JP2959874B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents

Lead frame manufacturing method

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JP2959874B2 JP3161813A JP16181391A JP2959874B2 JP 2959874 B2 JP2959874 B2 JP 2959874B2 JP 3161813 A JP3161813 A JP 3161813A JP 16181391 A JP16181391 A JP 16181391A JP 2959874 B2 JP2959874 B2 JP 2959874B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の電子制
御装置を組み立てる際に使用されるリードフレームの製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame used when assembling an electronic control unit such as a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置を組み立てる際に使用される
リードフレームは、金属薄板をエッチングやスタンピン
グにより加工することにより製造される。このリードフ
レームは、搭載する半導体素子等の電子制御部品または
外部回路に接続される所定数のリードを有しており、金
属薄板から形成されることにより、それらのリードは導
電性を有している。このリードフレームに半導体素子等
の電子制御部品を搭載し樹脂により封止することによ
り、半導体装置等の電子制御装置のパッケージが形成さ
れる。
2. Description of the Related Art A lead frame used in assembling a semiconductor device is manufactured by processing a thin metal plate by etching or stamping. This lead frame has a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit, and these leads have conductivity by being formed from a thin metal plate. I have. A package of an electronic control device such as a semiconductor device is formed by mounting an electronic control component such as a semiconductor element on the lead frame and sealing it with a resin.

【0003】ところで、このリードフレームを用いたパ
ッケージにおいては、リードと電子制御部品の電極とが
ワイヤにより電気的に接続されるようになっているが、
その場合リードの表面に部分的に絶縁性を持たせる必要
がある場合が生じる。例えば前述のようなパッケージと
して、近年LOC(Lead On Chip)構造やCOL(Chip
On Lead)構造と呼ばれる従来のパッケージ構造とは異
なり、半導体素子を搭載するアイランドのない構造のパ
ッケージが開発されているが、その一例としてLOC構
造のパッケージについて図8(a)及び(b)を用いて
説明する。
In a package using this lead frame, the leads and the electrodes of the electronic control parts are electrically connected by wires.
In this case, it may be necessary to partially insulate the surface of the lead. For example, recently, as a package as described above, a LOC (Lead On Chip) structure or a COL (Chip)
Unlike a conventional package structure called an “On Lead” structure, a package having a structure without an island on which a semiconductor element is mounted has been developed. As an example, FIGS. 8A and 8B show a package having a LOC structure. It will be described using FIG.

【0004】同図から明らかなように、このLOC構造
のパッケージ1は、半導体素子2の上にリードフレーム
3のインナーリード3aの先端及び電源用として用いら
れるバスバーリード3bが、ポリイミドフィルムからな
る絶縁性フィルム4とその両面に設けられた熱硬化性あ
るいは熱可塑性接着剤5,6とからなる両面テープによ
り接合されていると共に、これら各リード3a,3bは
それぞれ半導体素子2の対応する各電極2aとワイヤ7
により電気的に接続され、この状態で半導体素子2及び
各リード3a,3bの一部が樹脂8により封止されて構
成されている。このようなLOC構造のパッケージ1に
おいては、インナーリード3aと半導体素子2の電極2
aとがワイヤ7によりバスバーリード3bを跨いで接続
されることになる。このためワイヤ7とバスバーリード
3bとがショートしないようにしなければならない。し
たがって、図9に示すようにバスバーリード3bの表面
には部分的にきわめて小さい範囲で絶縁性を必要とする
部分Aが存在する。
As is apparent from FIG. 1, the package 1 having the LOC structure has a semiconductor element 2 in which a tip of an inner lead 3a of a lead frame 3 and a bus bar lead 3b used for a power supply are made of an insulating film made of a polyimide film. The leads 3a and 3b are connected to the corresponding electrodes 2a of the semiconductor element 2 by a double-sided tape made of a conductive film 4 and thermosetting or thermoplastic adhesives 5 and 6 provided on both surfaces thereof. And wire 7
In this state, the semiconductor element 2 and a part of each of the leads 3 a and 3 b are sealed with a resin 8. In the package 1 having such a LOC structure, the inner leads 3a and the electrodes 2 of the semiconductor element 2 are provided.
a is connected by the wire 7 across the bus bar lead 3b. For this reason, it is necessary to prevent the short circuit between the wire 7 and the bus bar lead 3b. Therefore, as shown in FIG. 9, there is a portion A requiring insulation in a very small area on the surface of the bus bar lead 3b.

【0005】リードフレームのリード表面に絶縁性を持
たせる方法として、従来は次のような方法が採られてい
る。すなわち、図10に示すように例えば半導体素子2
を搭載するアイランド3′cの周辺にインナーリード
3′aの先端が配設された従来一般的な多ピンのリード
フレーム3′において、輸送時等にインナーリード3′
aが変形することを防止するためにそれらインナーリー
ド3′aを固定する目的で、従来ポリイミドフィルムに
熱硬化性接着剤を塗布したリード固定用テープ8をイン
ナーリード3′a上に張り付けている。このリード固定
用テープ8は各インナーリード3′aとの間の電気的に
接続を防止するために絶縁性を有しており、したがって
このリード固定用のテープ8によりインナーリード3′
a表面に絶縁部が形成される。このように、従来はリー
ド固定用テープ8によりインナーリード3′a表面に絶
縁性を持たせている。
Conventionally, the following method has been adopted as a method for imparting insulation to the lead surface of a lead frame. That is, as shown in FIG.
In a conventional general multi-pin lead frame 3 'in which the tip of the inner lead 3'a is disposed around the island 3'c on which the
For the purpose of fixing the inner leads 3'a in order to prevent the deformation of the inner leads 3'a, a lead fixing tape 8 in which a thermosetting adhesive is applied to a conventional polyimide film is adhered on the inner leads 3'a. . The lead fixing tape 8 has an insulating property to prevent electrical connection with each of the inner leads 3'a. Therefore, the lead fixing tape 8 has the inner leads 3 '.
An insulating portion is formed on the surface a. As described above, the surface of the inner leads 3'a is conventionally made to have insulation by the lead fixing tape 8.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の絶縁性を持たせる方法では、フィルムの打ち
抜きが所定の精度を確保するために、現在は2mm□のフ
ィルムまでの打ち抜きが限界であり、それ以上の小さな
フィルムの打ち抜きは実用上ほとんど不可能である。し
かも、フィルムが小さくなるほど、フィルムの張り付け
の位置精度が悪くなり、現在ではフィルムの張り付け位
置精度は±0.3mmが限界となっている。このように、
絶縁フィルムからなるリード固定用テープ8を張り付け
る従来の方法では、フィルム打ち抜き精度及びフィルム
張り付け精度の問題があり、前述のようなLOC構造の
リードフレームにおいてリード表面の一部にきわめて小
さな範囲で絶縁性を持たせることはほとんど不可能であ
る。
However, in such a conventional method of imparting insulation, the punching of a film is currently limited to 2 mm square in order to ensure a predetermined accuracy. Punching of smaller films than that is practically impossible. In addition, as the film becomes smaller, the positional accuracy of the film attachment becomes worse. At present, the positional accuracy of the film attachment is limited to ± 0.3 mm. in this way,
In the conventional method of attaching the lead fixing tape 8 made of an insulating film, there is a problem of a film punching accuracy and a film attaching accuracy. It is almost impossible to have sex.

