JP2954561B2 - Lead frame, molding die for resin-encapsulated semiconductor device using lead frame, resin-encapsulated semiconductor device using lead frame, and method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

Lead frame, molding die for resin-encapsulated semiconductor device using lead frame, resin-encapsulated semiconductor device using lead frame, and method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

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JP2954561B2 JP10009086A JP908698A JP2954561B2 JP 2954561 B2 JP2954561 B2 JP 2954561B2 JP 10009086 A JP10009086 A JP 10009086A JP 908698 A JP908698 A JP 908698A JP 2954561 B2 JP2954561 B2 JP 2954561B2
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも２本以
上のリードを有する樹脂封止半導体装置に用いられるリ
ードフレームに関し、そのリードフレームの構成、その
リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の成形金
型、そのリードフレームを用いた樹脂封止半導体装置お
よびその樹脂封止半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for a resin-encapsulated semiconductor device having at least two leads, the structure of the lead frame, and molding of the resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame. The present invention relates to a mold, a resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and a method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体装置は、搭載される回路の
複合化、システム化、さらには用途の多様化が図られて
いることから、多電極端子(多ピン)化が進んでいる。一
方、半導体素子の高耐圧化も進み、半導体素子の隣接す
るリード部間には高電圧がかかる。このため、半導体素
子のリード部間を離す必要もある(例えば６００Ｖ耐圧
品では、一般的に、リード部間距離は５mm以上必要であ
るとされている)。このような開発傾向により、半導体
装置における専用パッケージの開発、新たな生産設備が
必要となり、結果的にコストを上げることになる。2. Description of the Related Art In recent years, multi-electrode terminals (multi-pins) have been developed in semiconductor devices due to the increasing complexity and system of mounted circuits and diversification of applications. On the other hand, the withstand voltage of a semiconductor element has been increased, and a high voltage is applied between adjacent lead portions of the semiconductor element. For this reason, it is necessary to separate the lead portions of the semiconductor element (for example, in the case of a 600 V withstand voltage product, the distance between the lead portions is generally considered to be 5 mm or more). Due to such a development tendency, development of a dedicated package for a semiconductor device and new production equipment are required, which results in an increase in cost.

【０００３】前記開発傾向に対処するため、異なる仕様
の半導体装置における構成部品の共通化(パッケージ、
リードフレームの共通化)を図るようにしている。In order to cope with the above development tendency, common use of components (packages,
(Common use of lead frames).

【０００４】図２９は５本のリード部１ａ、１ａ、１
ｂ、１ｂ、１ｃを有するリードフレーム１を用いた従来
の樹脂封止半導体装置の構成図を示す。FIG. 29 shows five lead portions 1a, 1a, 1
1 shows a configuration diagram of a conventional resin-sealed semiconductor device using a lead frame 1 having b, 1b, and 1c.

【０００５】リードフレーム１の平板部１dに半導体素
子２を接着固定し、金属細線３によって、半導体素子２
と一対の電極端子１ａ、１ａとを結線する。リードフレ
ーム１に設けられたリード部１ａ、１ａ、１ｂ、１ｂ、
１ｃの端部を残して樹脂封止する。その後、樹脂成形さ
れた樹脂封止本体６の側面において形成された結線され
ていない不要なリード部１ｃを、適当な機械加工により
切断する。The semiconductor element 2 is bonded and fixed to the flat plate portion 1 d of the lead frame 1, and the semiconductor element 2 is
And the pair of electrode terminals 1a, 1a. The lead portions 1a, 1a, 1b, 1b provided on the lead frame 1
Resin sealing is performed except for the end of 1c. After that, unnecessary lead portions 1c that are not connected and formed on the side surfaces of the resin-molded resin sealing body 6 are cut by appropriate machining.

【０００６】このように、従来では異なる結線の樹脂封
止半導体装置を製造する際に、共通の成形金型を用いる
ために共通のリードフレームを用い、結線されていない
不要なリード部を適宜切断することによって、回路の複
合化に対応するようにしている。As described above, conventionally, when manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having different connections, a common lead frame is used to use a common molding die, and unnecessary lead portions that are not connected are appropriately cut. By doing so, it is possible to cope with complex circuits.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２９
に示す従来の半導体装置では、結線されていない不要な
リード部１ｃの切断面１ｃ´が樹脂封止本体６の側面に
残る。その切断面１ｃ´に後処理であるフロー半田付け
(ディップ半田付け)時に半田Ｈが付く。このため、電極
端子１ａ、１ａ間において切断面１ｃ´が導電部として
飛び石状態に存在することになる。この結果、電極端子
１ａ、１ａが電気的に接続されてしまうことがある。こ
れが顕著に現われると耐圧特性が劣下し、半導体装置が
機能しなくなる場合があった。However, FIG.
In the conventional semiconductor device shown in (1), an uncut unnecessary cut surface 1c 'of the lead portion 1c remains on the side surface of the resin sealing body 6. Flow soldering as post-processing on the cut surface 1c '
Solder H is attached during (dip soldering). For this reason, the cut surface 1c 'exists between the electrode terminals 1a and 1a in a stepping stone state as a conductive portion. As a result, the electrode terminals 1a, 1a may be electrically connected. When this appears remarkably, the breakdown voltage characteristics deteriorate, and the semiconductor device may not function.

【０００８】特に、半導体装置の多ピン化により、リー
ド部間の距離は短くなる。一方、半導体装置の高耐圧化
によりリード部間には高電圧がかかる。このため、距離
が短くなったリード部間の耐圧を確保する必要がある。In particular, as the number of pins of a semiconductor device increases, the distance between lead portions decreases. On the other hand, a high voltage is applied between the lead portions due to a higher breakdown voltage of the semiconductor device. For this reason, it is necessary to ensure the withstand voltage between the lead portions whose distance has become short.

【０００９】また、このような電極端子１ａ、１ａ間の
耐圧特性の劣化を防ぐためには、各種半導体回路ごとに
専用のリードフレームおよび専用の成形金型が必要とな
る。このため、成形金型費用の増加および成形金型の交
換工数の増加が生じ、製造コストが上がる。Further, in order to prevent such deterioration of the breakdown voltage characteristics between the electrode terminals 1a, a dedicated lead frame and a dedicated molding die are required for each semiconductor circuit. For this reason, an increase in the cost of the molding die and an increase in the number of man-hours for replacing the molding die occur, thereby increasing the manufacturing cost.

【００１０】本発明の目的は、共通のリード配列を有す
るリードフレームと共通の成形金型とを用い、不要なリ
ード部を除去する際に、その不要なリード部が半導体装
置に残留せず、半導体装置の耐圧特性を劣化させること
のないリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹
脂封止半導体装置の成形金型、そのリードフレームを用
いた樹脂封止半導体装置およびその樹脂封止半導体装置
の製造方法を提供することにある。[0010] An object of the present invention is to use a lead frame having a common lead arrangement and a common molding die, and when unnecessary lead portions are removed, the unnecessary lead portions do not remain in the semiconductor device. Lead frame that does not degrade withstand voltage characteristics of semiconductor device, molding die of resin-sealed semiconductor device using the lead frame, resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and manufacture of resin-sealed semiconductor device It is to provide a method.

【００１１】本発明の他の目的は、共通の成形金型を用
いつつ、半導体装置の種類に応じて外部リードのピン配
置を変えることができるリードフレーム、そのリードフ
レームを用いた樹脂封止半導体装置の成形金型、そのリ
ードフレームを用いた樹脂封止半導体装置およびその樹
脂封止半導体装置の製造方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a lead frame capable of changing the pin arrangement of external leads according to the type of a semiconductor device while using a common molding die, and a resin-sealed semiconductor using the lead frame. An object of the present invention is to provide a molding die of a device, a resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and a method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームは、樹脂封止半導体装置に用いられるリードフレー
ムであって、樹脂封止本体の少なくとも１つの外周面に
対応して配列された複数のリード部を備え、該複数のリ
ード部は、少なくとも１本の調整リード部を含み、該調
整リード部の先端部は、樹脂封止時には該調整リード部
から樹脂が飛び出さない程度に、樹脂封止後には該樹脂
封止本体から該調整リード部を除去できる程度に、該外
周面から十分近い位置に設けられ、該先端部は、樹脂封
止後に該樹脂封止本体から該調整リード部を引き抜くこ
とが可能である程度に、該外周面に対して該樹脂封止本
体の内部側へ突出した位置に設けられ、そのことにより
上記目的が達成される。 該先端部は、先細り形状を有し
ていてもよい。 前記先細り形状の長さが０．３ｍｍ以上
０．８ｍｍ以下であってもよい。 該先端部は、長方形の
形状を有していてもよい。 本発明に係る他のリードフレ
ームは、樹脂封止半導体装置に用いられるリードフレー
ムであって、樹脂封止本体の少なくとも１つの外周面に
対応して配列された複数のリード部を備え、該複数のリ
ード部は、少なくとも１本の調整リード部を含み、該調
整リード部の先端部は、樹脂封止時には該調整リード部
から樹脂が飛び出さない程度に、樹脂封止後には該樹脂
封止本体から該調整リード部を除去できる程度に、該外
周面から十分近い位置に設けられ、該先端部は、該外周
面に対して該樹脂封止本体の外部側に該調整リード部を
間に挟むリード間の縁面距離が樹脂突出部で確保できる
ように設けられ、該調整リード部の該先端部は、該樹脂
封止本体の該外周面から離れた位置に設けられ、そのこ
とにより上記目的が達成される。 該先端部は、長方形の
形状を有していてもよい。 該先端部の端面と該外周面と
の間の距離は、０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であって
もよい。 該リード部は、該リード部が該樹脂封止本体か
ら抜ける事を防止するリード抜け防止部を有していても
よい。 該リードフレームは、該外周面に近接して配置さ
れ、該複数のリード部を連結するタイバーをさらに備え
ており、該先端部は、該タイバーに対して該外周面側に
突出した位置に設けられていてもよい。 A lead frame according to the present invention is a lead frame used for a resin-encapsulated semiconductor device, comprising a plurality of resin frames arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of a resin-encapsulated body. a read portion, the lead portion of the plurality of comprises at least one adjustment lead portion, the distal end portion of the adjusting lead portions, to the extent there is no of protruding resin from the adjustment leads during resin sealing, resin sealing After stopping, the adjustment lead portion is provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface so that the adjustment lead portion can be removed from the resin sealing main body.
After stopping, pull out the adjustment lead from the resin sealing body.
To the extent that it is possible to
It is provided at a position protruding inside the body,
The above object is achieved. The tip has a tapered shape
May be. The length of the tapered shape is 0.3 mm or more
It may be 0.8 mm or less. The tip is rectangular
It may have a shape. Other lead frames according to the present invention
Is a lead frame used in resin-encapsulated semiconductor devices.
At least one outer peripheral surface of the resin sealing body.
A plurality of leads arranged in a corresponding manner;
The lead includes at least one adjustment lead,
When the resin is sealed, the tip of the adjustment lead
After the resin is sealed, the resin does not
The outside of the sealing member is removed to the extent that the adjustment lead can be removed from the sealing body.
Provided at a position sufficiently close to the peripheral surface,
The adjustment lead portion is provided on the outer side of the resin sealing body with respect to the surface.
The edge distance between the leads sandwiched between them can be secured by the resin protrusion
And the tip of the adjustment lead portion is made of the resin
It is provided at a position away from the outer peripheral surface of the sealing body,
This achieves the above object. The tip is rectangular
It may have a shape. The end surface of the tip and the outer peripheral surface
Is between 0.1 mm and 0.2 mm
Is also good. The lead portion may be a resin-sealed main body.
Even if it has a lead removal prevention part that prevents
Good. The lead frame is disposed close to the outer peripheral surface.
A tie bar connecting the plurality of leads.
And the tip is on the outer peripheral surface side with respect to the tie bar.
It may be provided at a protruding position.

