JP2971618B2 - パルストランス及び高電圧パルス発生装置 - Google Patents
パルストランス及び高電圧パルス発生装置Info
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Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、放電励起レー
ザの励起用電源に使用される高電圧パルス発生装置に関
する。
ザの励起用電源に使用される高電圧パルス発生装置に関
する。
【０００３】
【従来の技術】放電励起レーザに使われるパルス電源で
は、負荷に対して数10ｋＶ以上のパルス電圧を供給する
必要があるので、スイッチの電圧責務を軽減するため
に、従来からＬＣ反転方式と称される回路が多用されて
いる。そのような回路の使用例は、例えば特開昭60-961
82号公報に記載されている。
は、負荷に対して数10ｋＶ以上のパルス電圧を供給する
必要があるので、スイッチの電圧責務を軽減するため
に、従来からＬＣ反転方式と称される回路が多用されて
いる。そのような回路の使用例は、例えば特開昭60-961
82号公報に記載されている。
【０００４】図４は上記特許公開公報に記載されたＬＣ
反転回路による高電圧パルス発生装置を示す接続図で、
この回路方式によれば、スイッチＳの電圧責務は回路中
に用いられるＬＣ反転回路の段数をｎとすれば、必要な
出力電圧のほぼｎ分の１に軽減されるので、電圧責務の
低いスイッチを用いて負荷に対して十分な高電圧パルス
を供給することができる。
反転回路による高電圧パルス発生装置を示す接続図で、
この回路方式によれば、スイッチＳの電圧責務は回路中
に用いられるＬＣ反転回路の段数をｎとすれば、必要な
出力電圧のほぼｎ分の１に軽減されるので、電圧責務の
低いスイッチを用いて負荷に対して十分な高電圧パルス
を供給することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
構成された高電圧パルス発生装置においては、使われる
スイッチが、半導体スイッチのような低い電圧にしか耐
えられないようなスイッチであるときには採用できな
い。なぜならば、半導体スイッチにおいては、その定格
電圧は高くても数ｋＶであって、負荷において必要とさ
れる電圧の10分の１以下である。そのため、従来のＬＣ
反転方式の高電圧パルス発生装置を用いる場合には、そ
の段数を数段にも増やさなければならない。すると、装
置が大形化して低効率化が避けられない。
構成された高電圧パルス発生装置においては、使われる
スイッチが、半導体スイッチのような低い電圧にしか耐
えられないようなスイッチであるときには採用できな
い。なぜならば、半導体スイッチにおいては、その定格
電圧は高くても数ｋＶであって、負荷において必要とさ
れる電圧の10分の１以下である。そのため、従来のＬＣ
反転方式の高電圧パルス発生装置を用いる場合には、そ
の段数を数段にも増やさなければならない。すると、装
置が大形化して低効率化が避けられない。
【０００６】この問題を解決するために考えられ得る手
段として、例えば、特開平1-132185号公報に記載されて
いる図５に示すような方法がある。図５で示す回路は、
スイッチ（ＳＣＲ）によって作り出されるパルス電圧を
パルストランスＴによって昇圧し、このパルストランス
Ｔの出力側に接続された磁気パルス圧縮回路によってパ
ルス幅を圧縮し、電流値を増倍しようとするものであ
る。
段として、例えば、特開平1-132185号公報に記載されて
いる図５に示すような方法がある。図５で示す回路は、
スイッチ（ＳＣＲ）によって作り出されるパルス電圧を
パルストランスＴによって昇圧し、このパルストランス
Ｔの出力側に接続された磁気パルス圧縮回路によってパ
ルス幅を圧縮し、電流値を増倍しようとするものであ
る。
【０００７】ところが、この図５に示すような方式で
は、電圧を昇圧するパルストランスＴと、パルス幅を圧
縮する磁気パルス圧縮回路の可飽和リアクトルＳＩ1 ，
ＳＩ2 ，ＳＩ3 を、それぞれ別の鉄心に巻回したパルス
トランスＴや可飽和リアクトルＳＩ1 ，ＳＩ2 ，ＳＩ3
によって構成しているために、構成される機器の数が増
