JP2973114B1 - 核磁気共鳴を用いた検査装置 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 渦電流によって発生する偽像を最小限に抑え
ることにより、撮影画像の画質を向上させる。 【解決手段】 超高速撮影を行う前に、シム電流値を特
定量ずつ変化させながら複数枚の超高速画像を撮影し
（３０１）、該複数枚の超高速画像、もしくは該複数枚
の超高速画像における偽像を含む特定領域の信号値の積
分値を保存しておく（３０２）。シムチャンネルを変え
ながら、上記画像撮影および保存の処理を繰り返す（３
０３〜３０６）。上記積分値 ｆ(ｘ) の最小値を与える
ｘを非線形計画問題により求める（３０７）。そして、
３０７で求めたｘをシムコイルに流す（３０８）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は核磁気共鳴を用いた
検査装置に係り、特に、超高速撮影時の偽像の発生を最
小限に抑えて、撮影画像の画質向上を図った核磁気共鳴
を用いた検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】静磁場強度の均一性向上処理（以下、シ
ミングという）を行うために、静磁場発生用磁石内には
通常、シムコイルと呼ばれる複数チャンネルの磁場発生
機構が内蔵されており、これらの発生する様々な特性の
シム磁場を静磁場コイルの発生する静磁場に重畳するこ
とにより、撮影領域の静磁場強度を均一にしている。

【０００３】超高速撮影法やスペクトロスコピックイメ
ージング等では、通常の撮影では問題にならないような
数ｐｐｍ程度以下の静磁場強度の不均一により、Ｓ／Ｎ
やスペクトル分解能が著しく劣化する。静磁場コイル内
の静磁場強度分布は磁石自身の特性、周辺の磁性体の影
響の他、検査対象自身の透磁率分布等によって歪められ
るため、このような撮影では静磁場中に検査対象が入っ
た状態で静磁場強度の均一性を向上させることが望まし
い。

【０００４】このような状況では、異なる位相情報を含
む２枚の核磁気共鳴画像を計測し、これらをもとに演算
により求めた静磁場強度分布に基づいてシミングが行わ
れている。２枚の核磁気共鳴画像から位相画像を求め、
さらに静磁場強度分布を得る手法については、たとえば
ジャーナル オブ マグネチック リゾナンス、７７、１
９８８年（Journal of Magnetic Resonance，77，198
8）の第４０頁から第５２頁に記述されているので、こ
こでは簡単に述べる。

【０００５】静磁場中に置かれた核スピンは歳差運動を
行っており、その周波数は静磁場強度に比例している。
したがって、励起領域内に空間的な静磁場強度の不均一
が存在すると、高周波パルスによって励起された核スピ
ンは、その直後から様々な周波数で歳差運動をすること
になり、位相コヒーレンシーが失われていく。このよう
な状態で得られた核磁気共鳴画像には、静磁場強度の不
均一を感受した時間に比例した位相情報が与えられる。
静磁場強度をＥ(ｘ,ｙ)とすると、励起後から信号計測
までの時間が異なる２枚の画像Ｉ1,Ｉ2 の画素値Ｓ1
(ｘ,ｙ)，Ｓ2(ｘ,ｙ)は、それぞれ数式１および数式２
で与えられる。 Ｓ1(x,y) ＝ ρ(x,y)exp{iγＥ(x,y)e1} ………(１) Ｓ2(x,y) ＝ ρ(x,y)exp{iγＥ(x,y)e2} ………(２) ここで、ρはスピン密度、γは磁気回転比である。ま
た、e1 および e2 は画像Ｉ1，Ｉ2 が静磁場強度の不均
一を感受した時間である。

【０００６】上記数式１および数式２から静磁場強度Ｅ
(ｘ,ｙ)は、数式３のごとく求められる。 Ｅ(x,y) ＝ 1/γ(e2-e1)atan{imag(Ｓ2(x,y)/Ｓ1(x,y))/real(Ｓ2(x,y)/Ｓ1(x,y))} ………（３） ここで、atan はアークタンジェントであり、imag は複
素数の虚部を、realは実部をそれぞれ示している。

