JP2971812B2 - マッハツェンダー干渉計型電気光学高分子変調器 - Google Patents
マッハツェンダー干渉計型電気光学高分子変調器Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マッハツェンダー
（Mach-Zehnder）干渉計型高分子電気光学変調器に関す
るもので、特に光変調器の初期出力状態を高分子の光漂
白特性を利用して調節できるように設計されたマッハツ
ェンダー干渉計型高分子電気光学変調器に関するもので
ある。
（Mach-Zehnder）干渉計型高分子電気光学変調器に関す
るもので、特に光変調器の初期出力状態を高分子の光漂
白特性を利用して調節できるように設計されたマッハツ
ェンダー干渉計型高分子電気光学変調器に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】マッハツェンダー干渉計型光変調器は、
電気信号を光信号に転換させる機能をする代表的な光変
調器である。
電気信号を光信号に転換させる機能をする代表的な光変
調器である。
【０００３】図１（Ａ）は従来の技術によるマッハツェ
ンダー干渉計型高分子電気光学変調器の平面図であり、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）の第１アーム部分に対するＸ−
Ｘ断面図である。
ンダー干渉計型高分子電気光学変調器の平面図であり、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）の第１アーム部分に対するＸ−
Ｘ断面図である。
【０００４】図１(Ａ)および図１(Ｂ)に図示したよう
に、上記した従来の高分子電気光学変調器は、導波路１
６の入力端１６ａをあらかじめ定めた地点で二分岐し
た、第１アーム１６ｂと第２アーム１６ｃを有する。導
波路１６は、システムの入力側から延長されている。第
１アーム１６ｂと第２アーム１６ｃは、再び結合され、
出力端１６ｄに接続されている。
に、上記した従来の高分子電気光学変調器は、導波路１
６の入力端１６ａをあらかじめ定めた地点で二分岐し
た、第１アーム１６ｂと第２アーム１６ｃを有する。導
波路１６は、システムの入力側から延長されている。第
１アーム１６ｂと第２アーム１６ｃは、再び結合され、
出力端１６ｄに接続されている。
【０００５】上記の第１アーム１６ｂの上側には、所定
の幅を持つ信号電極１８ａが形成されており、第２アー
ム１６ｃの上側にも所定の幅を持つバイアス電極１８ｂ
が形成されている。
の幅を持つ信号電極１８ａが形成されており、第２アー
ム１６ｃの上側にも所定の幅を持つバイアス電極１８ｂ
が形成されている。
【０００６】また、図１（Ｂ）に示したように、一般に
高分子の電気光学変調器は、半導体の基板１１上に下部
電極層１２、下部クラッディング（cladding）層１３、
ガイディング（guiding)層１４、帯導波路の形成のため
の初期光漂白層（initial bleached layer）１５、上部
クラッディング層１７および上部電極層１８ａが次々に
形成された構造を持つ。
高分子の電気光学変調器は、半導体の基板１１上に下部
電極層１２、下部クラッディング（cladding）層１３、
ガイディング（guiding)層１４、帯導波路の形成のため
の初期光漂白層（initial bleached layer）１５、上部
クラッディング層１７および上部電極層１８ａが次々に
形成された構造を持つ。
【０００７】一般的に、干渉計の出力は、下記の式１に
表わしたように、第１アーム１６ｂおよび第２アーム１
６ｃの間の位相差に依存する： Ｉ0＝Ｅ0 2＝(1/2)Ｅin 2［１+cos｛(φ1−φ2)0+(δφ1−δφ2)｝］ ……（１） 上記の式１で、（φ1−φ2)0は第１アーム１６ｂおよび
第２アーム１６ｃを通った導波光の初期位相差、δφ1
は外部電圧印加によって誘導された第１アーム１６ｂの
位相変化、δφ2は外部の電圧印加によって誘導された
第２アーム１６ｃの位相変化を表わす。この時、外部電
圧印加がない場合、δφ1とδφ2は０になる。
表わしたように、第１アーム１６ｂおよび第２アーム１
６ｃの間の位相差に依存する： Ｉ0＝Ｅ0 2＝(1/2)Ｅin 2［１+cos｛(φ1−φ2)0+(δφ1−δφ2)｝］ ……（１） 上記の式１で、（φ1−φ2)0は第１アーム１６ｂおよび
第２アーム１６ｃを通った導波光の初期位相差、δφ1
は外部電圧印加によって誘導された第１アーム１６ｂの
位相変化、δφ2は外部の電圧印加によって誘導された
第２アーム１６ｃの位相変化を表わす。この時、外部電