えるだけでなく、装置が大形化する。
は、電圧を昇圧するパルストランスＴと、パルス幅を圧
縮する磁気パルス圧縮回路の可飽和リアクトルＳＩ1 ，
ＳＩ2 ，ＳＩ3 を、それぞれ別の鉄心に巻回したパルス
トランスＴや可飽和リアクトルＳＩ1 ，ＳＩ2 ，ＳＩ3
によって構成しているために、構成される機器の数が増
えるだけでなく、装置が大形化する。
【０００８】そこで、第１の発明の目的は、昇圧用パル
ストランスとパルス圧縮用可飽和リアクトルを一体化す
ることにより、高電圧パルス発生装置を小形化すること
のできるパルストランスを得ることであり、第２の発明
の目的は、構成部品を減らし、装置を小形化することの
できる高電圧パルス発生装置を得ることである。 ［発明の構成］
ストランスとパルス圧縮用可飽和リアクトルを一体化す
ることにより、高電圧パルス発生装置を小形化すること
のできるパルストランスを得ることであり、第２の発明
の目的は、構成部品を減らし、装置を小形化することの
できる高電圧パルス発生装置を得ることである。 ［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】第１の発明は、
アモルファス金属材で円筒状に形成された鉄心に巻きつ
けられた二次巻線と、この二次巻線の内外周と両端を覆
って形成された二重円筒状の一次巻線を設けることで、
二次側からみた鉄心飽和時のインダクタンスを漏れイン
ダクタンスより小さくし、パルス幅を圧縮して、小形軽
量化し高電圧パルス発生装置を小形化することのできる
パルストランスである。
アモルファス金属材で円筒状に形成された鉄心に巻きつ
けられた二次巻線と、この二次巻線の内外周と両端を覆
って形成された二重円筒状の一次巻線を設けることで、
二次側からみた鉄心飽和時のインダクタンスを漏れイン
ダクタンスより小さくし、パルス幅を圧縮して、小形軽
量化し高電圧パルス発生装置を小形化することのできる
パルストランスである。
【００１０】また、第２の発明は、二次側に接続された
第１，第２のコンデンサのうち、片側のコンデンサの電
圧を反転するパルストランスと、このパルストランスの
一次側の第３のコンデンサと、この第３のコンデンサの
電荷をパルストランスを介して第１，第２のコンデンサ
に転送するスイッチを備えた高電圧パルス発生装置にお
いて、パルストランスに第１の発明のパルストランスを
用いることで、構成機器の数を減らし、装置を小形化す
ることのできる高電圧パルス発生装置である。
第１，第２のコンデンサのうち、片側のコンデンサの電
圧を反転するパルストランスと、このパルストランスの
一次側の第３のコンデンサと、この第３のコンデンサの
電荷をパルストランスを介して第１，第２のコンデンサ
に転送するスイッチを備えた高電圧パルス発生装置にお
いて、パルストランスに第１の発明のパルストランスを
用いることで、構成機器の数を減らし、装置を小形化す
ることのできる高電圧パルス発生装置である。
【００１１】
【実施例】以下、第１の発明の一実施例について、図１
を参照して説明する。図１は、第１の発明のパルストラ
ンスの構造を示す部分破断斜視図である。図１のパルス
トランスでは、テープ状のアモルファスリボンを巻回し
た円筒状の鉄心３を用いる。二次高圧巻線２は、この円
筒状の鉄心３の表面に、絶縁紙などの絶縁被覆（図示せ
ず）を施した上に絶縁被覆した導体を、複数回、円周状
の分布が均一となるように巻回する。一次低圧巻線１
は、曲面及び平面状の板状の導体を接続して、円筒状の
鉄心３と二次高圧巻線２を二重円筒状に取り囲んで巻数
が１回の巻線として構成する。二次高圧巻線２の口出し
部２ａは、一次低圧巻線１の外側側面に穴をあけて取り
出す。
を参照して説明する。図１は、第１の発明のパルストラ
ンスの構造を示す部分破断斜視図である。図１のパルス
トランスでは、テープ状のアモルファスリボンを巻回し
た円筒状の鉄心３を用いる。二次高圧巻線２は、この円
筒状の鉄心３の表面に、絶縁紙などの絶縁被覆（図示せ
ず）を施した上に絶縁被覆した導体を、複数回、円周状
の分布が均一となるように巻回する。一次低圧巻線１
は、曲面及び平面状の板状の導体を接続して、円筒状の
鉄心３と二次高圧巻線２を二重円筒状に取り囲んで巻数
が１回の巻線として構成する。二次高圧巻線２の口出し