【０００７】上記の画像Ｉ1,Ｉ2 を撮影するパルスシー
ケンスとしては、スピンエコー法やグラディエントエコ
ー法などが用いられる。スピンエコー法の場合、励起高
周波パルス印加直後から位相コヒーレンシーが乱れ始め
るが、反転高周波パルスを印加することにより、このコ
ヒーレンシーが回復し始める。励起高周波パルス印加時
刻と反転高周波パルス印加時刻との時間間隔をｔ1、反
転高周波パルス印加時刻とエコー計測時刻との時間間隔
をｔ2 で表すと、ｔ1 とｔ2 が等しい場合には静磁場強
度不均一が位相に及ぼす影響は完全に相殺される。この
ため、静磁場強度分布の計測にスピンエコー法を用いる
場合には、ｔ1 とｔ2 が異なる非対称スピンエコー法が
用いられる。この場合、ｔ1 とｔ2 との差が数式１の e
1 もしくは数式２の e2 となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来技術のところで述
べたように、超高速撮影法などで画像撮影を行う場合、
シミングを行って静磁場強度分布の均一性を向上させる
必要がある。上記超高速撮影法では、短時間に信号計測
を行うために高強度の傾斜磁場を高速にスイッチングす
る。このような傾斜磁場のスイッチングにより、傾斜磁
場コイルの導体表面などに渦電流が生じ、該渦電流の発
生する二次的な磁場が静磁場Ｅ(ｘ,ｙ)に重畳する。

【０００９】このため、上記渦電流が大量に発生する撮
影法を行う装置では、アクティブシールド付きの傾斜磁
場コイルを用いることが多い。これは、傾斜磁場コイル
の主コイルに流れる電流に対して、逆向きで大きさの等
しい電流が流れる付加的なコイルを主コイルの外側に配
置し、主コイルの発生する渦電流の影響を打ち消すもの
である。

【００１０】しかし、実際にはこのようなアクティブシ
ールドの効果は十分ではなく、従来技術の項で述べた静
磁場強度分布をもとにシミングを行った後に、後者の撮
影法で画像を撮影する場合、静磁場均一度の改善効果が
不十分なため、上記渦電流に起因する偽像が除去できな
い、という問題がある。

【００１１】本発明の目的は、渦電流によって発生する
偽像を最小限に抑えることにより、撮影画像の画質を向
上させることのできる核磁気共鳴を用いた検査装置を提
供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、静磁場を発生する静磁場
発生手段と、傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、
高周波磁場を発生し静磁場内に置かれた検査対象に高周
波磁場を印加する高周波磁場発生手段と、前記検査対象
からの核磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、特性
の異なる磁場を発生する複数のシムチャンネルを有し、
前記核磁気共鳴信号から得られた静磁場強度分布に基づ
いて前記シムチャンネル制御することにより前記静磁場
の均一度を調整する静磁場調整手段とを備え、前記傾斜
磁場を高速にスイッチングして超高速撮影を行う核磁気
共鳴を用いた検査装置において、超高速撮影前に、前記
シムチャンネルの中から選定された少なくとも１つのシ
ムチャンネルについて、該シムチャンネルの電流値を特
定量ずつ変化させながら複数枚の画像を撮影する撮影手
段と、前記撮影した画像上で、選択された特定画素の信
号値の積分値を演算する演算手段と、前記演算した各積
分値を保存する保存手段と、前記保存した各積分値を目
的関数としたときに、前記目的関数が最小となる値を算
出する算出手段と、前記算出した値に基づいたシム電流
を前記シムチャンネルに流すことにより偽像の発生を抑
制する抑制手段とを備えたことを特徴としている。

【００１３】上記構成によれば、撮影手段は、選定した
少なくとも１つのシムチャンネルのシム電流値を特定量
ずつ変化させながら複数枚の画像を撮影し、演算手段
は、複数枚の画像における特定画素の信号値の積分値を
演算する。そして、その演算結果は保存手段に保存され
る。このような一連の処理は、全シムチャンネルもしく
は特定のシムチャンネルに対して行われる。

【００１４】特定画素は、請求項２のように、検査対象
の実像を含まず且つ渦電流に起因して生じる偽像を含む
偽像領域から選択される。偽像領域は、たとえば請求項
３のようにして設定される。すなわち、演算手段が、画
像上で所定の閾値を超える画素からなる領域を実像領域
として自動的に抽出し、その実像領域以外の領域を偽像
領域として自動的に設定する。また、請求項４のよう
に、表示手段上に表示された画像を基に、検査者が手動
により設定した矩形領域を偽像領域として設定してもよ
い。

