JP2968375B2 - Manufacturing method of ceramic substrate - Google Patents

Manufacturing method of ceramic substrate

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JP2968375B2
JP2968375B2 JP14957491A JP14957491A JP2968375B2 JP 2968375 B2 JP2968375 B2 JP 2968375B2 JP 14957491 A JP14957491 A JP 14957491A JP 14957491 A JP14957491 A JP 14957491A JP 2968375 B2 JP2968375 B2 JP 2968375B2
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欣司 永田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、セラミックパッケージ
の本体、半導体チップマウント回路基板等を構成する、
セラミック基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic package body, a semiconductor chip mount circuit board, and the like.
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】上記セラミック基板として、その上下面
等にメタライズ線路やメタライズ層を備えた1層または
多層構造のセラミック基板が周知である。
2. Description of the Related Art As the above-mentioned ceramic substrate, a single-layer or multilayer ceramic substrate having metallized lines and metallized layers on the upper and lower surfaces thereof is well known.

【0003】このセラミック基板は、従来一般に、所定
形状に裁断した1枚のセラミックグリーンシート表面ま
たは所定形状に裁断して積層した複数枚のセラミックグ
リーンシート表面にメタライズペーストを塗布してメタ
ライズ線路形成体やメタライズ層形成体を形成したセラ
ミック基板焼成部材を高温炉内で一体焼成して形成して
いる。
Conventionally, this ceramic substrate is generally formed by applying a metallized paste to the surface of one ceramic green sheet cut into a predetermined shape or the surface of a plurality of ceramic green sheets cut and laminated into a predetermined shape. And a ceramic substrate fired member having a metallized layer formed body formed integrally by firing in a high-temperature furnace.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックグリーンシート表面に形成した上記のメタライズ線
路形成体やメタライズ層形成体の面積比率がセラミック
基板焼成部材の上下面等で大きく異なっていると、上記
のようにしてセラミック基板を形成した場合に、セラミ
ック基板がその上方またはその下方に弓状等に反ってし
まった。
However, if the area ratio of the metallized line forming body or the metallized layer forming body formed on the surface of the ceramic green sheet is greatly different between the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member, the above-mentioned problem may occur. When the ceramic substrate is formed as described above, the ceramic substrate warps upward or downward in an arc shape or the like.

【0005】そして、そのセラミック基板の反りが、セ
ラミック基板を本体とするセラミックパッケージの製造
を困難化させたり、セラミック基板への半導体チップの
マウントを困難化させたり、セラミック基板の電子機器
内への実装を困難化させたりした。
The warpage of the ceramic substrate makes it difficult to manufacture a ceramic package having the ceramic substrate as a main body, makes it difficult to mount a semiconductor chip on the ceramic substrate, and makes it difficult to mount the ceramic substrate in an electronic device. And made implementation difficult.

【0006】これは、上記のメタライズ線路形成体やメ
タライズ層形成体の面積比率がセラミック基板焼成部材
の上下面等で大きく異なっていると、そのメタライズ線
路形成体やメタライズ層形成体をセラミック基板焼成部
材と共に一体焼成した際に、熱膨張係数が互いに異なる
メタライズ線路形成体やメタライズ層形成体とセラミッ
ク基板焼成部材を構成するセラミックグリーンシートと
の焼成時における収縮率の差により、メタライズ線路形
成体やメタライズ層形成体からセラミック基板焼成部材
の上下面等にそれぞれ加わる応力が大きく異なることに
なるからでる。
[0006] This is because if the area ratio of the metallized line forming body or the metallized layer forming body is largely different between the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member, the metallized line forming body and the metallized layer forming body are bonded to the ceramic substrate firing member. When integrally fired together with the member, due to the difference in shrinkage rate during firing between the metallized line forming body or the metallized layer forming body and the ceramic green sheet constituting the ceramic substrate firing member having different thermal expansion coefficients, the metallized line forming body or This is because the stresses applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member from the metallized layer forming member differ greatly.

【0007】そのため、従来は、焼成時に上記のように
反ってしまったセラミック基板の一部に重り等の荷重を
掛けて、そのセラミック基板を、その焼成温度より若干
低温度の高温炉内に入れて、再焼成していた。そして、
そのセラミック基板の反りを矯正していた。
For this reason, conventionally, a load such as a weight is applied to a part of the ceramic substrate that has warped as described above during firing, and the ceramic substrate is placed in a high-temperature furnace at a temperature slightly lower than the firing temperature. Had been refired. And
The warpage of the ceramic substrate was corrected.

【0008】しかしながら、そのようにして、セラミッ
ク基板の反りを矯正することは、多大な手数と時間を要
した。また、セラミック基板が複雑精緻な構造をしてい
ると、そのセラミック基板の反りを矯正できない場合が
あった。
However, correcting the warpage of the ceramic substrate in such a manner requires a great deal of trouble and time. In addition, if the ceramic substrate has a complicated and elaborate structure, it may not be possible to correct the warpage of the ceramic substrate.

【0009】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、1枚のセラミックグリーンシート表面または
積層した複数枚のセラミックグリーンシート表面にメタ
ライズペーストを塗布してメタライズ線路形成体やメタ
ライズ層形成体を形成したセラミック基板焼成部材を一
体焼成して形成するセラミック基板が、その上方または
その下方に反るのを的確に防止できる、セラミック基板
の製造方法(以下、製造方法という)を提供することを
目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and a metallized paste is applied to the surface of one ceramic green sheet or the surfaces of a plurality of laminated ceramic green sheets to form a metallized line forming body or a metallized layer. Provided is a method of manufacturing a ceramic substrate (hereinafter, referred to as a manufacturing method) that can accurately prevent a ceramic substrate formed by integrally firing a ceramic substrate firing member having a formed body from warping upward or downward. It is intended to be.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第1の製造方法は、1枚のセラミックグ
リーンシート表面または積層した複数枚のセラミックグ
リーンシート表面にメタライズペーストを塗布してメタ
ライズ線路形成体またはメタライズ層形成体を形成した
セラミック基板焼成部材を一体焼成して形成するセラミ
ック基板の製造方法の製造方法において、前記セラミッ
ク基板焼成部材の上下面の一方またはその両方に、サブ
セラミックペーストを塗布して、前記セラミック基板焼
成部材とは熱膨張係数の異なるセラミック基板の反り防
止用のサブセラミック層形成体を形成した後、そのサブ
セラミック層形成体を、前記セラミック基板焼成部材と
共に一体焼成することを特徴としている。
To achieve the above object, a first manufacturing method of the present invention is to apply a metallizing paste to the surface of one ceramic green sheet or to the surface of a plurality of stacked ceramic green sheets. The method for manufacturing a ceramic substrate, wherein the ceramic substrate fired member on which the metallized line forming body or the metallized layer formed body is formed is integrally fired to form one or both of the upper and lower surfaces of the fired ceramic substrate member. After applying a sub-ceramic paste to form a sub-ceramic layer forming body for preventing warpage of the ceramic substrate having a different coefficient of thermal expansion from the ceramic substrate firing member, the sub-ceramic layer forming body is coated with the ceramic substrate firing member. It is characterized by being integrally fired together.