圧印加がない場合、δφ1とδφ2は０になる。
【０００８】また外部印加電場がない場合、変調器の出
力の最大点は、第１アーム１６ｂおよび第２アーム１６
ｃの間の初期位相差が（φ1−φ2)0＝２πｍ（ｍ＝定
数）の場合であり、強め合う干渉にて出力が最大にな
り、（φ1−φ2)0＝π（１＋２ｍ）（ｍ＝定数）になる
と相殺する干渉によって出力が最小になる。
力の最大点は、第１アーム１６ｂおよび第２アーム１６
ｃの間の初期位相差が（φ1−φ2)0＝２πｍ（ｍ＝定
数）の場合であり、強め合う干渉にて出力が最大にな
り、（φ1−φ2)0＝π（１＋２ｍ）（ｍ＝定数）になる
と相殺する干渉によって出力が最小になる。
【０００９】このような変調器は、使用目的によって適
切な初期状態が設定されている場合には、正確で簡便な
電−光信号変換が可能である。例えば、アナログ電気信
号の線形的な電−光変換のためには変調器の初期出力状
態が、最大出力と最小出力の中間地点に調節しなければ
ならない。これは、初期位相差が（φ1−φ2)0＝（π／
２）（２ｍ＋１）（ｍ＝定数）を満足するようにする事
を意味する。
切な初期状態が設定されている場合には、正確で簡便な
電−光信号変換が可能である。例えば、アナログ電気信
号の線形的な電−光変換のためには変調器の初期出力状
態が、最大出力と最小出力の中間地点に調節しなければ
ならない。これは、初期位相差が（φ1−φ2)0＝（π／
２）（２ｍ＋１）（ｍ＝定数）を満足するようにする事
を意味する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし変調器の製作過
程で、このように精密な初期位相差を調節するのは、実
際的には不可能である。したがって、変調器の第１アー
ム１６ｂ上側の信号電極１８ａを信号印加用電極として
使用し、他の第２アーム１６ｃのバイアス（bias）電極
１８ｂを使用して、バイアス電極１８ｂに適切な直流電
場を印加して位相（φ1−φ2)0−δφ2を調節すること
によって、変調器の初期出力状態を調節する。
程で、このように精密な初期位相差を調節するのは、実
際的には不可能である。したがって、変調器の第１アー
ム１６ｂ上側の信号電極１８ａを信号印加用電極として
使用し、他の第２アーム１６ｃのバイアス（bias）電極
１８ｂを使用して、バイアス電極１８ｂに適切な直流電
場を印加して位相（φ1−φ2)0−δφ2を調節すること
によって、変調器の初期出力状態を調節する。
【００１１】しかし、現在までの高分子変調器では、直
流電場を印加する場合、直流ドリフト現象によって安定
された素子の出力特性を得ることができなかった。（参
照：G.R. Mohlmann et al, SPIE Vol. 1560 Nonlinear
Optical Properties of Organic Materials IV, pp 426
-433, 1991) 本発明は、上記した従来の技術の問題点を解決するため
のもので、本発明の目的はマッハツェンダー干渉計型高
分子電気光学変調器の初期位相差（φ1−φ2)0を、後期
光漂白法で調節することによって、直流ドリフト現象が
ほとんどなく、変調器の初期出力状態を任意で調節する
ことができ、安定された素子の出力特性が得られ、しか
も、バイアス電極が必要ないマッハツェンダー干渉計型
高分子変調器を提供することにある。
流電場を印加する場合、直流ドリフト現象によって安定
された素子の出力特性を得ることができなかった。（参
照：G.R. Mohlmann et al, SPIE Vol. 1560 Nonlinear
Optical Properties of Organic Materials IV, pp 426
-433, 1991) 本発明は、上記した従来の技術の問題点を解決するため
のもので、本発明の目的はマッハツェンダー干渉計型高
分子電気光学変調器の初期位相差（φ1−φ2)0を、後期
光漂白法で調節することによって、直流ドリフト現象が
ほとんどなく、変調器の初期出力状態を任意で調節する
ことができ、安定された素子の出力特性が得られ、しか
も、バイアス電極が必要ないマッハツェンダー干渉計型
高分子変調器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のマッハツェンダー干渉計型高分子電気光学
変調器は、マッハツェンダー干渉計型高分子電気光学変
調器において、上記の導波路の入力端と出力端との間で
二つのラインに分岐されて接続している第１アームおよ
び第２アームの上側にそれぞれ形成される第１電極およ
び第２電極がそれぞれ互いに異なる長さを持つように構
成されることを特徴とする。
