JP2000058733A - Resin sealing semiconductor device and its lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置およびそのリードフレームに関するものであり、更に
詳しくは、樹脂封止後の封止樹脂の端縁とタイバーとの
間の寸法を小とした樹脂封止型半導体装置およびそのリ
ードフレームに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device and a lead frame thereof. And a lead frame of the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置は、外界からの保護を目的と
して、一般的にはトランスファーモールド法によって樹
脂封止されて製品化されている。図３は一例としての樹
脂封止用金型の下型のチェイス３０と、そのキャビティ
ブロック４１にセットされる一方のリードフレーム１と
を示す概略的な部分斜視図である。なお、リードフレー
ム１上の複数の半導体装置１０は一点鎖線で囲い簡略化
して示している。すなわち、チェイス３０は複数のポッ
ト３２が一列にならぶセンターブロック３１と、その両
側に配置されたキャビティブロック４１からなり、キャ
ビティブロック４１には各ポット３２に対応する複数の
キャビティ４２が設けられている。そして、キャビティ
ブロック４１の表面には複数のパイロットピン４９が設
けられており、半導体装置をボンディングしたリードフ
レーム１がその位置決め孔９をパイロットピン４９に嵌
め込むことによって位置決めしてキャビティブロック４
１上にセットされ、半導体装置１０がそれぞれキャビテ
ィ４２内に収容される。そして、センターブロック３１
のポット３２に封止用の樹脂が投入されて上型が閉じら
れる。予熱されている金型の熱を受けて樹脂は溶融し、
図示しないプランジャーによって押圧されランナー３３
を経由してキャビティ４２内へ注入されることにより、
半導体装置１０が樹脂封止される。2. Description of the Related Art In general, semiconductor devices are commercialized by resin molding by a transfer molding method for the purpose of protection from the outside. FIG. 3 is a schematic partial perspective view showing a lower chase 30 of a resin-sealing mold as an example and one lead frame 1 set in a cavity block 41 thereof. Note that the plurality of semiconductor devices 10 on the lead frame 1 are shown in a simplified manner surrounded by a dashed line. That is, the chase 30 includes a center block 31 in which a plurality of pots 32 are arranged in a row, and cavity blocks 41 arranged on both sides thereof. The cavity block 41 is provided with a plurality of cavities 42 corresponding to each pot 32. . A plurality of pilot pins 49 are provided on the surface of the cavity block 41, and the lead frame 1 to which the semiconductor device is bonded is positioned by fitting the positioning holes 9 into the pilot pins 49, and the cavity block 4 is formed.
1, and the semiconductor devices 10 are housed in the cavities 42, respectively. And the center block 31
The sealing resin is put into the pot 32, and the upper mold is closed. The resin melts due to the heat of the preheated mold,
The runner 33 is pressed by a plunger (not shown).
Is injected into the cavity 42 via
The semiconductor device 10 is sealed with a resin.
【０００３】図４は樹脂封止が完了して金型から取り出
された一般的なリードフレーム１の部分斜視図であり、
ＱＦＰ（クォッド・フラット・パッケージ）タイプの半
導体装置を封止した封止樹脂２（以降、パッケージ２と
称する）がその端縁から外側へ延びるリード３によって
リードフレーム１の枠に連結された状態を示す。FIG. 4 is a partial perspective view of a general lead frame 1 taken out of a mold after resin sealing is completed.
A state in which a sealing resin 2 (hereinafter, referred to as a package 2) sealing a semiconductor device of a QFP (Quad Flat Package) type is connected to a frame of a lead frame 1 by a lead 3 extending outward from an edge thereof. Show.
【０００４】図５は図４における半導体装置が樹脂封止
されたパッケージ２の１個分を示す拡大斜視図である。
すなわち、パッケージ２は各端縁から延びるリード３に
よってリードフレーム１の枠に連結されており、リード
３はパッケージ２の端縁から若干離れた位置で直交する
タイバー４で連結されている。リード３のタイバー４か
らパッケージ２側の部分はインナーリード５、タイバー
４から外側の部分はアウターリード６と称される。そし
て、インナーリード５間においてパッケージ２の端縁と
タイバー４の内縁で囲われる部分には樹脂封止時に金型
の合わせ目から漏れる樹脂が固形化したダム樹脂７で埋
められている。この後、リードフレーム１はタイバー４
が切断され、アウターリード６の先端部が切断された
後、残るリード３が曲げ成形される。なお、リードフレ
ーム１は一般的には、インナーリード５とアウターリー
ド６とは同一の幅として製造されているものが多く、ま
た、パッケージ２の端縁からタイバー４の内縁までの寸
法は隣り合うインナーリード５間寸法と同等、またはそ
れ以上とされているものが多い。FIG. 5 is an enlarged perspective view showing one package 2 in which the semiconductor device in FIG. 4 is sealed with resin.