【0011】本発明の第1の製造方法においては、セラ
ミック基板焼成部材の上下面の一方またはその両方のセ
ラミックグリーンシートが露出した部位に、サブセラミ
ックペーストを塗布して、前記セラミック基板焼成部材
とは熱膨張係数の異なるサブセラミック層形成体を形成
することを好適としている。
[0011] In the first manufacturing method of the present invention, a sub-ceramic paste is applied to one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate fired member where the ceramic green sheets are exposed. Preferably form sub-ceramic layer-formed bodies having different coefficients of thermal expansion.

【0012】本発明の第2の製造方法は、1枚のセラミ
ックグリーンシート表面または積層した複数枚のセラミ
ックグリーンシート表面にメタライズペーストを塗布し
てメタライズ線路形成体またはメタライズ層形成体を形
成したセラミック基板焼成部材を一体焼成して形成する
セラミック基板の製造方法において、前記セラミック基
板焼成部材の上下面の一方またはその両方のセラミック
グリーンシートが露出した部位に、サブメタライズペー
ストを塗布して、前記セラミック基板焼成部材とは熱膨
張係数の異なるセラミック基板の反り防止用のサブメタ
ライズ層形成体を形成した後、そのサブメタライズ層形
成体を、前記セラミック基板焼成部材と共に一体焼成す
ることを特徴としている。
According to a second manufacturing method of the present invention, a metallized paste is applied to the surface of one ceramic green sheet or the surfaces of a plurality of laminated ceramic green sheets to form a metallized line forming body or a metallized layer forming body. In a method for manufacturing a ceramic substrate formed by integrally firing a substrate firing member, a sub-metallized paste is applied to a portion of one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member where ceramic green sheets are exposed, After forming a sub-metallized layer forming body for preventing warpage of a ceramic substrate having a different coefficient of thermal expansion from the substrate firing member, the sub-metallizing layer forming body is integrally fired together with the ceramic substrate firing member.

【0013】[0013]

【作用】上記工程からなる第1または第2の製造方法に
おいては、セラミック基板焼成部材を、そのセラミック
グリーンシート表面に形成したメタライズ線路形成体ま
たはメタライズ層形成体と共に一体焼成して、セラミッ
ク基板を形成した際に、そのメタライズ線路形成体また
はメタライズ層形成体とセラミックグリーンシートとの
焼成時における収縮率の差により、メタライズ線路形成
体またはメタライズ層形成体からセラミック基板焼成部
材の上下面等に大小の異なった応力がそれぞれ加わった
場合に、セラミック基板焼成部材の上下面の一方または
その両方に形成した熱膨張係数が互いに異なるサブセラ
ミック層形成体またはサブメタライズ層形成体とセラミ
ック基板焼成部材を構成するセラミックグリーンシート
との焼成時における収縮率の差を用いて、そのサブセラ
ミック層形成体またはサブメタライズ層形成体からセラ
ミック基板焼成部材の上下面の一方またはその両方に、
前記のメタライズ線路形成体またはメタライズ層形成体
からセラミック基板焼成部材の上下面等に加わる上記の
大小の異なった応力に対抗する応力を加えることができ
る。
In the first or second manufacturing method comprising the above steps, the ceramic substrate firing member is integrally fired together with the metallized line forming body or metallizing layer forming body formed on the surface of the ceramic green sheet to form the ceramic substrate. When formed, due to the difference in shrinkage ratio between the metallized line forming body or the metallized layer forming body and the ceramic green sheet during firing, the size of the metallized line forming body or the metallized layer forming body becomes larger or smaller on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate fired member. When a different stress is applied to each of the ceramic substrate fired members, a ceramic substrate fired member and a sub-ceramic layer formed body or a sub-metallized layer formed body having different thermal expansion coefficients formed on one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate fired member are formed. When firing with ceramic green sheet Using the difference in shrinkage, in one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate sintered member from the sub-ceramic layers formed body or Sabumetaraizu layer forming member,
A stress that opposes the above-mentioned different stresses applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member from the metallized line forming body or the metallized layer forming body can be applied.

【0014】そして、セラミック基板を焼成した際に、
上記のメタライズ線路形成体またはメタライズ層形成体
からセラミック基板焼成部材の上下面等に加わる応力に
より、セラミック基板がその上方またはその下方等に反
るのを防止できる。
Then, when the ceramic substrate is fired,
It is possible to prevent the ceramic substrate from warping upward or downward due to stress applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member from the metallized line forming body or the metallized layer forming body.

【0015】また、セラミック基板焼成部材の上下面の
一方またはその両方のセラミックグリーンシートが露出
した部位に、サブセラミック層形成体を形成する第1の
製造方法にあっては、サブセラミック層形成体がセラミ
ック基板焼成部材の上下面の一方またはその両方のセラ
ミックグリーンシート表面に形成したメタライズ線路形
成体またはメタライズ層形成体上にオーバーラップする
のを防止できる。そして、そのサブセラミック層形成体
を、セラミック基板焼成部材と共に一体焼成して、セラ
ミック基板を形成した際に、セラミック基板の上下面の
一方またはその両方のメタライズ線路またはメタライズ
層の一部等が、上記のサブセラミック層形成体を焼成し
てなるサブセラミック層で覆われてしまうのを防止でき
る。そして、セラミック基板の上下面の一方またはその
両方のメタライズ線路またはメタライズ層の表面に金め
っき等のめっきを施した際に、そのサブセラミック層で
覆われたメタライズ線路またはメタライズ層の表面部分
が、めっきが施されずに、そのサブセラミック層で覆わ
れたメタライズ線路表面部分またはメタライズ層表面部
分の導体抵抗値が高くなるのを防止できる。
Further, in the first manufacturing method of forming a sub-ceramic layer forming body at a position where one or both of the ceramic green sheets are exposed on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member, Can be prevented from overlapping on the metallized line forming body or the metallized layer forming body formed on the surface of one or both of the ceramic green sheets on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member. Then, when the sub-ceramic layer formed body is integrally fired together with the ceramic substrate firing member to form a ceramic substrate, one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate, a part of the metallized line or part of the metallized layer, It is possible to prevent the sub-ceramic layer forming body from being covered with the sub-ceramic layer formed by firing. Then, when plating such as gold plating on the surface of one or both metallized lines or metallized layers on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate, the surface portion of the metallized line or metallized layer covered by the sub-ceramic layer is It is possible to prevent the conductor resistance value of the metallized line surface portion or the metallized layer surface portion covered with the sub-ceramic layer from being increased without plating.

【0016】[0016]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図1ないし図3はフリットキャップタイプと呼ばれ
るパッケージを示し、図1はその斜視図、図2はその平
面図、図3はその底面図を示している。以下、この図中
のパッケージを説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 3 show a package called a frit cap type, FIG. 1 is a perspective view thereof, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a bottom view thereof. Hereinafter, the package in this figure will be described.

【0017】ここで、フリットキャップタイプパッケー
ジとは、半導体チップ収容用のキャビティ上面を覆うキ
ャップを、ガラスを用いて、パッケージの本体に気密に
封着するタイプのパッケージをいう。
Here, the frit cap type package refers to a type of package in which a cap for covering the upper surface of a cavity for accommodating a semiconductor chip is hermetically sealed to the body of the package using glass.