【００１３】[0013]

【００１４】[0014]

【００１５】[0015]

【００１６】[0016]

【００１７】[0017]

【００１８】[0018]

【００１９】[0019]

【００２０】[0020]

【００２１】[0021]

【００２２】[0022]

【００２３】本発明に係る樹脂封止半導体装置は、リー
ドフレームを用いた樹脂封止半導体装置であって、該樹
脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えており、該リー
ドフレームは、該樹脂封止本体の少なくとも１つの外周
面に対応して配列された複数のリード部を備え、該複数
のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を備えて
おり、該調整リード部の先端部は、樹脂封止後に該樹脂
封止本体から該調整リード部を引き抜くことが可能であ
る程度に、該外周面に対して該樹脂封止本体の内部側へ
突出した位置に設けられており、該外周面には該先端部
が入る凹部が形成されている。The resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame. The resin-encapsulated semiconductor device has a resin-encapsulated main body. A plurality of leads arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of the resin sealing body, the plurality of leads including at least one adjustment lead, and a tip of the adjustment lead; Is provided at a position protruding toward the inner side of the resin sealing main body with respect to the outer peripheral surface to a degree that the adjustment lead portion can be pulled out from the resin sealing main body after resin sealing. A concave portion is formed on the outer peripheral surface to receive the tip.

【００２４】該凹部は、該凹部に隣接するリード部間を
絶縁する絶縁材で形成されていてもよい。[0024] The recess may be formed of an insulating material that insulates between lead portions adjacent to the recess.

【００２５】該隣接するリード部間の空間距離より該絶
縁材で形成された沿面距離の方が長くなるように設定さ
れていてもよい。The creepage distance formed by the insulating material may be set to be longer than the space distance between the adjacent lead portions.

【００２６】本発明に係る他の樹脂封止半導体装置は、
リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置であって、
該樹脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えており、該
リードフレームは、該樹脂封止本体の少なくとも１つの
外周面に対応して配列された複数のリード部を備え、該
複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を備
えており、該調整リード部の先端部は、該外周面に対し
て該樹脂封止本体の外部側の位置に設けられており、該
外周面には樹脂封止時に該先端部が当接した突出部が形
成されている。Another resin-sealed semiconductor device according to the present invention comprises:
A resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame,
The resin-encapsulated semiconductor device includes a resin-encapsulated main body, and the lead frame includes a plurality of leads arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of the resin-encapsulated main body. The part has at least one adjustment lead, and the tip of the adjustment lead is provided at a position on the outer side of the resin sealing body with respect to the outer peripheral surface. Is formed with a protruding portion with which the tip abuts during resin sealing.

【００２７】本発明に係るさらに他の樹脂封止半導体装
置は、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置であ
って、該樹脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えてお
り、該リードフレームは、樹脂封止本体の少なくとも１
つの外周面に対応して、所定間隔の２倍以上の間隔で配
列された２本以上のリード部と、該外周面に近接して配
置され、該２本以上のリード部を連結するタイバーとを
備えており、該外周面には樹脂封止時に該タイバーの側
面が当接した突出部が形成されている。Still another resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame, wherein the resin-encapsulated semiconductor device includes a resin-encapsulated main body. Is at least one of the resin-sealed main bodies.
Two or more leads arranged at an interval of twice or more a predetermined interval corresponding to the two outer peripheral surfaces, and a tie bar arranged close to the outer peripheral surface and connecting the two or more leads. The outer peripheral surface is formed with a protruding portion with which the side surface of the tie bar abuts during resin sealing.

【００２８】本発明に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法は、樹脂封止半導体装置に用いられるリードフレーム
であって、樹脂封止本体の少なくとも１つの外周面に対
応して配列された複数のリード部を備え、該複数のリー
ド部は、少なくとも１本の調整リード部を備えており、
該調整リード部の先端部は、該外周部に対して該樹脂封
止本体の外部側に該調整リードを間に挟むリード間の縁
面距離が樹脂突出部で確保できる程度に、樹脂封止後に
は該樹脂封止本体から該調整リード部を除去できる程度
に、該外周面から十分近い位置に設けられているリード
フレームを、該樹脂封止本体を成型する成型金型に挟み
込む第１の工程と、該成型金型で樹脂封止して該樹脂封
止本体を該リードフレームと一体に形成する第２の工程
と、該リードフレームと一体に形成された該樹脂封止本
体を該成型金型から取り出す第３の工程と、該樹脂封止
本体から該調整リード部を除去する第４の工程とを備え
ている。A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention is directed to a lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device, comprising a plurality of resin frames arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of a resin-encapsulated body. A lead portion, wherein the plurality of lead portions include at least one adjustment lead portion,
The tip of the adjustment lead is sealed with the resin with respect to the outer periphery.
An edge between the leads that sandwiches the adjustment lead between the outside of the stop body
The lead frame provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface so that the surface distance can be ensured by the resin projecting portion, and after the resin sealing, the adjustment lead portion can be removed from the resin sealing body, A first step of inserting the resin-sealed main body into a molding die for molding, a second step of sealing the resin with the molding die to form the resin-sealed main body integrally with the lead frame, The method includes a third step of removing the resin-sealed main body formed integrally with the frame from the molding die, and a fourth step of removing the adjustment lead portion from the resin-sealed main body.

【００２９】該調整リード部の先端部は、樹脂封止後に
該樹脂封止本体から該調整リード部を引き抜くことが可
能である程度に、該外周面に対して該樹脂封止本体の内
部側へ突出した位置に設けられており、該第４の工程
は、該複数のリード部を切断する工程と、該樹脂封止本
体から該調整リード部を引き抜く工程とを含んでいても
よい。The leading end of the adjustment lead is moved toward the inside of the resin sealing body with respect to the outer peripheral surface to such an extent that the adjustment lead can be pulled out from the resin sealing body after resin sealing. The fourth step is provided at a protruding position, and the fourth step may include a step of cutting the plurality of leads and a step of pulling out the adjustment lead from the resin sealing body.

【００３０】該第４の工程は、該調整リード部を該複数
のリード部の切断とともに除去する工程を含んでいても
よい。[0030] The fourth step may include the step of removing with cleavage of the plurality of lead portions of the adjustment leads.

【００３１】本発明に係る他の樹脂封止半導体装置の製
造方法は、樹脂封止半導体装置に用いられるリードフレ
ームであって、該リードフレームは、樹脂封止本体の少
なくとも１つの外周面に対応して、所定間隔の２倍以上
の間隔で配列された２本以上のリード部と、該外周面に
近接して配置され、該２本以上のリード部を連結するタ
イバーとを備えているリードフレームを、該樹脂封止本
体を成型する成型金型に挟み込む第１の工程と、該成型
金型で樹脂封止して該樹脂封止本体を該リードフレーム
と一体に形成する第２の工程と、該リードフレームと一
体に形成された該樹脂封止本体を該成型金型から取り出
す第３の工程と、該樹脂封止本体から該タイバーを除去
する第４の工程とを備えている。Another method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention is a lead frame used for a resin-sealed semiconductor device, wherein the lead frame corresponds to at least one outer peripheral surface of the resin-sealed main body. And a lead having two or more leads arranged at an interval of twice or more a predetermined interval, and a tie bar arranged close to the outer peripheral surface and connecting the two or more leads. A first step of sandwiching the frame in a molding die for molding the resin-sealed main body, and a second step of sealing the resin with the molding die to form the resin-sealed main body integrally with the lead frame And a third step of removing the resin-sealed body formed integrally with the lead frame from the molding die, and a fourth step of removing the tie bar from the resin-sealed body.

【００３２】[0032]

【００３３】[0033]

【００３４】[0034]

【００３５】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００３６】（実施の形態１）図１は、実施の形態１に
係るリードフレーム付き樹脂封止半導体装置の構成図を
示す。リードフレーム１０は、帯状の共通条部１１と、
一対のリード部１２ａ、１２ａと平板部１２ｂとを有し
て略逆凹字状をなす電極端子部１２と、この電極端子部
１２の空間部Ｕにおいて前記一対のリード部１２ａ、１
２ａ間に配されるリード部１３ａ、１３ｃと、リード部
１３ａ、１３Ｃ間に配される調整リード部１１３ｂとを
有している。(Embodiment 1) FIG. 1 shows a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to Embodiment 1. The lead frame 10 has a strip-shaped common strip 11,
An electrode terminal portion 12 having a pair of leads 12a, 12a and a flat plate portion 12b and having a substantially inverted concave shape, and a pair of the lead portions 12a, 1a in a space U of the electrode terminal portion 12.
It has leads 13a and 13c disposed between 2a and an adjustment lead 113b disposed between leads 13a and 13C.

【００３７】リード部１３ａ、１３ｃは、平板部１２ｂ
に接着固定された半導体素子１４に金属細線１５、１５
によって結線されている。調整リード部１１３ｂの突出
距離Ｄ２は、一対のリード部１３ａ、１３ｃの突出距離
Ｄ１よりも、短い。即ち、Ｄ２＜Ｄ１となる。The leads 13a, 13c are
The metal wires 15, 15 are attached to the semiconductor element 14 bonded and fixed to the
Are connected by The protrusion distance D2 of the adjustment lead portion 113b is shorter than the protrusion distance D1 of the pair of lead portions 13a and 13c. That is, D2 <D1.