That is, the package 2 is connected to the frame of the lead frame 1 by the leads 3 extending from the respective edges, and the leads 3 are connected by tie bars 4 which are orthogonal to each other at a position slightly apart from the edges of the package 2. The portion of the lead 3 on the package 2 side from the tie bar 4 is called an inner lead 5, and the portion outside the tie bar 4 is called an outer lead 6. A portion between the inner leads 5 that is surrounded by the edge of the package 2 and the inner edge of the tie bar 4 is filled with solidified dam resin 7 that leaks from the joint of the mold during resin sealing. After this, the lead frame 1 is connected to the tie bar 4
Is cut, and after the tip of the outer lead 6 is cut, the remaining lead 3 is bent. In general, the lead frame 1 is generally manufactured so that the inner lead 5 and the outer lead 6 have the same width, and the dimensions from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 are adjacent to each other. In many cases, the distance between the inner leads 5 is equal to or larger than the distance between the inner leads 5.
【０００５】図８は従来例の一例としてのリードフレー
ム２１による樹脂封止型半導体装置のタイバー２４を切
断する前のパッケージ２の端縁部を拡大して示す平面図
である。インナーリード２５とアウターリード２６の幅
寸法Ａは同一の０．６ｍｍとされており、隣り合うイン
ナーリード２５の間の寸法、すなわち、ダム樹脂２７の
幅となる寸法Ｂは０．８ｍｍとされている。そして、パ
ッケージ２の端縁とタイバー２４の内縁との間の寸法Ｃ
は１．２ｍｍとされている。FIG. 8 is an enlarged plan view showing an edge portion of a package 2 before cutting a tie bar 24 of a resin-sealed semiconductor device using a lead frame 21 as an example of a conventional example. The width dimension A of the inner lead 25 and the outer lead 26 is the same 0.6 mm, and the dimension between the adjacent inner leads 25, that is, the dimension B that is the width of the dam resin 27 is 0.8 mm. I have. Then, a dimension C between the edge of the package 2 and the inner edge of the tie bar 24 is determined.
Is 1.2 mm.
【０００６】リードフレーム２１の種類によってインナ
ーリード２５間の寸法Ｂやパッケージ２の端縁とタイバ
ー２４の内縁との間の寸法Ｃが変わるとダム樹脂２７の
量は変わる。寸法Ｃの比較的大きいものは、ダム樹脂２
７のみをあらかじめ専用パンチで抜き落としてから、タ
イバー２４を切断することが多いが、寸法Ｃが小さくダ
ム樹脂２７の面積が小さいものはダム樹脂２７のみを抜
く専用パンチの適用に困難があるので、図８に示すよう
に、タイバー２４を切断する時に、同時にダム樹脂２７
を切断している。すなわち、タイバー２４は外形を一点
鎖線で示すようなパンチ８で切断される。パンチ８とイ
ンナーリード２５との間隔であり、パンチ８とアウター
リード２６との間隔でもある寸法Ｄはパンチ８関連の部
品精度、組立精度や樹脂封止後のインナーリード２５、
アウターリード２６の熱収縮による位置ずれ等を考慮し
て０．０５〜０．１ｍｍに設定されるが、図８において
は寸法Ｄは０．１ｍｍとして切断される場合を示してい
る。そして、図９は図８のタイバー２４をパンチ８によ
って切断した後の平面図であるが、パッケージ２の端縁
およびインナーリード２５の側縁にダム樹脂２７が付着
して残る。When the dimension B between the inner leads 25 and the dimension C between the edge of the package 2 and the inner edge of the tie bar 24 change depending on the type of the lead frame 21, the amount of the dam resin 27 changes. Those having a relatively large dimension C are dam resin 2
In many cases, the tie bar 24 is cut after only 7 is removed with a dedicated punch in advance, but it is difficult to apply a dedicated punch for removing only the dam resin 27 when the dimension C is small and the area of the dam resin 27 is small. As shown in FIG. 8, when the tie bar 24 is cut, the dam resin 27 is simultaneously cut.
Is disconnected. That is, the tie bar 24 is cut by the punch 8 whose outer shape is indicated by a dashed line. The dimension D, which is the distance between the punch 8 and the inner lead 25 and the distance between the punch 8 and the outer lead 26, is the precision of the parts related to the punch 8, the assembly precision, the inner lead 25 after resin sealing,
The distance is set to 0.05 to 0.1 mm in consideration of a displacement or the like due to thermal contraction of the outer lead 26, but FIG. 8 shows a case where the dimension D is cut at 0.1 mm. FIG. 9 is a plan view after the tie bar 24 of FIG. 8 is cut by the punch 8, but the dam resin 27 adheres and remains on the edge of the package 2 and the side edge of the inner lead 25.
