JP2962405B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP2962405B2
JP2962405B2 JP8034677A JP3467796A JP2962405B2 JP 2962405 B2 JP2962405 B2 JP 2962405B2 JP 8034677 A JP8034677 A JP 8034677A JP 3467796 A JP3467796 A JP 3467796A JP 2962405 B2 JP2962405 B2 JP 2962405B2
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semiconductor device
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に樹脂封止の際の樹脂溜り部樹脂をリー
ドフレームに残し、外部リード加工工程においてこれを
除去する半導体装置の組立方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of assembling a semiconductor device in which a resin remaining in a resin pool at the time of resin sealing is left on a lead frame and removed in an external lead processing step. Things.

【0002】[0002]

【従来の技術】QFP(quad flat package )に代表さ
れる薄型で大型のパッケージの樹脂モールドには従来の
下ゲート方式に代わって上下ゲート方式の樹脂封止方法
が採用されることが多い。そして、この方式の封止用金
型ではランナーが存在しない側のゲートの手前に樹脂溜
り部を設けこれを介してキャビティへの樹脂注入が行わ
れることがある。図6は、この方式の樹脂封止工程を説
明するための断面図である。
2. Description of the Related Art In a resin molding of a thin and large package represented by a QFP (quad flat package), a resin molding method of an upper gate and a lower gate is often used instead of a conventional lower gate. In this type of sealing die, a resin reservoir may be provided in front of the gate on the side where no runner exists, and resin may be injected into the cavity through the resin reservoir. FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the resin sealing step of this method.

【0003】半導体チップ13が搭載されたリードフレ
ーム1を下金型21と上金型26との間に挟み込む。下
金型21には、ポット22、ランナー23、下ゲート2
4および下キャビティ25が形成されており、上金型2
6には、上樹脂溜り27、上ゲート28および上キャビ
ティ29が形成されている。リードフレーム1には、上
樹脂溜り27に対応する位置に樹脂を通すための樹脂通
過孔2aが形成されている。
A lead frame 1 on which a semiconductor chip 13 is mounted is sandwiched between a lower mold 21 and an upper mold 26. The lower mold 21 has a pot 22, a runner 23, a lower gate 2
4 and a lower cavity 25 are formed.
6, an upper resin reservoir 27, an upper gate 28, and an upper cavity 29 are formed. The lead frame 1 is formed with a resin passage hole 2a for passing the resin at a position corresponding to the upper resin reservoir 27.

【0004】ポット22内に保持されている樹脂15を
プランジャー(図示なし)により押し上げると、樹脂は
ランナー23を通過し、一部は下ゲート24を介して下
キャビティ25に流入する。また一部はリードフレーム
の樹脂通過孔2aを通って上樹脂溜り27に入りそこか
ら上ゲート28を介して上キャビティ29に流入する。
その状態で所定時間加熱した後、リードフレームを金型
から取り出す。その後、いわゆるゲートブレークを行っ
て、ランナー部樹脂や樹脂溜り部樹脂を取り除く。
When the resin 15 held in the pot 22 is pushed up by a plunger (not shown), the resin passes through a runner 23 and a part flows into a lower cavity 25 through a lower gate 24. Further, a part enters the upper resin reservoir 27 through the resin passage hole 2a of the lead frame, and flows into the upper cavity 29 via the upper gate 28 therefrom.
After heating in this state for a predetermined time, the lead frame is removed from the mold. Thereafter, a so-called gate break is performed to remove the runner resin and the resin pool resin.

【0005】その後、リードフレームのタイバーを切断
する。この工程において、ゲートブレークにおいて樹脂
溜り部樹脂を取り除かなかった場合あるいは取り損なっ
た場合にはこれを除去する。次に、ウォータジェット等
のバリ除去手段を用いてバリを除去する。次いで、メッ
キを施し、外部リードを所定の長さに切断する。最後
に、外部リードを所定の形状に成形するとともにリード
フレームの吊りリードを切断してリードフレームのフレ
ーム部から半導体装置を切り離す。従来、樹脂溜り部樹
脂を半導体装置から分離除去しやすくするために、図6
に示されるように、リードフレームの樹脂通過孔2aの
径を樹脂溜り27より大きくしていた。
[0005] Thereafter, the tie bars of the lead frame are cut. In this step, if the resin in the resin pool is not removed or is not removed in the gate break, it is removed. Next, burrs are removed using a burr removing means such as a water jet. Next, plating is performed, and the external leads are cut to a predetermined length. Finally, the external lead is formed into a predetermined shape, and the suspension lead of the lead frame is cut to separate the semiconductor device from the frame portion of the lead frame. Conventionally, in order to make it easier to separate and remove the resin pool resin from the semiconductor device, FIG.
As shown in (2), the diameter of the resin passage hole 2a of the lead frame is larger than that of the resin reservoir 27.