【0018】このパッケージでは、その本体を構成する
方形状をしたセラミック基板Aの表面中央部に、半導体
チップ収容用の円形盲穴状をしたキャビティ12を設け
ている。
In this package, a cavity 12 having a circular blind hole shape for accommodating a semiconductor chip is provided at the center of the surface of a rectangular ceramic substrate A constituting the main body.

【0019】セラミック基板Aのキャビティ12内の底
面中央には、半導体チップダイボンディング用のメタラ
イズ層からなるステージ32を備えている。
At the center of the bottom surface in the cavity 12 of the ceramic substrate A, there is provided a stage 32 made of a metallized layer for semiconductor chip die bonding.

【0020】セラミック基板Aのキャビティ12内の底
面四方には、半導体チップの電極接続用のメタライズ線
路からなる接続線路34をそれぞれ備えている。
Connection lines 34 formed of metallized lines for connecting electrodes of a semiconductor chip are provided on four sides of the bottom surface in the cavity 12 of the ceramic substrate A, respectively.

【0021】セラミック基板A下面の四辺中央には、図
3に示したように、リード20接続用のメタライズ層か
らなるパッド30をそれぞれ備えている。
As shown in FIG. 3, pads 30 made of a metallized layer for connecting the leads 20 are provided at the center of the four sides of the lower surface of the ceramic substrate A, respectively.

【0022】パッド30は、セラミック基板A内部に設
けたメタライズ線路からなる内部線路(図示せず)を介
して、キャビティ12内底面の接続線路34に接続して
いる。
The pad 30 is connected to a connection line 34 on the bottom surface of the cavity 12 via an internal line (not shown) made of a metallized line provided inside the ceramic substrate A.

【0023】このフリットキャップタイプパッケージに
おいては、その本体を構成するセラミック基板Aを、本
発明の第1または第2の製造方法を用いて、反りなく形
成することが可能である。
In this frit cap type package, the ceramic substrate A constituting the main body can be formed without warping by using the first or second manufacturing method of the present invention.

【0024】次に、このセラミック基板Aを、本発明の
第1または第2の製造方法を用いて、反りなく形成する
場合の好適な実施例を説明する。図4はその製造方法を
示している。以下、この図中の製造方法を説明する。
Next, a preferred embodiment in the case where the ceramic substrate A is formed without warping by using the first or second manufacturing method of the present invention will be described. FIG. 4 shows the manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method in this figure will be described.

【0025】方形状に裁断した下層セラミックグリーン
シート10b上に、中央にキャビティ形成用の円形状を
した穴12aを透設した方形状に裁断した上層セラミッ
クグリーンシート10cを積層して、セラミック基板焼
成部材10aを形成している。
On the lower ceramic green sheet 10b cut into a square, an upper ceramic green sheet 10c cut into a square with a circular hole 12a for forming a cavity formed in the center is laminated on the lower ceramic green sheet 10b. A member 10a is formed.

【0026】下層セラミックグリーンシート10b下面
の四辺中央には、それぞれメタライズペーストを層状に
塗布して、パッド焼成用のメタライズ層形成体30aを
方形状等に形成している。
A metallized paste is applied in layers at the center of the four sides of the lower surface of the lower ceramic green sheet 10b to form a metallized layer forming body 30a for baking pads in a square shape or the like.

【0027】セラミック基板焼成部材10aの穴12a
内に露出した下層セラミックグリーンシート10bの上
面中央には、メタライズペーストを層状に塗布して、ス
テージ焼成用のメタライズ層形成体32aを方形状に形
成している。
Hole 12a of ceramic substrate firing member 10a
At the center of the upper surface of the lower ceramic green sheet 10b exposed inside, a metallized paste is applied in a layer shape to form a metallized layer forming body 32a for stage firing in a square shape.

【0028】セラミック基板焼成部材10aの穴12a
内に露出した下層セラミックグリーンシート10bの上
面四方には、それぞれメタライズペーストを帯状に塗布
して、接続線路焼成用のメタライズ線路形成体34aを
帯状に形成している。
Hole 12a of ceramic substrate firing member 10a
A metallized paste is applied in a band shape on each of the upper surfaces of the lower ceramic green sheet 10b exposed inside, thereby forming a metallized line forming body 34a for firing the connection line in a band shape.

【0029】下層セラミックグリーンシート10bに
は、パッド焼成用のメタライズ層形成体30aに連なる
内部線路焼成用のメタライズペーストを充填して形成し
た導体ヴィア形成体(図示せず)を下層セラミックグリ
ーンシート10bを上下に貫いて備えている。下層セラ
ミックグリーンシート10b上面には、メタライズペー
ストを帯状に塗布して、上記の導体ヴィア形成体と接続
線路焼成用のメタライズ線路形成体34aとに連なる内
部線路焼成用のメタライズ線路形成体(図示せず)を帯
状に形成している。そして、その内部線路焼成用の導体
ヴィア形成体とメタライズ線路形成体とを介して、パッ
ド焼成用のメタライズ層形成体30aを接続線路焼成用
のメタライズ線路形成体34aに一連に接続している。
On the lower ceramic green sheet 10b, a conductor via-formed body (not shown) formed by filling a metallized paste for firing an internal line connected to the metallized layer formed body 30a for firing the pad is formed. Is provided up and down. On the upper surface of the lower ceramic green sheet 10b, a metallized paste is applied in a strip shape, and a metallized line forming body for firing an internal line (shown in the drawing) is connected to the conductor via forming body and the metallized line forming body 34a for connecting line firing. Is formed in a belt shape. The metallized layer forming body 30a for pad firing is connected to the metallized line forming body 34a for connecting line firing via the conductor via forming body for internal line firing and the metallized line forming body.

【0030】以上の工程は、従来のセラミック基板Aの
製造方法と同様であるが、図の第1の製造方法では、セ
ラミック基板焼成部材10aの上面に当たる上層セラミ
ックグリーンシート10cの上面全体に、アルミナまた
は窒化アルミニウムを混入したサブセラミックペースト
を層状に塗布して、セラミック基板焼成部材10aとは
熱膨張係数の異なるサブセラミック層形成体40aを形
成している。
The above steps are the same as those of the conventional method of manufacturing the ceramic substrate A. However, in the first manufacturing method shown in the figure, the entire upper surface of the upper ceramic green sheet 10c, which is the upper surface of the ceramic substrate firing member 10a, is covered with alumina. Alternatively, a sub-ceramic paste mixed with aluminum nitride is applied in layers to form a sub-ceramic layer forming body 40a having a different coefficient of thermal expansion from the ceramic substrate firing member 10a.

【0031】他方、図の第2の製造方法では、セラミッ
ク基板焼成部材10a上面に当たる上層セラミックグリ
ーンシート10cの上面全体に、タングステンまたはモ
リブデンを混入したサブメタライズペーストを層状に塗
布して、セラミック基板焼成部材10aとは熱膨張係数
の異なるサブメタライズ層形成体50aを形成してい
る。
On the other hand, in the second manufacturing method shown in the figure, a sub-metallized paste containing tungsten or molybdenum is applied in a layer on the entire upper surface of the upper ceramic green sheet 10c which is the upper surface of the ceramic substrate firing member 10a. A submetallized layer forming body 50a having a different coefficient of thermal expansion from the member 10a is formed.