【０００７】なお、タイバーの切断に関して、特開平６
−６９３９５号公報の「樹脂封止型半導体装置とリード
フレーム」には、図１０に示すように、インナーリード
５５の幅をアウターリード５６の幅よりも大にしたリー
ドフレーム５１が開示されている。すなわち、インナー
リード５５とアウターリード５６との幅が同一である
と、タイバーの切断後にインナーリード５５の側面にダ
ム樹脂が残り、次にリードをメッキする時に、その残っ
たダム樹脂にもメッキされる。そして、その後のリード
の成形、輸送等により、対向するインナーリード５５の
側面に残っていたダム樹脂が脱落すると、それらのメッ
キが互いに接触して短絡するので、その短絡を防ぐべ
く、図１０に示すように、アウターリード５６よりも幅
の広いインナーリード５５が樹脂封止後のダム樹脂５７
と共に示されている。そして、図１１は図１０のタイバ
ー５４を一点鎖線で示すように切断した後を示す図であ
り、インナーリード５５の側面にダム樹脂５７が残らな
いので電気的短絡を防ぐことができるとしてる。[0007] Regarding the cutting of tie bars,
As shown in FIG. 10, a lead frame 51 in which the width of an inner lead 55 is larger than the width of an outer lead 56 is disclosed in “Resin-Encapsulated Semiconductor Device and Lead Frame” of JP-69395. . That is, if the widths of the inner lead 55 and the outer lead 56 are the same, dam resin remains on the side surface of the inner lead 55 after cutting the tie bar, and when the lead is next plated, the remaining dam resin is also plated. You. Then, when the dam resin remaining on the side surface of the opposed inner lead 55 drops due to the subsequent molding and transportation of the lead, the platings come into contact with each other to cause a short circuit. As shown, the inner lead 55 wider than the outer lead 56 is
Are shown with FIG. 11 is a view showing a state after the tie bar 54 of FIG. 10 is cut as shown by a dashed line. Since the dam resin 57 does not remain on the side surface of the inner lead 55, an electrical short circuit can be prevented.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来例としての図８に
示したようなリードフレーム２１では、一点鎖線で示す
パンチ８によってタイバー２４を切断すると、図９に示
すように、同時にダム樹脂２７を切断線（ｐ2 ＋ｑ＋ｐ
2 ）で切断することになるが、ダム樹脂２７、すなわち
封止樹脂には一般的にはガラス繊維が充填材として添加
されているために、銅またはニッケル・鉄合金からなる
タイバー２４のみを切断する場合と比較して、パンチ８
は切断線ｐ2 に相当する部分の摩損が激しく、切断線ｐ
2 が長い場合にはパンチ８の寿命が極めて短くなる。In the conventional lead frame 21 as shown in FIG. 8, when the tie bar 24 is cut by the punch 8 shown by a dashed line, the dam resin 27 is simultaneously removed as shown in FIG. Cutting line (p 2 + q + p
Since the dam resin 27, that is, the sealing resin, is generally filled with glass fiber as a filler, only the tie bar 24 made of copper or nickel-iron alloy is cut. Punch 8
Is severely abraded at a portion corresponding to the cutting line p 2, and the cutting line p 2
When the length 2 is long, the life of the punch 8 becomes extremely short.
【０００９】また、図９に示したタイバー２４の切断後
に残るダム樹脂２７は、リード２３の曲げ成形時に脱落
して、リード２３の上や曲げダイの上へ落下し、曲げパ
ンチとリード２３との間、リ−ド２３と曲げダイとの間
に挟まれて押し潰され、それが原因となって曲げ成形さ
れたリード２３の形状不良を招いており、その外観検査
に多大の工数を要している。なお、先行技術として挙げ
た特開平６−６９３９５号公報によるリードフレームは
タイバー切断後にパッケージに付着して残るダム樹脂量
を低減させることを意図するものではない。The dam resin 27 remaining after the cutting of the tie bar 24 shown in FIG. 9 falls off during the bending of the lead 23 and falls on the lead 23 or on the bending die. During this time, the lead 23 is pinched and crushed between the lead 23 and the bending die, which results in a defective shape of the bent lead 23, which requires a large number of man-hours for visual inspection. are doing. The lead frame disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-69395 as a prior art is not intended to reduce the amount of dam resin remaining on the package after cutting the tie bar.
