JP2970392B2 - ポリ（ヒドロシラン）組成物 - Google Patents
ポリ（ヒドロシラン）組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変換材料、導電性材
料として好適なポリシラン組成物に関する。
料として好適なポリシラン組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ポリシ
ラン類はケイ素ケイ素主鎖のσ共役構造により特徴的な
光学的性質を示し、またアモルファス物質中最高のキャ
リアー移動度を持っていることから、導電性材料への応
用が期待されている。しかし、一般に知られているポリ
シランの電気伝導率は１０-8〜１０-6Ｓ／ｃｍレベルと
極めて低いレベルに留まっている。これに対し、近年で
はウルツ反応により芳香族アミン含有側鎖基を持つポリ
シランが合成され、ドーピングにより通常のポリシラン
類に比べて１０，０００倍以上の導電率の向上が見い出
されている（田部井栄一他、特願平５−５３０４３号；
田部井栄一他、第４２会高分子年次大会予稿集第４２巻
Ｎｏ．３，７３８（１９９３））。一方、理論計算の面
からはパーフロロポリシランがポリシランに比べてバン
ドギャップが小さくなっていることが報告されており
（Ｙ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，５
２，５１（１９９２））、導電性向上に効果があると期
待されているが、実際に合成した例はない。
ラン類はケイ素ケイ素主鎖のσ共役構造により特徴的な
光学的性質を示し、またアモルファス物質中最高のキャ
リアー移動度を持っていることから、導電性材料への応
用が期待されている。しかし、一般に知られているポリ
シランの電気伝導率は１０-8〜１０-6Ｓ／ｃｍレベルと
極めて低いレベルに留まっている。これに対し、近年で
はウルツ反応により芳香族アミン含有側鎖基を持つポリ
シランが合成され、ドーピングにより通常のポリシラン
類に比べて１０，０００倍以上の導電率の向上が見い出
されている（田部井栄一他、特願平５−５３０４３号；
田部井栄一他、第４２会高分子年次大会予稿集第４２巻
Ｎｏ．３，７３８（１９９３））。一方、理論計算の面
からはパーフロロポリシランがポリシランに比べてバン
ドギャップが小さくなっていることが報告されており
（Ｙ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，５
２，５１（１９９２））、導電性向上に効果があると期
待されているが、実際に合成した例はない。
【０００３】ハロゲン側鎖のポリシランの合成は水素側
鎖のポリシランからの誘導が考えられる（Ｊ．Ｐ．Ｂａ
ｎｏｖｅｔｚ ｅｔ．ａｌ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，（１９９３），１１５，２５４０）が、側鎖に水
素基を持つポリシランの合成はウルツ反応を利用した例
が若干見られるものの、同反応条件下では一部Ｓｉ−Ｈ
の分解が起こることが見い出されている。脱水素縮合法
によるポリシランの合成は、側鎖水素基の分解の心配は
ないものの、重合度の向上が問題であるとされており、
研究の主眼はもっぱら触媒の活性を上げ、高重合物を得
ることや、反応機構の解析に向けられ、電気伝導性に関
する研究はほとんど行われていなかった。
鎖のポリシランからの誘導が考えられる（Ｊ．Ｐ．Ｂａ
ｎｏｖｅｔｚ ｅｔ．ａｌ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，（１９９３），１１５，２５４０）が、側鎖に水
素基を持つポリシランの合成はウルツ反応を利用した例
が若干見られるものの、同反応条件下では一部Ｓｉ−Ｈ
の分解が起こることが見い出されている。脱水素縮合法
によるポリシランの合成は、側鎖水素基の分解の心配は
ないものの、重合度の向上が問題であるとされており、
研究の主眼はもっぱら触媒の活性を上げ、高重合物を得
ることや、反応機構の解析に向けられ、電気伝導性に関
する研究はほとんど行われていなかった。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、優れた導電性を有するポリシラン組成物を提供する
ことを目的とする。
で、優れた導電性を有するポリシラン組成物を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記一般
式（１）で示される側鎖水素基を持つポリシランを酸化
性物質、特にハロゲン含有のドーパントで処理すること
により、優れた導電性を与え、通常のポリシランに比べ
て約１００〜１０，０００倍ほど高い導電率を示すこと
を見い出し、本発明をなすに至った。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、下記一般
式（１）で示される側鎖水素基を持つポリシランを酸化
性物質、特にハロゲン含有のドーパントで処理すること
により、優れた導電性を与え、通常のポリシランに比べ
て約１００〜１０，０００倍ほど高い導電率を示すこと
を見い出し、本発明をなすに至った。
【０００６】
【化２】 （但し、式中Ｒは置換又は非置換のアルキル基又はアリ
ール基を示す。）
ール基を示す。）
【０００７】従って、本発明は、式（１）のポリシラン
を酸化性物質でドーピングしてなることを特徴とするポ
リシラン組成物を提供する。
を酸化性物質でドーピングしてなることを特徴とするポ
リシラン組成物を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のポリシラン組成物で使用するポリシランは
下記式（１）で示されるものである。
と、本発明のポリシラン組成物で使用するポリシランは
下記式（１）で示されるものである。
【０００９】