【0006】下ゲート方式により樹脂封止を行う場合に
は、上下ゲート方式の場合と異なり、リードフレームに
は樹脂通過孔は設けられないが、特開平4−18066
4号公報には、リードフレームのランナーに対応する箇
所に貫通孔を設けることが提案されている。図7(a)
〜(c)は、この公報にて提案された半導体装置の組立
方法を示す工程順の断面図である。この組立方法では、
図7(a)に示すように、ランナー部樹脂10aが形成
される位置に貫通孔2bを設けたリードフレーム1と、
該ランナー部樹脂10aをリードフレーム端面で折るた
めに設ける絞り部11aが形成される封入金型を用いて
樹脂封止を行い、半導体チップ13を封止樹脂部9にて
封止する。このとき、下ゲート部くびれ12bの外側に
は不要のランナー部樹脂10aが形成される。その後、
図7(b)に示すように、ランナー部樹脂10aを絞り
部11aにて折りカル側のランナー部樹脂を除去する。
この際、ランナー部樹脂10aの一部はリードフレーム
上に残る。そして、外部リードの成形工程において、図
7(c)に示すように、外部リード6を曲げ加工し半導
体装置をリードフレーム枠から分離する際に、リードフ
レーム上に残されたランナー部樹脂10aを下ゲートく
びれ12bで分離してリードフレーム1のフレーム部と
ともに除去する。
When resin sealing is performed by the lower gate method, unlike the case of the upper and lower gate methods, no resin passage hole is provided in the lead frame.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 4 (1999) -1999 proposes providing a through hole at a position corresponding to a runner of a lead frame. FIG. 7 (a)
(A) to (c) are sectional views in the order of steps showing a method of assembling a semiconductor device proposed in this publication. In this assembly method,
As shown in FIG. 7A, a lead frame 1 provided with a through hole 2b at a position where a runner resin 10a is formed,
The semiconductor chip 13 is sealed with the sealing resin part 9 by using a sealing mold in which a narrowed part 11 a provided to fold the runner part resin 10 a at the end surface of the lead frame is formed. At this time, the unnecessary runner resin 10a is formed outside the lower gate constriction 12b. afterwards,
As shown in FIG. 7 (b), the runner resin 10a is folded at the narrowed portion 11a to remove the runner resin on the cull side.
At this time, a part of the runner resin 10a remains on the lead frame. Then, in the step of forming the external lead, as shown in FIG. 7C, when the external lead 6 is bent and the semiconductor device is separated from the lead frame, the runner resin 10a left on the lead frame is removed. It is separated by the lower gate constriction 12b and removed together with the frame portion of the lead frame 1.

【0007】この組立方法では、ゲートブレーク作業の
際に、ランナー部樹脂のリードフレーム上の部分をリー
ドフレーム側に残すことにより、ゲートブレーク時に一
部樹脂が半導体装置側に残ることによって生じる樹脂欠
けを防ぎ、この樹脂欠けに起因する“ゲート部樹脂抉
り”や“外部リード形状異常”を防止している。
In this assembling method, a portion of the resin of the runner portion on the lead frame is left on the lead frame side at the time of a gate break operation. This prevents "gate resin gouging" and "external lead shape abnormality" caused by the resin chipping.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】図6に示した従来の上
下ゲート方式の組立方法では、ゲートブレーク時に溜り
部樹脂を完全に除去することは難しく、タイバー切断工
程においてこれを除去する必要があったが、この溜り部
樹脂はリードフレームに強固に固着されているわけでは
ないため、搬送途中や処理工程中等においてしばしば落
下していた。そして、落下した溜り部樹脂は外部リード
と接触して不所望の曲がりを与えたりタイバー切断金型
等に噛み込まれ装置類を破損させたりする原因となって
いた。
In the conventional method of assembling the upper and lower gates shown in FIG. 6, it is difficult to completely remove the pool resin at the time of gate break, and it is necessary to remove the resin in the tie bar cutting step. However, since the pool resin is not firmly fixed to the lead frame, it often falls during transportation, during a processing step, or the like. Then, the dropped resin in the pool portion comes into contact with the external lead to give an undesired bending or to be caught in a tie-bar cutting die or the like, causing damage to the devices.