【００１０】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、タイ
バーの切断時におけるダム樹脂の切断線の長さを可及的
に短くして、切断用のパンチを長寿命化し得る樹脂封止
型半導体装置およびそのリードフレームを提供すること
を課題とする。また、タイバーの切断後にインナーリー
ドおよびパッケージに付着して残るダム樹脂量を可及的
に少量とし、リードの曲げ成形時に脱落するダム樹脂に
よってリードの形状不良を招かない樹脂封止型半導体装
置およびそのリードフレームを提供することを課題とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has a resin-sealed semiconductor capable of shortening the length of a cutting line of a dam resin at the time of cutting a tie bar as much as possible to extend the life of a cutting punch. It is an object to provide a device and a lead frame thereof. In addition, a resin-encapsulated semiconductor device in which the amount of dam resin remaining on the inner leads and the package after cutting the tie bar is made as small as possible, and the shape of the leads is not degraded due to the dam resin falling off during bending of the leads, and It is an object to provide such a lead frame.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１お
よび請求項２の構成よって解決されるが、その解決手段
を説明すれば、請求項１の発明による樹脂封止型半導体
装置は、樹脂封止後の、封止樹脂の端縁から外側へ延び
る複数のリードがその途中においてリ−ド直交するタイ
バーによって連結されており、隣り合うリ−ド間におい
て封止樹脂の端縁からタイバーの内縁までの間がダム樹
脂で埋められている状態において、封止樹脂の端縁から
タイバーの内縁までの寸法が０．４ｍｍ以下で０．２ｍ
ｍ以上の範囲内となる形状のリードフレームによって樹
脂封止されており、タイバーの切断時に同時に切断され
るダム樹脂の切断線を短かくし、タイバーの切断後に残
るダム樹脂が少量化されている。Means for Solving the Problems The above-mentioned problems can be solved by the constitutions of claim 1 and claim 2. To solve the problem, a resin-sealed semiconductor device according to the invention of claim 1 is: A plurality of leads extending outward from the edge of the sealing resin after resin sealing are connected in the middle by tie bars orthogonal to the leads, and tie bars are provided between the adjacent leads from the edge of the sealing resin. Dimensions from the edge of the sealing resin to the inner edge of the tie bar are 0.4 mm or less and 0.2 m
m, the resin is sealed by a lead frame having a shape within the range of m or more, the cutting line of the dam resin cut at the same time as the cutting of the tie bar is shortened, and the dam resin remaining after the cutting of the tie bar is reduced.
【００１２】このような樹脂封止型半導体装置は、タイ
バーの切断時に同時に切断されるダム樹脂の切断線が短
い分だけパンチの摩損が少くなりパンチを長寿命化させ
る。また、タイバーの切断時に主として封止樹脂の端縁
に残るダム樹脂は、その後のリードの曲げ成形時に脱落
せず、リード形状不良品を発生させない。In such a resin-encapsulated semiconductor device, the wear of the punch is reduced and the life of the punch is reduced because the cut line of the dam resin cut at the same time as the tie bar is cut is reduced. In addition, the dam resin remaining mainly at the edge of the sealing resin when the tie bar is cut does not fall off during the subsequent bending of the lead, and does not generate a defective lead shape.
【００１３】また、請求項２の発明によるリードフレー
ムは、樹脂封止後の、封止樹脂の端縁から外側へ延びる
複数のリードがその途中においてリードと直交するタイ
バーによって連結されており、隣り合うリ−ド間におい
て封止樹脂の端縁からタイバーの内縁までの間がダム樹
脂で埋められている状態において、封止樹脂の端縁から
タイバーの内縁までの寸法を０．４ｍｍ以下で０．２ｍ
ｍ以上の範囲内とする形状を有するものであり、タイバ
ーの切断時に同時に切断されるダム樹脂の切断線を短か
くし、かつタイバーの切断後に残るダム樹脂を少量化さ
せる。In the lead frame according to the second aspect of the present invention, a plurality of leads extending outward from an edge of the sealing resin after resin sealing are connected in the middle by tie bars orthogonal to the leads. In the state in which the gap between the edge of the sealing resin and the inner edge of the tie bar is filled with the dam resin between the fitting leads, the dimension from the edge of the sealing resin to the inner edge of the tie bar is 0.4 mm or less and 0 mm. .2m
m or more, so that the cutting line of the dam resin cut at the same time as the cutting of the tie bar is shortened, and the dam resin remaining after the cutting of the tie bar is reduced.
【００１４】このようなリードフレームは、タイバーの
切断時に同時に切断されるダム樹脂の切断線が短い分だ
けパンチの摩損を抑制し、パンチを長寿命化させる。ま
た、タイバーの切断時に主として封止樹脂の端縁に少量
残るダム樹脂は、その後のリードの曲げ成形時に脱落せ
ず、リード形状の不良品を発生させない。[0014] In such a lead frame, the wear of the punch is suppressed because the cutting line of the dam resin cut at the same time as the cutting of the tie bar is short, and the life of the punch is extended. In addition, a small amount of dam resin that mainly remains at the edge of the sealing resin when cutting the tie bar does not fall off during the subsequent bending of the lead, and does not generate defective leads.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置
は、樹脂封止された半導体装置の端縁、すなわちパッケ
ージの端縁から外側へ延びる複数のリードが途中におい
てリ−ドと直交するタイバーによって連結されており、
隣り合うリ−ド間におけるパッケージの端縁からタイバ
ーの内縁までの間がダム樹脂で埋められている状態にお
いて、パッケージの端縁からタイバーの内縁までの寸法
を０．４ｍｍ以下で０．２ｍｍ以上の範囲内とする形状
のリードフレームによって樹脂封止される。このパッケ
ージの端縁からタイバーの内縁までの寸法の下限の０．
２ｍｍは、半導体装置が樹脂封止される場合における各
種の公差に基づいて設定される値である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, a plurality of leads extending outward from an edge of a resin-sealed semiconductor device, that is, an edge of a package, are orthogonal to a lead in the middle. Connected by tie bars,
In the state where the space between the edge of the package and the inner edge of the tie bar between the adjacent leads is filled with dam resin, the dimension from the edge of the package to the inner edge of the tie bar is 0.4 mm or less and 0.2 mm or more. Is resin-sealed by a lead frame having a shape within the range described above. The lower limit of the dimension from the edge of this package to the inner edge of the tie bar is 0.