【0032】次に、そのサブセラミック層形成体40a
またはサブメタライズ層形成体50aを、パッド、ステ
ージ、接続線路、内部線路焼成用のメタライズ層形成体
30a,32aやメタライズ線路形成体34aを形成し
たセラミック基板焼成部材10aと共に高温炉内で一体
焼成している。
Next, the sub-ceramic layer forming body 40a
Alternatively, the sub-metallized layer forming body 50a is integrally fired in a high-temperature furnace together with the ceramic substrate firing member 10a on which the metallized layer forming bodies 30a, 32a and the metallized line forming body 34a for firing pads, stages, connection lines, and internal lines are formed. ing.

【0033】その際には、熱膨張係数が互いに異なるサ
ブセラミック層形成体40aまたはサブメタライズ層形
成体50aと上層セラミックグリーンシート10cとの
焼成時における収縮率の差を用いて、サブセラミック層
形成体40aまたはサブメタライズ層形成体50aから
セラミック基板焼成部材10a上面に、所定大きさの応
力を加えている。
At this time, the difference in the shrinkage rate between the sub-ceramic layer forming body 40a or the sub-metallized layer forming body 50a and the upper ceramic green sheet 10c having different thermal expansion coefficients during firing is used to calculate the sub-ceramic layer formation. A predetermined amount of stress is applied from the body 40a or the sub-metallized layer forming body 50a to the upper surface of the ceramic substrate firing member 10a.

【0034】このサブセラミック層形成体40aまたは
サブメタライズ層形成体50aからセラミック基板焼成
部材10a上面に加える応力は、その大きさを、サブセ
ラミック層形成体40aに混入するアルミナまたは窒化
アルミニウム、あるいはサブメタライズ層形成体50a
に混入するタングステンまたはモリブデンの粒径を大小
に変化させることにより、大小に細かく調整している。
The stress applied from the sub-ceramic layer forming body 40a or the sub-metallized layer forming body 50a to the upper surface of the ceramic substrate firing member 10a depends on the magnitude of the alumina or aluminum nitride mixed in the sub-ceramic layer forming body 40a, or Metallized layer forming body 50a
The particle size of tungsten or molybdenum mixed in the material is changed to be large or small, thereby finely adjusting the size.

【0035】アルミナまたは窒化アルミニウムは、その
粒径が0.5〜50μmのものが一般に広く存在してお
り、サブセラミック層形成体40aに加えるアルミナま
たは窒化アルミニウムの粒径を大小に細かく調整するこ
とは容易である。また、タングステンまたはモリブデン
も、その粒径が0.4〜40μmのものが一般に広く存
在しており、サブメタライズ層形成体50aに加えるタ
ングステンまたはモリブデンの粒径を大小に細かく調整
することは容易である。
Alumina or aluminum nitride having a particle size of 0.5 to 50 μm is generally widely used, and the particle size of alumina or aluminum nitride to be added to the sub-ceramic layer forming body 40a is finely adjusted. Is easy. Also, tungsten or molybdenum generally has a particle size of 0.4 to 40 μm, and it is easy to finely or finely adjust the particle size of tungsten or molybdenum added to the sub-metallized layer forming body 50a. is there.

【0036】そして、そのサブセラミック層形成体40
aまたはサブメタライズ層形成体50aを用いて、セラ
ミック基板Aを焼成する際に、熱膨張係数が互いに異な
るパッド、ステージ、接続線路、内部線路焼成用のメタ
ライズ層形成体30a,32aやメタライズ線路形成体
34a等と上層及び下層セラミックグリーンシート10
c,10bとの焼成時における収縮率の差により、その
メタライズ層形成体30a,32aやメタライズ線路形
成体34a等からセラミック基板焼成部材10aに加わ
る応力に対抗する応力をセラミック基板焼成部材10a
の上面に加えている。
Then, the sub-ceramic layer forming body 40
When the ceramic substrate A is fired by using the metallized layer forming body 50a or the sub-metallized layer forming body 50a, the metallized layer forming bodies 30a, 32a and the metallized line forming for firing pads, stages, connection lines, and internal lines having different thermal expansion coefficients from each other. Body 34a etc. and upper and lower ceramic green sheets 10
Due to the difference in the shrinkage rate during firing between the ceramic substrate firing members 10a and 32b, the stress against the stress applied to the ceramic substrate firing member 10a from the metallized layer forming members 30a and 32a, the metallized line forming member 34a, and the like is increased.
In addition to the top surface.

【0037】そして、図5または図6に示したような、
上面をサブセラミック層40またはサブメタライズ層5
0で覆ってなる、フリットキャップタイプパッケージの
本体を構成する反りのないセラミック基板A1またはA
2を形成している。
Then, as shown in FIG. 5 or FIG.
The upper surface is formed of the sub-ceramic layer 40 or the sub-metallized layer 5
0, a warped ceramic substrate A1 or A constituting a body of a frit cap type package
2 are formed.

【0038】図4に示した第1または第2の製造方法
は、以上の工程からなる。
The first or second manufacturing method shown in FIG. 4 comprises the above steps.

【0039】次に、前述のセラミック基板Aを、本発明
の第1または第2の製造方法を用いて、反りなく形成す
る場合の他の好適な実施例を説明する。図7はその製造
方法を示している。以下、この図中の製造方法を説明す
る。
Next, another preferred embodiment in which the above-mentioned ceramic substrate A is formed without warpage using the first or second manufacturing method of the present invention will be described. FIG. 7 shows the manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method in this figure will be described.

【0040】図の第1または第2の製造方法では、セラ
ミック基板焼成部材10aの上面全体に、サブセラミッ
クペーストまたはサブメタライズペーストを層状に塗布
して、セラミック基板焼成部材10aとは熱膨張係数の
異なるサブセラミック層形成体40aまたはサブメタラ
イズ層形成体50aを形成しているのに加えて、セラミ
ック基板焼成部材10aの下面に当たる下層セラミック
グリーンシート10b下面の、パッド焼成用のメタライ
ズ層形成体30aを形成した部位とその周辺部以外の部
分にも、図7に示したように、サブセラミックペースト
またはサブメタライズペーストを広く層状に塗布してい
る。そして、その下層セラミックグリーンシート10b
の下面部分にも、セラミック基板焼成部材10aとは熱
膨張係数の異なるサブセラミック層形成体42aまたは
サブメタライズ層形成体52aを広く層状に形成してい
る。
In the first or second manufacturing method shown in the drawings, a sub-ceramic paste or a sub-metallized paste is applied in a layer on the entire upper surface of the ceramic substrate fired member 10a, and the ceramic substrate fired member 10a has a thermal expansion coefficient. In addition to forming a different sub-ceramic layer forming body 40a or a sub-metallizing layer forming body 50a, a metallizing layer forming body 30a for firing pads is formed on the lower surface of the lower ceramic green sheet 10b which is the lower surface of the ceramic substrate firing member 10a. As shown in FIG. 7, a sub-ceramic paste or a sub-metallized paste is widely applied in layers to portions other than the formed portion and its peripheral portion. And the lower ceramic green sheet 10b
The sub-ceramic layer forming body 42a or the sub-metallizing layer forming body 52a having a different coefficient of thermal expansion from the ceramic substrate firing member 10a is formed in a wide layer also on the lower surface portion of the substrate.