めの本発明のマッハツェンダー干渉計型高分子電気光学
変調器は、マッハツェンダー干渉計型高分子電気光学変
調器において、上記の導波路の入力端と出力端との間で
二つのラインに分岐されて接続している第１アームおよ
び第２アームの上側にそれぞれ形成される第１電極およ
び第２電極がそれぞれ互いに異なる長さを持つように構
成されることを特徴とする。
【００１３】また、導波路の入力端と出力端とにそれぞ
れ所定の幅を持つ入出力端子用金属マスクを形成するこ
とを特徴とする。
れ所定の幅を持つ入出力端子用金属マスクを形成するこ
とを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明のマッハツェンダー
干渉計型高分子電気光学変調器の望ましい実施の形態を
添付図面を参照してより詳しく説明する。
干渉計型高分子電気光学変調器の望ましい実施の形態を
添付図面を参照してより詳しく説明する。
【００１５】一般的に、光漂白（photobleaching）は、
高分子薄膜が、適切な波長の光によって漂白されるた
め、屈折率が低くなる現象である。（参照：J.J Kim et
al, Appl. Phys. Lett. 64(25):3488-3490, 1994)。こ
れは高分子光導波路の製作に使用される一般的な方法の
一つである。後期光漂白（post-photobleaching）は光
導波路の製作を終えた後、導波路の特定の部分に対して
選択的に光漂白を行うことを意味する。
高分子薄膜が、適切な波長の光によって漂白されるた
め、屈折率が低くなる現象である。（参照：J.J Kim et
al, Appl. Phys. Lett. 64(25):3488-3490, 1994)。こ
れは高分子光導波路の製作に使用される一般的な方法の
一つである。後期光漂白（post-photobleaching）は光
導波路の製作を終えた後、導波路の特定の部分に対して
選択的に光漂白を行うことを意味する。
【００１６】図２は、本発明の第１の実施の形態による
光学変調器の平面図を表わしたもので、後期光漂白法を
利用して初期位相差（φ1−φ2)0を調節するための変調
器の上側電極マスク構造の形成例を図示している。
光学変調器の平面図を表わしたもので、後期光漂白法を
利用して初期位相差（φ1−φ2)0を調節するための変調
器の上側電極マスク構造の形成例を図示している。
【００１７】図２に図示された光学変調器の導波路１１
６は、それぞれ入力端１１６ａと出力端１１６ｄの間
で、二つのライン、すなわち第１アーム１１６ｂおよび
第２アーム１１６ｃに分岐され、再び接続された一体形
の構造を持つ。
６は、それぞれ入力端１１６ａと出力端１１６ｄの間
で、二つのライン、すなわち第１アーム１１６ｂおよび
第２アーム１１６ｃに分岐され、再び接続された一体形
の構造を持つ。
【００１８】そして、上記の第１アーム１１６ｂおよび
第２アーム１１６ｃの上側には、上部電極として第１ア
ーム１１６ｂおよび第２アーム１１６ｃのラインに沿っ
てそれぞれ異なる長さＬAとＬA’を持つ第１電極１１９
ｂと第２電極１１９ｃがそれぞれ形成されている構造を
持つ。
第２アーム１１６ｃの上側には、上部電極として第１ア
ーム１１６ｂおよび第２アーム１１６ｃのラインに沿っ
てそれぞれ異なる長さＬAとＬA’を持つ第１電極１１９
ｂと第２電極１１９ｃがそれぞれ形成されている構造を
持つ。
【００１９】図２で、第１アーム１１６ｂの上の第１電
極１１９ａは、信号印加用電極としても使用されるし、
また、後期光漂白に対する金属マスクとしても同時に使
用される。
極１１９ａは、信号印加用電極としても使用されるし、
また、後期光漂白に対する金属マスクとしても同時に使
用される。
【００２０】本発明において、後期光漂白による初期出
力状態の調節原理は次のようである。
力状態の調節原理は次のようである。
【００２１】図２において、導波路１１６の全面あるい
は第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃが後期漂白光に露
出されると、電極マスク（第１電極および第２電極）が
ある部分の導波路１１６は後期漂白光に露出されない
が、第１，２電極１１９ａ，１１９ｂがない部分は後期
光漂白によって導波路１１６の有効屈折率が減少するよ
うになる。
は第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃが後期漂白光に露
出されると、電極マスク（第１電極および第２電極）が
ある部分の導波路１１６は後期漂白光に露出されない
が、第１，２電極１１９ａ，１１９ｂがない部分は後期
光漂白によって導波路１１６の有効屈折率が減少するよ