【0009】また、最近では、タイバーを必要な外部リ
ードの長さ以上の位置に配置する方式(遠方タイバー方
式)が採用されるようになってきているが、この場合に
はタイバー切断工程そのものがなくなってしまうため、
この工程において除去されていた溜り部樹脂がさらに後
の工程にまで不安定な状態のまま搬送されることにな
り、上述した不都合を後の工程にまで拡散することにな
る。バリ取り工程前に別途溜り部樹脂除去工程を設ける
ことによってこれを避けることができるが、その場合に
も、上述した除去工程前の落下によって装置類に損傷を
与えたりリードを変形してしまう可能性は残る。
Recently, a method of arranging a tie bar at a position longer than a necessary length of an external lead (distant tie bar method) has been adopted. In this case, a tie bar cutting step itself is performed. Because it ’s gone,
The pool resin removed in this step is transported in an unstable state to a further step, and the above-described inconvenience is diffused to the subsequent step. This can be avoided by providing a separate pool resin removal step before the deburring step, but even in this case, the equipment may be damaged or the leads may be deformed by the drop before the removal step described above. Sex remains.

【0010】一方、図7に示した下ゲート方式のもので
は、ランナー部樹脂とリードフレームとの密着性が高め
られてはいるものの、密着性の強化はリードフレームに
設けた貫通孔の側面部分に関してのみでありそして大き
なランナー部樹脂がリードフレーム上に残されることに
なるため、固定が不十分とであり、バリ取り工程や外部
リードのメッキ工程でランナー部樹脂に外力が掛かった
際に落下する可能性が高く、上述した上下ゲート方式の
従来技術の問題点に対する解決手段とはなっていない。
On the other hand, in the lower gate type shown in FIG. 7, although the adhesion between the runner resin and the lead frame is enhanced, the adhesion is enhanced by the side portions of the through holes provided in the lead frame. And the large runner resin is left on the lead frame, so the fixation is not sufficient, and when the external force is applied to the runner resin in the deburring process or the plating process of the external lead, it falls. This is not a solution to the above-described problem of the prior art of the upper and lower gate method.

【0011】さらに、上述した下ゲート方式の従来例で
は、リードフレーム端面にまでランナー部樹脂が残って
しまうため、樹脂封止以降の組立工程において搬送レー
ル上を滑らせる方式のリードフレーム搬送ができず、持
ち上げて移送し降ろすピック・アンド・プレイス機構が
必要となり、製造装置の機構が複雑化しコストアップを
招くなどの問題点があった。
Further, in the above-described conventional example of the lower gate system, the runner resin is left even on the end surface of the lead frame, so that the lead frame can be transported by sliding on the transport rail in an assembly process after resin sealing. In addition, a pick-and-place mechanism for lifting, transferring, and lowering is required, and there has been a problem that the mechanism of the manufacturing apparatus is complicated and the cost is increased.