部２ａは、一次低圧巻線１の外側側面に穴をあけて取り
出す。
【００１２】このように構成されたパルストランスにお
いて用いられるアモルファスリボンを、円筒状に巻回し
た鉄心３は、可飽和鉄心として優れた性能を持つこと
は、例えば特開平 1-96909号公報に詳しく記載されてい
るのでここでは省略し、本発明の特徴である巻線構成の
なすこの可飽和パルストランスが図２の高電圧パルス発
生回路に使われたときの作用について説明する。
いて用いられるアモルファスリボンを、円筒状に巻回し
た鉄心３は、可飽和鉄心として優れた性能を持つこと
は、例えば特開平 1-96909号公報に詳しく記載されてい
るのでここでは省略し、本発明の特徴である巻線構成の
なすこの可飽和パルストランスが図２の高電圧パルス発
生回路に使われたときの作用について説明する。
【００１３】図２において、高速スイッチＳが動作する
と、先に述べたようにコンデンサＣ0 に充電された電荷
がパルストランスＳＴＲの漏れインダクタンスＬｓを通
じてコンデンサＣ1 ，Ｃ2 に移行する。本発明のパルス
トランスにおいては、漏れインダクタンスは、鉄心３に
巻回された導体でなる二次高圧巻線２とその周囲を覆っ
た板材の導体でなる一次低圧巻線１の磁気エネルギーに
よって決定される。ところで、変圧器の漏れインダクタ
ンスは、ほぼ、巻線間の間隙の広さに比例し、巻線高さ
に反比例することが知られている。
と、先に述べたようにコンデンサＣ0 に充電された電荷
がパルストランスＳＴＲの漏れインダクタンスＬｓを通
じてコンデンサＣ1 ，Ｃ2 に移行する。本発明のパルス
トランスにおいては、漏れインダクタンスは、鉄心３に
巻回された導体でなる二次高圧巻線２とその周囲を覆っ
た板材の導体でなる一次低圧巻線１の磁気エネルギーに
よって決定される。ところで、変圧器の漏れインダクタ
ンスは、ほぼ、巻線間の間隙の広さに比例し、巻線高さ
に反比例することが知られている。
【００１４】巻線間の間隙の広さは、絶縁強度によって
決まるから、ほぼ一定のものとなり、本発明によっても
特に変わるところはない。しかし、巻線高さについて
は、本発明のパルストランスでは、一般のパルストラン
スよりも高くすることができる。すなわち、一般のパル
ストランス、例えば、ＥＩ型鉄心を使用したようなパル
ストランスでは、鉄心は、巻線を巻回する脚の部分と、
脚と脚を連結するヨークの部分とに別れる。このヨーク
の部分には、巻線は巻回されないから、鉄心を通る磁束
の長さに比べて巻線高さはヨーク部分の長さだけ短くな
る。それに比べて、本発明のパルストランスでは、巻線
が鉄心の全周に亘って巻回されるので、巻線高さは鉄心
の全周長と同一長となって長くなる。換言すれば、巻線
高さを一定とした場合、鉄心重量を減らすことができ、
軽量のパルストランスを得ることができる。
決まるから、ほぼ一定のものとなり、本発明によっても
特に変わるところはない。しかし、巻線高さについて
は、本発明のパルストランスでは、一般のパルストラン
スよりも高くすることができる。すなわち、一般のパル
ストランス、例えば、ＥＩ型鉄心を使用したようなパル
ストランスでは、鉄心は、巻線を巻回する脚の部分と、
脚と脚を連結するヨークの部分とに別れる。このヨーク
の部分には、巻線は巻回されないから、鉄心を通る磁束
の長さに比べて巻線高さはヨーク部分の長さだけ短くな
る。それに比べて、本発明のパルストランスでは、巻線
が鉄心の全周に亘って巻回されるので、巻線高さは鉄心
の全周長と同一長となって長くなる。換言すれば、巻線
高さを一定とした場合、鉄心重量を減らすことができ、
軽量のパルストランスを得ることができる。
【００１５】次に、図２において、コンデンサＣ1 の電
圧が反転するときのパルス幅は、パルストランスＳＴＲ
の飽和時の二次側からみた励磁インダクタンスＬｍｓに
よって決まり、この励磁インダクタンスＬｍｓは、上述
したように、さらに漏れインダクタンスＬｓよりも小さ
くなければならない。従来のパルストランスにおいて
は、巻線の配置は、低圧巻線を内側に、高圧巻線を外側
にしてそれぞれ鉄心脚に巻回されている。しかし、この
ような構成では、二次側からみた飽和時の励磁インダク
タンスＬｍｓを漏れインダクタンスＬｓよりも小さくす