2 mm is a value set based on various tolerances when the semiconductor device is sealed with resin.
【００１６】図６は樹脂封止の完了した本発明における
代表例のリードフレーム１を使用して樹脂封止された樹
脂封止型半導体装置の部分平面図であり、従来例の図８
に対応する図である。半導体装置が樹脂封止されたパッ
ケージ２の端縁から外側へリード３が延びており、その
途中でリード３は直交するタイバー４で連結され、隣り
合うインナーリード５間においてパッケージ２の端縁か
らタイバー４までの間がダム樹脂７が埋められている。
そして、従来例と異なるところは、パッケージ２の端縁
からタイバー４の内縁までの寸法Ｃが０．４ｍｍ以下で
０．２ｍｍ以上の範囲内に入るリードフレーム１を使用
していることにある。FIG. 6 is a partial plan view of a resin-encapsulated semiconductor device which is resin-encapsulated using a typical lead frame 1 of the present invention after resin encapsulation.
FIG. The lead 3 extends outward from the edge of the package 2 in which the semiconductor device is resin-sealed, and the leads 3 are connected by orthogonal tie bars 4 in the middle of the lead 2, and between the adjacent inner leads 5 from the edge of the package 2. The dam resin 7 is buried between the tie bars 4.
The difference from the conventional example is that the lead frame 1 is used in which the dimension C from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 falls within the range of 0.4 mm or less and 0.2 mm or more.
【００１７】この場合において、インナーリード５上に
おけるパッケージ２の端縁位置、換言すれば、パッケー
ジ２の端縁からリード３を連結しているタイバー４の内
縁までの寸法Ｃを考えるに、図３に示したリードフレー
ム１の位置決め孔９には孔径の公差があり、パイロット
ピン４９にはその外径の公差がある。また、図４におけ
る各パッケージ２は公差の範囲内でサイズが異なる。す
なわち、図６のパッケージ２の端縁からタイバー４の内
縁までの寸法Ｃはそれぞれの公差の和の範囲内で変動す
ることになる。そして、それらの公差は表１のように設
定されている。In this case, considering the position of the edge of the package 2 on the inner lead 5, that is, the dimension C from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 connecting the lead 3, FIG. The positioning hole 9 of the lead frame 1 has a tolerance of the hole diameter, and the pilot pin 49 has a tolerance of the outside diameter. Further, each package 2 in FIG. 4 has a different size within a range of tolerance. That is, the dimension C from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 in FIG. 6 varies within the range of the sum of the respective tolerances. These tolerances are set as shown in Table 1.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】すなわち、表１において、（＋）側の絶対
値は｜＋０．０５＋０＋０．０５｜＝０．１（ｍｍ）、
（−）側の絶対値は｜−０−０．０２−０．０５｜＝
０．０７（ｍｍ）であるから、最大０．１７ｍｍの変動
があることになる。このほかに金型のセットずれを考慮
すると、パッケージ２の端縁からタイバー４の内縁まで
の寸法Ｃは少なくとも０．２ｍｍ以上であることを必要
とし、０．２ｍｍ未満ではタイバー４の切断時にパンチ
８がパッケージ２を損傷させる場合を生ずるようにな
る。すなわち、０．２ｍｍは下限の寸法である。また、
上限の寸法はパンチ８の位置に余裕を持たせて、０．２
ｍｍの２倍の０．４ｍｍとすることが望ましい。That is, in Table 1, the absolute value on the (+) side is | + 0.05 + 0 + 0.05 | = 0.1 (mm),
The absolute value on the (-) side is | -0-0.02-0.05 | =
Since it is 0.07 (mm), there is a maximum variation of 0.17 mm. In addition, in consideration of the misalignment of the mold, the dimension C from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 needs to be at least 0.2 mm. 8 causes the package 2 to be damaged. That is, 0.2 mm is the lower limit dimension. Also,
The upper limit dimension is 0.2
It is desirable to set it to 0.4 mm which is twice as large as mm.