【0012】従って、本発明の解決すべき課題は、第1
に、溜り部樹脂が組立工程途中で落下することがないよ
うにして、落下に起因する装置類の損傷や外部リードの
形状異常等の発生を防止することであり、第2に、遠方
タイバー方式を採用する際に特別の溜り部樹脂の除去工
程を設けなくても済むようにすることである。
Accordingly, the problem to be solved by the present invention is as follows:
Secondly, it is intended to prevent the pool resin from dropping during the assembling process and to prevent damage to the equipment and abnormal shape of the external lead caused by the drop. Is to eliminate the necessity of providing a special step of removing the resin in the pool portion.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、(a)上
下の金型にそれぞれ樹脂溜りを設ける、(b)リードフ
レームに金型の樹脂溜りの平面形状より小さい形状の樹
脂通過孔を開孔する、(c)リードフレームの吊りリー
ドを切断してリードフレームのフレーム部から半導体装
置を切り出す際に溜り部樹脂がフレーム側に残るように
する、ことによって解決することができる。
The above-mentioned objects are achieved by (a) providing a resin reservoir in each of the upper and lower molds, and (b) forming a resin passage hole in the lead frame having a shape smaller than the planar shape of the resin reservoir of the mold. The problem can be solved by opening the hole, and (c) cutting the suspension lead of the lead frame so that the resin of the pool remains on the frame side when the semiconductor device is cut out from the frame portion of the lead frame.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明による半導体装置の製造方
法は、 上・下金型のゲートの手前にそれぞれに樹脂
溜りを設けておき、これら上・下金型間に、前記樹脂溜
りに対応する位置に少なくとも一方の樹脂溜りより小さ
い平面形状の樹脂通過孔を有するリードフレームを挟
み、ランナー、前記樹脂溜りを介してキャビティ内に樹
脂を注入して樹脂封止を行う工程と、 封止樹脂およ
び樹脂溜り部樹脂がリードフレームに残るようにしてそ
れ以外の不要な樹脂をリードフレームから除去する工程
と、 リードフレームの外枠部樹脂溜り部樹脂が残
るように半導体装置を切り出す工程と、を含むことを特
徴としている。そして、好ましくは第の工程の前に外
部リードの切断加工を行い、第の工程において同時に
外部リードの成形を行う。なお、カル(ポット部の樹
脂)を含むランナー部の樹脂は、従来、ゲートブレーク
を行っていた段階で取り除く(本明細書ではこの処理を
ランナーブレークと呼ぶ)。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a resin reservoir is provided in front of a gate of an upper and lower mold, and a resin reservoir is provided between the upper and lower molds. A step of sandwiching a lead frame having a resin passage hole having a planar shape smaller than at least one of the resin reservoirs at a position to be filled, injecting a resin into a cavity through a runner and the resin reservoir, and performing resin sealing; and a step of resin reservoir resin to remove unnecessary resin otherwise in the remain in the lead frame from the lead frame, a step of cutting the semiconductor device as resin reservoir resin on the outer frame portion of the lead frame remains, It is characterized by including. Then, preferably, the external lead is cut before the first step, and the external lead is simultaneously formed in the second step. The resin of the runner portion including the cull (the resin of the pot portion) is removed at the stage where the gate break has been performed conventionally (this process is called a runner break in the present specification).

【0015】上記したように、本発明による半導体装置
の製造方法では、上・下各金型に樹脂溜りが設けられ、
かつ、リードフレームのこの樹脂溜りに対応する位置に
この樹脂溜りより小さい平面形状の樹脂通過孔が設けら
れているため、樹脂溜り部樹脂はリードフレームに食い
込むように成形される。したがって、溜り部樹脂は、ラ
ンナーブレーク処理の際には確実にリードフレーム側に
残り、かつ、ウォータジェット等によるバリ取り、メッ
キ、外部リード切断等の各工程やその間の搬送過程にお
いてリードフレームから落下することがなくなる。
As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the upper and lower molds are provided with the resin reservoir,
Further, since a resin passage hole having a planar shape smaller than the resin reservoir is provided at a position corresponding to the resin reservoir of the lead frame, the resin reservoir resin is formed so as to bite into the lead frame. Therefore, the pool resin is securely left on the lead frame side during the runner break process, and drops from the lead frame in each step such as deburring by water jet, plating, cutting of external leads, and the transporting process therebetween. Will not be done.

【0016】そして、この溜り部樹脂は、吊りリードを
切断する際に半導体装置からは除去されるため、遠方タ
イバー方式を採用する場合には、溜り部樹脂を除去する
ためだけの工程を設ける必要はなくなる。また、ランナ
ーブレーク工程後の各工程においては、ゲート部の外側
には、小規模の溜り部樹脂が付着しているのみであり、
リードフレームの外枠部分にランナー部樹脂が残ること
はないため、搬送やその他のリードフレームの取り扱い
は従来通りの簡略な方法を採用することができる。
Since the resin in the reservoir is removed from the semiconductor device when the suspension lead is cut, a step only for removing the resin in the reservoir needs to be provided when the remote tie bar method is employed. Is gone. In addition, in each step after the runner break step, only a small pool resin adheres to the outside of the gate,
Since the runner resin does not remain in the outer frame portion of the lead frame, the conventional simple method can be employed for transportation and other handling of the lead frame.