ることはできない。すなわち、鉄心が完全に飽和したと
考えると、漏れインダクタンスＬｓは、外側高圧巻線と
内側低圧巻線の間の空間に蓄積される磁気エネルギーで
決まり、二次側からみた励磁インダクタンスＬｍｓは、
二次巻線すなわち、外側高圧巻線によって取り囲まれた
空間に蓄勢される磁気エネルギーで決まる。巻線の位置
関係から、明らかに前者の空間の体積の方が小さい。し
たがって、Ｌｓ＜Ｌｍｓとなり、必要な条件を満たせな
い。
圧が反転するときのパルス幅は、パルストランスＳＴＲ
の飽和時の二次側からみた励磁インダクタンスＬｍｓに
よって決まり、この励磁インダクタンスＬｍｓは、上述
したように、さらに漏れインダクタンスＬｓよりも小さ
くなければならない。従来のパルストランスにおいて
は、巻線の配置は、低圧巻線を内側に、高圧巻線を外側
にしてそれぞれ鉄心脚に巻回されている。しかし、この
ような構成では、二次側からみた飽和時の励磁インダク
タンスＬｍｓを漏れインダクタンスＬｓよりも小さくす
ることはできない。すなわち、鉄心が完全に飽和したと
考えると、漏れインダクタンスＬｓは、外側高圧巻線と
内側低圧巻線の間の空間に蓄積される磁気エネルギーで
決まり、二次側からみた励磁インダクタンスＬｍｓは、
二次巻線すなわち、外側高圧巻線によって取り囲まれた
空間に蓄勢される磁気エネルギーで決まる。巻線の位置
関係から、明らかに前者の空間の体積の方が小さい。し
たがって、Ｌｓ＜Ｌｍｓとなり、必要な条件を満たせな
い。
【００１６】本発明のパルストランスにおいては、二次
高圧巻線２、すなわち、高圧巻線は、一次低圧巻線１の
内側にある。したがって、二次高圧巻線２によって取り
囲まれる体積は、一次低圧巻線１の配置に影響されない
から、二次側からみた飽和時の励磁インダクタンスは、
漏れインダクタンスとはまったく独立して決定すること
ができる。したがって、パルス圧縮の条件であるＬｍｓ
＜Ｌｓを満たすことが可能になる。
高圧巻線２、すなわち、高圧巻線は、一次低圧巻線１の
内側にある。したがって、二次高圧巻線２によって取り
囲まれる体積は、一次低圧巻線１の配置に影響されない
から、二次側からみた飽和時の励磁インダクタンスは、
漏れインダクタンスとはまったく独立して決定すること
ができる。したがって、パルス圧縮の条件であるＬｍｓ
＜Ｌｓを満たすことが可能になる。
【００１７】したがって本発明においては、パルストラ
ンスを円筒状の鉄心を使用し、二次高圧巻線を一次低圧
巻線の鉄心側に配置し、しかも一次低圧巻線を板状の導
体によって全体を取り囲むように配置したので、漏れイ
ンダクタンスＬｓも飽和時の二次側からみた励磁インダ
クタンスＬｍｓも十分小さく、しかもＬｍｓ＜Ｌｓとな
るような可飽和パルストランスを得ることができる。
ンスを円筒状の鉄心を使用し、二次高圧巻線を一次低圧
巻線の鉄心側に配置し、しかも一次低圧巻線を板状の導
体によって全体を取り囲むように配置したので、漏れイ
ンダクタンスＬｓも飽和時の二次側からみた励磁インダ
クタンスＬｍｓも十分小さく、しかもＬｍｓ＜Ｌｓとな
るような可飽和パルストランスを得ることができる。
【００１８】次に、第２の発明の一実施例について、図
面を参照して説明する。図２は、第２の発明の一実施例
の構成を示す接続図である。また、図３は、第２の発明
の一実施例の動作中における各部の電圧変化を示すオシ
ログラフである。図２において、直流充電電源ＰＳの負
荷側には、コンデンサＣ0 とパルストランスＳＴＲが直
列に接続されている。また、高速スイッチＳは、充電電
源ＰＳ側からみてコンデンサＣ0 ，パルストランスＳＴ
Ｒと並列に充電電源ＰＳ側に接続されている。パルスト
ランスＳＴＲの出力側には、コンデンサＣ1 ，可飽和リ
アクトルＳＩ，接地リアクトルＬが順に直列に接続さ
れ、更に、パルストランスＳＴＲの出力側には直後にコ
ンデンサＣ1 が可飽和リアクトルＳＩと接地リアクトル
Ｌの間にコンデンサＣ3 と負荷ＲＬが並列に接続されて
いる。
面を参照して説明する。図２は、第２の発明の一実施例
の構成を示す接続図である。また、図３は、第２の発明
の一実施例の動作中における各部の電圧変化を示すオシ
ログラフである。図２において、直流充電電源ＰＳの負
荷側には、コンデンサＣ0 とパルストランスＳＴＲが直
