JP2946776B2 - 容量型加速度センサ - Google Patents

容量型加速度センサ

Info

Publication number
JP2946776B2
JP2946776B2 JP2555691A JP2555691A JP2946776B2 JP 2946776 B2 JP2946776 B2 JP 2946776B2 JP 2555691 A JP2555691 A JP 2555691A JP 2555691 A JP2555691 A JP 2555691A JP 2946776 B2 JP2946776 B2 JP 2946776B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
electrode
wiring
acceleration sensor
capacitive acceleration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2555691A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04240569A (ja
Inventor
拓哉 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Koki KK
Original Assignee
Toyoda Koki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Koki KK filed Critical Toyoda Koki KK
Priority to JP2555691A priority Critical patent/JP2946776B2/ja
Publication of JPH04240569A publication Critical patent/JPH04240569A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2946776B2 publication Critical patent/JP2946776B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電極が形成された基板
同士を接合して形成した容量型加速度センサに関する。
【0002】
【従来技術】容量型加速度センサは移動電極を有する一
方の基板と固定電極を有する他方の基板との各電極を対
向させて配設される。その一方の基板に形成された移動
電極はその周囲からバネ性を有した複数のビームにて支
持されている。そして、加速度を受けるとそれらビーム
が撓んで一方の基板の移動電極と他方の基板に形成され
た固定電極との間隔が変化する。容量型加速度センサは
この両電極間の間隔が変化することによる容量の変化に
より加速度を測定している。 一般に、容量Cは、次式にて求められる。 C=εS/d (ε:誘電率,S:電極面
積,d:電極間隔)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記複数の
ビームのうち1つでも破損等すると、被測定加速度が同
じであっても正常時の電極間隔と違ってしまうことにな
り、電極間の容量が正確に検出されないことになる。こ
の問題の解決としては、特開昭61−93961号公報
「力の作用に応答するセンサ」にて開示されたようなも
のが知られている。このものは、ビーム(支持要素)上
に連続した(中断のない)配線(導体路)を配設してい
る。そして、ビームが過剰な機械的応力のために破損す
ると、その上に配設された配線も中断されることを利用
し、センサの故障状態を検出している。
【0004】ここで、被測定加速度が極端に大きな過負
荷時、微小ギャップを有する電極間が極端に接近する
と、両電極が吸着してしまうという状態が起こる。この
吸着は次式にて示された両電極間の静電力Pe により生
じる。 Pe=εSV2/2d2 (ε:誘電率,S:電極面積,V:電圧,d:電極間
隔) 即ち、静電力Pe は電極間隔dの二乗に反比例して大き
くなる。従って、この静電力Pe により両電極が吸着し
たような場合には、上述したようなビームの破損とは関
係なく、つまり、ビームが破損していなくても電極間の
容量が検出できなくなるという問題が生じていた。
【0005】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、移動電極
を支持するビームが破損した場合のみならずその移動電
極が対向する固定電極に吸着した場合の異常状態をも検
出することができる容量型加速度センサを提供すること
である。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、一方の基板に形成された移動電極と他
方の基板に形成された固定電極とが微小ギャップを有す
るように対向させてそれら両基板を接合し、前記両電極
間の容量の変化により加速度を測定する容量型加速度セ
ンサにおいて、前記移動電極を周囲からバネ性を有して
支持する複数のビームと、前記一方の基板の周辺部から
前記移動電極の近傍に至る少なくとも1つの前記ビーム
の全長を経て前記一方の基板の周辺部まで連続的に、且
つ、全てのビームに対して配設された配線と、前記配線
の途中で前記移動電極の近傍位置とその位置に対向した
固定電極の近傍位置とに各々配設された接点部とを備え
たことを特徴とする。
【0007】
【作用】複数のビームにより一方の基板に形成された移
動電極がその基板の周囲からバネ性を有して支持され
る。配線は上記基板の周辺部から上記移動電極の近傍に
至る少なくとも1つのビームの全長を経てその基板の周
辺部まで連続的に、且つ、全てのビームに対して配設さ
れている。又、接点部は上記配線の途中で上記移動電極
の近傍位置とその位置に対向した他方の基板の固定電極
の近傍位置とに各々配設されている。上記ビーム自身が
破損等損傷した場合には、そのビームに配設された配線
も破損され、その配線の導通が絶たれる。更に、上記移
動電極と固定電極とが極端に接近しその間の静電力によ
り吸着した場合には、それら両電極の近傍位置に対向し
て各々配設された接点部同士が接触して短絡状態とな
る。
【0008】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。
【0009】図1は本発明に係る容量型加速度センサ1