【００１５】また、偽像領域は請求項５のようにして設
定することもできる。すなわち、位相エンコード方向を
Ｙとするとき、演算手段が、画像上で所定の閾値を超え
る画素からなる領域を実像領域として自動的に抽出し、
その実像領域外のＹ座標すべてを含む矩形領域を偽像領
域として自動的に設定する。

【００１６】さらに、偽像領域は請求項６のようにして
設定することもできる。すなわち、表示手段に表示され
た画像を基に、検査者が実像領域として手動により設定
した円形領域、楕円形領域、矩形領域、またはフリーハ
ンドで指定した自由形状の領域以外の領域を偽像領域と
して設定する。

【００１７】次に、算出手段は、特定画素の信号値の積
分値を目的関数ｆ(ｘ)として、凸関数ｆ(ｘ)の最小値を
与えるｘを求める。ここでｘはシム電流値であり、上記
処理で用いたシムチャンネル数をｎとすると、ｘはｎ次
元のベクトルである。上記ｘを求めるためには、最急降
下法やニュートン法などの非線形計画問題を解く。

【００１８】そして、抑制手段が、画像の撮影で使用す
るパルスシーケンスを用い、ｆ(ｘ)を最小にするシム電
流値ｘをシムコイルに流すことにより、超高速撮影時に
生じる偽像の量を最小限に抑えることができる。

【００１９】また、上記処理を行うシムチャンネルを、
偽像の発生に鋭敏な特定のシムチャンネルに限定する。
すなわち、請求項７のように、シムチャンネルとして、
Ｘ軸方向の傾きを持った磁場を与えるシムチャンネル、
Ｙ軸方向の傾きを持った磁場を与えるシムチャンネル、
Ｚ軸方向の傾きを持った磁場を与えるシムチャンネル、
およびオフセットを与えるシムチャンネルの中から選定
される。これにより、処理時間の短縮を図ることができ
る。なお、請求項８のように、前記ＸおよびＹおよびＺ
軸方向の傾きを持った磁場を与えるシムチャンネルに代
えて、前記傾斜磁場発生手段の発生するオフセット磁場
を用いることもできる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明に係る核磁気共鳴を
用いた検査装置の一例を示す構成図である。図１におい
て、１０１は静磁場を発生する静磁場発生コイル、１０
２は傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生コイル、１０３は
検査対象であり、この検査対象はコイル１０１および１
０２内に配置される。シーケンサ１０４は傾斜磁場電源
１０５、高周波発信器１０６に命令を送り、傾斜磁場お
よび高周波パルスを検査対象１０３に印加する。高周波
パルスは、高周波変調器１０７、高周波増幅器１０８を
経て高周波送信器１０９により、検査対象１０３に印加
される。検査対象１０３から発生したＭＲ信号は受信器
１１０によって受波され、増幅器１１１、位相検波器１
１２、ＡＤ変換器１１３を通ってＣＰＵ１１４に送ら
れ、ここで信号処理が行われる。信号処理した結果は画
像として表示装置（例えばＣＲＴ）１１９に表示され
る。なお、必要に応じて、記憶媒体１１５に信号や測定
条件を記憶させることもできる。また、ＣＰＵ１１４に
は、表示装置１１９上で実像領域の指定を行うための入
力装置（例えばマウス）１２０が接続されている。

【００２１】また、１１６はシムコイルと呼ばれ、異な
る特性の磁場を発生する複数チャンネルのコイルで構成
されている。シム電源１１７は、シーケンサ１０４の命
令に従い、シムコイル１１６に電流を流す。この電流値
は記憶媒体１１５に記憶させておくこともできる。シム
電源１１７自体にメモリを内蔵し、電流値を記憶させて
おくこともできる。シムコイル１１６のうち、１次のコ
イル（Ｘ，Ｙ，Ｚチャンネル）は、傾斜磁場と干渉を起
こす可能性があるため、傾斜磁場発生コイル１０２とシ
ムコイル１１６の１次のコイルを一体化する場合もあ
る。また、シムコイル１１６の１次のコイルを用いる代
わりに、傾斜磁場のオフセットを用いることも可能であ
る。