【００３８】樹脂封止本体１６は、リード部１２ａ、１
２ａの足部、リード部１３ａ、１３ｃの足部、調整リー
ド部１１３ｂの足部、および共通条部１１を樹脂封止本
体１６の外部に残して樹脂封止することによって形成さ
れている。樹脂封止本体１６は、半導体素子１４と、電
極端子部１２の平板部１２ｂと、リード部１３ａ、１３
ｃと、それらの結線部である金属細線１５、１５とを絶
縁封止する。The resin sealing body 16 includes the lead portions 12a, 1
It is formed by sealing the resin while leaving the foot portion 2a, the foot portions of the lead portions 13a and 13c, the foot portion of the adjustment lead portion 113b, and the common ridge portion 11 outside the resin sealing body 16. The resin sealing body 16 includes a semiconductor element 14, a flat plate portion 12 b of the electrode terminal portion 12, and lead portions 13 a and 13.
c and the thin metal wires 15, which are connection portions thereof, are insulated and sealed.

【００３９】調整リード部１１３ｂの樹脂封止本体１６
への侵入距離ｄ２は、リード部１３ａ、１３ｃの樹脂封
止本体１６への侵入距離ｄ１よりも、短い。即ち、ｄ２
＜ｄ１となる。The resin sealing body 16 of the adjustment lead portion 113b
The penetration distance d2 into the resin sealing main body 16 of the lead portions 13a and 13c is shorter than the penetration distance d1. That is, d2
<D1.

【００４０】このように、調整リード部１１３ｂの先端
部は、樹脂封止後に樹脂封止本体１６から調整リード部
１１３ｂを容易に引き抜くことができる程度に、樹脂封
止本体１６の外周面１６ａに対して樹脂封止本体１６の
内部側に突出した位置に設けられている。As described above, the distal end of the adjustment lead portion 113b is attached to the outer peripheral surface 16a of the resin sealing main body 16 to such an extent that the adjustment lead portion 113b can be easily pulled out from the resin sealing main body 16 after the resin sealing. On the other hand, it is provided at a position protruding inside the resin sealing body 16.

【００４１】容易に引き抜くことができる程度には、以
下の２つの意味がある。The degree of easy removal has the following two meanings.

【００４２】第１に、容易に引き抜くことができる程度
とは、調整リード部１１３ｂを引き抜く際に、樹脂封止
本体１６、半導体素子１４に対して機械的ダメージを与
えない程度を意味する。例えば、調整リード部１１３ｂ
の先端部にリード抜け防止用のフック形状等が形成され
ていると、引き抜く際に樹脂封止本体１６に機械的破損
が生じる。First, the extent to which the adjustment lead portion 113b can be easily pulled out means that the resin sealing body 16 and the semiconductor element 14 are not mechanically damaged when the adjustment lead portion 113b is pulled out. For example, the adjustment lead portion 113b
If a hook shape or the like for preventing lead coming off is formed at the tip of the resin seal, the resin sealing body 16 will be mechanically damaged when it is pulled out.

【００４３】また、調整リード部１１３ｂを引き抜いた
後の樹脂封止本体１６が半導体素子１４の保護機能を維
持していることも必要である。例えば、調整リード部１
１３ｂの先端部を電極端子部１２の平板部１２ｂに近づ
けると、調整リード部１１３ｂの先端部と平板部１２ｂ
との間の樹脂厚が薄くなる。このため、ひびが発生しや
すくなる。この結果、樹脂封止本体１６の半導体素子１
４に対する保護機能が弱くなる。It is also necessary that the resin sealing body 16 after pulling out the adjustment lead portion 113b maintains the function of protecting the semiconductor element 14. For example, adjustment lead 1
When the tip of the adjustment lead portion 113b is brought close to the flat portion 12b of the electrode terminal portion 12, the tip portion of the adjustment lead portion 113b and the flat portion 12b
And the resin thickness between the two becomes thinner. For this reason, cracks easily occur. As a result, the semiconductor element 1 of the resin sealing body 16
4 has a weaker protection function.

【００４４】第２に、容易に引き抜くことができる程度
とは、調整リード部１１３ｂの端部を曲げて手で引っか
けて引っ張れば抜けるが、搬送中に生じる軽い振動や軽
い接触によっては抜けにくい程度を意味する。調整リー
ド部１１３ｂが所定の引き抜き工程以外のどこでも容易
に抜け落ちると、ゴミ（抜け落ちた調整リード部１１３
ｂ）が発生する。このため、所定の引き抜き工程でのみ
調整リード部１１３ｂを抜くようにするため、搬送中に
生じる軽い振動や軽い接触によっては抜けにくい程度で
ある必要がある。この結果、抜けた調整リード部１１３
ｂのゴミ処理を安定に行うことができるという効果が生
じる。Secondly, the degree that the adjustment lead portion 113b can be easily pulled out can be removed by bending the end portion of the adjustment lead portion 113b and pulling it by hand. Means If the adjustment lead portion 113b easily falls off anywhere except in a predetermined drawing process, dust (the adjustment lead portion 113
b) occurs. For this reason, in order to pull out the adjustment lead portion 113b only in the predetermined pulling-out step, it is necessary that the adjustment lead portion 113b is hardly pulled out by light vibration or light contact generated during the conveyance. As a result, the adjustment lead portion 113
This produces an effect that the garbage disposal of b can be performed stably.

【００４５】図２〜図５を参照して実施の形態１に係る
樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。図１で説明
した要素と同一の要素には同一の参照符号を付してい
る。以下これらの説明は省略する。以降の説明で用いる
図面も同様である。A method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. The same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Hereinafter, these descriptions are omitted. The same applies to the drawings used in the following description.

【００４６】図２は、樹脂封止半導体装置の樹脂封止前
の工程を示す。図２（ａ）は、半導体素子１４をリード
フレーム１０の平板部１２ｂに取り付けて金属細線１５
を張った状態を説明する平面図を示す。図２（ｂ）は、
その側面図を示す。図３は、樹脂封止半導体装置の樹脂
封止時の工程を示す。図３（ａ）は、樹脂封止時の成形
金型１１６の平面断面図を示す。図３（ｂ）は、その側
面断面図を示す。図３（ｃ）は、その要部断面図を示
す。図４（ａ）は、樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の
工程を示す。図４（ｂ）は、樹脂封止半導体装置の切断
後の工程を示す。図５は、実施の形態１に係る樹脂封止
半導体装置の製造方法のフローチャートを示す。FIG. 2 shows a step before resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 2A shows a state in which the semiconductor element 14 is attached to the flat plate portion 12b of the lead frame 10 and the thin metal wire 15 is attached.
FIG. 2 is a plan view for explaining a state in which the is stretched. FIG. 2 (b)
The side view is shown. FIG. 3 shows a process at the time of resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 3A is a plan sectional view of the molding die 116 at the time of resin sealing. FIG. 3B shows a side sectional view thereof. FIG. 3C shows a cross-sectional view of the main part. FIG. 4A shows a step after resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 4B shows a step after the resin-sealed semiconductor device is cut. FIG. 5 shows a flowchart of the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment.

【００４７】図２、図５に示すように、樹脂封止前の工
程では、半導体素子１４が、リードフレーム１０の平板
部１２ｂに取り付けられる（Ｓ１０１）。半導体素子１
４は、リード部１３ａ、１３ｃと金属細線１５、１５に
より結線される。As shown in FIGS. 2 and 5, in a step before resin sealing, the semiconductor element 14 is attached to the flat plate portion 12b of the lead frame 10 (S101). Semiconductor element 1
4 is connected to the lead portions 13a and 13c by thin metal wires 15 and 15.

【００４８】図３、図５に示すように、樹脂封止時の工
程では、樹脂封止は上下一対の上金型１１６ａと下金型
１１６ｂとを有する成形金型１１６によって行われる。
上金型１１６ａ、下金型１１６ｂは、リード部１２ａ、
１２ａとリード部１３ａ、１３ｃと調整リード部１１３
ｂとの足部を挾みこむ（Ｓ１０２）。成形金型１１６
は、モールド成形により樹脂封止本体１６をリードフレ
ーム１０と一体に形成する（Ｓ１０３）。As shown in FIGS. 3 and 5, in the step of resin sealing, resin sealing is performed by a molding die 116 having a pair of upper and lower upper dies 116a and lower dies 116b.
The upper mold 116a and the lower mold 116b are connected to the lead 12a,
12a, lead portions 13a, 13c, and adjustment lead portion 113
The foot is sandwiched with the foot b (S102). Molding mold 116
Forms the resin sealing body 16 integrally with the lead frame 10 by molding (S103).

【００４９】図４（ａ）、図５に示すように、樹脂封止
後の工程では、リードフレーム１０と一体に形成された
樹脂封止本体１６が成形金型１１６から取り出される。
一点鎖線Ｃ１に沿って、各リード部１２ａ、１２ａ、１
３ａ、１１３ｂ、１３ｃから共通条部１１が切断され
る。各リード部１２ａ、１２ａ、１３ａ、１１３ｂ、１
３ｃの先端は、尖った形状となるように切断される（Ｓ
１０４）。As shown in FIGS. 4A and 5, in the step after the resin sealing, the resin sealing body 16 formed integrally with the lead frame 10 is taken out of the molding die 116.
Along the alternate long and short dash line C1, each of the lead portions 12a, 12a, 1
The common strip 11 is cut from 3a, 113b, and 13c. Each lead portion 12a, 12a, 13a, 113b, 1
The tip of 3c is cut into a sharp shape (S
104).

【００５０】図４（ｂ）、図５に示すように、切断後の
工程では、半導体素子１４に結線されない調整リード部
１１３ｂが、樹脂封止体１６から引き抜かれ、除去され
る（Ｓ１０５）。この除去対象である調整リード部１１
３ｂは、樹脂封止本体１６から引き抜くことができる程
度に樹脂封止本体１６に対して浅く入っているため、容
易に除去することができる。As shown in FIGS. 4B and 5, in the step after the cutting, the adjustment lead 113b not connected to the semiconductor element 14 is pulled out of the resin sealing body 16 and removed (S105). The adjustment lead 11 to be removed
3b is so shallow with respect to the resin sealing body 16 that it can be pulled out from the resin sealing body 16, so that it can be easily removed.

【００５１】リード部１３ａ、１３ｃは、リード部１３
ａ、１３ｃが樹脂封止本体１６から抜ける事を防止する
リード抜け防止部１１３ａ、１１３ｃを有している（図
３）。The lead portions 13a and 13c are
It has lead removal prevention parts 113a and 113c for preventing a and 13c from falling out of the resin sealing body 16 (FIG. 3).

【００５２】以上のように、本実施の形態１によれば、
各種仕様の半導体装置に対して共通の成形金型１１６を
用いつつ、その半導体装置の仕様によって不要となった
調整リード部１１３ｂを樹脂封止体１６に残留させるこ
となく除去することができる。 このため、従来のよう
に切断面を有する調整リード部が半導体装置に残留する
ことない。この結果、半導体装置をプリント基板に半田
付けした際のショート不良が減少し、半導体装置の耐圧
特性が劣化しない。As described above, according to the first embodiment,
While using a common molding die 116 for semiconductor devices of various specifications, it is possible to remove the adjustment lead portion 113b which is no longer required due to the specifications of the semiconductor device without remaining on the resin sealing body 16. For this reason, the adjustment lead portion having the cut surface does not remain in the semiconductor device unlike the related art. As a result, short-circuit defects when the semiconductor device is soldered to the printed circuit board are reduced, and the withstand voltage characteristics of the semiconductor device are not deteriorated.

