JP2980570B2 - 超電導素子 - Google Patents
超電導素子Info
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- JP2980570B2 JP2980570B2 JP9155554A JP15555497A JP2980570B2 JP 2980570 B2 JP2980570 B2 JP 2980570B2 JP 9155554 A JP9155554 A JP 9155554A JP 15555497 A JP15555497 A JP 15555497A JP 2980570 B2 JP2980570 B2 JP 2980570B2
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- superconducting
- interlayer insulating
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超電導素子に関し、
特に下地絶縁層または層間絶縁層を改良した超電導素子
に関する。
特に下地絶縁層または層間絶縁層を改良した超電導素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高温酸化物超電導を用いた高速集
積回路素子において例えば低磁場検出用ＳＱＵＩＤ入力
コイルの配線が交差する部分には、層間絶縁層としてＳ
ｒＴｉＯ3 が用いられている。しかし、ＳｒＴｉＯ3 は
比誘電率が高いため、高速スイッチ回路素子では誘電損
失を生じるという問題がある。
積回路素子において例えば低磁場検出用ＳＱＵＩＤ入力
コイルの配線が交差する部分には、層間絶縁層としてＳ
ｒＴｉＯ3 が用いられている。しかし、ＳｒＴｉＯ3 は
比誘電率が高いため、高速スイッチ回路素子では誘電損
失を生じるという問題がある。
【０００３】この問題を解消するために、層間絶縁層に
比誘電率の低い材料として例えばＭｇＯを用いることが
考えられる。しかし、ＭｇＯは配線を構成する酸化物超
電導体の結晶構造を乱すため、素子特性を劣化させる。
また、酸化物超電導体の結晶構造の乱れに伴い、設計段
階では存在しないジョセフソン接合や抵抗が回路中に組
み込まれることもある。
比誘電率の低い材料として例えばＭｇＯを用いることが
考えられる。しかし、ＭｇＯは配線を構成する酸化物超
電導体の結晶構造を乱すため、素子特性を劣化させる。
また、酸化物超電導体の結晶構造の乱れに伴い、設計段
階では存在しないジョセフソン接合や抵抗が回路中に組
み込まれることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、酸化
物超電導体からなる配線の結晶構造を乱すことがなく、
高速スイッチ回路素子においても誘電損失を抑制できる
下地絶縁層または層間絶縁層を備えた超電導素子を提供
することにある。
物超電導体からなる配線の結晶構造を乱すことがなく、
高速スイッチ回路素子においても誘電損失を抑制できる
下地絶縁層または層間絶縁層を備えた超電導素子を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の超電導素子は、
下地絶縁層または層間絶縁層上に形成されたＲＥＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-δ系（ＲＥはＹを含む希土類元素の少なくと
も一種）の酸化物超電導体からなる超電導配線を有する
超電導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層
として、ＲＥ、Ｂａ及びＣｕからなり７７Ｋ以下の温度
で１０4 Ω・ｃｍ以上の抵抗値を有し、かつ比誘電率が
３０以下の材料を用いたことを特徴とするものである。
下地絶縁層または層間絶縁層上に形成されたＲＥＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-δ系（ＲＥはＹを含む希土類元素の少なくと
も一種）の酸化物超電導体からなる超電導配線を有する
超電導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層
として、ＲＥ、Ｂａ及びＣｕからなり７７Ｋ以下の温度
で１０4 Ω・ｃｍ以上の抵抗値を有し、かつ比誘電率が
３０以下の材料を用いたことを特徴とするものである。
【０００６】本発明の他の超電導素子は、下地絶縁層ま
たは層間絶縁層上に形成された超電導配線を有する超電
導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層が一
般式Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ただし、δは０．
４〜１．０、ｘは０．１〜０．３）で表される材料から
なることを特徴とするものである。
たは層間絶縁層上に形成された超電導配線を有する超電
導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層が一
般式Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ただし、δは０．
４〜１．０、ｘは０．１〜０．３）で表される材料から
なることを特徴とするものである。
【０００７】本発明の他の超電導素子は、下地絶縁層ま
たは層間絶縁層上に形成された超電導配線を有する超電
