JP2944534B2 - 光ファイバの引出方法及び装置 - Google Patents
光ファイバの引出方法及び装置Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバに関する
もので、特に、大口径光ファイバ母材から光ファイバを
引出製造するときの引出方法及びその装置に関するもの
である。
もので、特に、大口径光ファイバ母材から光ファイバを
引出製造するときの引出方法及びその装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図１に、光ファイバの引出工程を遂行す
る一般的な引出装置の概略を示す。これによる光ファイ
バの引出工程では、まず、母材位置制御器の位置制御メ
カニズムに従い光ファイバ母材１０が溶隔炉１２に徐々
に供給される。この溶隔炉１２は数千℃、典型的には２
１００〜２２００℃程度の熱を加え、これにより、未被
覆光ファイバ２３が光ファイバ母材１０の断面積減少部
分から引出される。その際の引出力はキャプスタン２６
から未被覆光ファイバ２３に提供される。外径測定部１
４は、引出される未被覆光ファイバ２３の直径が予め定
められた径（一般に１２５μｍ）になるかどうかを測定
して直径制御器に知らせ、この直径制御器により、未被
覆光ファイバ２３の直径が１２５μｍに保たれるように
キャプスタン２６が制御される。即ちキャプスタン２６
は、直径制御器に従い、未被覆光ファイバ２３を引出す
力の強弱を調節するように回転制御される。
る一般的な引出装置の概略を示す。これによる光ファイ
バの引出工程では、まず、母材位置制御器の位置制御メ
カニズムに従い光ファイバ母材１０が溶隔炉１２に徐々
に供給される。この溶隔炉１２は数千℃、典型的には２
１００〜２２００℃程度の熱を加え、これにより、未被
覆光ファイバ２３が光ファイバ母材１０の断面積減少部
分から引出される。その際の引出力はキャプスタン２６
から未被覆光ファイバ２３に提供される。外径測定部１
４は、引出される未被覆光ファイバ２３の直径が予め定
められた径（一般に１２５μｍ）になるかどうかを測定
して直径制御器に知らせ、この直径制御器により、未被
覆光ファイバ２３の直径が１２５μｍに保たれるように
キャプスタン２６が制御される。即ちキャプスタン２６
は、直径制御器に従い、未被覆光ファイバ２３を引出す
力の強弱を調節するように回転制御される。
【０００３】直径測定を経た未被覆光ファイバ２３は冷
却部１８で冷却され、そしてコーティング部２０で、下
降する未被覆光ファイバ２３がアクリル樹脂やシリコン
樹脂で保護のために被覆される。被覆された被覆光ファ
イバ２４は硬化部２２を経ることで硬化され、キャプス
タン２６により引出された後の被覆光ファイバ２４はス
プール２８に巻き取られていく。
却部１８で冷却され、そしてコーティング部２０で、下
降する未被覆光ファイバ２３がアクリル樹脂やシリコン
樹脂で保護のために被覆される。被覆された被覆光ファ
イバ２４は硬化部２２を経ることで硬化され、キャプス
タン２６により引出された後の被覆光ファイバ２４はス
プール２８に巻き取られていく。
【０００４】上記工程によれば、光ファイバ母材１０を
溶隔炉１２で２０００℃以上の温度で加熱して溶隔さ
せ、１２５μｍの直径を有する未被覆光ファイバ２３を
引出すようにしている。そして、水分の浸透により未被
覆光ファイバ２３の強度特性が低下するのを防止し、取
扱が容易になるように、未被覆光ファイバ２３はコーテ
ィング部２０を通過することで被覆される。このとき、
被覆光ファイバ２４の被覆直径を均一にし、被覆層と未
被覆光ファイバ２３の表面との間における気泡発生を防
止するためには、被覆直前の未被覆光ファイバ２３の表
面温度を８０℃以下にすべきであり、最適には、被覆材
の使用温度同様の４０℃又は５０℃程度にすることが好
ましい。
溶隔炉１２で２０００℃以上の温度で加熱して溶隔さ
せ、１２５μｍの直径を有する未被覆光ファイバ２３を
引出すようにしている。そして、水分の浸透により未被
覆光ファイバ２３の強度特性が低下するのを防止し、取
扱が容易になるように、未被覆光ファイバ２３はコーテ
ィング部２０を通過することで被覆される。このとき、
被覆光ファイバ２４の被覆直径を均一にし、被覆層と未
被覆光ファイバ２３の表面との間における気泡発生を防
