JP2955006B2 - 半導体装置のエッチング量測定方法 - Google Patents

半導体装置のエッチング量測定方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の保護膜のエッチング量を測定
する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体の保護膜、例えば窒化珪素膜は配線用金
属膜、例えばアルミ膜の上に設けられている。配線用金
属膜は半導体装置の外周部に外部配線に必要な所定の広
さの部分、所謂パッド部が設けられており、このパッド
部の上の保護膜はエッチングにより除去される。この
際、十分に保護膜が除去されていないと、組立工程にお
けるボンディング不良等のトラブルが生ずる。
このため、過エッチングを行なうことにより該部分の
保護膜を十分に除去すると共に、エッチングされた部分
の保護膜の厚さを例えば、光学的膜厚測定法等により測
定し、保護膜が残っていないか否かの確認をしていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、エッチングによって配線用金属の表面が荒れ
るため、光学的膜厚測定法で測定した場合、保護膜が残
っていないにも拘らず、例えば100Åのような測定値が
測定されることがあり、保護膜のエッチング完了の確認
を信頼性よく行なうことができなかった。
以上の点に鑑み、本発明は光学的膜厚測定法で測定し
た場合でも正確に保護膜がエッチングされたか否かを確
認できるような保護膜のエッチング量測定方法を提供す
ることを課題とする。
〔課題を解決する為の手段〕
本発明は、半導体装置の配線用金属膜の上に設けられ
る保護膜のエッチング量測定方法において、スクライブ
ライン上に透光性膜を設け、該透光性膜の膜厚を測定す
る工程と、前記配線用金属膜上及び前記透光性膜上に保
護膜を設ける工程と、所定のパターンで前記配線用金属
膜上の前記保護膜をエッチングすると共に前記透光性膜
上の前記保護膜をエッチングする工程と、前記エッチン
グにより露出した透光性膜の膜厚を測定する工程とを有
し、エッチング後の透光性膜の膜厚がエッチング前の透
光性膜の膜厚より薄くなっていることで前記保護膜が十
分にエッチングされていることを確認することを特徴と
するものである。
〔作用〕
本発明によれば、エッチング前の透光性膜の膜厚とエ
ッチング後の透光性膜の膜厚を測定して、エッチング後
の透光性膜の膜厚がエッチング前の透光性膜の膜厚より
薄くなっていることで前記保護膜が正確にエッチングさ
れていることを確認できるため、正しくエッチングの量
を測定できる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は、本発明のエッチング量測定方法の実施例を
示す図であって、半導体基板上に設けられるチップ周辺
部とダイシングのための所謂スクライブライン近傍部分
の断面を示すものである。以下各図において同じ構成を
示すものには同じ数字を付与し繰り返しの説明は省略す
る。
第１図において１は半導体基板であり、その上部に周
知の方法によりフィールド絶縁膜２、N+−Diffusion領
域７が形成されている。また、このフィールド絶縁膜２
の間にトランジスタやコンデンサ等が形成されている
が、第１図においては省略されている。
先ず透光性膜３が形成される。透光性膜３は、例えば
有機オキシシランのCVDによる酸化珪素等の層間絶縁膜
と同等の膜であり、層間絶縁膜の形成時に設けられ、エ
ッチングの際に第１図Ａに示すようにスクライブライン
６上にも透光性膜３が残るようになされる。
第２図にその平面図を示す。第２図において半導体基
板が露出している部分がスクライブライン６であり、図
中の左右上下の透光性膜３が設けられている部分が半導
体装置の部分である。スクライブライン６上の透光性膜
３は、膜厚が測定できるだけの範囲があればよく、例え
ば90μｍ四方程度あればよい。なお、半導体装置の部分
の透光性膜３はコンタクト等のために所定のパターンに
エッチングされているが、図には示していない。
透光性膜３は例えば酸化珪素、窒素珪素等を用いるこ
とが出来る。
次に配線用金属膜４を例えばスパッタリング等により
全面に被覆したのち、エッチングし第１図Ｂに示すよう
に必要な膜部分が形成される。図に示された膜部分はパ
ッド部である。
次にスクライブライン６上に設けられた透光性膜３の
膜厚を光学的膜厚測定法により測定し、記録しておく。
光学的膜厚測定法としては例えば干渉膜圧計を用いる方
法があり、そのような膜圧計としてはナノメトリックス
社のナノスペックがある。
さらに第１図Ｃに示すように全面を保護膜５で覆う。
保護膜５は例えば窒化珪素が用いられる。
次に所定のパターンを有するマスクで該保護膜を覆っ
たのちに該保護膜をエッチングして、金属膜４のパッド
部分を露出させる（第１図Ｄ）。例えば、CF4等のガス
によりエッチングすることが出来る。その際、スクライ
ブライン６上に設けられた透光性膜３の上部の保護膜５
も金属膜４のパッド部分と同じ条件でエッチングする。
次にスクライブライン上に設けられた透光性膜３の膜
厚を測定する。保護膜５は過エッチングされているの
で、透光性膜３も若干エッチングされており、保護膜５
を覆う前に測定した膜厚よりも薄くなっているはずであ
る。従って、保護膜５のエッチング前の透光性膜３の膜
厚とエッチング後の膜厚を測定することにより、保護膜
５の所定の部分が正しくエッチングされていることを確
認することができる。
以上のように、金属膜４上の保護膜の厚さを測定する
場合、それが極めて薄いか或いは存在しないときは、測
定が非常に困難であるが、半導体基板上に設けられてい
る透光性膜の厚さを測定する場合は、正確である上に、
簡単にできる。しかも、チップ部分とならないスクライ
ブライン上にエッチング量測定のパターンを用いるた
め、チップ上に余分なエッチングをする必要がなく、プ
レッシャー・クッカー・テストでの不良等が発生しな
い。
〔発明の効果〕
本発明によれば、保護膜をエッチングするときに、正
しくエッチングされたかを精度よく確認できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のエッチング量の測定方法の実施例を示
す図、第２図はその平面図である。 １……半導体基板 ２……フィールド絶縁膜 ３……透光性膜 ４……配線用金属膜 ５……保護膜 ６……スクライブライン

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体装置の配線用金属膜の上に設けられ
    る保護膜のエッチング量測定方法において、 スクライブライン上に透光性膜を設け、該透光性膜の膜
    厚を測定する工程と、 前記配線用金属膜上及び前記透光性膜上に保護膜を設け
    る工程と、 所定のパターンで前記配線用金属膜上の前記保護膜をエ
    ッチングすると共に前記透光性膜上の前記保護膜をエッ
    チングする工程と、 前記エッチングにより露出した透光性膜の膜厚を測定す
    る工程とを有し、 エッチング後の透光性膜の膜厚がエッチング前の透光性
    膜の膜厚より薄くなっていることで前記保護膜が十分に
    エッチングされていることを確認することを特徴とする
    半導体装置のエッチング量測定方法。
JP30276590A 1990-11-09 1990-11-09 半導体装置のエッチング量測定方法 Expired - Lifetime JP2955006B2 (ja)

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