【0041】その他は、前述の第1または第2の製造方
法と同様にして、セラミック基板Aを形成していて、図
の第1または第2の製造方法では、セラミック基板Aを
焼成する際に、熱膨張係数が互いに異なるサブセラミッ
ク層形成体40a,42aまたはサブメタライズ層形成
体50a,52aと上層及び下層セラミックグリーンシ
ート10c,10bとの焼成時における収縮率の差を用
いて、そのサブセラミック層形成体40a,42aまた
はサブメタライズ層形成体50a,52aからセラミッ
ク基板焼成部材10aの上下面に、所定大きさの応力を
それぞれ加えている。
Otherwise, the ceramic substrate A is formed in the same manner as the above-described first or second manufacturing method. In the first or second manufacturing method shown in FIG. The difference between the shrinkage rates of the sub-ceramic layer forming bodies 40a and 42a or the sub-metallized layer forming bodies 50a and 52a and the upper and lower ceramic green sheets 10c and 10b at the time of firing, which are different from each other. A predetermined amount of stress is applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member 10a from the layer forming bodies 40a and 42a or the sub-metallized layer forming bodies 50a and 52a, respectively.

【0042】このセラミック基板焼成部材10aの上下
面に加える応力は、その大きさを、前述のように、サブ
セラミック層形成体40a,42aに混入するアルミナ
または窒化アルミニウム、あるいはサブメタライズ層形
成体50a,52aに混入するタングステンまたはモリ
ブデンの粒径を大小に変化させることにより、大小に細
かく調整している。
The magnitude of the stress applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member 10a is, as described above, the alumina or aluminum nitride mixed in the sub-ceramic layer forming bodies 40a and 42a, or the sub-metallized layer forming body 50a. , 52a are finely adjusted by changing the particle size of tungsten or molybdenum mixed therein.

【0043】そして、上記のサブセラミック層形成体4
0a,42aまたはサブメタライズ層形成体50a,5
2aを用いて、セラミック基板Aを焼成する際に、熱膨
張係数が互いに異なるパッド、ステージ、接続線路、内
部線路焼成用のメタライズ層形成体30a,32aやメ
タライズ線路形成体34a等と上層及び下層セラミック
グリーンシート10c,10bとの焼成時における収縮
率の差により、そのメタライズ層形成体30a,32a
やメタライズ線路形成体34a等からセラミック基板焼
成部材10aに加わる応力に対抗する応力をセラミック
基板焼成部材10aの上下面にそれぞれ加えている。
Then, the above-mentioned sub-ceramic layer forming body 4
0a, 42a or sub-metallized layer formed bodies 50a, 5
When the ceramic substrate A is fired using 2a, the upper and lower layers include pads, stages, connection lines, metallized layer forming bodies 30a and 32a for firing internal lines, metallized line forming bodies 34a, etc., having different coefficients of thermal expansion. Due to the difference in shrinkage during firing with the ceramic green sheets 10c and 10b, the metallized layer formed bodies 30a and 32a
A stress that opposes a stress applied to the ceramic substrate fired member 10a from the metallized line forming body 34a or the like is applied to the upper and lower surfaces of the ceramic substrate fired member 10a.

【0044】そして、図8ないし図11に示したよう
な、上下面をサブセラミック層40,42またはサブメ
タライズ層50,52でそれぞれ覆ってなる、フリット
キャップタイプパッケージの本体を構成する反りのない
セラミック基板A3、A4、A5またはA6をそれぞれ
形成している。
As shown in FIGS. 8 to 11, the upper and lower surfaces are covered with the sub-ceramic layers 40 and 42 or the sub-metallized layers 50 and 52, respectively. Ceramic substrates A3, A4, A5 or A6 are formed respectively.

【0045】図7に示した第1または第2の製造方法
は、以上の工程からなる。
The first or second manufacturing method shown in FIG. 7 comprises the above steps.

【0046】図12ないし図14は半導体チップマウン
ト回路基板を構成するセラミック基板を示し、図12は
その斜視図、図13はその平面図、図14はその底面図
を示している。以下、この図中のセラミック基板を説明
する。
12 to 14 show a ceramic substrate constituting a semiconductor chip mount circuit board, FIG. 12 is a perspective view thereof, FIG. 13 is a plan view thereof, and FIG. 14 is a bottom view thereof. Hereinafter, the ceramic substrate in this figure will be described.

【0047】図において、Bは、方形状に裁断したセラ
ミックグリーンシートを2枚積層して焼成してなる2層
構造のセラミック基板である。
In the figure, B is a two-layer ceramic substrate formed by laminating and firing two ceramic green sheets cut into a square shape.

【0048】このセラミック基板B上面の左側上部に
は、半導体チップダイボンディング用の方形状をしたメ
タライズ層からなるステージ320と、半導体チップの
電極接続用等のメタライズ線路からなる複数本の接続線
路340とを備えている。
On the upper left side of the upper surface of the ceramic substrate B, a stage 320 made of a square metalized layer for semiconductor chip die bonding and a plurality of connection lines 340 made of metalized lines for connecting electrodes of the semiconductor chip. And

【0049】セラミック基板Bの下面全体には、メタラ
イズ層からなるグランドプレーン360を層状に備えて
いる。
On the entire lower surface of the ceramic substrate B, a ground plane 360 composed of a metallized layer is provided in a layered manner.

【0050】セラミック基板B内部には、接続線路34
0に一連に接続されたメタライズ線路からなる内部線路
(図示せず)を備えている。
In the ceramic substrate B, a connection line 34 is provided.
0 is provided with an internal line (not shown) composed of a metallized line connected in series.

【0051】図12ないし図14に示したセラミック基
板Bは、以上のように構成している。
The ceramic substrate B shown in FIGS. 12 to 14 is configured as described above.

【0052】この半導体チップマウント回路基板を構成
するセラミック基板Bは、本発明の第1または第2の製
造方法を用いて、反りなく形成することが可能である。
The ceramic substrate B constituting the semiconductor chip mount circuit board can be formed without warping by using the first or second manufacturing method of the present invention.

【0053】次に、このセラミック基板Bを、本発明の
第1または第2の製造方法を用いて、反りなく形成する
場合の好適な実施例を説明する。図15はその製造方法
を示している。以下、この図中の製造方法を説明する。
Next, a preferred embodiment in which the ceramic substrate B is formed without warpage by using the first or second manufacturing method of the present invention will be described. FIG. 15 shows the manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method in this figure will be described.

【0054】方形状に裁断したセラミックグリーンシー
ト100b,100cを2枚積層して、セラミック基板
焼成部材100aを形成している。
Two ceramic green sheets 100b and 100c cut into a square shape are laminated to form a ceramic substrate firing member 100a.

【0055】上層セラミックグリーンシート100c上
面の左側上部には、メタライズペーストを方形状に塗布
して、ステージ焼成用のメタライズ層形成体320aを
形成したり、メタライズペーストを複数本帯状に塗布し
て、接続線路焼成用の複数本のメタライズ線路形成体3
40aを形成したりしている。
On the upper left side of the upper surface of the upper ceramic green sheet 100c, a metallized paste is applied in a square shape to form a metallized layer forming body 320a for stage firing, or a plurality of metallized pastes are applied in a strip shape. Plurality of metallized line forming bodies 3 for firing connection lines
40a.