【0007】また、フィルムの打ち抜きには形状に合わ
せた専用の金型が必要となり、そのため製造コストが高
いという問題がある。更に、ポリイミドフィルムは70
〜150μmの厚みを有しているため、インナーリード
に張り付けるときわめて厚くなり、今後ますます要望さ
れる薄型パッケージに十分に対応することはできないと
いう問題もある。
[0007] Also, punching of a film requires a special mold in accordance with the shape, which causes a problem that the manufacturing cost is high. Furthermore, the polyimide film is 70
Since it has a thickness of about 150 μm, it becomes extremely thick when attached to the inner lead, and there is also a problem that it cannot sufficiently cope with a thin package which is increasingly required in the future.

【0008】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的はリード表面に形成する絶縁部
の位置を高精度に設定できると共に厚みの影響を受ける
ことなくリードに絶縁性を持たせることができ、しかも
コストを低減できるリードフレームの製造方法を提供す
ることである。
The present invention has been made in view of such a problem, and has as its object to set the position of an insulating portion formed on the surface of a lead with high accuracy, and to provide an insulating material having an insulating property without being affected by the thickness. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame, which can reduce the cost.

【0009】前述の課題を解決するために、請求項1の
発明は、金属単体により形成され、搭載する半導体素子
等の電子制御部品または外部回路に接続される所定数の
リードを有する半導体装置等の電子制御装置組立用のリ
ードフレームの製造方法において、前記リードの少なく
とも一つのリードにおける表面の少なくとも一部にディ
スペンサーにより絶縁性樹脂膜を形成することを特徴と
している。請求項2の発明は、金属単体により形成さ
れ、搭載する半導体素子等の電子制御部品または外部回
路に接続される所定数のリードを有する半導体装置等の
電子制御装置組立用のリードフレームの製造方法におい
て、前記リードの少なくとも一つのリードにおける表面
の少なくとも一部にスクリーン印刷により絶縁性樹脂膜
を形成することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is a semiconductor device or the like having a predetermined number of leads formed of a single metal and connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. In the method of manufacturing a lead frame for assembling an electronic control device, an insulating resin film is formed on at least a part of a surface of at least one of the leads by a dispenser. According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a lead frame for assembling an electronic control device such as a semiconductor device having a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. Wherein an insulating resin film is formed on at least a part of the surface of at least one of the leads by screen printing.

【0010】請求項3の発明は、金属単体により形成さ
れ、搭載する半導体素子等の電子制御部品または外部回
路に接続される所定数のリードを有し、半導体装置等の
電子制御装置組立用のリードフレームの製造方法におい
て、エッチングによりリードにハーフエッチング部を形
成し、このハーフエッチング部にディスペンサーにより
樹脂を塗布すると共に、該樹脂を硬化させることにより
絶縁性樹脂膜を形成することを特徴としている。請求項
4の発明は、金属単体により形成され、搭載する半導体
素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所定
数のリードを有し、半導体装置等の電子制御装置組立用
のリードフレームの製造方法において、エッチングによ
りリードにハーフエッチング部を形成し、このハーフエ
ッチング部にスクリーン印刷により樹脂を塗布すると共
に、該樹脂を硬化させることにより絶縁性樹脂膜を形成
することを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an electronic control device such as a semiconductor device for assembling an electronic control device such as a semiconductor device. In a method for manufacturing a lead frame, a half-etched portion is formed on a lead by etching, a resin is applied to the half-etched portion by a dispenser, and the resin is cured to form an insulating resin film. . According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a lead frame for assembling an electronic control device such as a semiconductor device, having a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. The manufacturing method is characterized in that a half-etched portion is formed on a lead by etching, a resin is applied to the half-etched portion by screen printing, and the resin is cured to form an insulating resin film.

【0011】請求項5の発明は、前記絶縁性樹脂膜の樹
脂がUV硬化型アクリル系樹脂であり、該UV硬化型ア
クリル系樹脂にUV光を照射してそのUV硬化型アクリ
ル系樹脂を硬化させて前記リードに絶縁性樹脂膜を形成
することを特徴としている。請求項6の発明は、前記絶
縁性樹脂膜の樹脂がエポキシ系樹脂であり、該エポキシ
系樹脂をオーブンで加熱硬化させて前記リードに絶縁性
樹脂膜を形成することを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, the resin of the insulating resin film is a UV-curable acrylic resin, and the UV-curable acrylic resin is irradiated with UV light to cure the UV-curable acrylic resin. Then, an insulating resin film is formed on the lead. The invention of claim 6 is characterized in that the resin of the insulating resin film is an epoxy resin, and the epoxy resin is heated and cured in an oven to form an insulating resin film on the lead.

【0012】請求項7の発明は、前記リードにめっきを
施した後、前記リードに樹脂を塗布することで前記絶縁
性樹脂膜を形成することを特徴としている。
The invention of claim 7 is characterized in that, after plating the leads, a resin is applied to the leads to form the insulating resin film.