【００５３】なお、前記リードフレームの構成は、図１
の構成に限定されない。樹脂封止半導体装置に用いられ
るリードフレームは、樹脂封止本体の少なくとも１つの
外周面に対応して配列された複数のリード部を備え、複
数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を含ん
でいればよい。The structure of the lead frame is shown in FIG.
Is not limited to this configuration. The lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device includes a plurality of leads arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of the resin-encapsulated body, and the plurality of leads include at least one adjustment lead. You only need to include it.

【００５４】図６は、実施の形態１に係るリードフレー
ム付き樹脂封止半導体装置の第２の例の構成図を示す。
図７は、調整リード部の先端部の形状の説明図を示す。FIG. 6 is a configuration diagram of a second example of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment.
FIG. 7 is an explanatory view of the shape of the tip of the adjustment lead.

【００５５】前述した樹脂封止半導体装置の第1の例で
は、調整リード部の先端部は長方形の形状を有してい
る。一方、樹脂封止半導体装置の第２の例では、除去対
象である調整リード部１１３ｂの先端部は、樹脂封止体
１６の内部に向かって先細りとなるような略三角形状を
有している。樹脂封止本体１６から引き抜きやすいよう
にするためである。この先細りの形状は、図７(ａ)、
(ｂ)に示すように、略台形状あるいは円弧状でもよい。In the above-described first example of the resin-sealed semiconductor device, the tip of the adjustment lead has a rectangular shape. On the other hand, in the second example of the resin-encapsulated semiconductor device, the tip of the adjustment lead portion 113b to be removed has a substantially triangular shape tapering toward the inside of the resin encapsulant 16. . This is for making it easy to pull out from the resin sealing body 16. This tapered shape is shown in FIG.
As shown in (b), it may be substantially trapezoidal or arcuate.

【００５６】また前記先細り部分の長さＬは、０．３mm
〜０．８mm程度が望ましい。長さＬが０．８mmより長い
と、引き抜くことが困難になる。The length L of the tapered portion is 0.3 mm
About 0.8 mm is desirable. If the length L is longer than 0.8 mm, it becomes difficult to pull out.

【００５７】引き抜くことが困難になるのは以下の原因
による。即ち、長さＬが０．８mmより長いと、樹脂と調
整リード部１１３ｂとの接触面積が大きくなる。また、
長さＬが０．８mmより長いために調整リード部１１３ｂ
が樹脂封止本体１６の内部深くまで到達すると、調整リ
ード部１１３ｂが横方向からの揺れに対して樹脂封止本
体１６に強固に固定されて安定する。この結果、縦方向
の引き抜く力に対して調整リード部１１３ｂと樹脂封止
本体１６との密着による摩擦力が強くなるからである。The reason why it becomes difficult to pull out is as follows. That is, if the length L is longer than 0.8 mm, the contact area between the resin and the adjustment lead portion 113b increases. Also,
Adjustment lead 113b because length L is longer than 0.8 mm
When the lead reaches deep inside the resin-sealed main body 16, the adjustment lead portion 113b is firmly fixed to the resin-sealed main body 16 against the lateral swing and is stabilized. As a result, the frictional force due to the close contact between the adjustment lead portion 113b and the resin sealing main body 16 becomes stronger with respect to the vertical pullout force.

【００５８】また、樹脂封止本体１６の外周面１６ａで
の調整リード部１１３ｂの断面形状は、他のリード部１
２ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｃの断面形状と同等である
必要がある。先細り形状が外周面１６ａの外側まで形成
されているために調整リード部１１３ｂの幅が外周面１
６ａで狭くなっている場合には、成形金型と調整リード
部１１３ｂとの間に隙間が発生するため、樹脂成形時に
樹脂漏れ(フラッシュ)が発生してしまうからである。The sectional shape of the adjustment lead portion 113b on the outer peripheral surface 16a of the resin sealing main body 16 is different from that of the other lead portions 1b.
It is necessary that the cross-sectional shape is the same as 2a, 12a, 13a, and 13c. Since the tapered shape is formed to the outside of the outer peripheral surface 16a, the width of the adjustment lead portion 113b is
If the width is narrowed in 6a, a gap is generated between the molding die and the adjustment lead portion 113b, so that resin leakage (flash) occurs during resin molding.

【００５９】一方、長さＬが０．３mmより短いと、引き
抜きやすくなるという効果が少なくなるため、余り意味
がない。On the other hand, if the length L is shorter than 0.3 mm, the effect of facilitating the pulling-out is reduced, so that it is not significant.

【００６０】図８は、実施の形態１に係るリードフレー
ム付き樹脂封止半導体装置の第３の例の構成図を示す。
図９は、リードフレーム付き樹脂封止半導体装置の第３
の例を成形する成形金型の構成図を示す。FIG. 8 is a configuration diagram of a third example of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment.
FIG. 9 shows a third example of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame.
FIG. 2 is a configuration diagram of a molding die for molding the example of FIG.

【００６１】樹脂封止半導体装置の成形に使用される成
形金型１１６は、前述したように互いに接合する上金型
と下金型で構成される。成形金型１１６は、調整リード
部１１３ｂを挟み込む部分１１７を有しており、調整リ
ード部１１３ｂを挟み込む部分１１７は、調整リード部
１１３ｂの先端部近傍まで突出している。The molding die 116 used for molding the resin-encapsulated semiconductor device is composed of an upper die and a lower die which are joined to each other as described above. The molding die 116 has a portion 117 that sandwiches the adjustment lead portion 113b, and the portion 117 that sandwiches the adjustment lead portion 113b protrudes to near the tip of the adjustment lead portion 113b.

【００６２】図８に示すように、成形金型１１６によっ
て成形された樹脂封止本体１６の外周面１６ａは、調整
リード部１１３ｂの先端部が入る凹部が形成されてい
る。このため、調整リード部１１３ｂの先端部から樹脂
封止体１６の側面Ｓまでの距離Ｄが短くなる。調整リー
ド部１１３ｂが樹脂封止本体１６内に浅く入り込むた
め、調整リード部１１３ｂを樹脂封止本体１６から容易
に引き抜くことが可能になる。As shown in FIG. 8, the outer peripheral surface 16a of the resin-sealed main body 16 formed by the molding die 116 has a concave portion into which the tip of the adjustment lead portion 113b enters. Therefore, the distance D from the tip of the adjustment lead portion 113b to the side surface S of the resin sealing body 16 is reduced. Since the adjustment lead 113b enters the resin sealing body 16 shallowly, the adjustment lead 113b can be easily pulled out of the resin sealing body 16.

【００６３】一方、調整リード部１１３ｂ以外のリード
部１２ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｃは、容易に抜けない
ように樹脂封止本体１６内に深く入り込んでいる。リー
ド部１３ａ、１３ｃは、前述したリード抜け防止部１１
３ａ、１１３ｃを有している。On the other hand, the lead portions 12a, 12a, 13a, and 13c other than the adjustment lead portion 113b are deeply penetrated into the resin sealing body 16 so as not to be easily removed. The lead portions 13a and 13c are connected to the lead slip prevention portion 11 described above.
3a and 113c.

【００６４】なお、距離ｄ３は、１mm〜１．２mmにする
のが適当である。距離ｄ３が１mmよりも短いと調整リー
ド部１１３ｂの先細り先端部分からの樹脂漏れが発生
し、一方、１．２mmよりも大きいとリード部１１３ｂを
引き抜きにくくなるからである。It is appropriate that the distance d3 is 1 mm to 1.2 mm. If the distance d3 is shorter than 1 mm, resin leakage will occur from the tapered tip of the adjustment lead portion 113b, while if it is larger than 1.2 mm, it will be difficult to pull out the lead portion 113b.

【００６５】図１０は、実施の形態１に係るリードフレ
ーム切断後の樹脂封止半導体装置の構成図を示す。図１
１は、リードフレーム切断後の樹脂封止半導体装置の第
２の例の構成図示す。FIG. 10 is a configuration diagram of the resin-sealed semiconductor device after cutting the lead frame according to the first embodiment. FIG.
FIG. 1 shows a configuration diagram of a second example of the resin-sealed semiconductor device after cutting the lead frame.

【００６６】樹脂封止後に各リード部１２ａ、１２ａ、
１３ａ、１１３ｂ、１３ｃから共通条部１１が切断さ
れ、各リード部１２ａ、１２ａ、１３ａ、１１３ｂ、１
３ｃは、共通条部１１から分離される。調整リード部１
１３ｂは、樹脂封止本体１６から引き抜かれて除去され
ている。After the resin sealing, each of the lead portions 12a, 12a,
13a, 113b, 13c, the common strip portion 11 is cut, and each of the lead portions 12a, 12a, 13a, 113b, 1
3 c is separated from the common strip 11. Adjustment lead 1
13b is pulled out of the resin sealing body 16 and removed.

【００６７】図１０の樹脂封止半導体装置は、図６のリ
ードフレーム付き樹脂封止半導体の第２の例に対応し、
調整リード部１１３ｂが入る樹脂封止本体１６の部位Ｓ
に凹部が形成されてない例である。図１１の樹脂封止半
導体装置は、図８のリードフレーム付き樹脂封止半導体
の第３の例に対応し、調整リード部１１３ｂが入る樹脂
封止本体１６の部位Ｓに凹部が形成されている例であ
り、凹部が形成されている分樹脂封止本体１６の肉厚が
薄くなっている。The resin-encapsulated semiconductor device of FIG. 10 corresponds to the second example of the resin-encapsulated semiconductor with a lead frame of FIG.
Site S of resin-sealed main body 16 into which adjustment lead portion 113b enters.
In this example, no concave portion is formed. The resin-encapsulated semiconductor device of FIG. 11 corresponds to the third example of the resin-encapsulated semiconductor with a lead frame of FIG. 8, and has a concave portion formed in a portion S of the resin-encapsulated main body 16 into which the adjustment lead portion 113b enters. This is an example, and the thickness of the resin sealing body 16 is reduced by the formation of the concave portion.

【００６８】なお、図１１に示すように、凹部は、凹部
に隣接するリード部１３ａ、１３ｃ間を絶縁材２００で
形成しても良い。部位Ｓに絶縁材２００を塗布すると、
部位Ｓと周囲の部分とは絶縁状態になる。隣接するリー
ド部１３ａ、１３ｃ間が確実に絶縁されるので、耐圧特
性の向上を図ることができる。As shown in FIG. 11, the recess may be formed of an insulating material 200 between the lead portions 13a and 13c adjacent to the recess. When the insulating material 200 is applied to the portion S,
The part S and the surrounding part are in an insulated state. Since the insulation between the adjacent lead portions 13a and 13c is ensured, the withstand voltage characteristics can be improved.