止するためには、被覆直前の未被覆光ファイバ２３の表
面温度を８０℃以下にすべきであり、最適には、被覆材
の使用温度同様の４０℃又は５０℃程度にすることが好
ましい。
【０００５】溶隔炉１２を出た直後の未被覆光ファイバ
２３の表面温度は１６００℃以上と高温で、大気中で自
然冷却するのであれば、溶隔炉１２から遠のくほどに表
面温度は徐々に下がっていく。このときの溶隔炉１２か
らの引出距離に対する未被覆光ファイバ２３の表面温度
変化の傾きについては、１９８６年８月８日付けの「Jo
urnal of Lightwave Technology Vol.LT-4 "High-Speed
High-Strength FiberDrawing" 」に詳細に説明されて
いる。従って、例えば５ｍ／ｓｅｃの速度で未被覆光フ
ァイバ２３を引出す場合に、溶隔炉１２から出た未被覆
光ファイバ２３の表面温度を自然冷却により５０℃程度
まで下降させるためには、溶隔炉１２とコーティング部
２０との間の距離を８００ｃｍ程度にしなければならな
い。このため光ファイバ引出装置の高さが非常に高くな
り、装置の設置スペースや作業性、コストの面でかなり
不利である。
２３の表面温度は１６００℃以上と高温で、大気中で自
然冷却するのであれば、溶隔炉１２から遠のくほどに表
面温度は徐々に下がっていく。このときの溶隔炉１２か
らの引出距離に対する未被覆光ファイバ２３の表面温度
変化の傾きについては、１９８６年８月８日付けの「Jo
urnal of Lightwave Technology Vol.LT-4 "High-Speed
High-Strength FiberDrawing" 」に詳細に説明されて
いる。従って、例えば５ｍ／ｓｅｃの速度で未被覆光フ
ァイバ２３を引出す場合に、溶隔炉１２から出た未被覆
光ファイバ２３の表面温度を自然冷却により５０℃程度
まで下降させるためには、溶隔炉１２とコーティング部
２０との間の距離を８００ｃｍ程度にしなければならな
い。このため光ファイバ引出装置の高さが非常に高くな
り、装置の設置スペースや作業性、コストの面でかなり
不利である。
【０００６】そこで、これを解決するために、上記のよ
うに溶隔炉１２とコーティング部２０との間に冷却部１
８を設置して未被覆光ファイバ２３を強制冷却する技術
が、米国特許第４，４３７，８７０号に開示されてい
る。この技術によれば、溶隔炉１２とコーティング部２
０との間の距離を短縮可能なので自然冷却に比べて利点
が多い。
うに溶隔炉１２とコーティング部２０との間に冷却部１
８を設置して未被覆光ファイバ２３を強制冷却する技術
が、米国特許第４，４３７，８７０号に開示されてい
る。この技術によれば、溶隔炉１２とコーティング部２
０との間の距離を短縮可能なので自然冷却に比べて利点
が多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、１６００℃以
上の高温の未被覆光ファイバ２３を５０℃程度まで急冷
する場合、その冷却過程で未被覆光ファイバ２３に大き
なストレスが発生することになるので、引出された被覆
光ファイバ２４の強度が低下し、また伝送損失が増加す
るという新たな問題が発生している。このような現象は
特に、合成石英管を利用してＭＣＶＤ(Modified Chemic
al Vapour Deposition) で作られた光ファイバ母材１０
から引出を行う場合に伝送損失が大きく増加する原因と
なり、そして未被覆光ファイバ２３の引出速度が速いほ
ど被覆光ファイバ２４の伝送損失が一層大きくなる。
上の高温の未被覆光ファイバ２３を５０℃程度まで急冷
する場合、その冷却過程で未被覆光ファイバ２３に大き
なストレスが発生することになるので、引出された被覆
光ファイバ２４の強度が低下し、また伝送損失が増加す
るという新たな問題が発生している。このような現象は
特に、合成石英管を利用してＭＣＶＤ(Modified Chemic
al Vapour Deposition) で作られた光ファイバ母材１０
から引出を行う場合に伝送損失が大きく増加する原因と
なり、そして未被覆光ファイバ２３の引出速度が速いほ
ど被覆光ファイバ２４の伝送損失が一層大きくなる。
【０００８】また、ＭＣＶＤ法で低損失の４０mm直径以
上の光ファイバ母材１０を製造するためには高純度の合
成石英管の使用が必須であるが、未被覆光ファイバ２３