【0013】請求項8の発明は、金属単体により形成さ
れ、搭載する半導体素子等の電子制御部品または外部回
路に接続される所定数のリードを有する半導体装置等の
電子制御装置組立用のリードフレームの製造方法におい
て、エッチングによりリードにハーフエッチング部を形
成した後、リードフレームの両面にエッチング用レジス
ト膜を介してフィルムをラミネートし、該フィルムの、
前記ハーフエッチング部に対応する部分または前記ハー
フエッチング部に隣接する部分に切欠きによりフィルム
カット部を形成し、次いで化学蒸着法により該フィルム
カット部を通して前記ハーフエッチング部に樹脂膜を形
成させ、その後前記フィルム及び前記エッチング用レジ
スト膜を剥離することを特徴としている。
According to the present invention, there is provided a lead frame for assembling an electronic control device such as a semiconductor device having a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. In the manufacturing method, after forming a half-etched portion on the lead by etching, a film is laminated on both sides of the lead frame via an etching resist film,
Form a film cut portion by notch in a portion corresponding to the half etched portion or a portion adjacent to the half etched portion, and then form a resin film in the half etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method, and then The film and the etching resist film are separated.

【0014】請求項9の発明は、金属単体により形成さ
れ、搭載する半導体素子等の電子制御部品または外部回
路に接続される所定数のリードを有する半導体装置等の
電子制御装置組立用のリードフレームの製造方法におい
て、エッチングによりリードにハーフエッチング部を形
成した後エッチング用レジスト膜を剥離し、めっき工程
前のリードフレームの両面にフィルムをラミネートし、
該フィルムの、前記ハーフエッチング部に対応する部分
または前記ハーフエッチング部に隣接する部分に切欠き
によりフィルムカット部を形成し、次いで化学蒸着法に
より該フィルムカット部を通して前記ハーフエッチング
部に樹脂膜を形成させ、その後前記フィルムを剥離する
ことを特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a lead frame for assembling an electronic control device such as a semiconductor device having a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. In the manufacturing method, after forming a half-etched portion on the lead by etching, the etching resist film is peeled off, and films are laminated on both sides of the lead frame before the plating step,
In the film, a film cut portion is formed by notch in a portion corresponding to the half-etched portion or a portion adjacent to the half-etched portion, and then a resin film is formed on the half-etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method. The film is formed, and then the film is peeled off.

【0015】請求項10の発明は、金属単体により形成
され、搭載する半導体素子等の電子制御部品または外部
回路に接続される所定数のリードを有する半導体装置等
の電子制御装置組立用のリードフレームの製造方法にお
いて、エッチングによりリードにハーフエッチング部を
形成すると共にエッチング用レジスト膜を剥離し、次い
でめっき工程を行った後リードフレームの両面にフィル
ムをラミネートし、該フィルムの、前記ハーフエッチン
グ部に対応する部分または前記ハーフエッチング部に隣
接する部分に切欠きによりフィルムカット部を形成し、
次いで化学蒸着法により該フィルムカット部を通して前
記ハーフエッチング部に樹脂膜を形成させ、その後前記
フィルムを剥離することを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a lead frame for assembling an electronic control device such as a semiconductor device having a predetermined number of leads connected to an electronic control component such as a semiconductor element to be mounted or an external circuit. In the manufacturing method, a half-etched portion is formed on the lead by etching and the resist film for etching is peeled off, and then a film is laminated on both sides of the lead frame after performing a plating step, and the half-etched portion of the film is formed on the half-etched portion. Form a film cut portion by notch in the corresponding portion or the portion adjacent to the half-etched portion,
Next, a resin film is formed on the half-etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method, and thereafter, the film is peeled off.

【0016】[0016]

【作用】このように構成された本発明のリードフレーム
の製造方法においては、リード表面の一部に絶縁性樹脂
膜が形成されているので、ワイヤとリードとの絶縁が確
保される。その場合、絶縁性樹脂膜をリードの所定位置
に微小範囲でかつ高精度にしかもリードの厚みを増大さ
せることなく形成することができるようになる。特に、
リードに形成されたハーフエッチング部に絶縁性樹脂膜
が形成されることで、絶縁性樹脂膜によるリードの厚み
がほとんど増大しない。
In the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, the insulating resin film is formed on a part of the surface of the lead, so that the insulation between the wire and the lead is ensured. In this case, the insulating resin film can be formed at a predetermined position of the lead in a minute range, with high precision, and without increasing the thickness of the lead. Especially,
Since the insulating resin film is formed in the half-etched portion formed on the lead, the thickness of the lead due to the insulating resin film hardly increases.

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図1は本発明にかかるリードフレームの製造
方法の一実施例によって製造されるリードフレームの一
例を示す、図9におけるIーI線に沿う断面図、図2はこ
の実施例のリードフレームの製造方法を説明する図であ
る。なお、図8及び図9に示すリードフレームと同じ構
成要素には、同じ符号を付すことにより、その詳細な説
明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a lead frame manufactured by an embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along the line II in FIG. 9, and FIG. It is a figure explaining a method. Note that the same components as those of the lead frame shown in FIGS. 8 and 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0019】図1に示すように、本実施例のリードフレ
ームの製造方法によって製造されるリードフレーム1
は、バスバーリード3bの絶縁性を必要とする部分A
に、ハーフエッチング部9が形成されていると共に、こ
のハーフエッチング部9にアクリル樹脂等のUV光硬化
型樹脂またはエポキシ系樹脂等からなる絶縁性樹脂膜1
0が形成されている。この絶縁性樹脂膜10により、イ
ンナーリード3a及び半導体素子2の電極2aを電気的
に接続するワイヤ7とバスバーリード3bとの間の絶縁
が確保される。
As shown in FIG. 1, a lead frame 1 manufactured by the method for manufacturing a lead frame of this embodiment
Is a portion A of the bus bar lead 3b which requires insulation.
The half-etched portion 9 is formed, and the half-etched portion 9 has an insulating resin film 1 made of a UV light curable resin such as an acrylic resin or an epoxy resin.
0 is formed. The insulating resin film 10 ensures insulation between the wires 7 that electrically connect the inner leads 3a and the electrodes 2a of the semiconductor element 2 and the bus bar leads 3b.