【００２０】そして、図６に示すように、パンチ８があ
てがわれて、タイバー４が切断されるが、タイバー４の
切断後の平面図である図７を参照して、タイバー４の切
断時に同時に切断されるダム樹脂７の切断線（ｐ＋ｑ＋
ｐ）は、従来例の場合と比較して、線分ｐが線分ｐ2 よ
りも大幅に短くなり、パンチ８を長寿命化させる。そし
て切断後には主としてパッケージ２の端縁に付着して少
量のダム樹脂７が残るが、その絶対量が少なくなってい
ることに加えて、パッケージ２の端縁に付着するダム樹
脂７はリード３の曲げ成形時に脱落しにくく、リード３
の成形不良を発生させない。なお、図６のＱＦＰタイプ
の樹脂封止型半導体装置にあっては、リード３の幅寸法
Ａは０．５〜１．０ｍｍ程度のもの、リード３間の間隔
Ｂは０．２〜１．０ｍｍの程度のものが採用されている
が、本発明の樹脂封止型半導体装置およびそのリードフ
レームはこれらの寸法には関係なく適用される。Then, as shown in FIG. 6, the tie bar 4 is cut by applying the punch 8. Referring to FIG. 7 which is a plan view after the tie bar 4 is cut, when the tie bar 4 is cut, The cutting line (p + q +
p), compared with the conventional example, the line segment p becomes considerably shorter than the line segment p 2, to the punch 8 long life. After cutting, a small amount of the dam resin 7 remains mainly on the edge of the package 2, but the absolute amount of the dam resin 7 is small. Hard to fall off during bending of lead, lead 3
Does not cause molding failure. In the QFP type resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 6, the width A of the lead 3 is about 0.5 to 1.0 mm, and the interval B between the leads 3 is 0.2 to 1. Although a size of about 0 mm is adopted, the resin-sealed semiconductor device of the present invention and its lead frame are applied irrespective of these dimensions.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置および
そのリードフレームを実施例により、図面を参照して、
具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a resin-sealed semiconductor device and a lead frame of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
This will be specifically described.
【００２２】（実施例１）図１は本発明の樹脂封止型半
導体装置１１の樹脂封止が完了した直後の部分拡大平面
図であり、従来例の図８に対応する図である。すなわ
ち、半導体装置のパッケージ２の端縁から外側へリード
１３（インナーリード１５とアウターリード１６）が延
びており、リード１３がタイバー１４で連結されている
構成は従来例の場合と同様であり、インナーリード１５
とアウターリード１６の幅寸法Ａは同一の０．６ｍｍと
され、隣り合うインナーリード１５間の寸法、すなわ
ち、隣り合うアウターリード１６間の寸法Ｂは０．８ｍ
ｍとされている。実施例１の樹脂封止型半導体装置が従
来例と異なるところは、パッケージ２の端縁からタイバ
ー４の内縁までの寸法Ｃが０．２ｍｍと極度に小さくさ
れていることにある。従って、パッケージ２のインナー
リード１５間に漏出しタイバー１４でせき止められたダ
ム樹脂１７の量は極度に少量となっている。そして、一
点鎖線で示すようにパンチ８があてがわれてタイバー１
４が切断され、同時にダム樹脂１７も切断される。Embodiment 1 FIG. 1 is a partially enlarged plan view of a resin-sealed semiconductor device 11 of the present invention immediately after resin sealing is completed, and corresponds to FIG. 8 of a conventional example. That is, the lead 13 (the inner lead 15 and the outer lead 16) extends outward from the edge of the package 2 of the semiconductor device, and the configuration in which the lead 13 is connected by the tie bar 14 is the same as that of the conventional example. Inner lead 15
And the width A of the outer lead 16 is the same 0.6 mm, and the dimension between the adjacent inner leads 15, that is, the dimension B between the adjacent outer leads 16 is 0.8 m.
m. The difference of the resin-sealed semiconductor device of the first embodiment from the conventional example is that the dimension C from the edge of the package 2 to the inner edge of the tie bar 4 is extremely reduced to 0.2 mm. Therefore, the amount of the dam resin 17 blocked by the leakage tie bar 14 between the inner leads 15 of the package 2 is extremely small. Then, as shown by the dashed line, the punch 8 is applied to the tie bar 1.
4 is cut, and at the same time, the dam resin 17 is also cut.
【００２３】図２はタイバー１４を切断した後の樹脂封
止型半導体装置１１の平面図である。この時のダム樹脂
１７のパンチ８による切断線（ｐ1 ＋ｑ＋ｐ1 ）の内の
ｐ1の長さは０．１ｍｍであり、従来例の場合のｐ2 の
０．６ｍｍと比較して大幅に短縮され、従って、パンチ
８の摩耗が少なくなり、パンチ８の寿命が大幅に延長さ
れる。また、図２と、これに対応する従来例のタイバー
切断後の図８とを比較して明らかなように、実施例にお
けるダム樹脂１７の残留量は従来例の場合におけるダム
樹脂２７の残留量の１７％以下となるほか、パッケージ
２の端縁に付着しているダム樹脂１７はリード３の曲げ
成形時に脱落しにくく、リードの形状不良品を発生させ
ない。FIG. 2 is a plan view of the resin-sealed semiconductor device 11 after the tie bar 14 has been cut. At this time, the length of p 1 in the cutting line (p 1 + q + p 1 ) of the dam resin 17 by the punch 8 is 0.1 mm, which is significantly larger than the p 2 of 0.6 mm in the conventional example. Therefore, the wear of the punch 8 is reduced, and the life of the punch 8 is greatly extended. As is apparent from a comparison between FIG. 2 and FIG. 8 corresponding to the conventional example after cutting the tie bar, the residual amount of the dam resin 17 in the embodiment is the residual amount of the dam resin 27 in the conventional example. In addition, the dam resin 17 adhering to the edge of the package 2 does not easily fall off when the lead 3 is formed by bending, and does not generate a defective lead shape.