導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層が一
般式Ｎｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、ｘは０．１
〜０．４）で表される材料からなることを特徴とするも
のである。
たは層間絶縁層上に形成された超電導配線を有する超電
導素子において、前記下地絶縁層または層間絶縁層が一
般式Ｎｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、ｘは０．１
〜０．４）で表される材料からなることを特徴とするも
のである。
【０００８】これらの超電導素子における超電導配線と
しては、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ系（ＲＥはＹを含む希
土類元素の少なくとも一種）の酸化物超電導体からなる
ものを用いることが好ましい。
しては、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ系（ＲＥはＹを含む希
土類元素の少なくとも一種）の酸化物超電導体からなる
ものを用いることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る超電導素子の一例を
図１に示す。
図１に示す。
【００１０】図１において、例えばＹＢＣＯ単結晶から
なる基板１上に、下地絶縁層２、酸化物超電導体からな
る超電導配線３、層間絶縁層４、および酸化物超電導体
からなる超電導配線５が形成されている。また、基板
１、および超電導配線３、５上には、例えばＡｕからな
る電極６が形成されている。
なる基板１上に、下地絶縁層２、酸化物超電導体からな
る超電導配線３、層間絶縁層４、および酸化物超電導体
からなる超電導配線５が形成されている。また、基板
１、および超電導配線３、５上には、例えばＡｕからな
る電極６が形成されている。
【００１１】このような超電導素子は例えば以下のよう
にして製造することができる。まず、基板１上に下地絶
縁層２を蒸着し、さらに超電導配線３となる超電導層を
蒸着する。フォトリソグラフィー技術により配線３のパ
ターンを露光し、Ａｒイオン・ミリング装置でエッチン
グを行い、超電導配線３を形成する。次に、層間絶縁層
４となる薄膜を蒸着し、その上に超電導配線５となる超
電導層を蒸着する。再びフォトリソグラフィー技術を用
いて配線５のパターンを露光し、Ａｒイオン・ミリング
装置でエッチングを行い、超電導配線５を形成する。最
後に電気特性測定用の電極６をスパッタ装置で蒸着す
る。
にして製造することができる。まず、基板１上に下地絶
縁層２を蒸着し、さらに超電導配線３となる超電導層を
蒸着する。フォトリソグラフィー技術により配線３のパ
ターンを露光し、Ａｒイオン・ミリング装置でエッチン
グを行い、超電導配線３を形成する。次に、層間絶縁層
４となる薄膜を蒸着し、その上に超電導配線５となる超
電導層を蒸着する。再びフォトリソグラフィー技術を用
いて配線５のパターンを露光し、Ａｒイオン・ミリング
装置でエッチングを行い、超電導配線５を形成する。最
後に電気特性測定用の電極６をスパッタ装置で蒸着す
る。
【００１２】基板１としては表面研磨されたｃ軸配向の
ＹＢＣＯ、ＳｒＴｉＯ3 、またはＮｄＧａＯ3 単結晶基
板が用いられる。
ＹＢＣＯ、ＳｒＴｉＯ3 、またはＮｄＧａＯ3 単結晶基
板が用いられる。
【００１３】超電導配線３、５を構成する酸化物超電導
体としては、ＮｄＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7- δ（ＮＢＣＯ）やＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ＹＢＣＯ）などのＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-δ系の酸化物超電導体を用いることができる。こ
の酸素欠損δは超電導特性を損なわない範囲の通常の値
であり、０〜０．５程度である。ＮＢＣＯ膜は、例えば
基板温度を８４０℃に設定し、１：４の比率の酸素／Ａ
ｒ混合ガスでスパッタ装置内の圧力を８０ｍＴｏｒｒに
し、ＮＢＣＯターゲットに６０Ｗのｒｆパワーを与えて
ｏｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法により成膜する。成膜後、
ヒーターを切り、１：３の比率の酸素／Ａｒ混合ガスで
スパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにして試料をク
エンチする。ＹＢＣＯ膜の場合、基板温度を７４０℃に
設定する。堆積速度は２７Ａ（オングストローム）／ｍ
ｉｎ程度である。この方法で作製した超電導薄膜のＴｃ
は通常８０〜９０Ｋになる。
体としては、ＮｄＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7- δ（ＮＢＣＯ）やＹ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ＹＢＣＯ）などのＲＥＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-δ系の酸化物超電導体を用いることができる。こ
の酸素欠損δは超電導特性を損なわない範囲の通常の値
であり、０〜０．５程度である。ＮＢＣＯ膜は、例えば
基板温度を８４０℃に設定し、１：４の比率の酸素／Ａ