列に接続されている。また、高速スイッチＳは、充電電
源ＰＳ側からみてコンデンサＣ0 ，パルストランスＳＴ
Ｒと並列に充電電源ＰＳ側に接続されている。パルスト
ランスＳＴＲの出力側には、コンデンサＣ1 ，可飽和リ
アクトルＳＩ，接地リアクトルＬが順に直列に接続さ
れ、更に、パルストランスＳＴＲの出力側には直後にコ
ンデンサＣ1 が可飽和リアクトルＳＩと接地リアクトル
Ｌの間にコンデンサＣ3 と負荷ＲＬが並列に接続されて
いる。
【００１９】ここで、接地リアクトルＬのインダクタン
スは、パルストランスＳＴＲの漏れインダクタンスより
も十分小さく、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 への充電作用に影
響を与えないようにする。パルストランスＳＴＲは、式
(1)で示すコンデンサＣ1 ，Ｃ2 の充電時間の完了とほ
ぼ同時に飽和するように鉄心断面積と二次高圧巻線の巻
回数が算定されている。また、共振時にコンデンサＣ0
の電荷がコンデンサＣ1 ，Ｃ2 に完全に移行するよう
に、コンデンサＣ0 ，Ｃ1 ，Ｃ2 のキャパシタンスは、
式(2) となるように選定されている。
スは、パルストランスＳＴＲの漏れインダクタンスより
も十分小さく、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 への充電作用に影
響を与えないようにする。パルストランスＳＴＲは、式
(1)で示すコンデンサＣ1 ，Ｃ2 の充電時間の完了とほ
ぼ同時に飽和するように鉄心断面積と二次高圧巻線の巻
回数が算定されている。また、共振時にコンデンサＣ0
の電荷がコンデンサＣ1 ，Ｃ2 に完全に移行するよう
に、コンデンサＣ0 ，Ｃ1 ，Ｃ2 のキャパシタンスは、
式(2) となるように選定されている。
【００２０】
【数１】
【００２１】このように構成された高圧パルス発生装置
においては、まず、コンデンサＣ0 は、充電電源ＰＳで
所定の電圧まで充電される。次に、高速スイッチＳが投
入されると、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 がパルストランスＳ
ＴＲの漏れインダクタンスを通して共振的に且つ、パル
ストランスの巻数比に応じて昇圧されて充電される。こ
のとき、可飽和リアクトルＳＩは、別途接続された図示
しないリセット回路から供給される直流電流で飽和して
いるので、そのインダクタンスは小さく、また、接地リ
アクトルＬのインダクタンスも可飽和リアクトルＳＩの
漏れインダクタンスに比べて十分小さいので、上記共振
充電作用に与える影響は極めて小さい。したがって、充
電される幅は式(1) で表され、この式(1) に式(2) を代
入すると、式(3) となる。
においては、まず、コンデンサＣ0 は、充電電源ＰＳで
所定の電圧まで充電される。次に、高速スイッチＳが投
入されると、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 がパルストランスＳ
ＴＲの漏れインダクタンスを通して共振的に且つ、パル
ストランスの巻数比に応じて昇圧されて充電される。こ
のとき、可飽和リアクトルＳＩは、別途接続された図示
しないリセット回路から供給される直流電流で飽和して
いるので、そのインダクタンスは小さく、また、接地リ
アクトルＬのインダクタンスも可飽和リアクトルＳＩの
漏れインダクタンスに比べて十分小さいので、上記共振
充電作用に与える影響は極めて小さい。したがって、充
電される幅は式(1) で表され、この式(1) に式(2) を代
入すると、式(3) となる。
【００２２】
【数２】
【００２３】充電完了と同時にパルストランスＳＴＲが
飽和して励磁インダクタンスが激減するので、図４に示
した従来の高圧パルス発生装置における並列可飽和リア
クトルＳＩＰｎと同様の作用を発揮し、コンデンサＣ1
の電圧は共振的に反転し、コンデンサＣ1 とコンデンサ
Ｃ2 の電圧が合成され、コンデンサＣ2 のの可飽和リア
クトルＳＩに接続された側の端子には、充電電圧のほぼ
２倍の電圧が発生する。このときの電圧反転のパルス幅
ｔ2 は、式(4) で求められる。ここで、Ｌｍｓは、パル
ストランスＳＴＲの二次側からみた飽和励磁インダクタ