【0020】次に、このように構成された本実施例のリ
ードフレーム1を製造する方法について説明する。図2
は、このリードフレーム1を製造する方法の一例とし
て、ディスペンサー法によるリードフレームの製造方法
について説明する図である。図2(a)に示すように、
まずエッチングによりリードフレーム部材3dのバスバ
ーリード3b表面の所定位置にハーフエッチング部9を
形成する。次に、同図(b)に示すようにX−Yステー
ジ付きディスペンサーを用い、そのディスペンサーノズ
ル11からアクリル等のUV光硬化型樹脂をハーフエッ
チング部9に注入塗布する。その後、UV光を照射して
UV光硬化型樹脂を硬化させることにより、ハーフエッ
チング部9に絶縁性樹脂膜10を形成する。
Next, a method of manufacturing the lead frame 1 of the present embodiment having the above-described structure will be described. FIG.
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a lead frame by a dispenser method as an example of a method of manufacturing the lead frame 1. As shown in FIG.
First, a half-etched portion 9 is formed at a predetermined position on the surface of the bus bar lead 3b of the lead frame member 3d by etching. Next, as shown in FIG. 2B, a UV light-curable resin such as acrylic is injected into the half-etching section 9 from a dispenser nozzle 11 using a dispenser with an XY stage. Thereafter, the insulating resin film 10 is formed on the half-etched portion 9 by irradiating UV light to cure the UV light-curable resin.

【0021】また絶縁性樹脂膜10としてエポキシ系樹
脂を用いる場合には、バスバーリード3bのハーフエチ
ング部10にX−Yステージ付きディスペンサーにより
エポキシ系樹脂をハーフエッチング部9に注入塗布す
る。その後、オーブンで加熱し、エポキシ系樹脂を硬化
させることにより、ハーフエッチング部9に絶縁性樹脂
膜10を形成する。こうして、バスバーリード3bの所
定位置に絶縁性樹脂膜10が形成されたリードフレーム
1が製造される。
When an epoxy resin is used as the insulating resin film 10, an epoxy resin is injected and applied to the half etching portion 9 of the bus bar lead 3b by a dispenser with an XY stage. Thereafter, the insulating resin film 10 is formed on the half-etched portion 9 by heating in an oven to cure the epoxy resin. Thus, the lead frame 1 in which the insulating resin film 10 is formed at predetermined positions of the bus bar leads 3b is manufactured.

【0022】次に、このディスペンサー法によりリード
フレーム1を実際に製造した例について説明する。バス
バーリード3bの表面の必要部分にハーフエッチングを
施したリードフレーム部材3dを用意し、耐薬品性を考
慮して、樹脂の塗布後に薬品に浸す処理を行わない工程
を採用することにし、そのためにこのリードフレーム部
材3dにはワイヤボンディングに必要なAgめっきなど
の表面処理をあらかじめ施しておき、樹脂塗布の後にめ
っきを行わなくても済むようにした。
Next, an example in which the lead frame 1 is actually manufactured by the dispenser method will be described. A lead frame member 3d is prepared by half-etching a required portion of the surface of the bus bar lead 3b, and in consideration of chemical resistance, a step of not performing a treatment of dipping in a chemical after application of the resin is adopted. The lead frame member 3d was previously subjected to a surface treatment such as Ag plating required for wire bonding, so that plating was not required after resin application.

【0023】塗布する樹脂として、UV硬化型アクリル
系樹脂あるいは熱硬化型エポキシ系樹脂を使用し、これ
らの両樹脂はハロゲン化物やNa、K等の活性金属など
のイオン化する物質を含まない樹脂を選択した。樹脂の
粘度はディスペンサー塗布用に調整し、2,000〜2
0,000cPとすると共に、塗布する範囲は表1に示
すように幅0.4mm×長さ0.5mm×深さ0.7mmが最小
で、この他に幅、深さは同一で長さが0.6mm、1.3m
m、1.6mmの4種類の塗布範囲を設定した。
As a resin to be applied, a UV-curable acrylic resin or a thermosetting epoxy resin is used, and both of these resins are resins containing no ionizable substances such as halides and active metals such as Na and K. Selected. Resin viscosity is adjusted for dispenser application, 2,000 to 2
As shown in Table 1, the minimum coating area is 0.4 mm width x 0.5 mm length x 0.7 mm depth, and the width and depth are the same and the length is the same. 0.6mm, 1.3m
Four types of coating ranges of m and 1.6 mm were set.

【0024】樹脂の塗布は数値制御式X−Yステージ付
のディスペンサーを用いて上述の塗布範囲に合わせてデ
ィスペンサーノズル11からの樹脂吐出量をコントロー
ルして行った。こうして製造されたリードフレーム1の
結果を表1に示す。
The resin was applied by using a dispenser equipped with a numerically controlled XY stage and controlling the amount of resin discharged from the dispenser nozzle 11 in accordance with the above-mentioned application range. Table 1 shows the results of the lead frame 1 thus manufactured.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】表1から明らかなように、樹脂塗布範囲が
いずれの場合にもリード側面への樹脂のはみ出しがない
と共に、樹脂発泡もなかった。
As is evident from Table 1, the resin did not protrude to the side surface of the lead and did not foam in any case where the resin application range was any.

【0027】このように構成された本実施例のリードフ
レーム1においては、ハーフエッチング部9は、エッチ
ングにより形成されているので高精度に位置が決められ
ると共に微細加工されるようになる。その上、X−Yス
テージ付きディスペンサーにより、ノズル11がハーフ
エッチング部9に対して高精度に位置決めされるので、
樹脂はハーフエッチング部9に精度よく注入されるよう
になり、その結果絶縁性樹脂膜10がバスバーリード3
bの所定位置に微小範囲でかつ高精度に形成される。
In the lead frame 1 of the present embodiment thus configured, since the half-etched portion 9 is formed by etching, the position can be determined with high accuracy and fine processing can be performed. In addition, since the nozzle 11 is positioned with high accuracy with respect to the half-etched portion 9 by the dispenser with the XY stage,
The resin is accurately injected into the half-etched portion 9, and as a result, the insulating resin film 10
It is formed at a predetermined position b in a minute range and with high precision.

