JP2941997B2 - 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックアップ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックアップ装置Info
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- JP2941997B2 JP2941997B2 JP3124531A JP12453191A JP2941997B2 JP 2941997 B2 JP2941997 B2 JP 2941997B2 JP 3124531 A JP3124531 A JP 3124531A JP 12453191 A JP12453191 A JP 12453191A JP 2941997 B2 JP2941997 B2 JP 2941997B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームによる照
射と入射ビームの検出とを行う装置に用いる半導体レー
ザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックア
ップ装置に関する。
射と入射ビームの検出とを行う装置に用いる半導体レー
ザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックア
ップ装置に関する。
【０００２】
【従来技術】光ピックアップ装置は、半導体レーザ等の
光源から発せられた光を光学記録媒体に照射して、光学
記録媒体で反射され変調された反射光を光検出器で検出
することによって情報の記録および再生を行う。このよ
うな光ピックアップ装置では、対物レンズ、半導体レー
ザ、ビームスプリッタ、光検出器等の多くの光学部品を
必要とするため、従来、装置の小型化、軽量化を図るこ
とが困難であった。
光源から発せられた光を光学記録媒体に照射して、光学
記録媒体で反射され変調された反射光を光検出器で検出
することによって情報の記録および再生を行う。このよ
うな光ピックアップ装置では、対物レンズ、半導体レー
ザ、ビームスプリッタ、光検出器等の多くの光学部品を
必要とするため、従来、装置の小型化、軽量化を図るこ
とが困難であった。
【０００３】そこで、近年、図１５に示すように、プリ
ズムを使用して、部品点数を少なくし、装置全体の小型
化を図った光ピックアップ装置が多数提案されている。
例えば、特開昭６２−１９６８８０号公報には、共通の
半導体基板３１に、半導体レーザ３２と光検出器３３を
形成するとともに、半導体基板３１上に光検出器３３を
覆うように、例えば断面台形のプリズム３４を固定し
て、プリズム３４の半導体レーザ３２に対向する端面３
４ａにはビームスプリッタとしての機能をもたせるよう
に構成した光ピックアップ装置が提案されている。そし
て、半導体レーザ３２から射出されたレーザ光は前記プ
リズム３４の端面３４ａで反射されて、対物レンズ３５
を介して、照射ビームとなって図示していない光学記録
媒体に入射する。一方、光学記録媒体からの反射ビーム
は、再び対物レンズ３５を介してプリズム３４の端面３
４ａに入射し、プリズム３４内を通過して光検出器３３
に入射するようになっている。
ズムを使用して、部品点数を少なくし、装置全体の小型
化を図った光ピックアップ装置が多数提案されている。
例えば、特開昭６２−１９６８８０号公報には、共通の
半導体基板３１に、半導体レーザ３２と光検出器３３を
形成するとともに、半導体基板３１上に光検出器３３を
覆うように、例えば断面台形のプリズム３４を固定し
て、プリズム３４の半導体レーザ３２に対向する端面３
４ａにはビームスプリッタとしての機能をもたせるよう
に構成した光ピックアップ装置が提案されている。そし
て、半導体レーザ３２から射出されたレーザ光は前記プ
リズム３４の端面３４ａで反射されて、対物レンズ３５
を介して、照射ビームとなって図示していない光学記録
媒体に入射する。一方、光学記録媒体からの反射ビーム
は、再び対物レンズ３５を介してプリズム３４の端面３
４ａに入射し、プリズム３４内を通過して光検出器３３
に入射するようになっている。
【０００４】このような光ピックアップ装置において、