の引出過程で発生される後天的な伝送損失の増加がある
ため、合成石英管の使用が制限されるという問題があ
る。
上の光ファイバ母材１０を製造するためには高純度の合
成石英管の使用が必須であるが、未被覆光ファイバ２３
の引出過程で発生される後天的な伝送損失の増加がある
ため、合成石英管の使用が制限されるという問題があ
る。
【０００９】このような課題に着目して本発明の目的
は、第一に、合成石英管を利用してＭＣＶＤ法で製造し
た大口径光ファイバ母材の引出に有用な、伝送損失の抑
制された光ファイバの引出方法及び装置を提供すること
にある。第二に、光ファイバの引出速度を増加させても
後天的な伝送損失を発生させない光ファイバの引出方法
及び装置を提供することにある。第三に、製造コストを
より低く抑えられる光ファイバの引出方法及び装置を提
供することにある。第四に、冷却部の急冷による光ファ
イバのストレスを抑制できる光ファイバの引出方法及び
装置を提供することにある。第五に、装置の設置スペー
スにより制約のない光ファイバの引出方法及び装置を提
供することにある。第六に、より強度の高い光ファイバ
を得られる光ファイバの引出方法及び装置を提供するこ
とにある。第七に、より低価で光ファイバを生産でき実
用性を高められる光ファイバの引出方法及び装置を提供
することにある。
は、第一に、合成石英管を利用してＭＣＶＤ法で製造し
た大口径光ファイバ母材の引出に有用な、伝送損失の抑
制された光ファイバの引出方法及び装置を提供すること
にある。第二に、光ファイバの引出速度を増加させても
後天的な伝送損失を発生させない光ファイバの引出方法
及び装置を提供することにある。第三に、製造コストを
より低く抑えられる光ファイバの引出方法及び装置を提
供することにある。第四に、冷却部の急冷による光ファ
イバのストレスを抑制できる光ファイバの引出方法及び
装置を提供することにある。第五に、装置の設置スペー
スにより制約のない光ファイバの引出方法及び装置を提
供することにある。第六に、より強度の高い光ファイバ
を得られる光ファイバの引出方法及び装置を提供するこ
とにある。第七に、より低価で光ファイバを生産でき実
用性を高められる光ファイバの引出方法及び装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的のために本発明
は、光ファイバ母材を溶隔させて未被覆光ファイバを引
出す第１工程と、この引出された未被覆光ファイバを緩
慢冷却する第２工程と、この緩慢冷却後の未被覆光ファ
イバを強制冷却する第３工程と、この強制冷却後の未被
覆光ファイバの表面を被覆する第４工程と、この被覆後
の被覆光ファイバを硬化させる第５工程と、を実施する
ことを特徴とする光ファイバの引出方法を提供する。第
２工程では、未被覆ファイバが引出方向へ温度勾配を有
して緩慢冷却されるようにしてあるとよい。
は、光ファイバ母材を溶隔させて未被覆光ファイバを引
出す第１工程と、この引出された未被覆光ファイバを緩
慢冷却する第２工程と、この緩慢冷却後の未被覆光ファ
イバを強制冷却する第３工程と、この強制冷却後の未被
覆光ファイバの表面を被覆する第４工程と、この被覆後
の被覆光ファイバを硬化させる第５工程と、を実施する
ことを特徴とする光ファイバの引出方法を提供する。第
２工程では、未被覆ファイバが引出方向へ温度勾配を有
して緩慢冷却されるようにしてあるとよい。
【００１１】また、溶融炉の光ファイバ母材から未被覆
光ファイバを引出して冷却部で強制冷却した後にコーテ
ィング部で被覆を行う光ファイバの引出装置において、
前記溶融炉から前記冷却部までの間に、未被覆光ファイ
バの緩慢冷却を行うアニーリング部を設けることを特徴
とする。アニーリング部は、未被覆光ファイバを通過さ
せる石英管と、該石英管の周りに設けた発熱体と、前記
石英管の周囲温度を感知する温度センサと、前記発熱体
の周りに設けた断熱材と、該断熱材の周りを覆うハウジ
ングと、前記温度センサにより測定される温度に従って
前記発熱体を制御する制御部と、を備えてなるものとす
るとよい。
光ファイバを引出して冷却部で強制冷却した後にコーテ
ィング部で被覆を行う光ファイバの引出装置において、
前記溶融炉から前記冷却部までの間に、未被覆光ファイ
バの緩慢冷却を行うアニーリング部を設けることを特徴
とする。アニーリング部は、未被覆光ファイバを通過さ