【0028】また、絶縁性樹脂膜10がインナーリード
3aの厚みの薄くなったハーフエッチング部9に形成さ
れているので、絶縁性樹脂膜10が形成されてもインナ
ーリード3aはほとんど厚くなることはない。したがっ
て、薄型パッケージに確実にかつ十分に対応することが
できるようになる。更に、従来のようなフィルムの打ち
抜き用金型が不要となるので、製造コストが低減する。
Further, since the insulating resin film 10 is formed in the half-etched portion 9 where the thickness of the inner lead 3a is reduced, the thickness of the inner lead 3a is almost not increased even if the insulating resin film 10 is formed. Absent. Therefore, it is possible to reliably and sufficiently cope with a thin package. Further, since a conventional die for punching a film is not required, the manufacturing cost is reduced.

【0029】図3は本発明のリードフレームの製造方法
の他の実施例であり、スクリーン印刷法によるリードフ
レームの製造方法を説明する図である。図3に示すよう
に、この実施例のリードフレームの製造方法ではメタル
マスク12を用いてスクリーン印刷することにより、バ
スバーリード3bのハーフエッチング部9に樹脂を塗布
して、絶縁性樹脂膜10を形成する。
FIG. 3 shows another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, and is a view for explaining a method for manufacturing a lead frame by a screen printing method. As shown in FIG. 3, in the lead frame manufacturing method of this embodiment, a resin is applied to the half-etched portion 9 of the bus bar lead 3b by screen printing using a metal mask 12, and the insulating resin film 10 is formed. Form.

【0030】前述のディスペンサー法による場合と同様
に、同じリードフレーム部材3d、同じ塗布範囲(4種
類)、同じ材質の塗布用樹脂(ただし、粘度はスクリー
ン印刷用に調整)で、このスクリーン印刷法により実際
にリードフレーム1を製造したが、製造されたリードフ
レーム1はいずれも前述のディスペンサー法による場合
とほぼ同様の良好な結果が得られた。
As in the case of the above-described dispenser method, this screen printing method is performed using the same lead frame member 3d, the same application range (four types), and the same application resin (the viscosity is adjusted for screen printing). , The lead frame 1 was actually manufactured. In each of the manufactured lead frames 1, almost the same good results as those obtained by the above-described dispenser method were obtained.

【0031】図4は本発明に係るリードフレームの製造
方法の他の実施例によって製造されるリードフレーム1
示す、図1と同様の断面図である。なお、図1に示すリ
ードフレームと同じ構成要素には同じ符号を付すことに
より、その詳細な説明は省略する。図4に示すように、
この実施例で製造されるリードフレームにおいては、前
述の実施例と同様にバスバーリード3bの絶縁性を必要
とする部分に、ハーフエッチング部9が形成されている
と共に、このハーフエッチング部9の底面及び側面に比
較的薄い絶縁性樹脂膜10が形成されている。この絶縁
性樹脂膜10は耐熱性及び耐薬品性に優れ、イオン性不
純物が少ない例えばポリパラキシリレン等の化学蒸着法
に用いられる樹脂からなっている。この絶縁性樹脂膜1
0により、ワイヤ7とバスバーリード3bとの間の絶縁
が確保される。
FIG. 4 shows a lead frame 1 manufactured by another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view similar to FIG. The same components as those of the lead frame shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted. As shown in FIG.
In the lead frame manufactured in this embodiment, a half-etched portion 9 is formed in a portion of the bus bar lead 3b requiring insulation as in the above-described embodiment, and the bottom surface of the half-etched portion 9 is formed. A relatively thin insulating resin film 10 is formed on the side surface. The insulating resin film 10 is made of a resin having excellent heat resistance and chemical resistance and containing little ionic impurities, such as polyparaxylylene, which is used in a chemical vapor deposition method. This insulating resin film 1
0 ensures insulation between the wire 7 and the bus bar lead 3b.

【0032】次に、このように構成されたこの実施例の
リードフレーム1を化学蒸着法(CVD法)により製造
する方法について説明する。このCVD法によるリード
フレームの製造方法においては、3つのパターンを設定
している。
Next, a description will be given of a method of manufacturing the lead frame 1 having the above-described structure according to this embodiment by a chemical vapor deposition method (CVD method). In the method of manufacturing a lead frame by the CVD method, three patterns are set.

【0033】図5はCVD法によるリードフレームの製
造方法の第1のパターンを説明する図である。図5
(a)に示すように、この第1のパターンでは、エッチ
ング後レジスト膜13が付いたままのリードフレーム部
材3dを用いる。このリードフレーム部材3dはシート
状及びフレーム状のどちらでもよい。まず、エッチング
によりリードフレーム部材3dのバスバーリード3b表
面の所定位置にハーフエッチング部9を形成する。エッ
チング終了後、同図(b)に示すようにリードフレーム
部材3dの両面にエッチング用レジスト膜13を付けた
状態でそのレジスト膜13にフィルム14をラミネート
する。次に、同図(c)に示すようにフィルム14の所
定位置の一部をカッター等により切り欠いて、フィルム
カット部14aを形成する。フィルムカットは、図6に
示すようにハーフエッチング部9上の部分をそのハーフ
エッチング部9の形状に合わせてカットするか、あるい
は図7に示すようにハーフエッチング部9の隣接部をカ
ットするかする。なお、フィルム14のカット方法は、
前述のカッター等の機械的にカットする方法の他、レー
ザ加工でカットする方法もある。
FIG. 5 is a view for explaining a first pattern of a method for manufacturing a lead frame by the CVD method. FIG.
As shown in (a), in the first pattern, the lead frame member 3d with the resist film 13 remaining after etching is used. The lead frame member 3d may be in a sheet shape or a frame shape. First, a half-etched portion 9 is formed at a predetermined position on the surface of the bus bar lead 3b of the lead frame member 3d by etching. After completion of the etching, a film 14 is laminated on the resist film 13 with the resist film 13 for etching attached to both surfaces of the lead frame member 3d as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 3C, a part of a predetermined position of the film 14 is cut out by a cutter or the like to form a film cut portion 14a. In the film cutting, a portion on the half-etched portion 9 is cut according to the shape of the half-etched portion 9 as shown in FIG. 6, or a portion adjacent to the half-etched portion 9 is cut as shown in FIG. I do. In addition, the cutting method of the film 14 is as follows.
In addition to the above-described mechanical cutting method using a cutter or the like, there is also a cutting method using laser processing.

