JP2978696B2 - 半導体ウェハー破損検出方法 - Google Patents
半導体ウェハー破損検出方法Info
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- JP2978696B2 JP2978696B2 JP5278790A JP27879093A JP2978696B2 JP 2978696 B2 JP2978696 B2 JP 2978696B2 JP 5278790 A JP5278790 A JP 5278790A JP 27879093 A JP27879093 A JP 27879093A JP 2978696 B2 JP2978696 B2 JP 2978696B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハー破損検出
方法に関し、特に半導体装置の製造過程における遠心乾
燥工程において発生するウェハーの破損を検出する半導
体ウェハー破損検出方法に関する。
方法に関し、特に半導体装置の製造過程における遠心乾
燥工程において発生するウェハーの破損を検出する半導
体ウェハー破損検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、この種の半導体ウェハー破損検
出方法においては、遠心乾燥行程において生じるウェハ
ーの破損の有無を検出する手順としては、図２に示され
る製品処理手順によって行われているのが通例である。
図２において、先ずステップ２１においては、ウェハー
が収められているキャリアが、処理槽内の薬液に浸漬さ
れて所定の薬液処理が行われる。次いでステップ２２に
おいては、当該処理槽内において、前記薬液処理後のウ
ェハーに対して、純水による浸漬処理が行われる。ステ
ップ２２の純水処理終了後には、ステップ２３に移行し
て、ウェハーが収められているキャリアは遠心乾燥装置
内にセットされ、遠心分離作用ならびに排気作用を介し
てウェハーを乾燥させる遠心処理が行われる。この遠心
処理の過程においてはウェハーに破損が生じ易く、当該
破損よるウェハーの破片は、遠心乾燥装置に設けられて
いる排気ダクトを通って外部に排出される。ステップ２
４においては、前記排気ダクトの途中に設けられている
光電センサーにより、外部に排出されるウェハーの破片
が検知され、これにより、ウェハーの破損の量が検出さ
れる。
出方法においては、遠心乾燥行程において生じるウェハ
ーの破損の有無を検出する手順としては、図２に示され
る製品処理手順によって行われているのが通例である。
図２において、先ずステップ２１においては、ウェハー
が収められているキャリアが、処理槽内の薬液に浸漬さ
れて所定の薬液処理が行われる。次いでステップ２２に
おいては、当該処理槽内において、前記薬液処理後のウ
ェハーに対して、純水による浸漬処理が行われる。ステ
ップ２２の純水処理終了後には、ステップ２３に移行し
て、ウェハーが収められているキャリアは遠心乾燥装置
内にセットされ、遠心分離作用ならびに排気作用を介し
てウェハーを乾燥させる遠心処理が行われる。この遠心
処理の過程においてはウェハーに破損が生じ易く、当該
破損よるウェハーの破片は、遠心乾燥装置に設けられて
いる排気ダクトを通って外部に排出される。ステップ２
４においては、前記排気ダクトの途中に設けられている
光電センサーにより、外部に排出されるウェハーの破片
が検知され、これにより、ウェハーの破損の量が検出さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
ウェハー破損検出装置においては、遠心乾燥装置の排気
ダクトに設けられている光電センサーの検出部の有効検
出幅は２ｍｍ程度で、その検出面積は、排気ダクトの断
面積に対して約２％程度であり、これにより、破損ウェ
ハーの検出率は約７０％に過ぎないという欠点がある。
ウェハー破損検出装置においては、遠心乾燥装置の排気
ダクトに設けられている光電センサーの検出部の有効検
出幅は２ｍｍ程度で、その検出面積は、排気ダクトの断
面積に対して約２％程度であり、これにより、破損ウェ
ハーの検出率は約７０％に過ぎないという欠点がある。
【０００４】また、光電センサーを増設する対策を講じ
るものとしても、当該光電センサーの設置場所による制
約があるため２０％程度の検出面積増に止まり、コスト
の割には効果が少ないという欠点がある。
るものとしても、当該光電センサーの設置場所による制
約があるため２０％程度の検出面積増に止まり、コスト
の割には効果が少ないという欠点がある。
【０００５】更に、破損したウェハーが、自重により遠
心乾燥装置内に残留して排気ダクトより排出されない場
合には、当該破損ウェハーを検出することができないと
いう欠点がある。
心乾燥装置内に残留して排気ダクトより排出されない場
合には、当該破損ウェハーを検出することができないと
いう欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハー
破損検出方法は、半導体ウェハー処理工程において、遠
心乾燥処理ステップを含む複数の処理ステップに対応す
る前処理ステップおよび後処理ステップとして、それぞ
れ当該半導体ウェハーの重量を測定する重量測定処理ス
テップと、前記遠心乾燥処理ステップを含む複数の処理
ステップの前後において測定された当該半導体ウェハー