ンスである。
飽和して励磁インダクタンスが激減するので、図４に示
した従来の高圧パルス発生装置における並列可飽和リア
クトルＳＩＰｎと同様の作用を発揮し、コンデンサＣ1
の電圧は共振的に反転し、コンデンサＣ1 とコンデンサ
Ｃ2 の電圧が合成され、コンデンサＣ2 のの可飽和リア
クトルＳＩに接続された側の端子には、充電電圧のほぼ
２倍の電圧が発生する。このときの電圧反転のパルス幅
ｔ2 は、式(4) で求められる。ここで、Ｌｍｓは、パル
ストランスＳＴＲの二次側からみた飽和励磁インダクタ
ンスである。
【００２４】
【数３】
【００２５】式(3) と式(4) を比較して分るように、パ
ルストランスＳＴＲの二次側からみた飽和時の励磁イン
ダクタンスＬｍｓと漏れインダクタンスＬｓの関係を、
式(5) とすることにより、式(6) とすることができ、パ
ルス圧縮が可能となる。
ルストランスＳＴＲの二次側からみた飽和時の励磁イン
ダクタンスＬｍｓと漏れインダクタンスＬｓの関係を、
式(5) とすることにより、式(6) とすることができ、パ
ルス圧縮が可能となる。
【００２６】Ｌｍｓ＜Ｌｓ …(5) ｔ2 ＜ｔ1 …(6) この電圧がピークに達するとほぼ同時に、可飽和リアク
トルＳＩが飽和し、ピーキング用のコンデンサＣ3 を共
振的に充電し、さらに負荷ＲＬにパルス電圧が供給され
るが、これらの作用は従来例とまったく同様であり、そ
の説明を省略する。
トルＳＩが飽和し、ピーキング用のコンデンサＣ3 を共
振的に充電し、さらに負荷ＲＬにパルス電圧が供給され
るが、これらの作用は従来例とまったく同様であり、そ
の説明を省略する。
【００２７】
【発明の効果】以上、第１の発明によれば、アモルファ
ス金属材で円筒状に形成された鉄心に巻きつけられた二
次巻線と、この二次巻線の内外周と両端を覆って形成さ
れた二重円筒状の一次巻線を設けることで、二次側から
みた鉄心飽和時のインダクタンスを漏れインダクタンス
より小さくして、パルス幅を圧縮したので、小形軽量化
し高電圧パルス発生装置を小形化することのできるパル
ストランスを得ることができる。
ス金属材で円筒状に形成された鉄心に巻きつけられた二
次巻線と、この二次巻線の内外周と両端を覆って形成さ
れた二重円筒状の一次巻線を設けることで、二次側から
みた鉄心飽和時のインダクタンスを漏れインダクタンス
より小さくして、パルス幅を圧縮したので、小形軽量化
し高電圧パルス発生装置を小形化することのできるパル
ストランスを得ることができる。
【００２８】また、第２の発明によれば、二次側に接続
された第１，第２のコンデンサのうち、片側のコンデン
サの電圧を反転するパルストランスと、このパルストラ
ンスの一次側の第３のコンデンサと、この第３のコンデ
ンサの電荷をパルストランスを介して第１，第２のコン
デンサに転送するスイッチを備えた高電圧パルス発生装
置において、パルストランスに第１の発明のパルストラ
ンスを用いたので、構成機器の数を減らし、装置を小形
化することのできる高電圧パルス発生装置を得ることが
できる。
された第１，第２のコンデンサのうち、片側のコンデン
サの電圧を反転するパルストランスと、このパルストラ
ンスの一次側の第３のコンデンサと、この第３のコンデ
ンサの電荷をパルストランスを介して第１，第２のコン
デンサに転送するスイッチを備えた高電圧パルス発生装
置において、パルストランスに第１の発明のパルストラ
ンスを用いたので、構成機器の数を減らし、装置を小形
化することのできる高電圧パルス発生装置を得ることが
できる。
【図１】第１の発明のパルストランスの一実施例を示す
部分破断斜視図。
部分破断斜視図。
【図２】第２の発明の高電圧パルス発生装置の一実施例
を示す接続図。
を示す接続図。
【図３】第２の発明の作用を示すオシログラフ。
【図４】従来の高電圧パルス発生装置の一例を示す接続
図。
図。
【図５】図４と異なる従来のパルス発生装置の一例を示
す接続図。
す接続図。
１…一次低圧巻線、２…二次高圧巻線、３…鉄心、Ｃ1
…第１のコンデンサ、Ｃ2 …第２のコンデンサ、Ｃ0 …
第３のコンデンサ、ＰＳ…充電電源、ＲＬ…負荷、Ｓ…
高速スイッチ、ＳＴＲ…パルストランス。
…第１のコンデンサ、Ｃ2 …第２のコンデンサ、Ｃ0 …