【化３】
【００１０】ここで、Ｒは置換又は非置換のアルキル基
又はアリール基を示し、アルキル基としては炭素数１〜
２０、より好ましくは１〜６、アリール基としては炭素
数６〜２０、より好ましくは６〜１０のものが好適であ
る。具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ヘキシル等のアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリ
ール基が挙げられ、置換アルキル基としては炭素数１〜
２０、より好ましくは１〜６のアルキル基の水素原子の
一部又は全部がフッ素、塩素等のハロゲン原子で置換し
たものなどが挙げられる。置換アリール基としては下記
式のものが挙げられる。
又はアリール基を示し、アルキル基としては炭素数１〜
２０、より好ましくは１〜６、アリール基としては炭素
数６〜２０、より好ましくは６〜１０のものが好適であ
る。具体的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ヘキシル等のアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリ
ール基が挙げられ、置換アルキル基としては炭素数１〜
２０、より好ましくは１〜６のアルキル基の水素原子の
一部又は全部がフッ素、塩素等のハロゲン原子で置換し
たものなどが挙げられる。置換アリール基としては下記
式のものが挙げられる。
【００１１】
【化４】
【００１２】ここで、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ等のハロゲン原
子、メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数１〜１
０、特に１〜６のアルキル基、トリフロロプロピル基等
のＣmＦ2m+1（ｍは好ましくは１〜４、特に１〜２）で
示されるフロロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等
の好ましくは炭素数１〜１０、特に１〜４のアルコキシ
基、置換又は非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデ
ヒド基を示す。また、Ｙは、水素原子、上記と同様のハ
ロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置換又は
非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデヒド基を示
す。なお、置換アミノ基としては、アミノ基の水素原子
の１個又は２個が炭素数１〜１０、特に１〜４のアルキ
ル基で置換されたアルキルアミノ基などが挙げられる。
また、ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝
１〜５である。
子、メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数１〜１
０、特に１〜６のアルキル基、トリフロロプロピル基等
のＣmＦ2m+1（ｍは好ましくは１〜４、特に１〜２）で
示されるフロロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等
の好ましくは炭素数１〜１０、特に１〜４のアルコキシ
基、置換又は非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデ
ヒド基を示す。また、Ｙは、水素原子、上記と同様のハ
ロゲン原子、アルキル基、フロロアルキル基、置換又は
非置換のアミノ基、アシル基、又はアルデヒド基を示
す。なお、置換アミノ基としては、アミノ基の水素原子
の１個又は２個が炭素数１〜１０、特に１〜４のアルキ
ル基で置換されたアルキルアミノ基などが挙げられる。
また、ｍは１〜５、ｋは０〜４の整数を示し、ｋ＋ｍ＝
１〜５である。
【００１３】本発明に用いられるポリシランは側鎖が水
素基のものであればその製造方法、分子量によらず使用
できる。また、ポリマー（オリゴマー）の構造は直鎖状
であっても環状であってもよく、通常の脱水素縮合で容
易に製造できる重合度が１０程度のものであっても十分
に性能は発揮されるが、成膜性の観点から室温付近で固
体状のポリマーであることが望ましく、このような点か
ら式（１）においてｎは３以上、好ましくは６以上、よ
り好ましくは１０以上である。この場合、ｎの上限は特
に制限はないが、溶媒への溶解度を損なわない範囲で大
きいことが好ましく、上記ポリシランとしては通常重量
平均分子量が４００以上、特に１０００以上のものが好
適に用いられる。
素基のものであればその製造方法、分子量によらず使用
できる。また、ポリマー（オリゴマー）の構造は直鎖状
であっても環状であってもよく、通常の脱水素縮合で容
易に製造できる重合度が１０程度のものであっても十分
に性能は発揮されるが、成膜性の観点から室温付近で固
体状のポリマーであることが望ましく、このような点か
ら式（１）においてｎは３以上、好ましくは６以上、よ
り好ましくは１０以上である。この場合、ｎの上限は特
に制限はないが、溶媒への溶解度を損なわない範囲で大
きいことが好ましく、上記ポリシランとしては通常重量
平均分子量が４００以上、特に１０００以上のものが好
適に用いられる。
【００１４】なお、上記ポリシランをトリヒドロシラン
の脱水素縮合反応で得る場合、脱水素縮合反応用触媒を
用い、室温又は加熱条件下で行うことができる。触媒と
しては、一般の脱水素縮合反応に用いられるいかなる触
媒を用いることもできるが、特にジルコノヒン又はチタ
ノセン系触媒が好ましい（Ａｉｔｋｅｎ，Ｃ．，Ｈａｒ
ｒｏｄ，Ｊ．Ｆ．，Ｓａｍｕｅｌ，Ｆ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９８６），１０８，４０５９）。