せる石英管と、該石英管の周りに設けた発熱体と、前記
石英管の周囲温度を感知する温度センサと、前記発熱体
の周りに設けた断熱材と、該断熱材の周りを覆うハウジ
ングと、前記温度センサにより測定される温度に従って
前記発熱体を制御する制御部と、を備えてなるものとす
るとよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき添
付図面を参照して詳細に説明する。
付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】図２は、後天的な伝送損失を最小化させる
光ファイバの引出工程を遂行する引出装置のブロック図
で、同図を参照して光ファイバの引出工程を説明する。
光ファイバの引出工程を遂行する引出装置のブロック図
で、同図を参照して光ファイバの引出工程を説明する。
【００１４】第１工程では、シリカ成分の大径光ファイ
バ母材１０を溶隔炉１２で２０００℃以上に加熱し、こ
れから１２５μｍの直径をもつ未被覆光ファイバ２３を
引出す。そして、溶隔炉１２から引出される未被覆光フ
ァイバ２３の直径を一定の径（１２５μｍ）に保つため
に、外径測定部１４で未被覆光ファイバ２３を連続測定
し、制御する。第２工程では、アニーリング部１６にお
いて、外径測定部１４を通過した高温の未被覆光ファイ
バ２３を、その表面温度が８００℃以下になるまで急冷
ではなく徐々にゆっくりと緩慢冷却する。即ち、アニー
リング部１６における未被覆光ファイバ２３の周囲温度
の温度制御範囲は２５℃〜１２００℃とし、例えば加熱
した光ファイバ母材１０から５．０ｍ／ｓｅｃの速度で
引出を行う場合であれば、アニーリング部１６の温度は
１１００℃にする。これにより、未被覆光ファイバ２３
は引出方向（図中下方）へ温度勾配を有しながら緩慢冷
却される。第３工程では、アニーリング部１６で８００
℃以下まで緩慢冷却した未被覆光ファイバ２３を冷却部
１８で強制冷却し、未被覆光ファイバ２３の表面温度が
５０℃程度になるまで急冷する。
バ母材１０を溶隔炉１２で２０００℃以上に加熱し、こ
れから１２５μｍの直径をもつ未被覆光ファイバ２３を
引出す。そして、溶隔炉１２から引出される未被覆光フ
ァイバ２３の直径を一定の径（１２５μｍ）に保つため
に、外径測定部１４で未被覆光ファイバ２３を連続測定
し、制御する。第２工程では、アニーリング部１６にお
いて、外径測定部１４を通過した高温の未被覆光ファイ
バ２３を、その表面温度が８００℃以下になるまで急冷
ではなく徐々にゆっくりと緩慢冷却する。即ち、アニー
リング部１６における未被覆光ファイバ２３の周囲温度
の温度制御範囲は２５℃〜１２００℃とし、例えば加熱
した光ファイバ母材１０から５．０ｍ／ｓｅｃの速度で
引出を行う場合であれば、アニーリング部１６の温度は
１１００℃にする。これにより、未被覆光ファイバ２３
は引出方向（図中下方）へ温度勾配を有しながら緩慢冷
却される。第３工程では、アニーリング部１６で８００
℃以下まで緩慢冷却した未被覆光ファイバ２３を冷却部
１８で強制冷却し、未被覆光ファイバ２３の表面温度が
５０℃程度になるまで急冷する。
【００１５】第４工程では、冷却部１８を通過した未被
覆光ファイバ２３の表面をコーティング部２０において
アクリル樹脂又はシリコン樹脂で被覆する。第５工程で
は、被覆光ファイバ２４を硬化部２２で硬化させ、そし
てキャプスタン２６を通過した被覆光ファイバ２４をス
プール２８で巻き取る。
覆光ファイバ２３の表面をコーティング部２０において
アクリル樹脂又はシリコン樹脂で被覆する。第５工程で
は、被覆光ファイバ２４を硬化部２２で硬化させ、そし
てキャプスタン２６を通過した被覆光ファイバ２４をス
プール２８で巻き取る。
【００１６】上記のような方法で引出した被覆光ファイ
バ２４の伝送損失は、１３１０ｎｍ波長で０．３３ｄＢ
／ｋｍ程度である。
バ２４の伝送損失は、１３１０ｎｍ波長で０．３３ｄＢ
／ｋｍ程度である。
【００１７】このように伝送損失を最小化できる光ファ
イバの引出装置は、図３に詳細に示すようなアニーリン
グ部１６を有している。このアニーリング部１６は、溶
隔炉１２から引出された未被覆光ファイバ２３の緩慢冷
却のために２００ｍｍ以上の長さで形成される。本例の
場合には、その内部に、未被覆光ファイバ２３が通過す
るときの粉塵発生を防止するために２５ｍｍの内径と６