【００６９】凹部が部位Ｓに形成されていると、隣接す
るリード部１３ａ、１３ｃ間の空間距離Ｂよりも、絶縁
材２００で形成された沿面距離Ｃの方が長くなる。この
ため、さらに絶縁状態を良好にすることができる。When the recess is formed in the portion S, the creepage distance C formed of the insulating material 200 is longer than the space distance B between the adjacent lead portions 13a and 13c. For this reason, the insulation state can be further improved.

【００７０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２を
図面を参照しながら説明する。実施の形態１の図１で説
明した要素と同一の要素には同一の参照符号を付してい
る。以下これらの説明は省略する。図１２は、実施の形
態２に係るリードフレーム付き樹脂封止半導体装置の構
成図を示す。(Embodiment 2) Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same elements as those described in the first embodiment with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Hereinafter, these descriptions are omitted. FIG. 12 shows a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the second embodiment.

【００７１】図１で前述した実施の形態１に係るリード
フレーム付き樹脂封止半導体装置の構成と異なる点は、
調整リード部２１３ｂの先端部が、樹脂封止本体１６の
外周面１６ａに対して樹脂封止本体１６の外部側に設け
られている点である。The difference from the structure of the resin-encapsulated semiconductor device with lead frame according to the first embodiment described above with reference to FIG.
The point is that the tip of the adjustment lead portion 213b is provided on the outer side of the resin sealing body 16 with respect to the outer peripheral surface 16a of the resin sealing body 16.

【００７２】調整リード部２１３ｂの先端部と共通条部
１１との突出距離Ｄ７は、共通条部１１と樹脂封止本体
の外周面１６ａとの距離Ｄ４よりも短い。調整リード部
２１３ｂの先端部は、長方形の形状を有している。先端
部の端面１３ｄと外周面１６ａとは実質的に平行であ
る。調整リード部２１３ｂの先端と樹脂封止本体１６の
外周面１６ａとの距離Ｄ３は、０．１mm〜０．２mmとす
ると、樹脂封止後リード部２１３ｂを除去することが容
易となる。The projecting distance D7 between the tip of the adjustment lead 213b and the common strip 11 is shorter than the distance D4 between the common strip 11 and the outer peripheral surface 16a of the resin sealing body. The tip of the adjustment lead 213b has a rectangular shape. The end face 13d of the tip and the outer peripheral face 16a are substantially parallel. When the distance D3 between the tip of the adjustment lead portion 213b and the outer peripheral surface 16a of the resin sealing body 16 is 0.1 mm to 0.2 mm, the lead portion 213b after resin sealing can be easily removed.

【００７３】図１３〜図１６を参照して実施の形態２に
係る樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。図１３
は、実施の形態２に係る樹脂封止半導体装置の樹脂封止
前の工程を示す。図１４は、樹脂封止半導体装置の樹脂
封止時の工程を示す。図１５（ａ）は、樹脂封止半導体
装置の樹脂封止後の工程を示す。図１５（ｂ）は、樹脂
封止半導体装置の切断後の工程を示す。図１６は、実施
の形態２に係る樹脂封止半導体装置の製造方法のフロー
チャートを示す。A method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG.
Shows a step before resin sealing of the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment. FIG. 14 shows a process at the time of resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 15A shows a step after resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 15B shows a step after the resin-sealed semiconductor device is cut. FIG. 16 shows a flowchart of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment.

【００７４】図１３〜図１６を参照して、前述した実施
の形態１と同様に、半導体素子１４が、リードフレーム
２０の板状部１２に取り付けられる（Ｓ２０１）。樹脂
封止は上下一対の上金型１１６ａと下金型１１６ｂとを
有する成形金型１１６によって行われる。上金型１１６
ａと下金型１１６ｂとは、リード部１２ａ、１２ａとリ
ード部１３ａ、１３ｃと調整リード部２１３ｂとの足部
を金型によって挾みこむ（Ｓ２０２）。成形金型１１６
は、モールド成形により樹脂封止本体１６をリードフレ
ーム２０と一体に形成する。Referring to FIGS. 13 to 16, semiconductor element 14 is attached to plate portion 12 of lead frame 20 in the same manner as in the first embodiment (S201). Resin sealing is performed by a molding die 116 having a pair of upper and lower upper dies 116a and lower dies 116b. Upper mold 116
a and the lower mold 116b sandwich the legs of the leads 12a, 12a, the leads 13a, 13c, and the adjustment lead 213b with the mold (S202). Molding mold 116
Forms the resin sealing body 16 integrally with the lead frame 20 by molding.

【００７５】本実施の形態２では、樹脂封止後の工程
で、図１５に示す一点鎖線Ｃ２に沿って、各リード部１
２ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｃから共通条部１１が切断
される。調整リード部２１３ｂは、複数のリード部１２
ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｃの切断時にエアーで飛ばさ
れ、共通条部１１とともに除去される（Ｓ２０４）。In the second embodiment, in the step after resin encapsulation, each lead portion 1 is taken along the alternate long and short dash line C2 shown in FIG.
The common strip 11 is cut from 2a, 12a, 13a, and 13c. The adjustment lead portion 213b includes a plurality of lead portions 12.
At the time of cutting of a, 12a, 13a, and 13c, it is blown off by air and removed together with the common strip 11 (S204).

【００７６】以上のように、本実施の形態２によれば、
実施の形態１で前述した効果に加え、切断工程のみで、
共通条部１１ととも調整リード部２１３ｂも除去するこ
とができるという効果が得られる。このため、実施の形
態１で前述した、リード部２１３ｂを樹脂封止本体１６
から引き抜く工程が不要となる。As described above, according to the second embodiment,
In addition to the effects described in the first embodiment, only the cutting step
The effect that the adjustment lead part 213b can be removed together with the common strip part 11 is obtained. For this reason, the lead portion 213b described in the first embodiment is
The step of pulling out from is eliminated.

【００７７】また実施の形態１と同様に、図１５（ｂ）
に示す凸部に絶縁材を塗布すると、絶縁材で形成された
沿面距離Ｅの方が、隣接するリード部１３ａ、１３ｃ間
の空間距離よりも長くなる。このため絶縁状態を良好に
することができる。As in the first embodiment, FIG.
When an insulating material is applied to the projections shown in (1), the creepage distance E formed of the insulating material is longer than the space distance between the adjacent lead portions 13a and 13c. Therefore, the insulation state can be improved.

【００７８】なお、リードフレームの構成は、図１２の
構成のものに限定されない。樹脂封止半導体装置に用い
られるリードフレームは、樹脂封止本体の少なくとも１
つの外周面に対応して配列された複数のリード部を備
え、複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部
を含んでいればよい。The structure of the lead frame is not limited to the structure shown in FIG. The lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device has at least one lead frame of the resin-encapsulated body.
A plurality of leads arranged corresponding to the two outer peripheral surfaces may be provided, and the plurality of leads may include at least one adjustment lead.

【００７９】（実施の形態３）本発明の実施の形態３を
図面を参照しながら説明する。実施の形態１の図１で説
明した要素と同一の要素には同一の参照符号を付してい
る。以下これらの説明は省略する。(Embodiment 3) Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same elements as those described in the first embodiment with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Hereinafter, these descriptions are omitted.

【００８０】図１７は、実施の形態３に係るリードフレ
ーム付き樹脂封止半導体装置の構成図を示す。図１で前
述した実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封止
半導体装置の構成と異なる点は、リードフレーム３０
が、タイバー部１７を有している点である。FIG. 17 shows a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the third embodiment. The difference from the configuration of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment described above with reference to FIG.
Has a tie bar portion 17.

【００８１】リードフレーム３０は、樹脂封止本体１６
の外周面１６ａに近接して配置され、複数のリード部１
２ａ、１２ａ、１３ａ、３１３ｂ、１３ｃを連結するタ
イバー部１７をさらに備えており、調整リード部３１３
ｂの先端部は、タイバー部１７に対して外周面１６ａ側
に突出した位置に設けられている。タイバー部１７は、
各リード部１２ａ、１２ａ、１３ａ、３１３ｂ、１３ｃ
を接続することにより、各リード部１２ａ、１２ａ、１
３ａ、３１３ｂ、１３ｃの曲がりを防止する。The lead frame 30 is made of
Are arranged in close proximity to the outer peripheral surface 16a of the
2a, 12a, 13a, 313b, and 13c, and further includes a tie bar portion 17 for connecting the adjustment lead portion 313.
The tip of b is provided at a position protruding toward the outer peripheral surface 16 a with respect to the tie bar portion 17. The tie bar section 17
Each lead portion 12a, 12a, 13a, 313b, 13c
Is connected to each of the lead portions 12a, 12a, 1
Bending of 3a, 313b, and 13c is prevented.

【００８２】図１８〜図２２を参照して、実施の形態３
に係る樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。図１
８は、実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の樹脂封
止前の工程を示す。図１８（ａ）は、半導体素子１４を
リードフレーム３０の平板部１２ｂに取り付けて金属細
線１５を張った状態を説明する平面図を示す。図１８
（ｂ）は、その側面図を示す。図１９は、樹脂封止半導
体装置の樹脂封止時の工程を示す。図１９（ａ）は、樹
脂封止時の成形金型１１６の平面断面図を示す。図１９
（ｂ）は、その側面断面図を示す。図１９（ｃ）は、断
面ＸＩＸＣＸＩＸＣでの断面図を示す。図１９（ｄ）
は、断面ＸＩＸＤＸＩＸＤでの断面図を示す。Embodiment 3 Referring to FIGS.
The method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the above. FIG.
8 shows a step before resin sealing of the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment. FIG. 18A is a plan view illustrating a state where the semiconductor element 14 is attached to the flat plate portion 12b of the lead frame 30 and the thin metal wires 15 are stretched. FIG.
(B) shows the side view. FIG. 19 shows a step of resin-sealing the resin-sealed semiconductor device. FIG. 19A is a plan sectional view of the molding die 116 at the time of resin sealing. FIG.
(B) shows the side sectional view. FIG. 19C shows a cross-sectional view along the cross-section XIXCXIXC. FIG. 19D
Shows a cross-sectional view at cross section XIXDXIXD.

【００８３】図２０は、樹脂封止半導体装置の樹脂封止
後の工程を示す。図２１は、樹脂封止半導体装置の切断
時の工程を示す。図２２は、樹脂封止半導体装置の切断
後の工程を示す。FIG. 20 shows a step after resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 21 shows a step of cutting the resin-sealed semiconductor device. FIG. 22 shows a step after cutting the resin-encapsulated semiconductor device.