うになる。
【００２２】したがって、導波路１１６の中で、第１，
２アーム１１６ｂ，１１６ｃが互いに平行な部分で、干
渉計の第１，第２アームの上の第１，２電極１１９ａ，
１１９ｂの長さＬAとＬA′が互いに異なると、第１，２
アーム１１６ｂ，１１６ｃの間の初期位相差（φ1−
φ2)0が後期光漂白によって変わるようになる。この
時、位相差の変化は第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃ
の長さの差であるＬA−ＬA′に比例するようになる。
２アーム１１６ｂ，１１６ｃが互いに平行な部分で、干
渉計の第１，第２アームの上の第１，２電極１１９ａ，
１１９ｂの長さＬAとＬA′が互いに異なると、第１，２
アーム１１６ｂ，１１６ｃの間の初期位相差（φ1−
φ2)0が後期光漂白によって変わるようになる。この
時、位相差の変化は第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃ
の長さの差であるＬA−ＬA′に比例するようになる。
【００２３】図４は、図２のＸ−Ｘ断面図で、後期漂白
光に露出されることにより変化した導波路の垂直断面構
造を説明するものである。
光に露出されることにより変化した導波路の垂直断面構
造を説明するものである。
【００２４】図４の断面図にように、本発明の変調器
は、半導体の基板１１１上に下部電極１１２、下部クラ
ッディング層１１３、ガイディング層１１４、初期光漂
白層１１５、後期光漂白層１１７、上部クラッディング
層１１８および上部電極として第１信号電極１１９ａが
次々に積層された構造を持つ。ここで、後期光漂白の時
間により後期光漂白の深さｄpbが変わるようになる。
は、半導体の基板１１１上に下部電極１１２、下部クラ
ッディング層１１３、ガイディング層１１４、初期光漂
白層１１５、後期光漂白層１１７、上部クラッディング
層１１８および上部電極として第１信号電極１１９ａが
次々に積層された構造を持つ。ここで、後期光漂白の時
間により後期光漂白の深さｄpbが変わるようになる。
【００２５】図５は、図２で第１電極１１９ａおよび第
２電極１１９ｂの長さの差ＬA−ＬA′が１５ｍｍの場
合、図４の後期光漂白の深さｄpbによる変調器の出力特
性の変化を有効屈折率法を利用して計算したもので、後
期光漂白の深さｄpbによる変調器初期出力状態を表わし
たグラフである。
２電極１１９ｂの長さの差ＬA−ＬA′が１５ｍｍの場
合、図４の後期光漂白の深さｄpbによる変調器の出力特
性の変化を有効屈折率法を利用して計算したもので、後
期光漂白の深さｄpbによる変調器初期出力状態を表わし
たグラフである。
【００２６】計算に使用した導波路の構造は、導波層は
Ｐ２ＡＮＳ（５０：５０）であり、下部クラッディング
層１１３は、Ｐ２ＡＮＳ（３５：６５）、上部クラッデ
ィング層１１８は、ＮＯＡ６１である。この時、Ｐ２Ａ
ＮＳ（ｘ：１００−ｘ）はポリ（４−dimethylamino −
４′−nitro stilbene methacrylate（Ｐ２ＡＮＳ）co-
methylmethacrylate（ＭＭＡ））（ｘ：１００−ｘ）の
略字として、主チェーンにＤＡＮＳ色素が結合されてい
るサイドチェーン（side-chain）系統の非線形高分子薄
膜である。ＮＯＡ６１は光学用エポキシである。
Ｐ２ＡＮＳ（５０：５０）であり、下部クラッディング
層１１３は、Ｐ２ＡＮＳ（３５：６５）、上部クラッデ
ィング層１１８は、ＮＯＡ６１である。この時、Ｐ２Ａ
ＮＳ（ｘ：１００−ｘ）はポリ（４−dimethylamino −
４′−nitro stilbene methacrylate（Ｐ２ＡＮＳ）co-
methylmethacrylate（ＭＭＡ））（ｘ：１００−ｘ）の
略字として、主チェーンにＤＡＮＳ色素が結合されてい
るサイドチェーン（side-chain）系統の非線形高分子薄
膜である。ＮＯＡ６１は光学用エポキシである。
【００２７】この時、ポ−リング（Poling）電場の強さ
は１．６ＭＶ／ｃｍにしており、各層の屈折率はｎ
P2ANS(50:50)＝１．７４２４，ｎP2ANS(35:65)＝１．６
９５５、そしてｎNOA61＝１．５４３である。
は１．６ＭＶ／ｃｍにしており、各層の屈折率はｎ
P2ANS(50:50)＝１．７４２４，ｎP2ANS(35:65)＝１．６
９５５、そしてｎNOA61＝１．５４３である。
【００２８】また、後期光漂白の深さｄpbは０．４μｍ
にしている。
にしている。
【００２９】図５に図示したように、後期光漂白した深
さｄpbによって変調器の初期出力状態が変化することが
わかる。