【0017】[0017]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 [第1の実施例]図1〜図4は、本発明の第1の実施例
を説明するための図であり、図1は使用するリードフレ
ームの平面図、図2は樹脂封止後のリードフレームを上
面から見た平面図、図3は樹脂封止後のリードフレーム
を下面から見た平面図である。また、図4は、図3のA
−A断面での各工程ごとに示した断面図であって、図4
(a)は樹脂封止後の断面図、図4(b)はランナーブ
レイク後の断面図、図4(c)はリードフレームのフレ
ーム部から半導体装置を切り離した状態を示す断面図で
ある。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. [First Embodiment] FIGS. 1 to 4 are views for explaining a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a lead frame to be used, and FIG. FIG. 3 is a plan view of the lead frame after resin sealing as viewed from below. Also, FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing each step in a cross-sectional view of FIG.
4A is a cross-sectional view after resin sealing, FIG. 4B is a cross-sectional view after runner break, and FIG. 4C is a cross-sectional view showing a state where the semiconductor device is separated from the frame portion of the lead frame.

【0018】本実施例に用いるリードフレームは、図1
に示すように、中央部には、吊りリード4によって四方
から支持されたダイパッド3が設けられており、その周
辺からは、内部リード5が外方に向かって延びて外部リ
ード6と連結されている。外部リード6間は樹脂封止時
に樹脂の流れ止めとなるタイバー7によって接続されて
いる。外部リード6の先端は外部リード連結バー6aに
よって接続されており、この外部外部リード連結バー6
aは、連結体1aによりフレーム部と接続されている。
ここで、吊りリード4は、図4(a)に示すように、樹
脂封止時にダイパッド3の下方寸法と半導体チップ13
の上方寸法とがほぼ同等になるようにディプレスされて
いる。そして、一つの吊りリード4の付け根付近には、
封止金型の樹脂溜りに対応して樹脂通過孔2が設けられ
ており、樹脂封止後にはこの部分に溜り部樹脂が形成さ
れる。
The lead frame used in this embodiment is shown in FIG.
As shown in the figure, a die pad 3 supported from all sides by suspension leads 4 is provided at the center, and from the periphery thereof, internal leads 5 extend outward and are connected to external leads 6. I have. The external leads 6 are connected by a tie bar 7 that prevents the resin from flowing when the resin is sealed. The tip of the external lead 6 is connected by an external lead connecting bar 6a.
a is connected to the frame part by the connector 1a.
Here, as shown in FIG. 4A, the length of the suspension lead 4 is smaller than the dimension of the die pad 3 and the semiconductor chip 13 during resin sealing.
Are depressed so that the upper dimension of the upper part is substantially equal to the upper part. And near the base of one suspension lead 4,
A resin passage hole 2 is provided corresponding to the resin pool of the sealing mold, and a pool resin is formed in this portion after resin sealing.

【0019】このリードフレームのダイパッド3上に半
導体チップ13を搭載し、半導体チップ13−内部リー
ド5間をボンディングワイヤを用いて接続した後、樹脂
封止を行う。樹脂封止の際に用いられる金型のうち下金
型にはランナーのゲート寄りの部分に絞りが形成されて
おり、これにより下金型にも樹脂溜りが形成されること
になる。図4(a)に示されるように、半導体チップ1
3を封止する封止樹脂部9とランナー部樹脂10との間
には、上部溜り部樹脂8aおよび下部溜り部樹脂8bが
形成される。リードフレーム1に形成される樹脂通過孔
2は、上下の金型に形成される樹脂溜りより狭く形成さ
れている。下部溜り部樹脂8bとランナー部樹脂10と
の間には、下金型に形成された“絞り”に対応してくび
れ11が形成され、また溜り部樹脂8a、8bと封止樹
脂部9との間には、金型の上・下ゲートに対応して上ゲ
ートくびれ12a、下ゲートくびれ12bが形成され
る。
After the semiconductor chip 13 is mounted on the die pad 3 of the lead frame, and the semiconductor chip 13 and the internal lead 5 are connected by using a bonding wire, resin sealing is performed. Of the dies used for resin sealing, the lower die has an aperture formed near the gate of the runner, thereby forming a resin reservoir also in the lower die. As shown in FIG. 4A, the semiconductor chip 1
An upper pool resin 8a and a lower pool resin 8b are formed between the sealing resin section 9 for sealing 3 and the runner section resin 10. The resin passage hole 2 formed in the lead frame 1 is formed narrower than the resin reservoir formed in the upper and lower molds. A constriction 11 is formed between the lower pool resin 8b and the runner resin 10 in correspondence with the "diaphragm" formed in the lower mold, and the pool resins 8a and 8b and the sealing resin 9 are connected to each other. Between them, an upper gate constriction 12a and a lower gate constriction 12b are formed corresponding to the upper and lower gates of the mold.