触媒の使用量は、通常の触媒量であり、シランに対して
０．００１〜２０重量％、特に０．０１〜１重量％とす
ることが好ましい。
の脱水素縮合反応で得る場合、脱水素縮合反応用触媒を
用い、室温又は加熱条件下で行うことができる。触媒と
しては、一般の脱水素縮合反応に用いられるいかなる触
媒を用いることもできるが、特にジルコノヒン又はチタ
ノセン系触媒が好ましい（Ａｉｔｋｅｎ，Ｃ．，Ｈａｒ
ｒｏｄ，Ｊ．Ｆ．，Ｓａｍｕｅｌ，Ｆ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９８６），１０８，４０５９）。
触媒の使用量は、通常の触媒量であり、シランに対して
０．００１〜２０重量％、特に０．０１〜１重量％とす
ることが好ましい。
【００１５】この反応には溶媒は必須ではないが、ヒド
ロシラン類と反応するおそれのない非プロトン性の溶
媒、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、
ベンゼン、ヘキサン等を用いることが好ましい。反応温
度は０℃〜２００℃、特に室温〜１１０℃が好ましく、
反応時間は通常３〜２４０時間、特に１２〜７０時間で
ある。
ロシラン類と反応するおそれのない非プロトン性の溶
媒、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、
ベンゼン、ヘキサン等を用いることが好ましい。反応温
度は０℃〜２００℃、特に室温〜１１０℃が好ましく、
反応時間は通常３〜２４０時間、特に１２〜７０時間で
ある。
【００１６】上記ポリシランをドーピングするための酸
化性物質としては、塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲ
ン類、塩化スズ、塩化第二鉄のような遷移金属塩化物、
五フッ化アンチモン、五フッ化砒素のようなルイス酸な
どが有効であるが、安全で取り扱いの易しいヨウ素や塩
化第二鉄でドーピングすることが望ましい。ドーピング
する方法としては、（１）ヨウ素や塩化第二鉄の蒸気雰
囲気下にさらすいわゆる気相（或いは乾式）ドーピン
グ、（２）ヨウ素や塩化第二鉄を不活性溶媒中に溶解し
た溶液中に当ポリマーを浸漬する湿式ドーピング、
（３）ヨウ素や塩化第二鉄を溶解した溶液中に当ポリマ
ーが溶解する場合、当溶液から乾式成膜することにより
フィルム或いは塗膜に賦形すると同時にドーピングする
同時ドーピングが用いられる。
化性物質としては、塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲ
ン類、塩化スズ、塩化第二鉄のような遷移金属塩化物、
五フッ化アンチモン、五フッ化砒素のようなルイス酸な
どが有効であるが、安全で取り扱いの易しいヨウ素や塩
化第二鉄でドーピングすることが望ましい。ドーピング
する方法としては、（１）ヨウ素や塩化第二鉄の蒸気雰
囲気下にさらすいわゆる気相（或いは乾式）ドーピン
グ、（２）ヨウ素や塩化第二鉄を不活性溶媒中に溶解し
た溶液中に当ポリマーを浸漬する湿式ドーピング、
（３）ヨウ素や塩化第二鉄を溶解した溶液中に当ポリマ
ーが溶解する場合、当溶液から乾式成膜することにより
フィルム或いは塗膜に賦形すると同時にドーピングする
同時ドーピングが用いられる。
【００１７】気相ドーピングでは、ドーパント雰囲気の
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。一般に温度は−
３０〜２００℃の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではドーピング速度が遅く、またそれ以上ではドーピン
グ時にポリマーの劣化を招き、好ましくない。ドーパン
ト分圧は、０．００１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲で行うこ
とが好ましい。それ以下ではドーピング速度が遅く、ま
たそれ以上では圧力を増してもドーピング速度は増加し
ない。なお、ヨウ素においては、常温、常圧ですみやか
にドーピングが進むが、塩化第二鉄の場合、蒸気圧が低
いためヨウ素とは異なったドーピングの条件となる。塩
化第二鉄ドーピングは一般に温度は５０〜３００℃の範
囲で行うことが好ましい。それ以下ではドーピング速度
が遅く、またそれ以上ではドーピング時にポリマーの劣
化を招き、好ましくない。ドーピングは、０．００１ｍ
ｍＨｇ〜１気圧の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではその圧力に達するまでに長時間かかり経済的ではな
く、またそれ以上では塩化第二鉄が常圧で３１９℃とい
う沸点を持っているためドーピング速度は非常に遅い。
塩化第二鉄のドーパント分圧は、ポリマーの導電率を効
果的に上げるため、より好ましくは０．１〜１０ｍｍＨ
ｇの圧力で、温度５０〜２００℃の範囲で行われる。こ
の方法により、引火性の溶媒を使用することなく毒性の
少ない塩化第二鉄を用いて非常に簡単な操作で導電性ポ
リマーを製造することができる。
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。一般に温度は−
３０〜２００℃の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではドーピング速度が遅く、またそれ以上ではドーピン
グ時にポリマーの劣化を招き、好ましくない。ドーパン
ト分圧は、０．００１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲で行うこ
とが好ましい。それ以下ではドーピング速度が遅く、ま
たそれ以上では圧力を増してもドーピング速度は増加し