の重量を比較照合して、ウェハーの破損の有無を検出す
る重量比較判定処理ステップと、を少なくとも併せ有す
ることを特徴としている。
破損検出方法は、半導体ウェハー処理工程において、遠
心乾燥処理ステップを含む複数の処理ステップに対応す
る前処理ステップおよび後処理ステップとして、それぞ
れ当該半導体ウェハーの重量を測定する重量測定処理ス
テップと、前記遠心乾燥処理ステップを含む複数の処理
ステップの前後において測定された当該半導体ウェハー
の重量を比較照合して、ウェハーの破損の有無を検出す
る重量比較判定処理ステップと、を少なくとも併せ有す
ることを特徴としている。
【０００７】なお、前記遠心乾燥処理ステップを含む複
数の処理ステップとしては、半導体ウェハーを収めたキ
ャリアを、処理槽内の薬液に浸漬して薬液処理を行う薬
液処理ステップと、当該処理槽内において、薬液処理後
の半導体ウェハーに対して純水による浸漬処理を行う純
水処理ステップと、純水処理終了後に、遠心分離作用な
らびに排気作用を介して半導体ウェハーを乾燥させる遠
心処理ステップとを併せ有してもよい。
数の処理ステップとしては、半導体ウェハーを収めたキ
ャリアを、処理槽内の薬液に浸漬して薬液処理を行う薬
液処理ステップと、当該処理槽内において、薬液処理後
の半導体ウェハーに対して純水による浸漬処理を行う純
水処理ステップと、純水処理終了後に、遠心分離作用な
らびに排気作用を介して半導体ウェハーを乾燥させる遠
心処理ステップとを併せ有してもよい。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例における半導体装
置の製品処理手順を示すフローチャートである。本実施
例においてば、先ず、ステップ１１において、ウェハー
が収められているキャリアの重量Ｗ1 が、所定の重量測
定器により測定される。次いで、ステップ１２において
は、ウェハーが収められている前記キャリアが、処理槽
内の薬液に浸漬されて所定の薬液処理が行われる。次い
でステップ１３においては、当該処理槽内において、前
記薬液処理後のウェハーに対して、純水による浸漬処理
が行われる。ステップ１３の純水処理終了後には、ステ
ップ１４に移行して、ウェハーが収められているキャリ
アは遠心乾燥装置内にセットされ、遠心分離作用ならび
に排気作用を介してウェハーを乾燥させる遠心処理が行
われる。この遠心処理の過程において生じる破損による
ウェハーの破片は、遠心乾燥装置に設けられている排気
ダクトを通って外部に排出される。ステップ１５におい
ては、ステップ１４の遠心処理の終了後のウェハーが収
められているキャリアの重量Ｗ2 が、所定の重量測定器
により測定される。そして、ステップ１６においては、
前記ステップ１１において測定された重量Ｗ1 と、ステ
ップ１５において再度測定された重量Ｗ2 とが比較照合
されて、この重量Ｗ1 と重量Ｗ2 との測定値の差異を確
認することにより、ウェハーの破損が確実に検出され
る。
置の製品処理手順を示すフローチャートである。本実施
例においてば、先ず、ステップ１１において、ウェハー
が収められているキャリアの重量Ｗ1 が、所定の重量測
定器により測定される。次いで、ステップ１２において
は、ウェハーが収められている前記キャリアが、処理槽
内の薬液に浸漬されて所定の薬液処理が行われる。次い
でステップ１３においては、当該処理槽内において、前
記薬液処理後のウェハーに対して、純水による浸漬処理
が行われる。ステップ１３の純水処理終了後には、ステ
ップ１４に移行して、ウェハーが収められているキャリ
アは遠心乾燥装置内にセットされ、遠心分離作用ならび
に排気作用を介してウェハーを乾燥させる遠心処理が行
われる。この遠心処理の過程において生じる破損による
ウェハーの破片は、遠心乾燥装置に設けられている排気
ダクトを通って外部に排出される。ステップ１５におい
ては、ステップ１４の遠心処理の終了後のウェハーが収
められているキャリアの重量Ｗ2 が、所定の重量測定器
により測定される。そして、ステップ１６においては、
前記ステップ１１において測定された重量Ｗ1 と、ステ
ップ１５において再度測定された重量Ｗ2 とが比較照合
されて、この重量Ｗ1 と重量Ｗ2 との測定値の差異を確
認することにより、ウェハーの破損が確実に検出され
る。
【００１０】例えば、６インチ・ウェハー１枚は約２７
ｇであり、１ｃｍ2 当りのウェハーの重量は約０．１５
ｇである。また、遠心乾燥装置によって生じるウェハー
の破損は、１枚全てか、最小の場合であっても１／４の
面積（６ｇ）程度である。一般的のディジタル重量測定
器を用いるものとしても、０．１ｇ単位において重量測
定を行うことができるため、ウェハーの破損の検出は、
略１００％可能であると云うことができる。
ｇであり、１ｃｍ2 当りのウェハーの重量は約０．１５
ｇである。また、遠心乾燥装置によって生じるウェハー
の破損は、１枚全てか、最小の場合であっても１／４の
面積（６ｇ）程度である。一般的のディジタル重量測定
器を用いるものとしても、０．１ｇ単位において重量測
定を行うことができるため、ウェハーの破損の検出は、
略１００％可能であると云うことができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
ーの破損検出を、当該ウェハーの遠心乾燥装置による遠
心処理前後において測定したウェハーが収められている