【００８４】前述した実施の形態１と同様に、樹脂封止
は上下一対の上金型１１６ａ、下金型１１６ｂを有する
成形金型１１６によって行われる。上金型１１６ａ、下
金型１１６ｂは、リード部１２ａ、１２ａとリード部１
３ａ、１３ｃと調整リード部３１３ｂとの足部を金型に
よって挾持しながら、モールド成形により樹脂封止本体
１６を形成する。As in the first embodiment, resin molding is performed by a molding die 116 having a pair of upper and lower dies 116a and 116b. The upper mold 116a and the lower mold 116b include the leads 12a, 12a and the lead 1
The resin-sealed main body 16 is formed by molding while holding the legs of the adjustment lead portions 313b and 3a, 13c with the mold.

【００８５】実施の形態３では、樹脂封止時に、図１９
に示す空間部２１ｃにも、共通条部１１の厚み分（０．
１〜０．５mm）、樹脂が入り込む。樹脂封止後には、図
２０に示すように、樹脂封止本体１６には突起部１６ａ
が形成されている。In the third embodiment, at the time of resin sealing, FIG.
The space 21c shown in FIG.
1 to 0.5 mm). After the resin sealing, as shown in FIG.
Are formed.

【００８６】図２１に示すように、タイバー部１７は、
１点鎖線Ｃ３に沿って切断される。同時に樹脂封止本体
１６の突起部１６ａも切り取られる。[0086] As shown in FIG.
It is cut along the chain line C3. At the same time, the protrusion 16a of the resin sealing body 16 is also cut off.

【００８７】図２２に示すように、タイバー部１７と突
起部１６ａとの切断後、調整リード部３１３ｂは樹脂封
止体１６から引き抜かれて除去される。この除去対象で
あるリード部３１３ｂは、実施の形態１の場合と同様
に、両側のリード部１３ａ、１３ｃよりも樹脂封止本体
１６に対して浅く入っているため、容易に除去すること
ができる。As shown in FIG. 22, after cutting the tie bar portion 17 and the protruding portion 16a, the adjustment lead portion 313b is pulled out of the resin sealing body 16 and removed. The lead portion 313b to be removed is, as in the case of the first embodiment, shallower in the resin sealing body 16 than the lead portions 13a and 13c on both sides, and thus can be easily removed. .

【００８８】以上のように、本実施の形態３によれば、
実施の形態１で前述した効果に加え、タイバー部を設け
ることにより、リード部の曲がりを防止できる。特に後
述するＱＦＰ（quad flat package）タイプのＩＣに有
効である。As described above, according to the third embodiment,
In addition to the effects described in the first embodiment, the provision of the tie bar can prevent the lead from bending. This is particularly effective for a QFP (quad flat package) type IC described later.

【００８９】（実施の形態４）本発明の実施の形態４を
図面を参照しながら説明する。実施の形態１の図１で説
明した要素と同一の要素には同一の参照符号を付してい
る。以下これらの説明は省略する。(Embodiment 4) Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings. The same elements as those described in the first embodiment with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Hereinafter, these descriptions are omitted.

【００９０】図２３は、実施の形態４に係るリードフレ
ーム付き樹脂封止半導体装置の構成図を示す。図１で前
述した実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封止
半導体装置の構成と異なる点は、実施の形態２と同様
に、調整リード部４１３ｂの先端部が、樹脂封止本体１
６の外周面１６ａに対して樹脂封止本体１６の外部側に
設けられている点、および実施の形態３と同様に、リー
ドフレーム４０が、タイバー部１７を有している点であ
る。FIG. 23 shows a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the fourth embodiment. The difference from the configuration of the resin-encapsulated semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment described above with reference to FIG. 1 is that, similarly to the second embodiment, the tip of the adjustment lead portion 413b is
6 in that it is provided on the outer side of the resin sealing body 16 with respect to the outer peripheral surface 16a, and that the lead frame 40 has the tie bar 17 as in the third embodiment.

【００９１】実施の形態２と同様に、調整リード部４１
３ｂの共通条部１１からの突出距離Ｄ７は、共通条部１
１と樹脂封止本体１６の外周面１６ａとの距離Ｄ４より
も短い。調整リード部４１３ｂの先端と樹脂封止本体１
６との距離Ｄ３は、０．１mm〜０．２mmとすると、樹脂
封止後リード部４１３ｂを除去することが容易となる。
実施の形態３と同様に、タイバー部１７は、リード部１
２ａ、１２ａ、１３ａ、４１３ｂ、１３ｃを接続する。As in the second embodiment, the adjustment lead 41
The projection distance D7 of the common strip 3b from the common strip 11 is
1 and a distance D4 between the outer peripheral surface 16a of the resin sealing main body 16 is shorter than the distance D4. Tip of Adjustment Lead 413b and Resin Sealed Body 1
When the distance D3 to the gap 6 is 0.1 mm to 0.2 mm, it becomes easy to remove the lead portion 413b after resin sealing.
As in the third embodiment, the tie bar portion 17 is
2a, 12a, 13a, 413b, and 13c are connected.

【００９２】図２４〜図２６を参照して、実施の形態４
に係る樹脂封止半導体装置の製造方法を説明する。図２
４は、実施の形態４に係る樹脂封止半導体装置の樹脂封
止前の工程を示す。図２５は、樹脂封止半導体装置の樹
脂封止時の工程を示す。図２６は、樹脂封止半導体装置
の樹脂封止後の工程を示す。図２６（ａ）は、樹脂封止
後の樹脂封止半導体装置の平面図を示す。図２６（ｂ）
は、樹脂封止後の樹脂封止半導体装置の側面図を示す。Embodiment 4 Referring to FIGS.
The method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the above. FIG.
4 shows a step before resin sealing of the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment. FIG. 25 shows a step of resin-sealing the resin-sealed semiconductor device. FIG. 26 shows steps after resin sealing of the resin-sealed semiconductor device. FIG. 26A is a plan view of the resin-sealed semiconductor device after resin sealing. FIG. 26 (b)
Shows a side view of the resin-sealed semiconductor device after resin sealing.

【００９３】前述した実施の形態１と同様に、樹脂封止
は成形金型１１６によって行われる。成形金型１１６
は、リード部１２ａ、１２ａとリード部１３ａ、１３ｃ
と調整リード部４１３ｂとの足部を挾持しながらモール
ド成形により樹脂封止本体１６を形成する。As in the first embodiment, resin molding is performed by a molding die 116. Molding mold 116
Are the leads 12a, 12a and the leads 13a, 13c
The resin-sealed main body 16 is formed by molding while sandwiching the foot between the adjustment lead portion 413b and the adjustment lead portion 413b.

【００９４】実施の形態４では、樹脂封止時に、図２５
に示す空間部２１ａ、２１ｂにも、共通条部１１の厚み
分（０．１〜０．５mm）、樹脂が入り込む。In the fourth embodiment, at the time of resin sealing, FIG.
Resin enters into the space portions 21a and 21b as shown in (1) by the thickness of the common strip portion 11 (0.1 to 0.5 mm).

【００９５】なお、樹脂封止後の工程、切断時の工程お
よび切断後の工程は、前述した実施の形態３の場合と同
様であるので説明は省略する。The steps after resin encapsulation, the steps at the time of cutting, and the steps after cutting are the same as those in the above-described third embodiment, and therefore description thereof is omitted.

【００９６】図２７は、実施の形態４に係る樹脂封止半
導体装置の多ピン化の例の説明図を示す。多ピン化さ
れ、多数のリード部を有している樹脂封止半導体装置
（ＱＦＰタイプのＩＣ）に調整リード部を備えたリード
フレームが用いられている。調整リード部４１３ｂの先
端部は、樹脂封止本体１６の外周面１６ａに対して樹脂
封止本体１６の外部側に設けられている。リードフレー
ム４０は、タイバー部１７を有している。タイバー部１
７は、各リード部を接続することにより、各リード部の
曲がりを防止する。FIG. 27 is an explanatory diagram of an example of increasing the number of pins of the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment. A lead frame having an adjustment lead portion is used for a resin-encapsulated semiconductor device (QFP type IC) having a large number of pins and having many lead portions. The tip of the adjustment lead portion 413b is provided on the outer side of the resin sealing main body 16 with respect to the outer peripheral surface 16a of the resin sealing main body 16. The lead frame 40 has the tie bar portion 17. Tie bar part 1
7 prevents the bending of each lead portion by connecting each lead portion.

【００９７】以上のように、本実施の形態４によれば、
実施の形態１で前述した効果に加え、タイバー部を設け
ることにより、リード部の曲がりを防止できる。As described above, according to the fourth embodiment,
In addition to the effects described in the first embodiment, the provision of the tie bar can prevent the lead from bending.

【００９８】（実施の形態５）図２８は、実施の形態５
に係るリードフレーム付き樹脂封止半導体装置の構成図
を示す。実施の形態１の図１で説明した要素と同一の要
素には同一の参照符号を付している。これらの説明は省
略する。(Embodiment 5) FIG. 28 shows Embodiment 5 of the present invention.
1 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the present invention. The same elements as those described in the first embodiment with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. These descriptions are omitted.

【００９９】実施の形態５に係るリードフレーム付き樹
脂封止半導体装置では、前述した実施の形態１〜実施の
形態４とは異なり、リードフレーム５０には調整リード
部が設けられていない。In the resin-encapsulated semiconductor device with a lead frame according to the fifth embodiment, unlike the first to fourth embodiments, the lead frame 50 is not provided with an adjustment lead.

【０１００】リードフレーム５０は、樹脂封止本体１６
の外周面１６ａに対応して、所定の間隔Ｄ５の２倍以上
の間隔Ｄ６で配列された２本のリード部１３ａ、１３ｃ
と、外周面１６ａに近接して配置され、リード部１２
ａ、１２ａ、１３ａ、１３ｃを連結するタイバー部１７
とを備えている。タイバー部１７は、リード部１２ａ、
１２ａ、１３ａ、１３ｃを接続することにより、各リー
ド部の曲がりを防止する。[0100] The lead frame 50 is
Two lead portions 13a, 13c arranged at an interval D6 that is at least twice the predetermined interval D5 corresponding to the outer peripheral surface 16a of
And the lead portion 12
tie bar portion 17 for connecting a, 12a, 13a, 13c
And The tie bar portion 17 includes a lead portion 12a,
By connecting 12a, 13a and 13c, bending of each lead portion is prevented.

