
るため、ダイシングマシンのブレードの厚みを５０μ
ｍ、溝の深さを７０μｍ、溝のピッチを１００μｍとし
た。溝のピッチは１００μｍであるため、１００ｍｍの
角の基板へは１０００本の溝を形成した。カットスピー
ドを比較的高速である約１００ｍｍ／ｓとしたが、ダイ
シングマシンに装着できるブレードは１枚であったの
で、基板１枚当りの加工時間は約２０分であった。
によって形成した。このとき、前記の実施例に対応させ
るため、ダイシングマシンのブレードの厚みを５０μ
ｍ、溝の深さを７０μｍ、溝のピッチを１００μｍとし
た。溝のピッチは１００μｍであるため、１００ｍｍの
角の基板へは１０００本の溝を形成した。カットスピー
ドを比較的高速である約１００ｍｍ／ｓとしたが、ダイ
シングマシンに装着できるブレードは１枚であったの
で、基板１枚当りの加工時間は約２０分であった。
【００２４】以上の工程によってＵ字状の溝を形成した
基板を洗浄した後、加工時のダメージ層を除去するた
め、フッ酸と硝酸の混合液によって基板のエッチングを
行なった。
基板を洗浄した後、加工時のダメージ層を除去するた
め、フッ酸と硝酸の混合液によって基板のエッチングを
行なった。
【００２５】次に、図１に示されるように、このように
して溝を形成されたＰ型多結晶シリコン基板１１の表面
に、ＰＯＣｌ3 を用いたガス拡散によって、Ｎ型の拡散
層１３を形成し、その表面にパッシベーション層１４と
して熱酸化法により薄い熱酸化膜を形成した。その上
に、反射防止膜１５として常圧ＣＶＤによって酸化チタ
ン膜を形成した。次いでエッチングによって裏面の不要
な拡散層を取り除いた後、ＢＳＦ層１６および裏面電極
１７をＡｌペーストを印刷・焼成することによって形成
した。次いで銀ペーストをスクリーン印刷法によって受
光面に印刷し、これを乾燥・焼成することによって受光
面電極１８とした。この際に、銀ペーストは、溝が形成
されていない平坦部１９に印刷を行なった。以上の工程
によって本発明による太陽電池素子が完成した。
して溝を形成されたＰ型多結晶シリコン基板１１の表面
に、ＰＯＣｌ3 を用いたガス拡散によって、Ｎ型の拡散
層１３を形成し、その表面にパッシベーション層１４と
して熱酸化法により薄い熱酸化膜を形成した。その上
に、反射防止膜１５として常圧ＣＶＤによって酸化チタ
ン膜を形成した。次いでエッチングによって裏面の不要
な拡散層を取り除いた後、ＢＳＦ層１６および裏面電極
１７をＡｌペーストを印刷・焼成することによって形成
した。次いで銀ペーストをスクリーン印刷法によって受
光面に印刷し、これを乾燥・焼成することによって受光
面電極１８とした。この際に、銀ペーストは、溝が形成
されていない平坦部１９に印刷を行なった。以上の工程
によって本発明による太陽電池素子が完成した。
【００２６】本実施例により作製した太陽電池の光電変
換特性を、従来例により作製した太陽電池の特性と合わ
せて次の表１に示す。
換特性を、従来例により作製した太陽電池の特性と合わ
せて次の表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】本実施例により作製した太陽電池は、従来
例により作製した太陽電池に比べると、短絡電流，開放
電圧，曲線因子ともに向上しており、これは、電極の占
有率および接触面積の低減がなされ、かつペーストの断
線等が発生していないことを示すものである。
例により作製した太陽電池に比べると、短絡電流，開放
電圧，曲線因子ともに向上しており、これは、電極の占
有率および接触面積の低減がなされ、かつペーストの断
線等が発生していないことを示すものである。
【００２９】図５は、工具先端のＵ字状の突起５１の形
状，幅，ピッチは図４に示されるものと同様であるが、
基板の電極形成部分には底面が平坦な溝が加工されるよ
うに、電極の寸法に合わせて、工具に２．５ｍｍのピッ
チで、１５０μｍ幅の凸部分５２を加工し、さらに図示
されない主電極形成部分は１．５ｍｍの幅で凸部分を加
工した。
状，幅，ピッチは図４に示されるものと同様であるが、
基板の電極形成部分には底面が平坦な溝が加工されるよ
うに、電極の寸法に合わせて、工具に２．５ｍｍのピッ
チで、１５０μｍ幅の凸部分５２を加工し、さらに図示
されない主電極形成部分は１．５ｍｍの幅で凸部分を加
工した。
【００３０】前述の実施例と同様の条件で加工を行なっ
たところ、１枚当りの加工時間が１５秒から２分の時間
で、基板上に深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加
工することができ、さらに、電極形成部分は底面が平坦
な溝を加工することができた。この後、前述の実施例と
同様の工程によって、太陽電池を作製した。ただし、受
光面側電極を形成する際には、銀ペーストは、底部が平
坦な溝が形成された部分に印刷を行なった。本実施例に
おいても、前述の実施例と同様に従来より短絡電流，開
放電圧，曲線因子ともに上回る特性を得た。
たところ、１枚当りの加工時間が１５秒から２分の時間
で、基板上に深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加
工することができ、さらに、電極形成部分は底面が平坦
な溝を加工することができた。この後、前述の実施例と
同様の工程によって、太陽電池を作製した。ただし、受
光面側電極を形成する際には、銀ペーストは、底部が平
坦な溝が形成された部分に印刷を行なった。本実施例に
おいても、前述の実施例と同様に従来より短絡電流，開
放電圧，曲線因子ともに上回る特性を得た。
【００３１】図６は、溝の断面形状がＶ字状となるよ
う、工具先端に、先端角度５０°、ピッチ１００μｍで
多数の微小なＶ字状の突起６１を加工した。電極形成部
分が加工されずに残るように、電極の寸法に合わせて、
２．５ｍｍのピッチで、１５０μｍ幅の切欠き６２を入
れ、さらに図示されない主電極形成部分は１．５ｍｍの
幅で工具に切欠きを入れた。前述の実施例と同様の条件
で加工を行なったところ、１枚当りの加工時間が３０秒
で、基板に深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加工
することができ、さらに、電極形成部分は、上面が平坦
になるように残すことができた。この後前述の実施例と
同様の工程によって、太陽電池を作製した。この場合も
同様に従来例より短絡電流，開放電圧，曲線因子ともに