ｒ混合ガスでスパッタ装置内の圧力を８０ｍＴｏｒｒに
し、ＮＢＣＯターゲットに６０Ｗのｒｆパワーを与えて
ｏｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法により成膜する。成膜後、
ヒーターを切り、１：３の比率の酸素／Ａｒ混合ガスで
スパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにして試料をク
エンチする。ＹＢＣＯ膜の場合、基板温度を７４０℃に
設定する。堆積速度は２７Ａ（オングストローム）／ｍ
ｉｎ程度である。この方法で作製した超電導薄膜のＴｃ
は通常８０〜９０Ｋになる。
【００１４】超電導配線３、５の間のトンネル電流を抑
制するために、層間絶縁層４の膜厚は１００〜５００ｎ
ｍ程度に設定される。
制するために、層間絶縁層４の膜厚は１００〜５００ｎ
ｍ程度に設定される。
【００１５】なお、下地絶縁層または層間絶縁層として
は、誘電損失の低減及び良好な絶縁性の観点から、動作
温度領域（７７Ｋ以下）で、１０4 Ω・ｃｍ以上と高抵
抗であることと、比誘電率が３０以下であることが必要
である。
は、誘電損失の低減及び良好な絶縁性の観点から、動作
温度領域（７７Ｋ以下）で、１０4 Ω・ｃｍ以上と高抵
抗であることと、比誘電率が３０以下であることが必要
である。
【００１６】本発明においては、下地絶縁層２および／
または層間絶縁層４として、一般式Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δ（ただし、ｘは０．１〜０．３、δは０．４
〜１．０。この場合、ｘが０．３に近づくほど低温での
電気抵抗値が高くなる。）またはＮｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ
3 Ｏ7 （ただし、ｘは０．１〜０．４。特性を損なわな
い範囲での酸素の過不足は許容する。）で表される材料
が用いられる。これらの絶縁体の結晶構造は、酸化物超
電導体であるＮＢＣＯやＹＢＣＯに近似している。この
ため、これらの絶縁体上に形成された例えばＲＥＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-δ系の超電導体はエピタキシャル成長しやす
い。
または層間絶縁層４として、一般式Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃ
ｕ3 Ｏ7-δ（ただし、ｘは０．１〜０．３、δは０．４
〜１．０。この場合、ｘが０．３に近づくほど低温での
電気抵抗値が高くなる。）またはＮｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ
3 Ｏ7 （ただし、ｘは０．１〜０．４。特性を損なわな
い範囲での酸素の過不足は許容する。）で表される材料
が用いられる。これらの絶縁体の結晶構造は、酸化物超
電導体であるＮＢＣＯやＹＢＣＯに近似している。この
ため、これらの絶縁体上に形成された例えばＲＥＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-δ系の超電導体はエピタキシャル成長しやす
い。
【００１７】上記Ｐｒ系の材料の場合、ｘが０．１〜
０．３、δが０．４〜１．０の範囲で下地絶縁層または
層間絶縁層として優れた特性を示すが、特にｘ及びδが
両下限値を下回ると抵抗値が低くなりすぎ、下地絶縁層
または層間絶縁層としては好ましくない。また上記Ｎｄ
系の材料の場合、ｘが０．４を越えると超伝導特性を示
したり、抵抗値が低くなったりして、下地絶縁層または
層間絶縁層としては適切でなくなる。
０．３、δが０．４〜１．０の範囲で下地絶縁層または
層間絶縁層として優れた特性を示すが、特にｘ及びδが
両下限値を下回ると抵抗値が低くなりすぎ、下地絶縁層
または層間絶縁層としては好ましくない。また上記Ｎｄ
系の材料の場合、ｘが０．４を越えると超伝導特性を示
したり、抵抗値が低くなったりして、下地絶縁層または
層間絶縁層としては適切でなくなる。
【００１８】
【実施例】下地絶縁層２および層間絶縁層４として、Ｐ
ｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δは０．４〜１程度）を
用いた実施例を説明する。作製条件は例えば以下の通り
である。
ｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δは０．４〜１程度）を
用いた実施例を説明する。作製条件は例えば以下の通り
である。
【００１９】基板温度を７４０℃（好ましくは７００〜
８５０℃程度）にして、５．５：０．７ｓｃｃｍの比率
の酸素／Ａｒ混合ガス（好ましくは５．０〜６．０：
０．５〜１．０ｓｃｃｍ）でスパッタ装置内の圧力を８
０ｍＴｏｒｒ（好ましくは７０〜９０ｍＴｏｒｒ）にし
て、単独のターゲットに４０Ｗのｒｆパワーを与えてｏ
ｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法で薄膜を成膜した。堆積速度
は７Ａ／ｍｉｎ程度である。成膜後、ヒーターを切り、
Ａｒガスでスパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにし
て試料をクエンチした。冷却速度は、クエンチ初期は１
℃／ｓ程度、２００℃程度では１℃／ｍｉｎ程度とし、
７０℃の基板温度まで約７０〜９０分かけてクエンチし