第３のコンデンサ、ＰＳ…充電電源、ＲＬ…負荷、Ｓ…
高速スイッチ、ＳＴＲ…パルストランス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 19/04,27/00,27/24 H01F 27/06,27/28,38/28 H02M 9/06
Claims (2)
- 【請求項１】 アモルファス金属材で円筒状に形成され
た鉄心に巻きつけられた二次巻線と、この二次巻線の内
外周と両端を覆って形成された二重円筒状の一次巻線で
なるパルストランス。 - 【請求項２】 第１，第２のコンデンサのうち、片側の
コンデンサの電圧を反転するパルストランスと、このパ
ルストランスの一次側の第３のコンデンサと、この第３
のコンデンサの電荷を前記パルストランスを介して前記
第１，第２のコンデンサに転送するスイッチを備えた高
電圧パルス発生装置において、前記パルストランスに請
求項１記載のパルストランスを用いたことを特徴とする
高電圧パルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124336A JP2971618B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | パルストランス及び高電圧パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124336A JP2971618B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | パルストランス及び高電圧パルス発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352304A JPH04352304A (ja) | 1992-12-07 |
| JP2971618B2 true JP2971618B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14882825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124336A Expired - Lifetime JP2971618B2 (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | パルストランス及び高電圧パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971618B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9257225B2 (en) * | 2008-07-02 | 2016-02-09 | Chun Li | Methods and configurations of LC combined transformers and effective utilizations of cores therein |
| JP5919460B2 (ja) * | 2011-08-08 | 2016-05-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ストロボ装置 |
| DE102016223195A1 (de) * | 2016-11-23 | 2018-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Transformatorvorrichtung, Transformator und Verfahren zur Herstellung einer Transformatorvorrichtung |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3124336A patent/JP2971618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04352304A (ja) | 1992-12-07 |
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