【0020】樹脂封止工程の後にランナーブレークが行
われ、カルを含むランナー部樹脂10が除去されるが、
ランナー部樹脂10と溜り部樹脂8b間にはくびれ11
が形成されており、かつ溜り部樹脂8a、8bはリード
フレームに食い込んで強固に固定されているため、ラン
ナー部樹脂10はくびれ11で折れて簡単にリードフレ
ーム1および溜り部樹脂8a、8bから分離される。
After the resin sealing step, a runner break is performed to remove the runner resin 10 including cull.
Constriction 11 between runner part resin 10 and pool part resin 8b
Is formed, and the pool resins 8a and 8b bite into the lead frame and are firmly fixed. Therefore, the runner resin 10 is broken by the constriction 11 and easily runs from the lead frame 1 and the pool resins 8a and 8b. Separated.

【0021】その後、タイバー7を切断し、残ったダム
樹脂およびその他のバリを高圧のウォータジェットで取
り除く。次に、外部リード6にメッキを施し、次いで外
部リード6を所定の長さに切断する。この間、溜り部樹
脂8a、8bは安定してリードフレームに固着してい
る。次に、図4(c)に示すように、外部リード6を曲
げ加工するとともに吊りリード4と樹脂の上・下ゲート
くびれ12a、12b部を切断してリードフレームから
半導体装置を取り出し、半導体装置が完成する。この
時、溜り部樹脂8a、8bはリードフレームのフレーム
側に残され、リードフレームに取り付いたまま廃棄され
る。
Thereafter, the tie bar 7 is cut, and the remaining dam resin and other burrs are removed by a high-pressure water jet. Next, the external leads 6 are plated, and then the external leads 6 are cut to a predetermined length. During this time, the pool resins 8a and 8b are stably fixed to the lead frame. Next, as shown in FIG. 4 (c), the semiconductor device is taken out of the lead frame by bending the external lead 6 and cutting the suspension lead 4 and the upper and lower gate constrictions 12a and 12b of the resin. Is completed. At this time, the pool resin 8a, 8b is left on the frame side of the lead frame, and is discarded while being attached to the lead frame.

【0022】以上説明したように、溜り部樹脂はリード
フレームに食い込んで強固に固定されているため、樹脂
封止後の搬送や加工の過程において落下することがなく
なり、これにより装置類の損傷や外部リードの曲がり等
の不良を激減させることができる。また、リードフレー
ムの外周部が樹脂に被覆されることはないので、封止以
降の工程でも従来通りレールによる搬送が可能となる。
As described above, since the pool resin bites into the lead frame and is firmly fixed, it does not drop in the process of transportation or processing after resin sealing, thereby causing damage to equipment and the like. Defects such as bending of external leads can be drastically reduced. Further, since the outer peripheral portion of the lead frame is not covered with the resin, it can be conveyed by the rails in the steps after the sealing as before.

【0023】なお、上述の実施例では、外部リードの曲
げ加工を外部リードを所定の長さに切断した後で行って
いたが、外部リード6の先端部を外部リード連結バー6
aで接続した状態のまま、まず連結体1aを切断し(図
1参照)、その状態で外部リードの曲げ加工を行い(こ
のとき同時に溜り部樹脂が半導体装置から除去され
る)、その後に外部リードを所望の長さに切断するよう
にしてもよい。また、バリ取りはウォータジェットに代
え、液体ホーニングやレーザ光照射による昇華等の他の
手段を用いることもできる。
In the above embodiment, the bending of the external lead is performed after the external lead is cut to a predetermined length.
First, the connecting body 1a is cut (see FIG. 1) in a state where the connection is made by a, and the external lead is bent in that state (at the same time, the pool resin is removed from the semiconductor device). The lead may be cut to a desired length. Instead of water jet, other means such as liquid honing and sublimation by laser beam irradiation can be used for deburring.