【０１０１】外周面１６ａには樹脂封止時にタイバー部
１７の側面が当接した突出部２１ｄが形成されている以
上のように本実施の形態５によれば、調整リード部がな
いため、調整リード部を除去する工程が不要である。樹
脂封止後は、タイバー部１７の切断工程のみを行えばよ
い。According to the fifth embodiment as described above, since the outer peripheral surface 16a is formed with the protrusion 21d with which the side surface of the tie bar portion 17 abuts during resin sealing, there is no adjustment lead portion. The step of removing the lead is unnecessary. After the resin sealing, only the cutting step of the tie bar portion 17 may be performed.

【０１０２】[0102]

【発明の効果】以上のように、本発明に係るリードフレ
ーム、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の成
形金型、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置お
よび樹脂封止半導体装置の製造方法によれば、リードフ
レームに設けられた調整リード部の先端部は、樹脂封止
時には該調整リード部から樹脂が飛び出さない程度に、
樹脂封止後には該樹脂封止本体から該調整リード部を除
去できる程度に、該外周面から十分近い位置に設けられ
ているので、調整リード部を樹脂封止本体から容易に除
去できる。As described above, the lead frame according to the present invention, the molding die of the resin-sealed semiconductor device using the lead frame, the resin-sealed semiconductor device using the lead frame, and the production of the resin-sealed semiconductor device According to the method, the tip of the adjustment lead portion provided on the lead frame is such that the resin does not protrude from the adjustment lead portion during resin sealing.
Since the adjustment lead portion is provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface so that the adjustment lead portion can be removed from the resin sealing body after resin sealing, the adjustment lead portion can be easily removed from the resin sealing body.

【０１０３】このため、共通のリード配列を有するリー
ドフレームと共通の成形金型とを用い、不要なリード部
を除去する際に、その不要なリード部が半導体装置に残
留することがない。Therefore, when a lead frame having a common lead arrangement and a common molding die are used to remove an unnecessary lead, the unnecessary lead does not remain in the semiconductor device.

【０１０４】この結果、半導体装置の耐圧特性を劣化さ
せることのない、リードフレーム、そのリードフレーム
を用いた樹脂封止半導体装置の成形金型、そのリードフ
レームを用いた樹脂封止半導体装置およびその樹脂封止
半導体装置の製造方法を提供することができる。As a result, a lead frame, a molding die for a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame, a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame, and a semiconductor device without deteriorating the breakdown voltage characteristics of the semiconductor device. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封
止半導体装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to a first embodiment.

【図２】実施の形態１に係る樹脂封止半導体装置の製造
方法の説明図である（封止前）。 （ａ）半導体素子をリードフレームに付けて金属細線を
張った状態を説明する平面図である。 （ｂ）半導体素子をリードフレームに付けて金属細線を
張った状態を説明する側面図である。FIG. 2 is an explanatory view of a method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment (before sealing). FIG. 3A is a plan view illustrating a state where a semiconductor element is attached to a lead frame and a thin metal wire is stretched. (B) It is a side view explaining the state where the semiconductor element was attached to the lead frame and the thin metal wire was stretched.

【図３】実施の形態１に係る樹脂封止半導体装置の製造
方法の説明図である（封止時）。 （ａ）樹脂封止時の成形金型の平面断面図である。 （ｂ）樹脂封止時の成形金型の側面断面図である。 （ｃ）樹脂封止時の成形金型の要部断面図である。FIG. 3 is an explanatory view of the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment (at the time of encapsulation). FIG. 2A is a plan cross-sectional view of a molding die during resin sealing. FIG. 3B is a side cross-sectional view of the molding die during resin sealing. (C) It is principal part sectional drawing of the molding die at the time of resin sealing.

【図４】（ａ）実施の形態１に係る樹脂封止半導体装置
の製造方法の説明図である（封止後）。 （ｂ）実施の形態１に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法の説明図である（切断後）。FIG. 4A is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment (after sealing). FIG. 4B is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment (after cutting).

【図５】実施の形態１に係る樹脂封止半導体装置の製造
方法のフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart of a method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment.

【図６】実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封
止半導体装置の第２の例の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a second example of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment;

【図７】実施の形態１に係る調整リード部の先端部の形
状の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a shape of a distal end portion of the adjustment lead portion according to the first embodiment.

【図８】実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封
止半導体装置の第３の例の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a third example of the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment;

【図９】実施の形態１に係るリードフレーム付き樹脂封
止半導体装置を成形する成形金型の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a molding die for molding the resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to the first embodiment.

【図１０】実施の形態１に係るリードフレーム切断後の
樹脂封止半導体装置の構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram of the resin-encapsulated semiconductor device after cutting the lead frame according to the first embodiment;

【図１１】実施の形態１に係るリードフレーム切断後の
樹脂封止半導体装置の第２の例の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a second example of the resin-encapsulated semiconductor device after cutting the lead frame according to the first embodiment;

【図１２】実施の形態２に係るリードフレーム付き樹脂
封止半導体装置の構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to a second embodiment.

【図１３】実施の形態２に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止前）。FIG. 13 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment (before encapsulation).

【図１４】実施の形態２に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止時）。FIG. 14 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment (at the time of encapsulation).

【図１５】（ａ）実施の形態２に係る樹脂封止半導体装
置の製造方法の説明図である（封止後）。 （ｂ）実施の形態２に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法の説明図である（切断後）。FIG. 15A is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment (after sealing). (B) is an explanatory view of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment (after cutting);

【図１６】実施の形態２に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法のフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment.

【図１７】実施の形態３に係るリードフレーム付き樹脂
封止半導体装置の構成図である。FIG. 17 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to a third embodiment.

【図１８】実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止前）。 （ａ）半導体素子をリードフレームに付けて金属細線を
張った状態を説明する平面図である。 （ｂ）半導体素子をリードフレームに付けて金属細線を
張った状態を説明する側面図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment (before encapsulation). FIG. 3A is a plan view illustrating a state where a semiconductor element is attached to a lead frame and a thin metal wire is stretched. (B) It is a side view explaining the state where the semiconductor element was attached to the lead frame and the thin metal wire was stretched.

【図１９】実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止時）。 （ａ）樹脂封止時の成形金型の平面断面図である。 （ｂ）樹脂封止時の成形金型の側面断面図である。 （ｃ）樹脂封止時の成形金型の要部断面図である。 （ｄ）樹脂封止時の成形金型の要部断面図である。FIG. 19 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment (at the time of encapsulation). FIG. 2A is a plan cross-sectional view of a molding die during resin sealing. FIG. 3B is a side cross-sectional view of the molding die during resin sealing. (C) It is principal part sectional drawing of the molding die at the time of resin sealing. (D) It is principal part sectional drawing of the molding die at the time of resin sealing.

【図２０】実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止後）。FIG. 20 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment (after encapsulation).

【図２１】実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（切断時）。FIG. 21 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment (at the time of cutting).

【図２２】実施の形態３に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（切断後）。FIG. 22 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment (after cutting).

【図２３】実施の形態４に係るリードフレーム付き樹脂
封止半導体装置の構成図である。FIG. 23 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to a fourth embodiment.

【図２４】実施の形態４に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止前）。FIG. 24 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment (before encapsulation).

【図２５】実施の形態４に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止時）。FIG. 25 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment (at the time of encapsulation).

【図２６】実施の形態４に係る樹脂封止半導体装置の製
造方法の説明図である（封止後）。 （ａ）封止後の樹脂封止半導体装置の平面図である。 （ｂ）封止後の樹脂封止半導体装置の側面図である。FIG. 26 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment (after encapsulation). (A) is a top view of the resin-sealed semiconductor device after sealing. (B) It is a side view of the resin-sealed semiconductor device after sealing.

【図２７】実施の形態４に係る樹脂封止半導体装置の多
ピン化の例の説明図である。FIG. 27 is an explanatory diagram of an example of increasing the number of pins of the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment.

【図２８】実施の形態５に係るリードフレーム付き樹脂
封止半導体装置の構成図である。FIG. 28 is a configuration diagram of a resin-sealed semiconductor device with a lead frame according to a fifth embodiment.

【図２９】従来のリードフレーム付き樹脂封止半導体装
置の構成図である。FIG. 29 is a configuration diagram of a conventional resin-sealed semiconductor device with a lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０，２０，３０，４０，５０ リードフレーム １１ 共通条部 １２ａ、１３ａ、１３ｃ リード部 １１３ｂ、２１３ｂ，３１３ｂ、４１３ｂ 調整リード
部 １４ 半導体素子 １５ 金属細線 １６ 樹脂封止本体 ２００ 絶縁材10, 20, 30, 40, 50 Lead frame 11 Common strip 12a, 13a, 13c Lead 113b, 213b, 313b, 413b Adjustment lead 14 Semiconductor element 15 Fine metal wire 16 Resin sealing body 200 Insulation

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 茂樹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−273324（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−55349（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭63−47270（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭63−36699（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/48 H01L 23/28 H01L 21/56 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Shigeki Sakaguchi 1-1, Sachimachi, Takatsuki City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electronics Corporation (56) References JP-A-63-273324 (JP, A) 61-55349 (JP, U) JP-B 63-47270 (JP, B2) JP-B 63-36699 (JP, Y2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 23/50 H01L 23/48 H01L 23/28 H01L 21/56