【0034】この状態で、CVD法により樹脂膜形成工
程を行う。この工程では、フィルムカット部14aから
ガスがフィルム14の内側に浸透し、ハーフエッチング
部9に蒸着することにより、ハーフエッチング部9に絶
縁性樹脂膜10が形成される。その後、フィルムを及び
レジスト膜を剥離してめっき工程を行うことにより、ハ
ーフエッチング部9に絶縁性樹脂膜10が形成されたリ
ードフレームが形成される。
In this state, a resin film forming step is performed by the CVD method. In this step, gas penetrates into the inside of the film 14 from the film cut portion 14a, and is vapor-deposited on the half-etched portion 9, thereby forming the insulating resin film 10 on the half-etched portion 9. Thereafter, the lead frame having the insulating resin film 10 formed on the half-etched portion 9 is formed by peeling the film and the resist film and performing a plating step.

【0035】次に、CVD法によるリードフレームの製
造方法の第2のパターンについて説明する。この第2パ
ターンでは、エッチング終了後レジスト膜13を剥離し
た後、めっきする前のリードフレーム部材3dを用い
る。この第2パターンの工程は前述の第1パターンの工
程と同様に行われる。ただし、この第2パターンでは樹
脂膜蒸着後、フィルム14のみ剥離することになる。
Next, the second pattern of the lead frame manufacturing method by the CVD method will be described. In the second pattern, the lead frame member 3d before plating is used after the resist film 13 is peeled off after completion of the etching. The step of the second pattern is performed in the same manner as the step of the first pattern. However, in this second pattern, only the film 14 is peeled off after the resin film is deposited.

【0036】最後に、CVD法によるリードフレームの
製造方法の第3のパターンについて説明する。この第3
パターンでは、エッチング終了後レジスト膜13を剥離
すると共に、めっきした後のリードフレーム部材3dを
用いる。この第3パターンの工程は前述の第1パターン
の工程とほぼ同様に行われる。ただし、この第3パター
ンでは樹脂膜蒸着後フィルム14のみ剥離することにな
ると共に、樹脂膜蒸着後のめっき工程が不要となる。
Finally, a third pattern of the method for manufacturing a lead frame by the CVD method will be described. This third
In the pattern, after the etching is completed, the resist film 13 is peeled off, and the plated lead frame member 3d is used. The process of the third pattern is performed in substantially the same manner as the process of the first pattern. However, in the third pattern, only the film 14 is peeled off after the resin film is deposited, and the plating step after the resin film is deposited becomes unnecessary.

【0037】次に、このCVD法によりリードフレーム
1を実際に製造した例について説明する。バスバーリー
ド3b表面の必要部分にハーフエッチングが施されたリ
ードフレーム部材3dを使用し、更にCVD法による樹
脂膜形成工程前のリードフレーム部材3dの状態とし
て、(1)エッチング後レジスト膜13を剥離し、ワイヤ
ボンディングに必要な表面処理(Agめっきなど)を予
め行っておいたもの、(2)エッチング後レジスト膜13
を剥離していないもの、(3)エッチング後レジスト膜1
3を剥離したが、表面処理(Agめっきなど)を予め行
っておいたものを用意した。(1)のリードフレーム部材
3dでは耐薬品性の悪い樹脂によっても絶縁性樹脂膜1
0を形成することが可能であり、(2)のリードフレーム
部材3dではその表面がレジスト膜13で覆われている
ためフィルム14のマスキング効果が安定し、更にリー
ドフレーム1を多数面付けしたシート状態でのマスキン
グが可能であるのでマスキング効率が高くなり、(3)の
リードフレーム部材3dでは(2)と同様の理由でマスキ
ング効率がよい。
Next, an example in which the lead frame 1 is actually manufactured by the CVD method will be described. A lead frame member 3d having a required portion of the surface of the bus bar lead 3b half-etched is used, and the state of the lead frame member 3d before the resin film forming step by the CVD method is set. (1) The resist film 13 is removed after etching. And the surface treatment (eg, Ag plating) necessary for wire bonding has been performed in advance.
(3) After etching, resist film 1
3 was peeled off, and a material which had been subjected to a surface treatment (such as Ag plating) in advance was prepared. In the lead frame member 3d of (1), the insulating resin film 1 is formed even by a resin having poor chemical resistance.
In the lead frame member 3d of (2), since the surface is covered with the resist film 13, the masking effect of the film 14 is stabilized, and the lead frame 1 Since the masking in the state is possible, the masking efficiency is increased, and the masking efficiency is high in the lead frame member 3d of (3) for the same reason as in (2).

【0038】そして、マスキング済みのリードフレーム
部材3dを化学蒸着チャンバー内に入れ、室温減圧下で
ポリパラキシリレン樹脂膜を形成させた。ポリパラキシ
リレン樹脂はハロゲン化物やNa、K等の活性金属など
のイオン化する物質を含まず、耐薬品性及び絶縁性が良
好であるという特徴を有している。なお、ポリパラキシ
リレン樹脂として、日本パリレン社製;パリレンN、パ
リレンC、パリレンDなどを用いた。
Then, the masked lead frame member 3d was placed in a chemical vapor deposition chamber, and a polyparaxylylene resin film was formed at room temperature under reduced pressure. The polyparaxylylene resin does not contain an ionizing substance such as a halide or an active metal such as Na or K, and has a characteristic of good chemical resistance and insulation. As the polyparaxylylene resin, Parylene N, Parylene C, Parylene D, etc., manufactured by Japan Parylene Co., Ltd. were used.

【0039】樹脂膜を形成させるハーフエッチング部9
として、表2に示すように幅0.4mm×長さ0.5mm×深
さ0.7mmが最小で、この他に幅、深さは同一で長さが
0.6mm、1.3mm、1.6mmの4種類の寸法のものを設
定した。こうして製造されたリードフレームの結果を表
2に示す。
Half etching section 9 for forming resin film
As shown in Table 2, the minimum width is 0.4 mm × length 0.5 mm × depth 0.7 mm. In addition, the width and depth are the same and the length is 0.6 mm, 1.3 mm, and 1 mm. Four dimensions of .6 mm were set. Table 2 shows the results of the lead frames manufactured as described above.