【0056】上層セラミックグリーンシート100cに
は、接続線路焼成用のメタライズ線路形成体340aに
連なる内部線路焼成用のメタライズペーストを充填して
形成した導体ヴィア形成体(図示せず)を上層セラミッ
クグリーンシート100cを上下に貫いて備えている。
下層セラミックグリーンシート100b上面には、メタ
ライズペーストを帯状に塗布して、上記の導体ヴィア形
成体に連なる内部線路焼成用のメタライズ線路形成体
(図示せず)を形成している。そして、その内部線路焼
成用の導体ヴィア形成体とメタライズ線路形成体とを介
して、接続線路焼成用の所定のメタライズ線路形成体3
40aの間を一連に接続している。
The upper ceramic green sheet 100c is provided with a conductor via forming body (not shown) formed by filling a metallizing paste for firing the internal line connected to the metallizing line forming body 340a for firing the connection line. 100c is provided vertically.
On the upper surface of the lower ceramic green sheet 100b, a metallized paste is applied in a strip shape to form a metallized line forming body (not shown) for firing the internal line connected to the conductor via forming body. Then, a predetermined metallized line forming body 3 for connecting line firing is interposed via the conductor via forming body for internal line firing and the metallized line forming body.
40a are connected in series.

【0057】下層セラミックグリーンシート100bの
下面全体には、メタライズペーストを層状に塗布して、
グランドプレーン焼成用のメタライズ層形成体360a
を形成している。
A metallizing paste is applied in a layer on the entire lower surface of the lower ceramic green sheet 100b.
Metallized layer forming body 360a for firing ground plane
Is formed.

【0058】以上の工程は、従来のセラミック基板の製
造方法と同様であるが、図の第1または第2の製造方法
においては、図15に示したように、セラミック基板焼
成部材100a上面の右側からその左側下部にかけての
上層セラミックグリーンシート100cが露出した部位
に、サブセラミックペーストまたはサブメタライズペー
ストを、接続線路焼成用のメタライズ線路形成体340
aを形成した部位とその周辺部を避けて、広く層状に塗
布している。そして、その上層セラミックグリーンシー
ト100cが露出した部位に、セラミック基板焼成部材
100aとは熱膨張係数の異なるサブセラミック層形成
体400aまたはサブメタライズ層形成体500aを広
く層状に形成している。
The above steps are the same as the conventional method for manufacturing a ceramic substrate. However, in the first or second manufacturing method shown in FIG. 15, as shown in FIG. The sub-ceramic paste or the sub-metallized paste is applied to the portion where the upper ceramic green sheet 100c is exposed from the lower part to the lower left part of the metallized line forming body 340 for firing the connection line.
The layer is widely applied in a layered manner, avoiding the portion where a is formed and its peripheral portion. Then, a sub-ceramic layer forming body 400a or a sub-metallizing layer forming body 500a having a different coefficient of thermal expansion from the ceramic substrate firing member 100a is formed in a wide layer at a portion where the upper ceramic green sheet 100c is exposed.

【0059】そして、そのサブセラミック層形成体40
0aまたはサブメタライズ層形成体500aを、ステー
ジ、接続線路、グランドプレーン、内部線路焼成用のメ
タライズ層形成体320a,360aやメタライズ線路
形成体340a等を形成したセラミック基板焼成部材1
00aと共に高温炉内で一体焼成している。
Then, the sub-ceramic layer forming body 40
0a or the sub-metallized layer forming body 500a is used as a ceramic substrate firing member 1 on which a stage, a connection line, a ground plane, internal line firing metallizing layer forming bodies 320a and 360a and a metallized line forming body 340a are formed.
00a together with a high temperature furnace.

【0060】その際には、熱膨張係数が互いに異なるセ
ラミック基板焼成部材100a上面の右側からその左側
下部にかけての部分に形成したサブセラミック層形成体
400aまたはサブメタライズ層形成体500aと上層
セラミックグリーンシート100cとの焼成時における
収縮率の差を用いて、サブセラミック層形成体400a
またはサブメタライズ層形成体500aからセラミック
基板焼成部材100a上面に所定大きさの応力を加えて
いる。
At this time, the sub-ceramic layer forming body 400a or the sub-metallizing layer forming body 500a and the upper ceramic green sheet formed in the portion from the right side to the lower left side of the upper surface of the ceramic substrate firing member 100a having different thermal expansion coefficients from each other. Using the difference in the shrinkage ratio during firing with the sub-ceramic layer forming body 400a
Alternatively, a predetermined amount of stress is applied from the sub-metallized layer forming body 500a to the upper surface of the ceramic substrate firing member 100a.

【0061】このセラミック基板焼成部材100aの上
面に加える応力は、その大きさを、前述のように、サブ
セラミック層形成体400aに混入するアルミナまたは
窒化アルミニウム、あるいはサブメタライズ層形成体5
00aに混入するタングステンまたはモリブデンの粒径
を大小に変化させることにより、大小に細かく調整して
いる。
The magnitude of the stress applied to the upper surface of the ceramic substrate firing member 100a is, as described above, the alumina or aluminum nitride mixed in the sub-ceramic layer forming member 400a or the sub-metallizing layer forming member 5a.
The particle size of tungsten or molybdenum mixed in 00a is finely adjusted by changing the particle size.

【0062】そして、そのサブセラミック層形成体40
0aまたはサブメタライズ層形成体500aを用いて、
セラミック基板Bを焼成する際に、熱膨張係数が互いに
異なるステージ、接続線路、グランドプレーン、内部線
路焼成用のメタライズ層形成体320a,360aやメ
タライズ線路形成体340a等と上層及び下層セラミッ
クグリーンシート100c,100bとの焼成時におけ
る収縮率の差により、そのメタライズ層形成体320
a,360aやメタライズ線路形成体340a等からセ
ラミック基板焼成部材100aに加わる応力に対抗する
応力をセラミック基板焼成部材100a上面に加えてい
る。
Then, the sub-ceramic layer forming body 40
0a or the sub-metallized layer forming body 500a,
When the ceramic substrate B is fired, stages, connection lines, ground planes, metallized layer forming bodies 320a and 360a for firing internal lines, metallized line forming bodies 340a, etc., and upper and lower ceramic green sheets 100c having different thermal expansion coefficients from each other. , 100b, the difference in the shrinkage ratio during firing is caused by the metallized layer formed body 320.
a, 360a, the metallized line forming body 340a, and the like, a stress against the stress applied to the ceramic substrate fired member 100a is applied to the upper surface of the ceramic substrate fired member 100a.

【0063】そして、図16または図17に示したよう
な、その上面右側からその左側下部にかけての部分をサ
ブセラミック層400あるいはサブメタライズ層500
で覆ってなる、半導体チップマウント回路基板を構成す
る反りのないセラミック基板B1またはB2を形成して
いる。
Then, as shown in FIG. 16 or FIG. 17, the portion from the upper right side to the lower left side is formed by the sub-ceramic layer 400 or the sub-metallized layer 500.
, A warped ceramic substrate B1 or B2 constituting a semiconductor chip mount circuit board is formed.

【0064】図15に示した第1または第2の製造方法
は、以上の工程からなる。
The first or second manufacturing method shown in FIG. 15 comprises the above steps.