【００２４】本実施の形態の樹脂封止型半導体装置およ
びそのリードフレームは以上の様に構成され作用する
が、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明の
技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。The resin-encapsulated semiconductor device and its lead frame according to the present embodiment are constructed and operated as described above. Of course, the present invention is not limited to this, and is based on the technical idea of the present invention. Various modifications are possible.
【００２５】例えば本実施の形態においては、ＱＦＰタ
イプの樹脂封止型半導体装置１０を例示したが、本発明
の樹脂封止型半導体装置およびそのリードフレームはこ
れ以外のタイプの樹脂封止型半導体装置、例えば、ＳＯ
Ｐ（スモール・アウトライン・パケージ）タイプやＤＩ
Ｐ（デュアル・インライン・パケージ）タイプの樹脂封
止型半導体装置、およびそれらに使用されるリードフレ
ームにも適用される。For example, in this embodiment, the resin-sealed semiconductor device 10 of the QFP type has been exemplified. However, the resin-sealed semiconductor device of the present invention and its lead frame may be any other type of resin-sealed semiconductor device. Device, for example SO
P (small outline package) type and DI
The present invention is also applied to a P (dual in-line package) type resin-encapsulated semiconductor device and a lead frame used therein.
【００２６】また本実施の形態においては、インナーリ
ード５とアウターリード６との幅が同一の０．６ｍｍで
ある場合を例示したが、インナーリード５の幅がアウタ
ーリード６の幅よりも大である場合、例えば、インナー
リード５の幅が０．９ｍｍであり、アウターリード６の
幅が０．６ｍｍであるような場合、または逆に、インナ
ーリード５の幅が小である場合にも、本発明の樹脂封止
型半導体装置およびそのリードフレームは同様に適用さ
れる。Further, in the present embodiment, the case where the width of the inner lead 5 and the outer lead 6 is the same of 0.6 mm has been exemplified, but the width of the inner lead 5 is larger than the width of the outer lead 6. In some cases, for example, when the width of the inner lead 5 is 0.9 mm and the width of the outer lead 6 is 0.6 mm, or conversely, the width of the inner lead 5 is small, The resin-sealed semiconductor device of the invention and its lead frame are similarly applied.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置およびそ
のリードフレームは上述したような形態で実施され、以
下に述べるような効果を奏する。The resin-sealed semiconductor device of the present invention and its lead frame are implemented in the above-described embodiment, and have the following effects.
【００２８】本発明の請求項１の発明の樹脂封止型半導
体装置によれば、タイバー切断時におけるダム樹脂の切
断線が短く切断用のパンチが長寿命化され、タイバー切
断後に残るダム樹脂量が極小化され、リードの曲げ成形
時に脱落するダム樹脂によるリードの形状不良品の発生
が解消されるので、外観検査を不要にする。According to the resin-encapsulated semiconductor device of the first aspect of the present invention, the cutting line of the dam resin at the time of cutting the tie bar is short, the life of the cutting punch is extended, and the amount of dam resin remaining after cutting the tie bar is reduced. Is minimized, and the occurrence of defects in lead shape due to the dam resin that falls off during lead bending is eliminated, so that appearance inspection is not required.
【００２９】また請求項２の発明のリードフレームによ
れば、半導体装置を固定し樹脂封止して得られる樹脂封
止型半導体装置のタイバー切断時における切断線を短く
して切断用パンチを長寿命化させ、タイバー切断後に残
るダム樹量を極小化させるので、リードの曲げ成形時に
脱落するダム樹脂によるリードの形状不良の発生を皆無
にし、外観検査を不要にする。According to the lead frame of the second aspect of the present invention, the cutting line at the time of cutting the tie bar of the resin-encapsulated semiconductor device obtained by fixing the semiconductor device and encapsulating the resin is shortened so that the cutting punch can be extended. Since the life is extended and the amount of the dam tree remaining after cutting the tie bar is minimized, the occurrence of defective shape of the lead due to the dam resin falling off at the time of bending the lead is eliminated, and the appearance inspection is not required.
【図１】実施例１の樹脂封止型半導体装置のタイバーを
切断する前の部分平面図である。FIG. 1 is a partial plan view of a resin-sealed semiconductor device according to a first embodiment before a tie bar is cut.
【図２】同装置のタイバーを切断した後の部分平面図で
ある。FIG. 2 is a partial plan view of the apparatus after cutting a tie bar.
【図３】樹脂封止用金型（下型）のチェイスとリードフ
レームとの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a chase of a resin sealing mold (lower mold) and a lead frame.
【図４】樹脂封止後のリードフレームの部分斜視図であ
る。FIG. 4 is a partial perspective view of the lead frame after resin sealing.