ない。なお、ヨウ素においては、常温、常圧ですみやか
にドーピングが進むが、塩化第二鉄の場合、蒸気圧が低
いためヨウ素とは異なったドーピングの条件となる。塩
化第二鉄ドーピングは一般に温度は５０〜３００℃の範
囲で行うことが好ましい。それ以下ではドーピング速度
が遅く、またそれ以上ではドーピング時にポリマーの劣
化を招き、好ましくない。ドーピングは、０．００１ｍ
ｍＨｇ〜１気圧の範囲で行うことが好ましい。それ以下
ではその圧力に達するまでに長時間かかり経済的ではな
く、またそれ以上では塩化第二鉄が常圧で３１９℃とい
う沸点を持っているためドーピング速度は非常に遅い。
塩化第二鉄のドーパント分圧は、ポリマーの導電率を効
果的に上げるため、より好ましくは０．１〜１０ｍｍＨ
ｇの圧力で、温度５０〜２００℃の範囲で行われる。こ
の方法により、引火性の溶媒を使用することなく毒性の
少ない塩化第二鉄を用いて非常に簡単な操作で導電性ポ
リマーを製造することができる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。
【００１９】なお、以下のポリマーの平均分子量はＧＰ
Ｃによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。ま
た、電気伝導度の測定は、スピンコートしたフィルムを
気相ドーピングをしながら４端子法にて直流抵抗の測定
を行い、安定値を得たところで導電率の算出に用いて行
った。
Ｃによるポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。ま
た、電気伝導度の測定は、スピンコートしたフィルムを
気相ドーピングをしながら４端子法にて直流抵抗の測定
を行い、安定値を得たところで導電率の算出に用いて行
った。
【００２０】〔実施例１〕フェニルシランの脱水素重合
により合成されたポリ（フェニルシラン）（Ｍw＝６５
０，Ｍn＝６４０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコー
トし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導電率を測定
したところ、、４×１０-3Ｓ／ｃｍまで向上した。
により合成されたポリ（フェニルシラン）（Ｍw＝６５
０，Ｍn＝６４０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコー
トし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導電率を測定
したところ、、４×１０-3Ｓ／ｃｍまで向上した。
【００２１】〔実施例２〕フェニルシランの脱水素重合
により合成されたポリ（フェニルシラン）（Ｍw＝６５
０，Ｍn＝６４０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコー
トし、気相塩化鉄ドーピングを行いながら導電率を測定
したところ、７×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
により合成されたポリ（フェニルシラン）（Ｍw＝６５
０，Ｍn＝６４０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコー
トし、気相塩化鉄ドーピングを行いながら導電率を測定
したところ、７×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
【００２２】〔実施例３〕β−ナフチルシランの脱水素
重合により合成されたポリ（β−ナフチルシラン）（Ｍ
w＝１１７０，Ｍn＝１１４０）のＴＨＦ溶液を基盤上に
スピンコートし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導
電率を測定したところ、４×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
重合により合成されたポリ（β−ナフチルシラン）（Ｍ
w＝１１７０，Ｍn＝１１４０）のＴＨＦ溶液を基盤上に
スピンコートし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導
電率を測定したところ、４×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【００２３】〔実施例４〕ｐ−トリルシランの脱水素重
合により合成されたポリ（ｐ−トリルシラン）（Ｍw＝
９３０，Ｍn＝９００）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピン
コートし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導電率を
測定したところ、５×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
合により合成されたポリ（ｐ−トリルシラン）（Ｍw＝
９３０，Ｍn＝９００）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピン
コートし、気相ヨウ素ドーピングを行いながら導電率を
測定したところ、５×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
【００２４】〔実施例５〕ｐ−ジメチルアミノフェニル
シランの脱水素重合により合成されたポリ（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１
３０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨ
ウ素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