【００２２】図２に超高速撮影法の一例として、エコー
プラナー法のパルスシーケンスを示す。図２において、
２０１は励起高周波パルス、２０２はスライス傾斜磁
場、２０３は位相エンコード傾斜磁場、２０４はリード
アウト傾斜磁場、２０５はエコー信号である。励起高周
波パルス２０１とスライス傾斜磁場２０２を同時に印加
して、特定のスライス内の磁化のみを励起する。一定の
時間の後に、極性を反転させながら周期的に強度が変化
するリードアウト傾斜磁場２０４をスライス傾斜磁場２
０２と垂直方向に印加し、リードアウト傾斜磁場方向の
位置情報を有するエコー信号を読み出す。

【００２３】この時、スライス傾斜磁場２０２とリード
アウト傾斜磁場２０４のいずれにも垂直な方向にパルス
状の位相エンコード傾斜磁場２０３を印加することによ
り、エコー信号に位相エンコード傾斜磁場方向の位置情
報を与える。リードアウト傾斜磁場２０４の波形には、
矩形あるいは正弦波などの周期的な波形が用いられ、特
にワンショット撮影の場合、最大強度は少なくとも１Ｔ
／ｍ程度、周期は１ｍｓ程度の高強度かつ高速のスイッ
チングが必要である。このような傾斜磁場のスイッチン
グにより、傾斜磁場コイルの導体表面などに渦電流が生
じ、該渦電流の発生する二次的な磁場が静磁場Ｅ(ｘ,
ｙ)に重畳する。

【００２４】次に、上記構成の核磁気共鳴を用いた検査
装置において、渦電流に起因する偽像の発生を抑えるた
めの処理について説明する。図３に示すように、シムチ
ャンネルＣＨ１のシム電流値を、特定量ずつ変化させな
がら複数枚の超高速画像を撮影する（３０１）。該複数
枚の超高速画像、あるいは該複数枚の超高速画像におけ
る特定の画素の信号値の積分値をＣＰＵ１１４または記
憶媒体１１５などに保存しておく（３０２）。続いて、
シムチャンネルＣＨ２のシム電流値を、特定量ずつ変化
させながら複数枚の超高速画像を撮影する（３０３）。
該複数枚の超高速画像、あるいは該複数枚の超高速画像
における特定の画素の信号値の積分値を保存しておく
（３０４）。シムチャンネルを変えつつ、上記画像撮影
（３０５）および保存（３０６）を繰り返す。

【００２５】次に、上記の通りに保存された、特定の画
素の信号値の積分値を目的関数ｆ(ｘ)として、 凸関数
ｆ(ｘ)の最小値を与えるｘを求める（３０７）。ここで
ｘはシム電流値であり、上記処理（３０１〜３０６）で
用いたシムチャンネル数をｎとすると、ｘはｎ次元のベ
クトルである。３０７で求めたｘをシムコイルに流す
（３０８）。

【００２６】上記処理では実際に超高速画像の撮影で使
用するパルスシーケンスを用いるため、上記ｆ(ｘ) を
最小にするシム電流値ｘをシムコイルに流すことによ
り、超高速画像に生じる偽像の量を最小限に抑えること
ができる。

【００２７】偽像の抑制に対する影響の大きさは、シム
チャンネル毎に異なると考えられるから、上記処理は必
ずしも全シムチャンネルに対して行う必要はない。たと
えば、Ｚ０，Ｚ１，Ｘ，Ｙなどの低次のシムチャンネル
のみ選択することにより、処理時間の短縮を図ることが
できる。ここで、Ｚ０は静磁場オフセットを与えるシム
チャンネル、Ｚ１はＺ軸方向の傾きを持った磁場を与え
るシムチャンネル、ＸはＸ軸方向の傾きを持った磁場を
与えるシムチャンネル、ＹはＹ軸方向の傾きを持った磁
場を与えるシムチャンネルである。

【００２８】傾斜磁場電源１０５に印加するオフセット
電流を制御することにより、傾斜磁場発生コイル１０２
からＺ，Ｘ，Ｙ軸方向に所望の傾きを持ったオフセット
磁場を発生させることができる。上記傾斜磁場発生コイ
ルの発生するオフセット磁場を上記Ｚ１，Ｘ，Ｙのシム
チャンネルとして代用することも可能である。