た。
８５０℃程度）にして、５．５：０．７ｓｃｃｍの比率
の酸素／Ａｒ混合ガス（好ましくは５．０〜６．０：
０．５〜１．０ｓｃｃｍ）でスパッタ装置内の圧力を８
０ｍＴｏｒｒ（好ましくは７０〜９０ｍＴｏｒｒ）にし
て、単独のターゲットに４０Ｗのｒｆパワーを与えてｏ
ｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法で薄膜を成膜した。堆積速度
は７Ａ／ｍｉｎ程度である。成膜後、ヒーターを切り、
Ａｒガスでスパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにし
て試料をクエンチした。冷却速度は、クエンチ初期は１
℃／ｓ程度、２００℃程度では１℃／ｍｉｎ程度とし、
７０℃の基板温度まで約７０〜９０分かけてクエンチし
た。
【００２０】温度依存電気抵抗測定によれば、このよう
にして作製した薄膜は半導体特性を示し、１００Ｋ以下
で高抵抗になった。図２に、９７．５８ＫにおけるＰｒ
1+xＢａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ｘ＝０．１４）の誘電特性
を示す。図示しないが、この材料の誘電率は常温では電
源周波数１００ｋＨｚで６０００を超えている。しか
し、図２に示されるように、温度９７．５８Ｋでは電源
周波数１００ｋＨｚで比誘電率εr は２３以下、誘電正
接ｔａｎδは０．３以下になる。また、測定温度範囲で
は比誘電率の周波数依存性がほぼなくなっている。
にして作製した薄膜は半導体特性を示し、１００Ｋ以下
で高抵抗になった。図２に、９７．５８ＫにおけるＰｒ
1+xＢａ2-x Ｃｕ3 Ｏ7-δ（ｘ＝０．１４）の誘電特性
を示す。図示しないが、この材料の誘電率は常温では電
源周波数１００ｋＨｚで６０００を超えている。しか
し、図２に示されるように、温度９７．５８Ｋでは電源
周波数１００ｋＨｚで比誘電率εr は２３以下、誘電正
接ｔａｎδは０．３以下になる。また、測定温度範囲で
は比誘電率の周波数依存性がほぼなくなっている。
【００２１】また、Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏy （ｘ＝
０．３）の混合タ−ゲットを用いてｘ＝０．１４と同じ
条件でスパッタした場合、Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏy
（ｘ＝０．３）が作製される。ｘ＝０．３の場合、９８
Ｋで電気抵抗率がｘ＝０．１４の膜より１００倍程度高
く、誘電正接ｔａｎδは０．０１以下になるが、比誘電
率はｘ＝０．１４の場合とほぼ同じである。
０．３）の混合タ−ゲットを用いてｘ＝０．１４と同じ
条件でスパッタした場合、Ｐｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3 Ｏy
（ｘ＝０．３）が作製される。ｘ＝０．３の場合、９８
Ｋで電気抵抗率がｘ＝０．１４の膜より１００倍程度高
く、誘電正接ｔａｎδは０．０１以下になるが、比誘電
率はｘ＝０．１４の場合とほぼ同じである。
【００２２】同様に、Ｎｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ3 Ｏ7 系の
絶縁体膜について説明する。作製条件は例えば以下の通
りである。
絶縁体膜について説明する。作製条件は例えば以下の通
りである。
【００２３】基板温度を９５０〜１０００℃程度にし
て、５．０〜６．０：０．６〜０．８ｓｃｃｍの比率の
酸素／Ａｒ混合ガスでスパッタ装置内の圧力を８０〜１
００ｍＴｏｒｒにして、単独のターゲットに６０Ｗのｒ
ｆパワーを与えてｏｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法で薄膜を
成膜した。成膜後、ヒーターを切り、１００％酸素ガス
でスパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにして試料を
クエンチした。
て、５．０〜６．０：０．６〜０．８ｓｃｃｍの比率の
酸素／Ａｒ混合ガスでスパッタ装置内の圧力を８０〜１
００ｍＴｏｒｒにして、単独のターゲットに６０Ｗのｒ
ｆパワーを与えてｏｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法で薄膜を
成膜した。成膜後、ヒーターを切り、１００％酸素ガス
でスパッタ装置内の圧力を４００Ｔｏｒｒにして試料を
クエンチした。
【００２４】図３に、４．２ＫにおけるＮｄ2-x Ｂａ
1+x Ｃｕ3 Ｏ7 （ｘ＝０．１）の誘電特性を示す。温度
４．２Ｋでは、電源周波数１００ｋＨｚで比誘電率εr
は約１３、誘電正接ｔａｎδはほぼ０になっている。
1+x Ｃｕ3 Ｏ7 （ｘ＝０．１）の誘電特性を示す。温度
４．２Ｋでは、電源周波数１００ｋＨｚで比誘電率εr
は約１３、誘電正接ｔａｎδはほぼ０になっている。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、酸
化物超電導体からなる配線の結晶構造を乱すことがな
く、高速スイッチ回路素子においても誘電損失を抑制で
きる下地絶縁層または層間絶縁層を備えた超電導素子を
提供できる。
化物超電導体からなる配線の結晶構造を乱すことがな
く、高速スイッチ回路素子においても誘電損失を抑制で
きる下地絶縁層または層間絶縁層を備えた超電導素子を
提供できる。
【図１】本発明に係る超電導素子の斜視図。