キャリヤの重量の比較照合を介して行うことにより、従
来の光電センサーによるウェハー破損検出率を改善し、
略１００％程度の破損検出率を得ることができるという
効果がある。
ーの破損検出を、当該ウェハーの遠心乾燥装置による遠
心処理前後において測定したウェハーが収められている
キャリヤの重量の比較照合を介して行うことにより、従
来の光電センサーによるウェハー破損検出率を改善し、
略１００％程度の破損検出率を得ることができるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例における製品処理手順を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】従来例における製品処理手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
１１、１５ 重量測定処理ステップ １２、２１ 薬液処理ステップ １３、２２ 純水処理ステップ １４、２３ 遠心処理ステップ １６ 重量比較判定処理ステップ ２４ 光学判定処理ステップ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハー処理工程において、 遠心乾燥処理ステップを含む複数の処理ステップに対応
する前処理ステップおよび後処理ステップとして、それ
ぞれ当該半導体ウェハーの重量を測定する重量測定処理
ステップと、 前記遠心乾燥処理ステップを含む複数の処理ステップの
前後において測定された当該半導体ウェハーの重量を比
較照合して、ウェハーの破損の有無を検出する重量比較
判定処理ステップと、 を少なくとも併せ有することを特徴とする半導体ウェハ
ー破損検出方法。 - 【請求項２】 前記遠心乾燥処理ステップを含む複数の
処理ステップとして、半導体ウェハーを収めたキャリア
を、処理槽内の薬液に浸漬して薬液処理を行う薬液処理
ステップと、当該処理槽内において、薬液処理後の半導
体ウェハーに対して純水による浸漬処理を行う純水処理
ステップと、純水処理終了後に、遠心分離作用ならびに
排気作用を介して半導体ウェハーを乾燥させる遠心処理
ステップと、を有することを特徴とする請求項１記載の
半導体ウェハー破損検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278790A JP2978696B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 半導体ウェハー破損検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278790A JP2978696B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 半導体ウェハー破損検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130821A JPH07130821A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2978696B2 true JP2978696B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=17602221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5278790A Expired - Fee Related JP2978696B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 半導体ウェハー破損検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978696B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0804499D0 (en) * | 2008-03-11 | 2008-04-16 | Metryx Ltd | Measurement apparatus and method |
| TWI492319B (zh) * | 2011-07-25 | 2015-07-11 | Grand Plastic Technology Co Ltd | 濕製程設備旋乾機偵測破片之方法及裝置 |
| CN103292934B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种承载物检测系统 |
| CN104900552B (zh) * | 2014-03-06 | 2018-12-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆完整性的侦测方法及晶圆导向器 |
-
1993
- 1993-11-09 JP JP5278790A patent/JP2978696B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130821A (ja) | 1995-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990824 |
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