【0065】なお、絶縁体であるサブセラミック層形成
体40a,400aをセラミック基板焼成部材10a,
100aの上下面の一方またはその両方に形成する第1
の製造方法においては、サブセラミック層形成体40
a,400aを、リードや半導体チップの電極を直接に
接続したり半導体チップを直接にダイボンディングした
りする、パッド、接続線路、ステージ焼成用のメタライ
ズ層形成体30a,320aやメタライズ線路形成体3
40aを形成した部分を除いた、パッド、接続線路、ス
テージ焼成用のメタライズ層形成体30a,320aや
メタライズ線路形成体340a上にオーバーラップさせ
て、形成しても良い。そして、セラミック基板Aまたは
Bを焼成する際に、そのメタライズ層形成体30a,3
20aやメタライズ線路形成体340a等からセラミッ
ク基板焼成部材10a,100aに加わる応力に対抗す
る応力を、上記のサブセラミック層形成体40a,40
0aを用いて、セラミック基板焼成部材10a,100
aの上下面の一方またはその両方に的確に加えても良
い。
The sub-ceramic layer forming members 40a and 400a, which are insulators, are bonded to the ceramic substrate firing members 10a and
100a formed on one or both of the upper and lower surfaces
In the manufacturing method of
a, 400a are metallized layer forming bodies 30a, 320a and metallizing line forming body 3 for pad, connection line, stage firing, for directly connecting leads and electrodes of a semiconductor chip, and for directly die bonding the semiconductor chip.
The pad, the connection line, the metallized layer forming bodies 30a, 320a for firing the stage, and the metallized line forming body 340a except for the portion where the 40a is formed may be formed so as to overlap. Then, when firing the ceramic substrate A or B, the metallized layer forming bodies 30a, 30
20a, the metallized line forming body 340a, and the like, the stress opposing the stress applied to the ceramic substrate firing members 10a, 100a is applied to the above-described sub-ceramic layer forming bodies 40a, 40a.
0a, the ceramic substrate firing members 10a, 100
It may be added to one or both of the upper and lower surfaces of a.

【0066】ただし、そうした場合は、サブセラミック
層形成体40a,400aを、メタライズ層形成体30
a,320aやメタライズ線路形成体340a等とセラ
ミック基板焼成部材10a,100aとを共に一体焼成
して、セラミック基板A,Bを形成した際に、パッド3
0、接続線路340、ステージ320の表面の一部等
を、サブセラミック層(図示せず)で覆ってしまうこと
となる。そして、セラミック基板A,Bの上下面の一方
またはその両方に備えたパッド30、接続線路340、
ステージ320の表面に金めっき等のめっきを施した際
に、サブセラミック層40,400で覆われたパッド3
0、接続線路340、ステージ320の表面部分が、め
っきが施されずに、それらの表面部分の導体抵抗値が高
くなるので、注意を要する。
However, in such a case, the sub-ceramic layer forming bodies 40a and 400a are
When the ceramic substrates A and B are formed by integrally firing the ceramic substrate firing members 10a and 100a and the ceramic substrate firing members 10a and 100a together, the pad 3
0, the connection line 340, a part of the surface of the stage 320, and the like are covered with a sub-ceramic layer (not shown). The pads 30 and the connection lines 340 provided on one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrates A and B,
When plating such as gold plating is performed on the surface of the stage 320, the pad 3 covered with the sub-ceramic layers 40 and 400
Care must be taken because the surface portions of the connection line 340, the connection line 340, and the stage 320 are not plated, and the conductor resistance value of those surface portions increases.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1また
は第2の製造方法を用いて、フリットキャップタイプパ
ッケージの本体や半導体チップマウント回路基板等を構
成するセラミック基板を形成すれば、その基板を反りの
ない目的に合った平坦なセラミック基板に的確かつ容易
に形成できる。
As described above, by using the first or second manufacturing method of the present invention to form a ceramic substrate constituting a body of a frit cap type package, a semiconductor chip mount circuit board, and the like, The substrate can be accurately and easily formed on a flat ceramic substrate suitable for the purpose without warpage.

【0068】そして、セラミック基板の焼成後に、セラ
ミック基板をその一部に荷重を掛けて再焼成する等し
て、多大な手数と時間を掛けて、セラミック基板の反り
を矯正する作業等を不要とすることが可能となる。
After the firing of the ceramic substrate, the ceramic substrate is re-baked by applying a load to a part of the ceramic substrate, thereby eliminating the need for a large amount of trouble and time to correct the warpage of the ceramic substrate. It is possible to do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】フリットキャップタイプパッケージの斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view of a frit cap type package.

【図2】フリットキャップタイプパッケージの平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of a frit cap type package.

【図3】フリットキャップタイプパッケージの底面図で
ある。
FIG. 3 is a bottom view of the frit cap type package.

【図4】本発明の第1または第2の製造方法を用いて、
フリットキャップタイプパッケージの本体を構成するセ
ラミック基板を形成する工程を示す斜視図である。
FIG. 4 shows an example of the first or second manufacturing method of the present invention.
It is a perspective view which shows the process of forming the ceramic substrate which comprises the main body of a frit cap type package.

【図5】本発明の第1の製造方法を用いて形成した、フ
リットキャップタイプパッケージの本体を構成するセラ
ミック基板の斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of a ceramic substrate constituting a main body of the frit cap type package formed by using the first manufacturing method of the present invention.

【図6】本発明の第2の製造方法を用いて形成した、フ
リットキャップタイプパッケージの本体を構成するセラ
ミック基板の斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a ceramic substrate constituting a main body of a frit cap type package formed by using the second manufacturing method of the present invention.

【図7】本発明の第1または第2の製造方法を用いて、
フリットキャップタイプパッケージの本体を構成するセ
ラミック基板を形成する工程を示す斜視図である。
FIG. 7 shows an example of the first or second manufacturing method of the present invention.
It is a perspective view which shows the process of forming the ceramic substrate which comprises the main body of a frit cap type package.

【図8】本発明の第1の製造方法を用いて形成した、フ
リットキャップタイプパッケージの本体を構成するセラ
ミック基板の斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view of a ceramic substrate constituting a main body of the frit cap type package formed by using the first manufacturing method of the present invention.

【図9】本発明の第1または第2の製造方法を用いて形
成した、フリットキャップタイプパッケージの本体を構
成するセラミック基板の斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of a ceramic substrate constituting a body of a frit cap type package formed by using the first or second manufacturing method of the present invention.

【図10】本発明の第2の製造方法を用いて形成した、
フリットキャップタイプパッケージの本体を構成するセ
ラミック基板の斜視図である。
FIG. 10 is formed by using the second manufacturing method of the present invention;
It is a perspective view of the ceramic substrate which comprises the main body of a frit cap type package.

【図11】本発明の第1または第2の製造方法を用いて
形成した、フリットキャップタイプパッケージの本体を
構成するセラミック基板の斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view of a ceramic substrate constituting a main body of a frit cap type package formed by using the first or second manufacturing method of the present invention.

【図12】半導体チップマウント回路基板を構成するセ
ラミック基板の斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view of a ceramic substrate constituting the semiconductor chip mount circuit board.

【図13】半導体チップマウント回路基板を構成するセ
ラミック基板の平面図である。
FIG. 13 is a plan view of a ceramic substrate constituting a semiconductor chip mount circuit board.