【図２】９７．５８ＫにおけるＰｒ1+x Ｂａ2-x Ｃｕ3
Ｏ7-δ（ｘ＝０．１４）の誘電特性を示す図。
Ｏ7-δ（ｘ＝０．１４）の誘電特性を示す図。
【図３】４．２ＫにおけるＮｄ2-x Ｂａ1+x Ｃｕ3 Ｏ7
（ｘ＝０．１）の誘電特性を示す図。
（ｘ＝０．１）の誘電特性を示す図。
１…基板 ２…下地絶縁層 ３…超電導配線 ４…層間絶縁層 ５…超電導配線 ６…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐波 実 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電 導工学研究所内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電 導工学研究所内 (72)発明者 榎本 陽一 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電 導工学研究所内 (72)発明者 ユージン・グッディリン 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電 導工学研究所内 (72)発明者 田上 稔 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法 人国際超電導産業技術研究センター超電 導工学研究所内 (56)参考文献 特開 平４−334074（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−343755（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144688（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/24 H01L 39/22 H01L 39/00 H01L 39/02
Claims (2)
- 【請求項１】 下地絶縁層または層間絶縁層上に形成さ
れた超電導配線を有する超電導素子において、前記下地
絶縁層または層間絶縁層は、一般式 Ｎｄ2-xＢａ1+xＣｕ3Ｏ7 （ただし、ｘは０．１〜０．４） で表される材料からなり、７７Ｋ以下の温度で１０4Ω
・ｃｍ以上の抵抗値を有し、比誘電率が３０以下であ
り、かつ膜厚が１００〜５００ｎｍであることを特徴と
する超電導素子。 - 【請求項２】 前記超電導配線がＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ
系（ＲＥはＹを含む希土類元素の少なくとも一種）の酸
化物超電導体からなることを特徴とする請求項１記載の
超電導素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155554A JP2980570B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 超電導素子 |
| DE69819079T DE69819079T2 (de) | 1997-06-12 | 1998-06-12 | Supraleitendes Bauelement |
| EP98304664A EP0884788B1 (en) | 1997-06-12 | 1998-06-12 | Superconducting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155554A JP2980570B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 超電導素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114024A JPH114024A (ja) | 1999-01-06 |
| JP2980570B2 true JP2980570B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=15608607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155554A Expired - Fee Related JP2980570B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 超電導素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0884788B1 (ja) |
| JP (1) | JP2980570B2 (ja) |
| DE (1) | DE69819079T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4771632B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2011-09-14 | 富士通株式会社 | 高温超伝導体膜の形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232900A (en) * | 1988-06-09 | 1993-08-03 | Superconductor Development Corporation | Superconductor structure |
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