さｄpbによって変調器の初期出力状態が変化することが
わかる。
【００３０】このような方法によって変調器の出力状態
を図４のＢ地点に調節するとＡＣあるいは両極（bipola
r)電気信号に対して変調された光信号の変調幅が大き
く、時間による出力特性が安定された変調器を得ること
ができる。
を図４のＢ地点に調節するとＡＣあるいは両極（bipola
r)電気信号に対して変調された光信号の変調幅が大き
く、時間による出力特性が安定された変調器を得ること
ができる。
【００３１】また、変調器の出力状態をＡあるいはＣ地
点に調節して単極（unipolar）の電気信号を使用した場
合にも、直流バイアスを使用した場合より直流ドリフト
の影響を減少することのできる変調器の製作が可能であ
る。
点に調節して単極（unipolar）の電気信号を使用した場
合にも、直流バイアスを使用した場合より直流ドリフト
の影響を減少することのできる変調器の製作が可能であ
る。
【００３２】また、図３に図示した本発明の第２の実施
の形態の光学変調器は、導波路１１６の入力端１１６ｂ
と第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃの上部に、さらに
所定の幅を持つ第１金属マスク１２２が形成されてい
る。また、出力端１１６ｄと第１，２アーム１１６ｂ，
１１６ｃの上側には所定の幅を持つ第２金属マスク１２
４が、さらに形成されている構造を持つ。
の形態の光学変調器は、導波路１１６の入力端１１６ｂ
と第１，２アーム１１６ｂ，１１６ｃの上部に、さらに
所定の幅を持つ第１金属マスク１２２が形成されてい
る。また、出力端１１６ｄと第１，２アーム１１６ｂ，
１１６ｃの上側には所定の幅を持つ第２金属マスク１２
４が、さらに形成されている構造を持つ。
【００３３】図２および図３に図示した光学変調器の主
な差は、図３の場合には、第１アーム１１６ｂおよび第
２アーム１１６ｃ以外の導波路１１６の入、出力端１１
６ｂ，１１６ｃ部分にも、第１，２金属マスク１２２，
１２４を配置し、後期光漂白時に光漂白から入、出力端
１１６ｂ，１１６ｃの導波路１１６が漂白光に露出され
ないようにしたのである。したがって、図２に図示され
た光変調器の場合は、後期光漂白が導波路１１６の全面
に照射される時に、入、出力端１１６ａ，１１６ｄの導
波路１１６が後期光漂白の影響を受けるが、図３の場合
は入、出力端１１６ａ，１１６ｄが後期光漂白によって
影響を受けないのである。他の構成は、図２の光学変調
器と同様である。
な差は、図３の場合には、第１アーム１１６ｂおよび第
２アーム１１６ｃ以外の導波路１１６の入、出力端１１
６ｂ，１１６ｃ部分にも、第１，２金属マスク１２２，
１２４を配置し、後期光漂白時に光漂白から入、出力端
１１６ｂ，１１６ｃの導波路１１６が漂白光に露出され
ないようにしたのである。したがって、図２に図示され
た光変調器の場合は、後期光漂白が導波路１１６の全面
に照射される時に、入、出力端１１６ａ，１１６ｄの導
波路１１６が後期光漂白の影響を受けるが、図３の場合
は入、出力端１１６ａ，１１６ｄが後期光漂白によって
影響を受けないのである。他の構成は、図２の光学変調
器と同様である。
【００３４】上述した本発明の第１および第２の実施の
形態の変調器は、初期出力状態を直流バイアス電場で調
節しなくても、後期光漂白方法で調節するができるた
め、高分子変調器における直流電場による出力特性の不
完全性を除去しうる。
形態の変調器は、初期出力状態を直流バイアス電場で調
節しなくても、後期光漂白方法で調節するができるた
め、高分子変調器における直流電場による出力特性の不
完全性を除去しうる。
【００３５】また、高分子電気光学変調器で表われる直
流ドリフト効果を除去することができるので、時間によ
る出力特性を安定化した高分子電気光学変調器の製作が
可能である。
流ドリフト効果を除去することができるので、時間によ
る出力特性を安定化した高分子電気光学変調器の製作が
可能である。
【００３６】これは変調器両アームの上の電極の長さを
異なる長さにして、変調器の全面あるいは一部に後期光
漂白をすると、両アームの間の初期位相差が両アーム電
極の長さの差により変化することを利用したもので、変
調器の出力状態を観察しながら後期光漂白をすることに
より、変調器の初期出力状態を任意に調節しうる。
異なる長さにして、変調器の全面あるいは一部に後期光
漂白をすると、両アームの間の初期位相差が両アーム電
極の長さの差により変化することを利用したもので、変
調器の出力状態を観察しながら後期光漂白をすることに
より、変調器の初期出力状態を任意に調節しうる。
【００３７】すなわち、本発明の変調器は、直流バイア