Claims (18)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 樹脂封止半導体装置に用いられるリード
フレームであって、樹脂封止本体の少なくとも１つの外
周面に対応して配列された複数のリード部を備え、 該複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を
含み、 該調整リード部の先端部は、樹脂封止時には該調整リー
ド部から樹脂が飛び出さない程度に、樹脂封止後には該
樹脂封止本体から該調整リード部を除去できる程度に、
該外周面から十分近い位置に設けられ、 該先端部は、樹脂封止後に該樹脂封止本体から該調整リ
ード部を引き抜くことが可能である程度に、該外周面に
対して該樹脂封止本体の内部側へ突出した位置に設けら
れている リードフレーム。1. A lead frame used for a resin-sealed semiconductor device, comprising: a plurality of lead portions arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of a resin-sealed main body; At least one adjustment lead portion is provided, and the tip of the adjustment lead portion is such that the resin does not protrude from the adjustment lead portion during resin sealing, and the adjustment lead extends from the resin sealing body after resin sealing. To the extent that the parts can be removed,
The tip portion is provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface , and the tip portion is separated from the resin sealing main body after the resin sealing.
To the extent that it is possible to pull out the
Provided at a position protruding toward the inside of the resin sealing body.
Lead frame that is. 【請求項２】 該先端部は、先細り形状を有している、
請求項１に記載のリードフレーム。2. The tip portion has a tapered shape .
The lead frame according to claim 1. 【請求項３】 前記先細り形状の長さが０．３ｍｍ以上
０．８ｍｍ以下である、請求項２に記載のリードフレー
ム。3. The tapered shape has a length of 0.3 mm or more.
The lead frame according to claim 2, which is 0.8 mm or less . 【請求項４】 該先端部は、長方形の形状を有してい
る。請求項１に記載のリードフレーム。4. The tip has a rectangular shape. The lead frame according to claim 1 . 【請求項５】 樹脂封止半導体装置に用いられるリード
フレームであって、 樹脂封止本体の少なくとも１つの外周面に対応して配列
された複数のリード部を備え、 該複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を
含み、 該調整リード部の先端部は、樹脂封止時には該調整リー
ド部から樹脂が飛び出さない程度に、樹脂封止後には該
樹脂封止本体から該調整リード部を除去できる程度に、
該外周面から十分近い位置に設けられ、 該先端部は、該外周面に対して該樹脂封止本体の外部側
に該調整リード部を間に挟むリード間の縁面距離が樹脂
突出部で確保できるように設けられ、 該調整リード部の該先端部は、該樹脂封止本体の該外周
面から離れた位置に設けられている リードフレーム。5. A lead used in a resin-sealed semiconductor device.
A frame, arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of the resin-sealed main body;
A plurality of lead portions, and the plurality of lead portions are provided with at least one adjustment lead portion.
Wherein the tip of the adjusting lead portion, said adjustment Lee during resin encapsulation
After the resin is sealed, the resin does not
To the extent that the adjustment lead can be removed from the resin sealing body,
The distal end is provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface, and the edge surface distance between the leads that sandwiches the adjustment lead portion on the outer side of the resin sealing body with respect to the outer peripheral surface is a resin protrusion. The tip of the adjustment lead portion is secured to the outer periphery of the resin sealing body.
Lead frame provided at a position away from the surface . 【請求項６】 該先端部は、長方形の形状を有してい
る、請求項５に記載のリードフレーム。6. The lead frame according to claim 5, wherein the tip has a rectangular shape. 【請求項７】 該先端部の端面と該外周面との間の距離
は、０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である、請求項５に
記載のリードフレーム。7. The lead frame according to claim 5, wherein a distance between an end surface of the tip portion and the outer peripheral surface is 0.1 mm or more and 0.2 mm or less . 【請求項８】 該リード部は、該リード部が該樹脂封止
本体から抜ける事を防止するリード抜け防止部を有して
いる、請求項１に記載のリードフレーム。8. The lead frame according to claim 1, wherein the lead portion has a lead removal preventing portion for preventing the lead portion from coming off from the resin sealing main body. 【請求項９】 該リードフレームは、該外周面に近接し
て配置され、該複数のリード部を連結するタイバーをさ
らに備えており、 該先端部は、該タイバーに対して該外周面側に突出した
位置に設けられている、請求項５に記載のリードフレー
ム。9. The lead frame further includes a tie bar arranged close to the outer peripheral surface and connecting the plurality of lead portions, and the tip end is located on the outer peripheral surface side with respect to the tie bar. The lead frame according to claim 5 , which is provided at a protruding position. 【請求項１０】 リードフレームを用いた樹脂封止半導
体装置であって、 該樹脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えており、 該リードフレームは、該樹脂封止本体の少なくとも１つ
の外周面に対応して配列された複数のリード部を備え、 該複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を
備えており、 該調整リード部の先端部は、樹脂封止後に該樹脂封止本
体から該調整リード部を引き抜くことが可能である程度
に、該外周面に対して該樹脂封止本体の内部側へ突出し
た位置に設けられており、 該外周面には該先端部が入る凹部が形成されている樹脂
封止半導体装置。 10. A resin-sealed semiconductor device using a lead frame, wherein said resin-sealed semiconductor device has a resin-sealed main body, and said lead frame has at least one outer periphery of said resin-sealed main body. A plurality of lead portions arranged corresponding to the surface, wherein the plurality of lead portions include at least one adjustment lead portion; It is provided at a position protruding toward the inside of the resin-sealed main body with respect to the outer peripheral surface so that the adjustment lead portion can be pulled out from the stopper main body, and the distal end portion enters the outer peripheral surface. A resin-encapsulated semiconductor device having a recess. 【請求項１１】 該凹部は、該凹部に隣接するリード部
間を絶縁する絶縁材で形成されている、請求項１０に記
載の樹脂封止半導体装置。 11. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 10 , wherein said concave portion is formed of an insulating material for insulating between lead portions adjacent to said concave portion. 【請求項１２】 該隣接するリード部間の空間距離より
該絶縁材で形成された沿面距離の方が長くなるように設
定されている、請求項１１に記載の樹脂封止半導体装
置。 12. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11 , wherein a creepage distance formed of said insulating material is set to be longer than a space distance between said adjacent lead portions. 【請求項１３】 リードフレームを用いた樹脂封止半導
体装置であって、 該樹脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えており、 該リードフレームは、該樹脂封止本体の少なくとも１つ
の外周面に対応して配列された複数のリード部を備え、 該複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を
備えており、 該調整リード部の先端部は、該外周面に対して該樹脂封
止本体の外部側の位置に設けられており、 該外周面には樹脂封止時に該先端部が当接した突出部が
形成されている樹脂封止半導体装置。 13. A resin-sealed semiconductor device using a lead frame, wherein the resin-sealed semiconductor device has a resin-sealed main body, and the lead frame has at least one outer periphery of the resin-sealed main body. A plurality of lead portions arranged corresponding to the surface, wherein the plurality of lead portions include at least one adjustment lead portion, and a tip portion of the adjustment lead portion has a tip portion with respect to the outer peripheral surface. A resin-sealed semiconductor device which is provided at a position on the outer side of a resin-sealed main body, and which has a projection formed on the outer peripheral surface, the tip of which abuts during resin sealing. 【請求項１４】 リードフレームを用いた樹脂封止半導
体装置であって、 該樹脂封止半導体装置は樹脂封止本体を備えており、 該リードフレームは、樹脂封止本体の少なくとも１つの
外周面に対応して、所定間隔の２倍以上の間隔で配列さ
れた２本以上のリード部と、 該外周面に近接して配置され、該２本以上のリード部を
連結するタイバーとを備えており、 該外周面には樹脂封止時に該タイバーの側面が当接した
突出部が形成されている樹脂封止半導体装置。 14. A resin-sealed semiconductor device using a lead frame, wherein said resin-sealed semiconductor device has a resin-sealed main body, and said lead frame has at least one outer peripheral surface of said resin-sealed main body. In response to the above, there are provided two or more leads arranged at an interval of at least twice the predetermined interval, and a tie bar arranged close to the outer peripheral surface and connecting the two or more leads. A resin-sealed semiconductor device having a projection formed on the outer peripheral surface with which a side surface of the tie bar abuts during resin sealing. 【請求項１５】 樹脂封止半導体装置に用いられるリー
ドフレームであって、樹脂封止本体の少なくとも１つの
外周面に対応して配列された複数のリード部を備え、該
複数のリード部は、少なくとも１本の調整リード部を備
えており、該調整リード部の先端部は、該外周部に対し
て該樹脂封止本体の外部側に該調整リードを間に挟むリ
ード間の縁面距離が樹脂突出部で確保できる程度に、樹
脂封止後には該樹脂封止本体から該調整リード部を除去
できる程度に、該外周面から十分近い位置に設けられて
いるリードフレームを、該樹脂封止本体を成型する成型
金型に挟み込む第１の工程と、 該成型金型で樹脂封止して該樹脂封止本体を該リードフ
レームと一体に形成する第２の工程と、 該リードフレームと一体に形成された該樹脂封止本体を
該成型金型から取り出す第３の工程と、 該樹脂封止本体から該調整リード部を除去する第４の工
程とを備えた樹脂封止半導体装置の製造方法。 15. A lead frame for use in a resin-sealed semiconductor device, comprising: a plurality of leads arranged corresponding to at least one outer peripheral surface of a resin-sealed main body; At least one adjustment lead portion is provided, and a tip end of the adjustment lead portion has an edge surface distance between the leads that sandwiches the adjustment lead between the outer periphery and the outside of the resin sealing body. The lead frame provided at a position sufficiently close to the outer peripheral surface so that the adjustment lead portion can be removed from the resin-sealed main body after the resin is sealed, to the extent that the resin protrusion can secure the lead frame. A first step of sandwiching the main body into a molding die, a second step of resin-sealing with the molding die to form the resin-sealed main body integrally with the lead frame, The resin-sealed main body formed in Third step and the fourth method of manufacturing a resin sealed semiconductor device including the step of removing the adjustment leads from the resin sealing body removed from the mold die. 【請求項１６】 該調整リード部の先端部は、樹脂封止
後に該樹脂封止本体から該調整リード部を引き抜くこと
が可能である程度に、該外周面に対して該樹脂封止本体
の内部側へ突出した位置に設けられており、 該第４の工程は、該複数のリード部を切断する工程と、 該樹脂封止本体から該調整リード部を引き抜く工程とを
含んでいる、請求項１５に記載の樹脂封止半導体装置の
製造方法。 16. The tip of the adjustment lead portion is located inside the resin sealing body with respect to the outer peripheral surface to such an extent that the adjustment lead portion can be pulled out from the resin sealing body after resin sealing. The fourth step includes a step of cutting the plurality of leads, and a step of pulling out the adjustment lead from the resin sealing body. 16. The method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to item 15 . 【請求項１７】 該第４の工程は、該調整リード部を該
複数のリード部の切断とともに除去する工程を含んでい
る、請求項１５に記載の樹脂封止半導体装置の製造方
法。 17. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 15 , wherein said fourth step includes a step of removing said adjustment lead portion along with cutting said plurality of lead portions. 【請求項１８】 樹脂封止半導体装置に用いられるリー
ドフレームであって、該リードフレームは、樹脂封止本
体の少なくとも１つの外周面に対応して、所定間隔の２
倍以上の間隔で配列された２本以上のリード部と、該外
周面に近接して配置され、該２本以上のリード部を連結
するタイバーとを備えているリードフレームを、該樹脂
封止本体を成型する成型金型に挟み込む第１の工程と、 該成型金型で樹脂封止して該樹脂封止本体を該リードフ
レームと一体に形成する第２の工程と、 該リードフレームと一体に形成された該樹脂封止本体を
該成型金型から取り出す第３の工程と、 該樹脂封止本体から該タイバーを除去する第４の工程と
を備えた樹脂封止半導体装置の製造方法。 18. A lead frame used in a resin-encapsulated semiconductor device, wherein said lead frame has a predetermined interval corresponding to at least one outer peripheral surface of a resin-encapsulated main body.
A lead frame including two or more leads arranged at twice or more intervals and a tie bar arranged close to the outer peripheral surface and connecting the two or more leads is sealed with the resin. A first step of sandwiching the main body into a molding die, a second step of resin-sealing with the molding die to form the resin-sealed main body integrally with the lead frame, A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a third step of removing the resin-sealed main body formed in the mold from the molding die; and a fourth step of removing the tie bar from the resin-sealed main body.
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