【図５】同リードフレームの樹脂封止型半導体装置１個
分の拡大斜視図である。FIG. 5 is an enlarged perspective view of one lead-sealed semiconductor device of the lead frame.
【図６】本発明における代表的な樹脂封止型半導体装置
のタイバーを切断する前の部分平面図である。FIG. 6 is a partial plan view before cutting a tie bar of a typical resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention.
【図７】同装置のタイバーを切断した後の部分平面図で
ある。FIG. 7 is a partial plan view of the apparatus after cutting a tie bar.
【図８】従来例の樹脂封止型半導体装置のタイバー切断
前の部分平面図である。FIG. 8 is a partial plan view of a conventional resin-sealed semiconductor device before cutting a tie bar.
【図９】同装置のタイバー切断後の部分平面図である。FIG. 9 is a partial plan view of the same device after cutting the tie bar.
【図１０】先行技術の樹脂封止型半導体装置のタイバー
切断前の部分平面図である。FIG. 10 is a partial plan view of a prior art resin-sealed semiconductor device before tie-bar cutting.
【図１１】同装置のタイバー切断後の部分平面図であ
る。FIG. 11 is a partial plan view of the same device after cutting the tie bar.
１、１１……リードフレーム、２……パッケージ、３、
１３……リード、４、１４……タイバー、５、１５……
インナーリード、６、１６……アウターリード、７、１
７……ダム樹脂、８……パンチ。1, 11 ... lead frame, 2 ... package 3,
13 ... lead, 4,14 ... tie bar, 5,15 ...
Inner lead, 6, 16 ... Outer lead, 7, 1
7 ... dam resin, 8 ... punch.
Claims (2)
封止された樹脂封止型半導体装置において、 樹脂封止後の、封止樹脂の端縁から外側へ延びる複数の
リードがその途中において前記リードと直交するタイバ
ーによって連結されており、隣り合う前記リード間の前
記封止樹脂の端縁から前記タイバーの内縁までの間がダ
ム樹脂で埋められている状態にある時に、 前記封止樹脂の端縁から前記タイバーの内縁までの寸法
が０．４ｍｍ以下で０．２ｍｍ以上の範囲内に入る形状
の前記リードフレームによって樹脂封止されており、 前記タイバーの切断時に同時に切断される前記ダム樹脂
の切断線が短かくされ、かつ前記タイバーの切断後に残
る前記ダム樹脂が少量化されていることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。1. A resin-sealed semiconductor device bonded to a lead frame and sealed with a resin, wherein a plurality of leads extending outward from an edge of the sealing resin after resin sealing are orthogonal to the leads in the middle thereof. Are connected by a tie bar, and when the space between the edge of the sealing resin between the adjacent leads and the inner edge of the tie bar is in a state of being filled with dam resin, from the edge of the sealing resin A cutting line of the dam resin, which is sealed with the lead frame having a shape in which a dimension up to an inner edge of the tie bar falls within a range of 0.4 mm or less and 0.2 mm or more, and is cut at the same time as the tie bar is cut. Wherein the dam resin remaining after cutting the tie bar is reduced in a small amount.
るためのリードフレームにおいて、 樹脂封止後の、封止樹脂の端縁から外側へ延びる複数の
リードがその途中において前記リードと直交するタイバ
ーによって連結されており、隣り合う前記リード間の前
記封止樹脂の端縁から前記タイバーの内縁までの間がダ
ム樹脂で埋められている状態にある時に、 前記封止樹脂の端縁から前記タイバーの内縁までの寸法
を０．４ｍｍ以下で０．２ｍｍ以上の範囲内に入る形状
を有しており、 前記タイバーの切断時に同時に切断される前記ダム樹脂
の切断線を短かくし、かつ前記タイバーの切断後に残る
前記ダム樹脂を少量化させることを特徴とするリードフ
レーム。2. A lead frame for bonding and sealing a semiconductor device with a resin, wherein a plurality of leads extending outward from an edge of the sealing resin after the resin sealing are formed by tie bars orthogonal to the leads in the middle thereof. Are connected to each other, when the space between the edge of the sealing resin between the adjacent leads and the inner edge of the tie bar is filled with dam resin, It has a shape in which the dimension up to the inner edge falls within the range of 0.4 mm or less and 0.2 mm or more, shortens the cutting line of the dam resin that is cut simultaneously with the cutting of the tie bar, and cuts the tie bar. A lead frame, wherein the amount of the remaining dam resin is reduced.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218418A JP2000058733A (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Resin sealing semiconductor device and its lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218418A JP2000058733A (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Resin sealing semiconductor device and its lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058733A true JP2000058733A (en) | 2000-02-25 |
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ID=16719612
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| JP10218418A Pending JP2000058733A (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Resin sealing semiconductor device and its lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058733A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853057B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lead frame for a plastic encapsulated semiconductor device |
| US8859338B2 (en) | 2012-06-25 | 2014-10-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP10218418A patent/JP2000058733A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8859338B2 (en) | 2012-06-25 | 2014-10-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
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