【0024】[第2の実施例]次に、本発明の第2の実
施例について図5を参照して説明する。図5は、本発明
の第2の実施例を説明するための図であって、樹脂封止
後のリードフレーム1のダム樹脂部およびタイバー部を
拡大して示す平面図である。本実施例は、遠方タイバー
方式のリードフレームを用いる場合に関するものであっ
て、通常のリードフレームの場合には、封止樹脂部9か
らタイバー7までの距離Lは、必要な外部リードの長さ
より短くなされているが(通常は0.2〜0.5mm程
度)、本実施例においてはLは外部リード曲げ加工後の
長さ以上に(例えば外部リードの必要長が2mmならL
は2.2mm程度)設定されている。
[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining the second embodiment of the present invention, and is an enlarged plan view showing a dam resin portion and a tie bar portion of the lead frame 1 after resin sealing. The present embodiment relates to a case where a remote tie bar type lead frame is used. In the case of a normal lead frame, the distance L from the sealing resin portion 9 to the tie bar 7 is longer than the required length of the external lead. Although it is shortened (usually about 0.2 to 0.5 mm), in this embodiment, L is longer than the length after the external lead bending process (for example, if the required length of the external lead is 2 mm, L
Is about 2.2 mm).

【0025】図5に示されるように、第1の実施例の場
合と同様の金型を用いて樹脂封止を行った後、タイバー
を切断せずに高圧のウォータジェットでダム樹脂14を
取り除く。このとき、溜り部樹脂はリードフレームに強
固に固定しているためウォータジェットをかけられても
落下することはない。次に、外部リード6にメッキを施
し、外部リード6を所定の長さ(例えば2mm)に切断
する。その後に、外部リード6を曲げ加工し、このとき
同時に吊りリードと樹脂のゲートくびれ部を切断してリ
ードフレームから半導体装置を取り出す。
As shown in FIG. 5, after resin sealing is performed using the same mold as in the first embodiment, the dam resin 14 is removed by a high-pressure water jet without cutting the tie bar. . At this time, since the pool resin is firmly fixed to the lead frame, the resin does not fall even if a water jet is applied. Next, the external leads 6 are plated, and the external leads 6 are cut to a predetermined length (for example, 2 mm). After that, the external lead 6 is bent, and at the same time, the hanging lead and the gate constriction portion of the resin are cut to take out the semiconductor device from the lead frame.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置の製造方法は、上・下金型に樹脂溜りを設けてお
き、この樹脂溜りに対応してリードフレームにはこの樹
脂溜りより小さい平面形状の樹脂通過孔を設けておいて
樹脂封止を行い、組立作業の最終段階で溜り部樹脂を半
導体装置から取り除くものであるので、溜り部樹脂をリ
ードフレームに食い込ませて成形することができ、組立
作業中において溜り部樹脂を安定してリードフレームに
固着させておくことができる。したがって、本発明によ
れば、溜り部樹脂の落下を確実に防止することができる
ようになり、落下に起因する装置類の破損やリードの不
所望の曲がりを防止することができる。また、溜り部樹
脂を半導体装置をリードフレームから取り出す際に除去
することができるので、遠方タイバー方式のリードフレ
ームを用いる場合には、溜り部樹脂を除去するための単
独の工程を設ける必要がなくなり、作業性を改善するこ
とができる。
As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the upper and lower dies are provided with a resin reservoir, and the lead frame is smaller than the resin reservoir corresponding to the resin reservoir. Since resin sealing is performed by providing a resin passage hole with a planar shape and the resin in the reservoir is removed from the semiconductor device at the final stage of the assembling work, the resin in the reservoir can be cut into the lead frame and molded. This makes it possible to stably fix the pool resin to the lead frame during the assembling operation. Therefore, according to the present invention, it is possible to reliably prevent the pool resin from dropping, and it is possible to prevent damage to devices and undesired bending of the leads due to the drop. In addition, since the pool resin can be removed when the semiconductor device is taken out of the lead frame, when a remote tie bar type lead frame is used, there is no need to provide a separate step for removing the pool resin. , Workability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例において用いられるリー
ドフレームの平面図。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame used in a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例を説明するための、リー
ドフレームの樹脂封止後の状態を示す上面図。
FIG. 2 is a top view showing a state after resin sealing of the lead frame for explaining the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例を説明するための、リー
ドフレームの樹脂封止後の状態を示す底面図。
FIG. 3 is a bottom view for explaining the first embodiment of the present invention, showing a state after resin sealing of the lead frame.

【図4】本発明の第1の実施例を説明するための、工程
順の断面図。
FIG. 4 is a sectional view in the order of steps for explaining the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例を説明するための、リー
ドフレームの樹脂封止後の状態を示す平面図。
FIG. 5 is a plan view showing a state after the resin sealing of the lead frame for explaining the second embodiment of the present invention.