【００２９】また同様の理由により、シム電流値の変化
量は全てのシムチャンネルに対して同じとは限らない。
しかし本実施の形態で述べる処理は、従来技術の項で述
べたシミングの微調整的な役割を担うものであるため、
シム電流の変化量も微少であると考えられる。したがっ
て、たとえば静磁場均一度が０.２〜０.３ｐｐｍ程度変
動するシム電流値を、上記変化量の目安とする。

【００３０】また、３０７で上記ｘを求める際には、Ｃ
ＰＵ１１４において最急降下法やニュートン法などの非
線形計画問題を解けばよい。非線形計画問題について
は、数理計画法（一森哲男著、共立出版株式会社、第８
３頁から第１２６頁）などに述べられている。たとえば
最急降下法では、以下の（a）〜（e）ようなアルゴリズ
ムを用いる。 （a）初期値ｘ０を与える。ｋ＝０とする。 （b）∇ｆ(ｘｋ)＝０ならば、ｘｋを最適解としてスト
ップする。 （c）ヘッセ行列∇２ｆ(ｘｋ)の逆行列{∇２ｆ(ｘｋ)}
−１を計算する。 （d）ベクトルｄｋ＝−∇ｆ(ｘｋ)を求める。 （e）ｘｋ+１＝ｘｋ+ｄｋとし、ｋ＝ｋ+１として手順
（b）へ戻る。 なお、上記のアルゴリズムにおいて、（d）でｄｋ＝−
{∇２ｆ(ｘｋ)} −∇ｆ(ｘｋ)とすれば、ニュートン法
になる。

【００３１】上記非線形計画問題のアルゴリズムにおい
て、ｘの初期値ｘ０として、従来法によるシミング後の
シム電流値、あるいは記憶媒体１１５やシム電源１１７
内蔵メモリに記憶したシム電流値を用いる。

【００３２】上記特定の画素は、検査対象の実像を含ま
ず、渦電流に起因する偽像を含む領域から選択する。上
記偽像を含む領域の例を図４に示す。この例では、偽像
を含む超高速画像において、特定の閾値を超える画素か
らなる領域を実像として自動的に抽出する。次に、上記
実像領域以外の領域を偽像領域として選択する。

【００３３】上記偽像を含む領域の他の例を図５に示
す。この例では、上記実像を含まず、上記偽像を含む矩
形領域などを選択する。該矩形領域の選択は、たとえ
ば、画像表示手段に表示された超高速画像をもとに、検
査者が手動により選択する。あるいは、たとえば次のよ
うにして自動的に選択する。偽像を含む超高速画像にお
いて、特定の閾値を超える画素からなる領域を実像とし
て自動的に抽出する。偽像は位相エンコード方向に生じ
るので、上記位相エンコード方向をＹとすると、上記実
像領域外のＹ座標すべてを含む矩形領域を偽像領域とし
て選択する。

【００３４】上記偽像を含む領域の他の例を図６に示
す。この例では、上記実像を含む円形あるいは楕円形あ
るいは矩形領域を選択し、該円形あるいは楕円形あるい
は矩形領域外の領域を上記偽像領域として選択する。上
記円形あるいは楕円形あるいは矩形領域の選択は、たと
えば、画像表示手段に表示された超高速画像をもとに、
検査者が手動により選択する。上記実像領域は、画像表
示手段上で検査者がマウスやトラックボールなどを用い
てフリーハンドで選択してもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
超高速撮影前に、シムチャンネルに流すシム電流の最適
値が予め分かり、そのシム電流値をシムコイルに流すこ
とにより、超高速画像に生じる偽像の量を最小限に抑え
ることができる。

【００３６】また、複数のシムチャンネルの中から、偽
像の発生に鋭敏な特定のシムチャンネルに限定すること
により、処理時間の短縮を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る核磁気共鳴を用いた検査装置の構
成図である。