【0040】[0040]

【表2】 [Table 2]

【0041】表2から明らかなように、樹脂膜は15μ
mのきわめて薄くかつ均一の厚さに形成されたが、この
樹脂膜厚はμm単位で厚さの制御が可能であることがわ
かった。また、樹脂膜の金属との密着性も良好であると
共に、樹脂発泡もなかった。このように構成された本実
施例のリードフレーム1においても、リードフレームの
厚みを増大させることなく、リードに部分的に微小範囲
の表面絶縁性を持たせることができる。
As is apparent from Table 2, the resin film has a thickness of 15 μm.
m was formed to be extremely thin and uniform, but it was found that the thickness of this resin film could be controlled in μm units. In addition, the adhesion of the resin film to the metal was good, and there was no resin foaming. Also in the lead frame 1 of the present embodiment configured as described above, the leads can be partially provided with surface insulating properties in a minute range without increasing the thickness of the lead frame.

【0042】なお、前述のいずれの実施例でも、絶縁性
樹脂膜10をバスバーリード3bに形成するものとして
いるが、本発明は他のリードに絶縁性樹脂膜10を形成
することもできる。また、前述の実施例はLOC構造の
パッケージを用いて本発明を説明しているが、本発明は
他の構造のパッケージに使用されるリードフレームにも
適用することができる。
In each of the embodiments described above, the insulating resin film 10 is formed on the bus bar leads 3b. However, the present invention can also form the insulating resin film 10 on other leads. In the above-described embodiment, the present invention is described using a package having a LOC structure. However, the present invention can be applied to a lead frame used for a package having another structure.

【0043】更に、絶縁性樹脂膜10をリードのハーフ
エッチング部9に設けるものとしているが、厚さがそれ
ほど問題にならないようなパッケージのリードフレーム
においては、ハーフエッチング部の形成されていないリ
ード表面に絶縁性樹脂膜10を形成することもできる。
Further, the insulating resin film 10 is provided on the half-etched portion 9 of the lead. However, in a package lead frame in which the thickness is not so problematic, the lead surface where the half-etched portion is not formed is provided. The insulating resin film 10 can also be formed on the substrate.

【0044】以上の説明から明らかなように、本発明の
リードフレームの製造方法によれば、絶縁性樹脂膜をリ
ードの所定位置に微小範囲でかつ高精度に形成すること
ができるようになる。また絶縁性樹脂膜が形成されて
も、リードの厚みがそれほど増大することはなく、した
がって薄型パッケージに確実にかつ十分に対応すること
ができるようになる。更に、従来のようなフィルムの打
ち抜き用金型が不要となるので、コストが低減する。
As is apparent from the above description, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, an insulating resin film can be formed at a predetermined position of a lead in a minute range and with high precision. Further, even if the insulating resin film is formed, the thickness of the lead does not increase so much, so that it is possible to reliably and sufficiently cope with a thin package. Further, since a conventional die for film punching becomes unnecessary, the cost is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかるリードフレームの製造方法の
一実施例によって製造されるリードフレームの一例を示
す、図9におけるIーI線に沿う断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. 9, showing an example of a lead frame manufactured by an embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention.

【図2】このリードフレームの製造方法の一実施例を説
明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing the lead frame.

【図3】このリードフレームの製造方法の他の実施例を
説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating another embodiment of the method for manufacturing the lead frame.

【図4】 本発明にかかるリードフレームの製造方法の
他の実施例によって製造されるリードフレームの一例を
示す、図9におけるIーI線に沿う断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 9 showing an example of a lead frame manufactured by another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.

【図5】このリードフレームの製造方法の他の実施例を
説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating another embodiment of the method for manufacturing the lead frame.

【図6】この実施例の製造方法におけるフィルムカット
の一例を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a film cut in the manufacturing method of this embodiment.

【図7】この実施例の製造方法におけるフィルムカット
の他の例を説明する図である。
FIG. 7 is a view for explaining another example of the film cutting in the manufacturing method of this embodiment.

【図8】従来のLOC構造のパッケージを示す、(a)
は部分的に切欠いて示す斜視図、(b)は(a)におけ
るVIIIBーVIIIB線に沿う断面図である。
FIG. 8 shows a package having a conventional LOC structure, (a).
FIG. 8 is a perspective view showing a partially cutaway view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line VIIIB-VIIIB in FIG.

【図9】バスバーリードの絶縁性を必要とする部分を示
す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a portion of the bus bar lead that requires insulation.

【図10】従来の一般的なリードフレームにおけるリー
ド固定用テープを示す図である。
FIG. 10 is a view showing a lead fixing tape in a conventional general lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…LOC構造のパッケージ、2…半導体素子、3…リ
ードフレーム、3a…インナーリード、3b…バスバー
リード、3d…リードフレーム部材、7…ワイヤ、8…
リード固定用テープ、9…ハーフエッチング部、10…
絶縁性樹脂膜、11…ディスペンサーノズル112…メ
タルマスク、13…レジスト膜、14…フィルム、14
a…フィルムカット部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... LOC structure package, 2 ... Semiconductor element, 3 ... Lead frame, 3a ... Inner lead, 3b ... Bus bar lead, 3d ... Lead frame member, 7 ... Wire, 8 ...
Lead fixing tape, 9 ... half-etched part, 10 ...
Insulating resin film, 11: dispenser nozzle 112: metal mask, 13: resist film, 14: film, 14
a ... Film cut section