上回る特性を得た。
う、工具先端に、先端角度５０°、ピッチ１００μｍで
多数の微小なＶ字状の突起６１を加工した。電極形成部
分が加工されずに残るように、電極の寸法に合わせて、
２．５ｍｍのピッチで、１５０μｍ幅の切欠き６２を入
れ、さらに図示されない主電極形成部分は１．５ｍｍの
幅で工具に切欠きを入れた。前述の実施例と同様の条件
で加工を行なったところ、１枚当りの加工時間が３０秒
で、基板に深さ５０〜１００μｍの所望形状の溝を加工
することができ、さらに、電極形成部分は、上面が平坦
になるように残すことができた。この後前述の実施例と
同様の工程によって、太陽電池を作製した。この場合も
同様に従来例より短絡電流，開放電圧，曲線因子ともに
上回る特性を得た。
【００３２】前述の実施例は多結晶シリコン基板の場合
について述べたが、単結晶シリコン基板または他の半導
体基板の場合にも応用できる。
について述べたが、単結晶シリコン基板または他の半導
体基板の場合にも応用できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板に、反射低
減のための表面の凹凸を、基板の面方位に依存せず、し
かも安価な装置を用いて高速で形成することができ、そ
の結果、量産プロセスにおいて従来より高効率の太陽電
池を得ることができる。なお、ここでは実用性の観点か
ら表面の凹凸としては、断面がＵ字状やＶ字状の溝を例
として説明したが、工具の加工により、その他の断面形
状の溝や、ピラミッド状の凹凸なども高速で加工でき、
表面反射率の低減に効果があることは自明である。
減のための表面の凹凸を、基板の面方位に依存せず、し
かも安価な装置を用いて高速で形成することができ、そ
の結果、量産プロセスにおいて従来より高効率の太陽電
池を得ることができる。なお、ここでは実用性の観点か
ら表面の凹凸としては、断面がＵ字状やＶ字状の溝を例
として説明したが、工具の加工により、その他の断面形
状の溝や、ピラミッド状の凹凸なども高速で加工でき、
表面反射率の低減に効果があることは自明である。
【図１】本発明により製作した太陽電池の一例の斜視図
である。
である。
【図２】超音波加工機の構成図である。
【図３】超音波加工機の工具の先端の斜視図である。
【図４】工具加工面の一部の拡大図である。
【図５】工具加工面の一部の拡大図である。
【図６】工具加工面の一部の拡大図である。
１１ Ｐ型多結晶シリコン基板 １２ 溝 １３ Ｎ型拡散層 １４ パッシベーション層 １５ 反射防止膜 １６ ＢＳＦ層 １７ 裏面電極 １８ 受光面電極 １９ 平坦部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−350114（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−235385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−13774（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274186（ＪＰ，Ａ) 宮下 欣也，“超音波加工−音波で穴 明け”，ニューセラミックス，平成５年 ８月，第６巻，第８号，ｐ．43−47 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の受光面側表面に、複数の凹
凸部を超音波加工法で形成する光電変換素子の製造方法
であって、 凹部を受光面側表面の電極形成部分でない部分に形成
し、電極形成部分は凹部を形成せず平面のまま残すこと
を特徴とする、光電変換素子の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板の受光面側表面に、複数の凹
凸部を超音波加工法で形成する光電変換素子の製造方法
であって、 底面が平坦でない凹部を受光面側の表面の電極形成部分
でない部分に形成し、電極形成部分は平坦な底面を持つ
凹部を同時に形成することを特徴とする、光電変換素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5328337A JP2981098B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5328337A JP2981098B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183556A JPH07183556A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2981098B2 true JP2981098B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=18209113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5328337A Expired - Fee Related JP2981098B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 光電変換素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981098B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020072736A (ko) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | (주)솔라사인 | 결정질 실리콘 태양전지 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5328337A patent/JP2981098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 宮下 欣也，"超音波加工−音波で穴明け"，ニューセラミックス，平成５年８月，第６巻，第８号，ｐ．４３−４７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183556A (ja) | 1995-07-21 |
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