【図14】半導体チップマウント回路基板を構成するセ
ラミック基板の底面図である。
FIG. 14 is a bottom view of a ceramic substrate constituting the semiconductor chip mount circuit board.

【図15】本発明の第1または第2の製造方法を用い
て、半導体チップマウント回路基板を構成するセラミッ
ク基板を形成する工程を示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a step of forming a ceramic substrate constituting a semiconductor chip mounted circuit board by using the first or second manufacturing method of the present invention.

【図16】本発明の第1の製造方法を用いて形成した、
半導体チップマウント回路基板を構成するセラミック基
板の斜視図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured using the first manufacturing method of the present invention;
It is a perspective view of the ceramic substrate which comprises a semiconductor chip mount circuit board.

【図17】本発明の第2の製造方法を用いて形成した、
半導体チップマウント回路基板を構成するセラミック基
板の斜視図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view of a semiconductor device formed using the second manufacturing method of the present invention.
It is a perspective view of the ceramic substrate which comprises a semiconductor chip mount circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 キャビティ 20 リード 30 パッド 32 ステージ 34 接続線路 40 サブセラミック層 50 サブメタライズ層 42 サブセラミック層 52 サブメタライズ層 10a セラミック基板焼成部材 10b 下層セラミックグリーンシート 10c 上層セラミックグリーンシート 12a 穴 30a パッド焼成用のメタライズ層形成体 32a ステージ焼成用のメタライズ層形成体 34a 接続線路焼成用のメタライズ線路形成体 40a サブセラミック層焼成用のサブセラミック層形
成体 42a サブセラミック層焼成用のサブセラミック層形
成体 50a サブメタライズ層焼成用のサブメタライズ層形
成体 52a サブメタライズ層焼成用のサブメタライズ層形
成体 A セラミック基板 A1 セラミック基板 A2 セラミック基板 A3 セラミック基板 A4 セラミック基板 A5 セラミック基板 A6 セラミック基板 320 ステージ 340 接続線路 360 グランドプレーン 400 サブセラミック層 500 サブメタライズ層 100a セラミック基板焼成部材 100b 下層セラミックグリーンシート 100c 上層セラミックグリーンシート 320a ステージ焼成用のメタライズ層形成体 340a 接続線路焼成用のメタライズ線路形成体 360a グランドプレーン焼成用のメタライズ層形成
体 400a サブセラミック層焼成用のサブセラミック層
形成体 500a サブメタライズ層焼成用のサブメタライズ層
形成体 B セラミック基板 B1 セラミック基板 B2 セラミック基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Cavity 20 Lead 30 Pad 32 Stage 34 Connection line 40 Subceramic layer 50 Submetallized layer 42 Subceramic layer 52 Submetallized layer 10a Ceramic substrate firing member 10b Lower ceramic green sheet 10c Upper ceramic green sheet 12a Hole 30a Metallization for pad firing Layer forming body 32a Metallized layer forming body for stage firing 34a Metallized line forming body for connecting line firing 40a Sub-ceramic layer forming body for sub-ceramic layer firing 42a Sub-ceramic layer forming body for sub-ceramic layer firing 50a Sub-metallized layer Sub-metallized layer forming body for firing 52a Sub-metallized layer forming body for firing sub-metallized layer A Ceramic substrate A1 Ceramic substrate A2 Ceramic substrate A3 Ceramic Substrate A4 Ceramic substrate A5 Ceramic substrate A6 Ceramic substrate 320 Stage 340 Connection line 360 Ground plane 400 Sub-ceramic layer 500 Sub-metallized layer 100a Ceramic substrate firing member 100b Lower ceramic green sheet 100c Upper ceramic green sheet 320a Metallized layer forming body for stage firing 340a Metallized line forming body for connection line firing 360a Metallized layer forming body for ground plane firing 400a Sub-ceramic layer forming body for sub-ceramic layer firing 500a Sub-metallized layer forming body for sub-metallizing layer firing B Ceramic substrate B1 Ceramic substrate B2 Ceramic substrate

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 1枚のセラミックグリーンシート表面ま
たは積層した複数枚のセラミックグリーンシート表面に
メタライズペーストを塗布してメタライズ線路形成体ま
たはメタライズ層形成体を形成したセラミック基板焼成
部材を一体焼成して形成するセラミック基板の製造方法
において、前記セラミック基板焼成部材の上下面の一方
またはその両方に、サブセラミックペーストを塗布し
て、前記セラミック基板焼成部材とは熱膨張係数の異な
るセラミック基板の反り防止用のサブセラミック層形成
体を形成した後、そのサブセラミック層形成体を、前
ラミック基板焼成部材と共に一体焼成することを特徴
とするセラミック基板の製造方法。
1. A ceramic green sheet having a surface
Or on the surface of multiple stacked ceramic green sheets.
Apply metallizing paste to form metallized line
Other in the production method <br/> ceramic substrate to form a ceramic substrate sintered member formed metallized layer forming member by firing one body, in one or both of the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member, sub ceramic The paste is applied, and the ceramic substrate fired member has a different thermal expansion coefficient.
Of sub-ceramic layer to prevent warpage of ceramic substrate
After forming the body, the sub-ceramic layers formed body, prior to Symbol
Features and to Rousset ceramic substrate manufacturing method that integrally sintered together with the ceramic substrate the firing member.
【請求項2】 セラミック基板焼成部材の上下面の一方
またはその両方のセラミックグリーンシートが露出した
部位に、サブセラミックペーストを塗布して、前記セラ
ミック基板焼成部材とは熱膨張係数の異なるサブセラミ
ック層形成体を形成する請求項1記載のセラミック基板
の製造方法。
Wherein the site of one or the ceramic green sheets of both the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member is exposed, by applying a sub ceramic paste, the Serra
Sub-ceramics with different thermal expansion coefficients
Claim 1 ceramic substrate manufacturing method according to form the click layer forming member.
【請求項3】 1枚のセラミックグリーンシート表面ま
たは積層した複数枚のセラミックグリーンシート表面に
メタライズペーストを塗布してメタライズ線路形成体ま
たはメタライズ層形成体を形成したセラミック基板焼成
部材を一体焼成して形成するセラミック基板の製造方法
において、前記セラミック基板焼成部材の上下面の一方
またはその両方のセラミックグリーンシートが露出した
部位に、サブメタライズペーストを塗布して、前記セラ
ミック基板焼成部材とは熱膨張係数の異なるセラミック
基板の反り防止用のサブメタライズ層形成体を形成した
後、そのサブメタライズ層形成体を、前記セラミック基
板焼成部材と共に一体焼成することを特徴とするセラミ
ック基板の製造方法。
3. The surface of one ceramic green sheet
Or on the surface of multiple stacked ceramic green sheets.
Apply metallizing paste to form metallized line
Other in the production method <br/> of ceramic substrate formed by sintering one body ceramic substrate sintered member formed metallized layer forming member, the one or the ceramic green sheets of both the upper and lower surfaces of the ceramic substrate firing member the exposed region, by applying a sub metallizing paste, the Serra
Ceramics with a different coefficient of thermal expansion from the baked substrate
Sub-metallized layer formed body to prevent substrate warpage
After, it features and to Rousset Lami <br/> click substrate manufacturing method that integrally firing the Sabumetaraizu layer forming member, with pre-xenon ceramic substrate firing member.
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