スがなくても初期出力状態が任意に調節できるため、時
間による出力特性が安定された変調器に動作することが
できるのである。
スがなくても初期出力状態が任意に調節できるため、時
間による出力特性が安定された変調器に動作することが
できるのである。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、マッハツェンダー干渉
計型高分子電気光学変調器の初期位相差（φ1−φ2)
0を、後期光漂白法で調節することによって、直流ドリ
フト現象がほとんどなく、変調器の初期出力状態を任意
で調節することができ、安定された素子の出力特性が得
られ、しかも、バイアス電極が必要ないマッハツェンダ
ー干渉計型高分子変調器を提供することができる。
計型高分子電気光学変調器の初期位相差（φ1−φ2)
0を、後期光漂白法で調節することによって、直流ドリ
フト現象がほとんどなく、変調器の初期出力状態を任意
で調節することができ、安定された素子の出力特性が得
られ、しかも、バイアス電極が必要ないマッハツェンダ
ー干渉計型高分子変調器を提供することができる。
【図１】（Ａ）は従来の技術によるマッハツェンダー干
渉計型電気光学変調器の平面図、（Ｂ）は図（Ａ）の第
１アーム部分に対するＸ−Ｘ垂直断面図。
渉計型電気光学変調器の平面図、（Ｂ）は図（Ａ）の第
１アーム部分に対するＸ−Ｘ垂直断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるマッハツェン
ダー干渉計型電気光学変調器で、両側のアームの上に電
極の長さが互いに異なる構造を表わした平面図。
ダー干渉計型電気光学変調器で、両側のアームの上に電
極の長さが互いに異なる構造を表わした平面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態によるマッハツェン
ダー干渉計型電気光学変調器で、入出力端に電極マスク
を追加形成した構造を表わした平面図。
ダー干渉計型電気光学変調器で、入出力端に電極マスク
を追加形成した構造を表わした平面図。
【図４】図２および図３のＸ−Ｘ断面図。
【図５】図２のマッハツェンダー干渉計型電気光学変調
において後期光漂白層１１７の深さｄpbによる変調器初
期出力状態の変化の一例を表わしたグラフ。
において後期光漂白層１１７の深さｄpbによる変調器初
期出力状態の変化の一例を表わしたグラフ。
１１１ 半導体基板 １１２ 下部電極 １１３ 下部クラッディング層 １１４ ガイディング層 １１５ 初期光漂白層 １１６ 導波路 １１６ａ，１１６ｄ 入、出力端 １１６ｂ，１１６ｃ 第１，２アーム １１７ 後期光漂白層 １１８ 上部クラッディング層 １１９ａ 第１電極 １１９ｂ 第２電極 １２２ 第１金属マスク １２４ 第２金属マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/055 505 G02F 1/29 - 1/313 G02B 6/12 - 6/14 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】入力端と出力端の間で、第１アームおよび
第２アームに分岐され、再び接続されている導波路を有
するマッハツェンダー干渉計型高分子電気光学変調器に
おいて、 前記第１アームおよび第２アームの上側にはそれぞれ第
１電極および第２電極が形成され、 前記第１および第２電極は、後期光漂白を通して変調器
の初期状態を調節するためにそれぞれ互いに異なる長さ
を持つように構成されていることを特徴とするマッハツ
ェンダー干渉計型高分子電気光学変調器。 - 【請求項２】請求項１において、前記導波路の入力端と
出力端とに、後期光漂白時に前記光導波路を漂白光から
保護するための第１金属マスクおよび第２金属マスクが
それぞれ形成されていることを特徴とするマッハツェン
ダー干渉計型高分子電気光学変調器。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR95-53637 | 1995-12-21 | ||
| KR1019950053637A KR0171017B1 (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 후기 광표백에 의해 초기 상태가 조절되는 마하 젠더 간섭계형 고분자 전기광학 변조기 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185024A JPH09185024A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2971812B2 true JP2971812B2 (ja) | 1999-11-08 |