0を示した中央縦断面図である。又、図2は図1の容量
型加速度センサ10からガラス基板30を取り外した状
態を示した平面図である。
【0010】容量型加速度センサ10は移動電極21な
どが形成されたシリコン基板20と固定電極31が形成
されたガラス基板30とガラスから成る基台40とから
主として構成されている。上記移動電極21と固定電極
31とが微小ギャップを有するように対向させて両基板
20,30を接合し、更に、それらを基台40上に接合
している。上記移動電極21はシリコン基板20の表面
に不純物としてリン拡散により形成され、その下部に加
速度により移動するおもり22を有する。又、シリコン
基板20には移動電極21をその周囲からバネ性を有し
て支持する4本の細いビーム23a,23b,23c,
23dが形成されている。又、上記固定電極31はガラ
ス基板30上にアルミニウムなどの金属を蒸着して形成
されている。尚、上記移動電極21の下部のおもり22
及びビーム23a,23b,23c,23d等はシリコ
ン基板20をエッチングすることで達成される。
【0011】シリコン基板20の周辺部で接合されたガ
ラス基板30の外側にはCMOS回路を用いたIC50
が配設されている。又、シリコン基板20の表面には移
動電極21と同じくリン拡散により配線25,26,2
7がそれぞれ形成されている。このうち、配線25によ
り移動電極21とIC50とが接続されている。そし
て、配線26はIC50からビーム23aの全長、移動
電極21の近傍、更に、ビーム23bの全長を経て連続
的にIC50に接続されている。又、配線27はIC5
0からビーム23cの全長、移動電極21の近傍、更
に、ビーム23dの全長を経て連続的にIC50に接続
されている。更に、配線26の途中で移動電極21の近
傍位置には接点部28、又、配線27の途中で移動電極
21の近傍位置には接点部29が配設されている。これ
ら接点部28,29の位置に対向したガラス基板30の
固定電極31の近傍位置には各々接点部38,39が配
設されている。
【0012】図3は本発明の容量型加速度センサ10の
電気的構成を示した回路図である。
【0013】上記ガラス基板30に配設された接点部3
8,39からの配線36,37、更に、固定電極31か
らの図示しない配線もシリコン基板20のIC50内の
判定回路51に接続されている。ここで、配線26と配
線27とは同様の回路を構成しており、以下、配線26
側の回路に基づいて、その判定手順を説明する。配線2
6の途中に配設された接点部28にはIC50内の直列
抵抗R1,2 を介して基準電圧V0 が印加され、その接
点部28の後段の配線26はIC50内の抵抗R3 を介
して接地されている。又、IC50内の判定回路51は
上記直列抵抗R1,2 との間に接続されている。
【0014】先ず、ビーム23a,23bが破損等して
おらず、又、移動電極21と固定電極31とが吸着等し
ていなくて、容量型加速度センサ10が正常な場合につ
いて説明する。この時、基準電圧V0 が分圧され上記判
定回路51に入力される電圧V1 は次式にて表される値
となる。 V1=V0(R2+R3)/(R1+R2+R3) 次に、ビーム23a又はビーム23bが破損等した場
合、基準電圧V0が分圧され上記判定回路51に入力さ
れる電圧V1 は次式にて表される値となる。 V1=V0 次に、移動電極21と固定電極31とが吸着等して、移
動電極21の近傍の接点部28と固定電極31の近傍の
接点部38とが短絡した場合、基準電圧V0が分圧され
上記判定回路51に入力される電圧V1 は次式にて表さ
れる値となる。 V1=V02/(R1+R2) 上述したように、判定回路51に入力される電圧V1
容量型加速度センサ10の状態により変化する。従っ
て、判定回路51で電圧V1 の値を検出することによ
り、容量型加速度センサ10の異常の状態を知ることが
できる。
【0015】更に、上述の実施例では、ビーム23a,
23bを経て配設されていた配線26を、図4に示した
ように、各ビーム23a,23bに対してそれぞれ往復
するように配線26a,26bを設ける。同様に、各ビ
ーム23c,23dに対してそれぞれ往復するように配
線27a,27bを設ける。この場合には、各配線26
a,26b,27a,27bの途中で移動電極21の近
傍にそれぞれ接点部28a,28b,29a,29bを
設け、対向するガラス基板30の固定電極31の近傍に
それら接点部に対向した図示しない接点部を設ける。こ
のように、構成された容量型加速度センサ10において
は、各ビームに設けられた配線の電圧値を検出すること
で、どのビームが破損したかを判定することが可能とな
る。
【0016】
【発明の効果】本発明は、一方の基板に形成された移動
電極を周囲からバネ性を有して支持する複数のビーム
と、その基板の周辺部から移動電極の近傍に至る少なく
とも1つのビームの全長を経て再びその基板の周辺部ま
で連続的に、且つ、全てのビームに対して配設された配
線と、その配線の途中で移動電極の近傍位置とその位置
に対向した他方の基板に形成された固定電極の近傍位置
とに各々配設された接点部とを備えており、移動電極を
支持するビームが破損等損傷した場合にはそのビーム上
に配設された配線が中断される。又、移動電極が対向す
る固定電極に吸着した場合には配線の途中で移動電極の
近傍位置に配設された接点部と対向した固定電極の近傍
位置に配設された接点部とが接触して配線が短絡され
る。このように、本発明の容量型加速度センサは配設さ
れた配線の中断又は短絡により正常・異常状態が確実に
検出できるので、誤った加速度測定結果に基づく出力を
回避することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の具体的な一実施例に係る容量型加速度
センサを示した中央縦断面図である。
【図2】同実施例に係る容量型加速度センサからガラス
基板を取り外した状態を示した平面図である。
【図3】同実施例に係る容量型加速度センサの電気的構
成を示した回路図である。
【図4】本発明に係る容量型加速度センサの図2に対応
した他の実施例を示した平面図である。
【符号の説明】
10−容量型加速度センサ 20−シリコン基板
21−移動電極 22−おもり 23a,23b,23c,23d−ビ
ーム 26,27−配線 28,29−接点部 30−ガ
ラス基板 31−固定電極 38,39−接点部 40−基台
50−IC