００ｍｍの長さで形成された石英管３４が設置されてい
る。尚、石英管３４の内径は、５ｍｍ以上、５０ｍｍ以
下の範囲で適宜設定するようにすればよい。未被覆光フ
ァイバ２３の直径が１２５μｍであれば２５ｍｍが最適
である。そして、この石英管３４の周りに電気抵抗によ
り発熱する多数の発熱体４２が設けられ、更に石英管３
４と発熱体４２との間に、石英管３４の周囲温度を感知
する温度センサとして熱電対(thermocouple)４０が所定
の位置に設置される。発熱体４２の周りは、発熱体４２
による熱を外部へ逃がさないように断熱材４４で覆わ
れ、そしてこの断熱材４４の周りに、断熱材４４を外部
から保護するためにステンレス鋼からなるパイプ状のハ
ウジング３６が設置される。このハウジング３６と石英
管３４とは、その上下端部でブラケット３２により固定
されている。
イバの引出装置は、図３に詳細に示すようなアニーリン
グ部１６を有している。このアニーリング部１６は、溶
隔炉１２から引出された未被覆光ファイバ２３の緩慢冷
却のために２００ｍｍ以上の長さで形成される。本例の
場合には、その内部に、未被覆光ファイバ２３が通過す
るときの粉塵発生を防止するために２５ｍｍの内径と６
００ｍｍの長さで形成された石英管３４が設置されてい
る。尚、石英管３４の内径は、５ｍｍ以上、５０ｍｍ以
下の範囲で適宜設定するようにすればよい。未被覆光フ
ァイバ２３の直径が１２５μｍであれば２５ｍｍが最適
である。そして、この石英管３４の周りに電気抵抗によ
り発熱する多数の発熱体４２が設けられ、更に石英管３
４と発熱体４２との間に、石英管３４の周囲温度を感知
する温度センサとして熱電対(thermocouple)４０が所定
の位置に設置される。発熱体４２の周りは、発熱体４２
による熱を外部へ逃がさないように断熱材４４で覆わ
れ、そしてこの断熱材４４の周りに、断熱材４４を外部
から保護するためにステンレス鋼からなるパイプ状のハ
ウジング３６が設置される。このハウジング３６と石英
管３４とは、その上下端部でブラケット３２により固定
されている。
【００１８】このアニーリング部１６の側壁部の所定部
位には、熱電対４０で測定される温度に従って発熱体４
２を制御し内部温度を調整する制御部３８が設置され
る。制御部３８は２５℃〜１２００℃の範囲で温度を制
御できるように作成されている。尚、発熱体４２の制御
を上部、中間部、下部のようにきめ細かく制御して温度
差をつけることも可能である。
位には、熱電対４０で測定される温度に従って発熱体４
２を制御し内部温度を調整する制御部３８が設置され
る。制御部３８は２５℃〜１２００℃の範囲で温度を制
御できるように作成されている。尚、発熱体４２の制御
を上部、中間部、下部のようにきめ細かく制御して温度
差をつけることも可能である。
【００１９】このように構成されたアニーリング部１６
によれば、溶隔炉１２から出た１６００℃以上の高温の
未被覆光ファイバ２３が通過するとき、未被覆光ファイ
バ２３から放出される熱はアニーリング部１６の内部に
設置された石英管３４を加熱し、これにより加熱された
石英管３４の内部熱は、外層を構成するハウジング３６
と石英管３４との間に設けた断熱材４４により容易に外
部へ放出されないようになっている。
によれば、溶隔炉１２から出た１６００℃以上の高温の
未被覆光ファイバ２３が通過するとき、未被覆光ファイ
バ２３から放出される熱はアニーリング部１６の内部に
設置された石英管３４を加熱し、これにより加熱された
石英管３４の内部熱は、外層を構成するハウジング３６
と石英管３４との間に設けた断熱材４４により容易に外
部へ放出されないようになっている。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、急冷前の緩慢冷却を実
施するようにしたので、自然冷却に比べて装置サイズを
格段に小さくすることができ、設置スペースや作業性、
コストの面で有利であり、また、合成石英管を利用して
ＭＣＶＤ法で製造された大口径光ファイバ母材からの引
出に非常に有効で、光ファイバの引出速度を増加させて
も後天的な伝送損失の発生は抑制される。光ファイバの
引出速度を増加可能なので光ファイバの製造コストをよ
り抑えることができて実用性が向上する。更に、アニー
リング部の設置により冷却部の急冷による光ファイバの
ストレスを抑制することができ、光ファイバ強度を高め