【図6】従来例の樹脂封止工程を説明するための断面
図。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a conventional resin sealing step.

【図7】下ゲート方式の場合の従来例を説明するため
の、工程順の断面図。
FIG. 7 is a sectional view in the order of steps for explaining a conventional example in the case of a lower gate method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 1a 連結体 2、2a 樹脂通過孔 2b 貫通孔 3 ダイパッド 4 吊りリード 5 内部リード 6 外部リード 6a 外部リード連結バー 7 タイバー 8a 上部溜り部樹脂 8b 下部溜り部樹脂 9 封止樹脂部 10、10a ランナー部樹脂 11 くびれ 11a 絞り部 12a 上ゲートくびれ 12b 下ゲートくびれ 13 半導体チップ 14 ダム樹脂 15 樹脂 21 下金型 22 ポット 23 ランナー 24 下ゲート 25 下キャビティ 26 上金型 27 上樹脂溜り 28 上ゲート 29 上キャビティ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 1a Connection body 2, 2a Resin passage hole 2b Through hole 3 Die pad 4 Suspension lead 5 Internal lead 6 External lead 6a External lead connection bar 7 Tie bar 8a Upper pool resin 8b Lower pool resin 9 Sealing resin section 10, REFERENCE SIGNS LIST 10a Runner portion resin 11 Constriction 11a Narrow portion 12a Upper gate constriction 12b Lower gate constriction 13 Semiconductor chip 14 Dam resin 15 Resin 21 Lower mold 22 Pot 23 Runner 24 Lower gate 25 Lower cavity 26 Upper mold 27 Upper resin reservoir 28 Upper gate 29 Upper cavity

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 (1)上・下金型のゲートの手前にそれ
ぞれに樹脂溜りを設けておき、これら上・下金型間に、
前記樹脂溜りに対応する位置に少なくとも一方の樹脂溜
りより小さい平面形状の樹脂通過孔を有するリードフレ
ームを挟み、ランナー、前記樹脂溜りを介してキャビテ
ィ内に樹脂を注入して樹脂封止を行う工程と、 (2)封止樹脂および樹脂溜り部樹脂がリードフレーム
に残るようにしてそれ以外の不要な樹脂をリードフレー
ムから除去する工程と、 (3)リードフレームの外枠部樹脂溜り部樹脂が残る
ように半導体装置を切り出す工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(1) A resin reservoir is provided before each of the gates of the upper and lower molds, and a resin reservoir is provided between the upper and lower molds.
A step of sandwiching a lead frame having a planar resin passage hole smaller than at least one resin reservoir at a position corresponding to the resin reservoir and injecting a resin into a cavity through a runner and the resin reservoir to perform resin sealing; If, (2) a step of sealing resin and the resin reservoir portion resin to remove unnecessary resin otherwise in the remain in the lead frame from the lead frame, (3) an outer frame portion in the resin reservoir resin of the lead frame And c. Cutting out the semiconductor device so as to remain.
【請求項2】 樹脂封止部からタイバーまでの距離が必
要な外部リードの長さより長いリードフレームを用いる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方
法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a lead frame having a distance from the resin sealing portion to the tie bar is longer than a necessary length of the external lead.
【請求項3】 前記第(2)の工程が、ランナー部樹
脂をランナーブレークによりリードフレームより除去す
るサブ工程と、 高圧水の噴射等のバリ除去手段により
バリを除去するサブ工程と、を含んでいることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the step (2) is performed using a runner tree.
Remove grease from lead frame by runner break
Sub-steps, Deburring means such as high-pressure water injection
And a sub-step of removing burrs.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
【請求項4】 前記第(3)の工程に先立って外部リー
ドをリードフレームより切断し、前記第(3)の工程と
同時に外部リードを曲げ加工することを特徴とする請求
項1記載の半導体装置の製造方法。
4. The semiconductor according to claim 1, wherein the external lead is cut from the lead frame prior to the step (3), and the external lead is bent at the same time as the step (3). Device manufacturing method.
【請求項5】 外部リードの先端部を連結バーで接続し
た状態のまま前記第(3)の工程を行うとともに外部リ
ードの曲げ加工を行い、その後に個々の外部リードに切
断分離することを特徴とする請求項1記載の半導体装置
の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the step (3) is performed while the distal ends of the external leads are connected by a connecting bar, the external leads are bent, and then cut and separated into individual external leads. 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein
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