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレームの製造方法において、 前記リードの少なくとも一つのリードにおける表面の少
なくとも一部にディスペンサーにより絶縁性樹脂膜
ることを特徴とするリードフレームの製造方法
1. A formed by a single metal, in the manufacturing method of lead frame of the electronic control unit for the assembly of a semiconductor device to have a predetermined number of leads connected to the electronic control components or external circuit such as a semiconductor element to be mounted the method of the lead frame, wherein at least one form <br/> formed to Rukoto an insulating resin film by a dispenser on at least part of the surface of the lead of the lead.
【請求項2】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレームの製造方法において、 前記リードの少なくとも一つのリードにおける表面の少
なくとも一部にスクリーン印刷により絶縁性樹脂膜
ることを特徴とするリードフレームの製造方法
2. A semiconductor to be mounted and mounted from a single metal.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
The method of manufacturing a lead frame of use, method of manufacturing a lead frame, wherein to Rukoto form <br/> forming an insulating resin film by screen printing on at least a portion of the surface at least one lead of the lead.
【請求項3】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレーム造方において、 エッチングによりリードにハーフエッチング部を形成
し、このハーフエッチング部にディスペンサーにより樹
脂を塗布すると共に、該樹脂を硬化させることにより絶
縁性樹脂膜を形成することを特徴とするリードフレーム
の製造方法。
3. A semiconductor to be mounted and mounted by a single metal.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
In manufacturing how the lead frame of use, be etched by forming a half-etching portion in the lead, together with applying a resin by a dispenser on the half-etched portion, to form an insulating resin film by curing the resin A method for manufacturing a lead frame, comprising:
【請求項4】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレーム造方において、 エッチングによりリードにハーフエッチング部を形成
し、このハーフエッチング部にスクリーン印刷により樹
脂を塗布すると共に、該樹脂を硬化させることにより絶
縁性樹脂膜を形成することを特徴とするリードフレーム
の製造方法。
4. A semiconductor to be mounted and mounted by a single metal.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
In manufacturing how the lead frame of use by etching to form a half etching portion in the lead, together with applying a resin by screen printing to the half-etched portion, to form an insulating resin film by curing the resin A method for manufacturing a lead frame, comprising:
【請求項5】 前記絶縁性樹脂膜の樹脂はUV硬化型ア
クリル系樹脂であり、該UV硬化型アクリル系樹脂にU
V光を照射してそのUV硬化型アクリル系樹脂を硬化さ
せて前記リードに絶縁性樹脂膜を形成することを特徴と
する請求項1ないし4のいずれか1記載のリードフレー
ムの製造方法。
5. The resin of the insulating resin film is a UV-curable acrylic resin, and the UV-curable acrylic resin includes
The method for manufacturing a lead frame as claimed in any one of claims 1 to 4 by irradiating a V light to cure the UV-curable acrylic resin and forming an insulating resin layer on the lead.
【請求項6】 前記絶縁性樹脂膜の樹脂はエポキシ系樹
脂であり、該エポキシ系樹脂をオーブンで加熱硬化させ
て前記リードに絶縁性樹脂膜を形成することを特徴とす
る請求項1ないし4のいずれか1記載のリードフレーム
の製造方法。
Wherein the resin of the insulating resin film is an epoxy resin, claims 1 and forming an insulating resin layer on the lead of the epoxy resin cured by heating in an oven 4 The method for manufacturing a lead frame according to any one of the above.
【請求項7】 前記リードにめっきを施した後、前記リ
ードに樹脂を塗布することで前記絶縁性樹脂膜を形成す
ることを特徴とする請求項ないし6のいずれか1記載
のリードフレームの製造方法。
7. After plating in the lead, said Li
The insulating resin film is formed by applying resin to the substrate .
The method for manufacturing a lead frame according to any one of claims 1 to 6, wherein
【請求項8】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレーム造方において、 エッチングによりリードにハーフエッチング部を形成し
た後、リードフレームの両面にエッチング用レジスト膜
を介してフィルムをラミネートし、該フィルムの、前記
ハーフエッチング部に対応する部分または前記ハーフエ
ッチング部に隣接する部分に切欠きによりフィルムカッ
ト部を形成し、次いで化学蒸着法により該フィルムカッ
ト部を通して前記ハーフエッチング部に樹脂膜を形成さ
せ、その後前記フィルム及び前記エッチング用レジスト
膜を剥離することを特徴とするリードフレームの製造方
法。
8. A semiconductor formed of a single metal and mounted.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
In manufacturing how the lead frame of use, after the formation of the half etching portion in the lead by etching, the film was laminated through an etching resist film on both surfaces of the lead frame, of the film, corresponding to the half etching part A film cut portion is formed by a notch in a portion to be formed or a portion adjacent to the half-etched portion, and then a resin film is formed in the half-etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method. A method for manufacturing a lead frame, comprising removing a resist film.
【請求項9】 金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレーム造方において、 エッチングによりリードにハーフエッチング部を形成し
た後エッチング用レジスト膜を剥離し、めっき工程前の
リードフレームの両面にフィルムをラミネートし、該フ
ィルムの、前記ハーフエッチング部に対応する部分また
は前記ハーフエッチング部に隣接する部分に切欠きによ
りフィルムカット部を形成し、次いで化学蒸着法により
該フィルムカット部を通して前記ハーフエッチング部に
樹脂膜を形成させ、その後前記フィルムを剥離すること
を特徴とするリードフレームの製造方法。
9. A semiconductor to be mounted and mounted by a single metal.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
In manufacturing how the lead frame of use, etched by peeling off the etching resist film after forming the half etching portion in the lead, by laminating a film on both surfaces of the lead frame before plating process, of the film, the half A film cut portion is formed by notch in a portion corresponding to the etched portion or a portion adjacent to the half etched portion, and then a resin film is formed in the half etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method, and then the film is formed. And a method for manufacturing a lead frame.
【請求項10】金属単体により形成され、搭載する半導
体素子等の電子制御部品または外部回路に接続される所
定数のリードを有する半導体装置等の電子制御装置組立
用のリードフレーム造方において、 エッチングによりリードにハーフエッチング部を形成す
ると共にエッチング用レジスト膜を剥離し、次いでめっ
き工程を行った後リードフレームの両面にフィルムをラ
ミネートし、該フィルムの、前記ハーフエッチング部に
対応する部分または前記ハーフエッチング部に隣接する
部分に切欠きによりフィルムカット部を形成し、次いで
化学蒸着法により該フィルムカット部を通して前記ハー
フエッチング部に樹脂膜を形成させ、その後前記フィル
ムを剥離することを特徴とするリードフレームの製造方
法。
10. A semiconductor formed of a simple metal and mounted.
Connected to electronic control components such as body elements or external circuits
Assembly of electronic control devices such as semiconductor devices with constant leads
In manufacturing how the lead frame of use, etched by peeling off the etching resist film to form a half etching portion in the lead, followed by laminating a film on both surfaces of the lead frame after the plating process, of the film Forming a film cut portion by notch in a portion corresponding to the half etched portion or a portion adjacent to the half etched portion, and then forming a resin film in the half etched portion through the film cut portion by a chemical vapor deposition method, Thereafter, the film is peeled off.
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