ることができる。
施するようにしたので、自然冷却に比べて装置サイズを
格段に小さくすることができ、設置スペースや作業性、
コストの面で有利であり、また、合成石英管を利用して
ＭＣＶＤ法で製造された大口径光ファイバ母材からの引
出に非常に有効で、光ファイバの引出速度を増加させて
も後天的な伝送損失の発生は抑制される。光ファイバの
引出速度を増加可能なので光ファイバの製造コストをよ
り抑えることができて実用性が向上する。更に、アニー
リング部の設置により冷却部の急冷による光ファイバの
ストレスを抑制することができ、光ファイバ強度を高め
ることができる。
【図１】従来の引出装置のブロック図。
【図２】本発明による引出装置のブロック図。
【図３】アニーリング部の詳細構成を示す断面図。
１０ 光ファイバ母材 １２ 溶隔炉 １４ 外径測定部 １６ アニーリング部 １８ 冷却部 ２０ コーティング部 ２２ 硬化部 ２３ 未被覆光ファイバ ２４ 被覆光ファイバ ２６ キャプスタン ２８ スプール ３２ ブラケット ３４ 石英管 ３６ パイプ ３８ 制御部 ４０ 熱電対 ４２ 発熱体 ４４ 断熱材
Claims (7)
- 【請求項１】 溶融炉に入れたＭＣＶＤ法による光ファ
イバ母材から未被覆光ファイバを引出して冷却部で強制
冷却した後にコーティング部で被覆を行う光ファイバの
引出装置において、 前記溶融炉から引出された未被覆光ファイバの直径を制
御する外径測定部の後から前記冷却部の前までの間に、
未被覆光ファイバの緩慢冷却を行うために所定の温度に
制御可能とされたアニーリング部を設けたことを特徴と
する光ファイバの引出装置。 - 【請求項２】 アニーリング部は、未被覆光ファイバを
通過させる石英管と、該石英管の周りに設けた発熱体
と、前記石英管の周囲温度を感知する温度センサと、前
記発熱体の周りに設けた断熱材と、該断熱材の周りを覆
うハウジングと、前記温度センサにより測定される温度
に従って前記発熱体を制御する制御部と、を備えてなる
請求項１記載の光ファイバの引出装置。 - 【請求項３】 アニーリング部内で、未被覆光ファイバ
が引出方向へ温度勾配を有して緩慢冷却される請求項１
又は請求項２記載の光ファイバの引出装置。 - 【請求項４】 アニーリング部の全長が２００mm以上と
される請求項３記載の光ファイバの引出装置。 - 【請求項５】 石英管は、５mm以上、５０mm以下の内径
とされる請求項２記載の光ファイバの引出装置。 - 【請求項６】 アニーリング部は、２５℃〜１２００℃
の範囲で温度を調整可能にしてある請求項１〜５のいず
れか１項に記載の光ファイバの引出装置。 - 【請求項７】 アニーリング部は１１００℃の温度に制
御される請求項６記載の光ファイバの引出装置。
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| JP2944534B2 true JP2944534B2 (ja) | 1999-09-06 |
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- 1995-09-29 KR KR1019950033103A patent/KR0150154B1/ko not_active IP Right Cessation
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1996
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- 1996-09-27 CN CNB961126612A patent/CN1176866C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-30 JP JP8259240A patent/JP2944534B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR970015502A (ko) | 1997-04-28 |
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| CN1156696A (zh) | 1997-08-13 |
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