【図２】超高速撮影法のパルスシーケンスを示した図で
ある。

【図３】偽像発生量を最小とするシム電流値を求めるた
めの処理手順を示した図である。

【図４】偽像を含む領域を選択するための一例を示した
図である。

【図５】偽像を含む領域を選択するための他の例を示し
た図である。

【図６】偽像を含む領域を選択するための更に他の例を
示した図である。

【符号の説明】

１０１ 静磁場発生コイル １０２ 傾斜磁場発生コイル １０３ 検査対象 １０４ シーケンサ １０５ 傾斜磁場電源 １０６ 高周波発信器 １０７ 高周波変調器 １０８ 高周波増幅器 １０９ 高周波送信器 １１０ 受信器 １１１ 増幅器 １１２ 位相検波器 １１３ ＡＤ変換器 １１４ ＣＰＵ １１５ 記憶媒体 １１６ シムコイル １１７ シム電源 １１９ 表示装置 １２０ 入力装置 ２０１ 励起高周波パルス ２０２ スライス傾斜磁場 ２０３ 位相エンコード傾斜磁場 ２０４ リードアウト傾斜磁場 ２０５ エコー信号

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−246329（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−227232（ＪＰ，Ａ) 特公 平４−67859（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) A61B 5/055 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 静磁場を発生する静磁場発生手段と、傾
   斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発
   生し静磁場内に置かれた検査対象に高周波磁場を印加す
   る高周波磁場発生手段と、前記検査対象からの核磁気共
   鳴信号を検出する信号検出手段と、特性の異なる磁場を
   発生する複数のシムチャンネルを有し、前記シムチャン
   ネルを制御することにより前記静磁場の均一度を調整す
   る静磁場調整手段とを備え、前記傾斜磁場を高速にスイ
   ッチングして超高速撮影を行う核磁気共鳴を用いた検査
   装置において、 超高速撮影前に、前記シムチャンネルの中から選定され
   た少なくとも１つのシムチャンネルについて、該シムチ
   ャンネルの電流値を特定量ずつ変化させながら複数枚の
   画像を撮影する撮影手段と、 前記撮影した画像上で、選択された特定画素の信号値の
   積分値を演算する演算手段と、 前記演算した各積分値を保存する保存手段と、 前記保存した各積分値を目的関数としたときに、前記目
   的関数が最小となる値を算出する算出手段と、 前記算出した値に基づいたシム電流を前記シムチャンネ
   ルに流すことにより、偽像の発生を抑制する抑制手段
   と、 を備えたことを特徴とする核磁気共鳴を用いた検査装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記特定画素は、検査対象の実像を含まず且つ渦電流に
   起因して生じる偽像を含む偽像領域から選択されること
   を特徴とする核磁気共鳴を用いた検査装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記演算手段は、前記画像上で所定の閾値を超える画素
   からなる領域を実像領域として自動的に抽出し、その実
   像領域以外の領域を前記偽像領域として自動的に設定す
   ることを特徴とする核磁気共鳴を用いた検査装置。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記偽像領域は、表示手段上に表示された画像を基に、
   検査者が手動により設定した矩形領域であることを特徴
   とする核磁気共鳴を用いた検査装置。
5. 【請求項５】 請求項２に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記演算手段は、位相エンコード方向をＹとするとき、
   前記画像上で所定の閾値を超える画素からなる領域を実
   像領域として自動的に抽出し、その実像領域外のＹ座標
   すべてを含む矩形領域を偽像領域として自動的に設定す
   ることを特徴とする核磁気共鳴を用いた検査装置。
6. 【請求項６】 請求項２に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記偽像領域は、表示手段に表示された前記画像を基
   に、検査者が実像領域として手動により設定した円形領
   域、楕円形領域、矩形領域、またはフリーハンドで指定
   した自由形状の領域以外の領域であることを特徴とする
   核磁気共鳴を用いた検査装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記シムチャンネルとして、Ｘ軸方向の傾きを持った磁
   場を与えるシムチャンネル、Ｙ軸方向の傾きを持った磁
   場を与えるシムチャンネル、Ｚ軸方向の傾きを持った磁
   場を与えるシムチャンネル、およびオフセットを与える
   シムチャンネルの中から選定されることを特徴とする核
   磁気共鳴を用いた検査装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の核磁気共鳴を用いた検
   査装置において、 前記ＸおよびＹおよびＺ軸方向の傾きを持った磁場を与
   えるシムチャンネルに代えて、前記傾斜磁場発生手段の
   発生するオフセット磁場を用いることを特徴とする核磁
   気共鳴を用いた検査装置。