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|---|---|---|---|
| JP8222439A Expired - Fee Related JP2971812B2 (ja) | 1995-12-21 | 1996-08-23 | マッハツェンダー干渉計型電気光学高分子変調器 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2971812B2 (ja) |
| KR (1) | KR0171017B1 (ja) |
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| KR100219714B1 (ko) | 1997-02-26 | 1999-09-01 | 윤종용 | 저손실 광능동소자의 제작방법 |
| US6316098B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-11-13 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
| US6783849B2 (en) | 1998-03-27 | 2004-08-31 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
| KR100364761B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2002-12-16 | 엘지전자 주식회사 | 전기광학 폴리머 편광 분리기 및 그 제조방법 |
| US6760493B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-07-06 | Avanex Corporation | Coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator |
| US20090116843A1 (en) * | 2006-05-12 | 2009-05-07 | Siemens Home And Office Communication Devices Gmbh | Device for Transmitting and Receiving Data and Corresponding Operating Method |
| US9507182B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-11-29 | Vadient Optics. LLC. | Nanocomposite electro-optic modulator |
| CN107870390A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 电子科技大学 | 一种基于聚合物非对称脊波导的y分支波导结构 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5638468A (en) * | 1993-07-07 | 1997-06-10 | Tokin Corporation | Optical modulation system |
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1995
- 1995-12-21 KR KR1019950053637A patent/KR0171017B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-08-23 JP JP8222439A patent/JP2971812B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-26 DE DE19639683A patent/DE19639683B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-25 US US08/736,207 patent/US5692075A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| DE19639683A1 (de) | 1997-06-26 |
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