７×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
シランの脱水素重合により合成されたポリ（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニルシラン）（Ｍw＝１１７０，Ｍn＝１１
３０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨ
ウ素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
７×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
【００２５】〔比較例１〕ウルツ反応によるポリ（メチ
ルフェニルシラン）（Ｍw＝４６０００，Ｍn＝１１００
０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ
素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
１．３×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
ルフェニルシラン）（Ｍw＝４６０００，Ｍn＝１１００
０）のＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ
素ドーピングを行いながら導電率を測定したところ、
１．３×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
【００２６】〔比較例２〕ウルツ反応によるポリ（ジブ
チルシラン）（Ｍw＝２１０００，Ｍn＝１２０００）の
ＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ素ドー
ピングを行いながら導電率を測定したところ、３．５×
１０-6Ｓ／ｃｍであった。
チルシラン）（Ｍw＝２１０００，Ｍn＝１２０００）の
ＴＨＦ溶液を基盤上にスピンコートし、気相ヨウ素ドー
ピングを行いながら導電率を測定したところ、３．５×
１０-6Ｓ／ｃｍであった。
【００２７】なお、実施例３，４のポリシランの製造例
を参考例として下記に示す。
を参考例として下記に示す。
【００２８】〔参考例１〕ｐ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リノ）シラン２．６２６ｇ（１７．３５ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ中、ジルコノセン触媒３ｍｇの存在下、封管中で１
０５℃、７２時間反応させたところ、収率９４．３％で
Ｍw＝１，３３０，Ｍn＝１，２６０のポリ（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニルシラン）が得られた。
リノ）シラン２．６２６ｇ（１７．３５ｍｍｏｌ）をＴ
ＨＦ中、ジルコノセン触媒３ｍｇの存在下、封管中で１
０５℃、７２時間反応させたところ、収率９４．３％で
Ｍw＝１，３３０，Ｍn＝１，２６０のポリ（ｐ−ジメチ
ルアミノフェニルシラン）が得られた。
【００２９】〔参考例２〕参考例１に準じて、β−シリ
ルナフタレン１．２２５ｇ（７．７４ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率９０．８％でＭ
w＝１，１７０，Ｍn＝１，１４０のポリ（β−ナフチル
シラン）が得られた。
ルナフタレン１．２２５ｇ（７．７４ｍｍｏｌ）をＴＨ
Ｆ中、ジルコノセン触媒４ｍｇの存在下、封管中で１０
５℃、７２時間反応させたところ、収率９０．８％でＭ
w＝１，１７０，Ｍn＝１，１４０のポリ（β−ナフチル
シラン）が得られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明のポリシラン組成物は、導電率が
高く、このため光変換材料、導電性材料に好適に用いら
れる。
高く、このため光変換材料、導電性材料に好適に用いら
れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福島 基夫 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１ 号 信越化学工業株式会社 コーポレー トリサーチセンター内 (72)発明者 森 滋 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１ 号 信越化学工業株式会社 コーポレー トリサーチセンター内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08L 83/16 C08K 3/16
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるポリシラン 【化１】 （但し、式中Ｒは置換又は非置換のアルキル基又はアリ
ール基を示す。）を酸化性物質でドーピングしてなるこ
とを特徴とするポリ（ヒドロシラン）組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6797794A JP2970392B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | ポリ（ヒドロシラン）組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1994
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| JPH07247437A (ja) | 1995-09-26 |
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