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の基板に形成された移動電極と他方
    の基板に形成された固定電極とが微小ギャップを有する
    ように対向させてそれら両基板を接合し、前記両電極間
    の容量の変化により加速度を測定する容量型加速度セン
    サにおいて、前記移動電極を周囲からバネ性を有して支
    持する複数のビームと、前記一方の基板の周辺部から前
    記移動電極の近傍に至る少なくとも1つの前記ビームの
    全長を経て前記一方の基板の周辺部まで連続的に、且
    つ、全てのビームに対して配設された配線と、前記配線
    の途中で前記移動電極の近傍位置とその位置に対向した
    固定電極の近傍位置とに各々配設された接点部とを備え
    たことを特徴とする容量型加速度センサ。
JP2555691A 1991-01-24 1991-01-24 容量型加速度センサ Expired - Lifetime JP2946776B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2555691A JP2946776B2 (ja) 1991-01-24 1991-01-24 容量型加速度センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2555691A JP2946776B2 (ja) 1991-01-24 1991-01-24 容量型加速度センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04240569A JPH04240569A (ja) 1992-08-27
JP2946776B2 true JP2946776B2 (ja) 1999-09-06

Family

ID=12169226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2555691A Expired - Lifetime JP2946776B2 (ja) 1991-01-24 1991-01-24 容量型加速度センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2946776B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2999088B2 (ja) * 1993-04-28 2000-01-17 株式会社日立製作所 エアバッグシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04240569A (ja) 1992-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6272926B1 (en) Micromechanical component
US5864063A (en) Electrostatic capacity-type acceleration sensor
JP3803406B2 (ja) 加速度センサ
JPH04299267A (ja) 容量型加速度センサ
JPWO2003044539A1 (ja) 加速度センサ
JPH05215766A (ja) 検査可能な加速度センサ
KR100236486B1 (ko) 용량성 가속센서
US5499541A (en) Piezoelectric force sensor
US7225675B2 (en) Capacitance type dynamic quantity sensor
JP2586406B2 (ja) 静電容量型加速度センサ
JP3281217B2 (ja) 半導体式加速度センサと該センサのセンサ素子の特性評価方法
JP2946776B2 (ja) 容量型加速度センサ
US6359458B1 (en) Apparatus for detecting a diaphragm failure
JPH06213918A (ja) 半導体加速度検出装置
JP3282570B2 (ja) 半導体加速度センサ
US5614673A (en) Acceleration sensing device
JP2005114440A (ja) 故障診断可能な静電容量検出型加速度センサ
JPH06186249A (ja) 容量式加速度検出装置
JP3968877B2 (ja) 容量式物理量検出装置
JPH01163673A (ja) 半導体装置の破断検知構造
WO2022080080A1 (ja) 圧力センサ装置
WO2024009968A1 (ja) Memsセンサ
US20220307927A1 (en) Force sensor
JPH06326332A (ja) 静電容量型センサ
JPH05273231A (ja) 容量型加速度センサ