情報の記録および再生を正確に行うためには、トラッキ
ング及びフォーカシングを行う必要がある。一般的にト
ラッキングは、光検出器で検出された光情報からトラッ
キングエラー信号を検出し、トラッキングエラー信号に
基づいて、アクチュエータを用いて対物レンズをトラッ
キング方向に駆動させて行う。フォーカシングについて
も同様で、光検出器で検出された光情報からフォーカシ
ング信号を検出し、フォーカスエラー信号に基づいて、
アクチュエータを用いて対物レンズをフォーカス方向に
駆動させて行う。従って、従来の光ピックアップ装置に
は、対物レンズをトラッキング方向に駆動する駆動手段
としてアクチュエータ３６が設けられており、トラッキ
ングエラー信号をこのアクチュエータ３６に供給する
と、アクチュエータ３６ではこのトラッキングエラー信
号に基づいて対物レンズ３５を駆動し、トラッキングエ
ラーの補正を行う。また、フォーカシングについても同
様に対物レンズ３５をフォーカス方向に駆動する駆動手
段としてのアクチュエータ３７が設けられており、フォ
ーカスエラー信号をこのアクチュエータ３７に供給し、
アクチュエータ３７ではこのフォーカスエラー信号に基
づいて対物レンズ３５を駆動し、フォーカスエラーの補
正を行うのである。
情報の記録および再生を正確に行うためには、トラッキ
ング及びフォーカシングを行う必要がある。一般的にト
ラッキングは、光検出器で検出された光情報からトラッ
キングエラー信号を検出し、トラッキングエラー信号に
基づいて、アクチュエータを用いて対物レンズをトラッ
キング方向に駆動させて行う。フォーカシングについて
も同様で、光検出器で検出された光情報からフォーカシ
ング信号を検出し、フォーカスエラー信号に基づいて、
アクチュエータを用いて対物レンズをフォーカス方向に
駆動させて行う。従って、従来の光ピックアップ装置に
は、対物レンズをトラッキング方向に駆動する駆動手段
としてアクチュエータ３６が設けられており、トラッキ
ングエラー信号をこのアクチュエータ３６に供給する
と、アクチュエータ３６ではこのトラッキングエラー信
号に基づいて対物レンズ３５を駆動し、トラッキングエ
ラーの補正を行う。また、フォーカシングについても同
様に対物レンズ３５をフォーカス方向に駆動する駆動手
段としてのアクチュエータ３７が設けられており、フォ
ーカスエラー信号をこのアクチュエータ３７に供給し、
アクチュエータ３７ではこのフォーカスエラー信号に基
づいて対物レンズ３５を駆動し、フォーカスエラーの補
正を行うのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、光ピ
ックアップ装置は、半導体基板上に半導体レーザとプリ
ズムとを設けて装置の小型化を図っている。しかしなが
ら、このように小型化したピックアップ装置でも、トラ
ッキング及びフォーカシング動作はアクチュエータを用
いて対物レンズを駆動することによって行っている。こ
れらのアクチュエータは、対物レンズを駆動させるた
め、半導体基板１の外部に設置せざるを得ず、従来の光
ピックアップ装置では小型化は限界があった。また、こ
のような光ピックアップ装置では、光源として半導体レ
ーザ装置を使用しているが、個々の半導体レーザには発
光点のバラツキがあるため、従来の半導体レーザ装置で
はこのバラツキの調整が面倒であり、レーザビームを所
望の方向に照射することは困難であった。また、半導体
レーザを基板上に設置する際に、高度な位置決め精度が
要求され、位置決め作業に時間がかかるという問題があ
った。
ックアップ装置は、半導体基板上に半導体レーザとプリ
ズムとを設けて装置の小型化を図っている。しかしなが
ら、このように小型化したピックアップ装置でも、トラ
ッキング及びフォーカシング動作はアクチュエータを用
いて対物レンズを駆動することによって行っている。こ
れらのアクチュエータは、対物レンズを駆動させるた
め、半導体基板１の外部に設置せざるを得ず、従来の光
ピックアップ装置では小型化は限界があった。また、こ
のような光ピックアップ装置では、光源として半導体レ
ーザ装置を使用しているが、個々の半導体レーザには発
光点のバラツキがあるため、従来の半導体レーザ装置で
はこのバラツキの調整が面倒であり、レーザビームを所
望の方向に照射することは困難であった。また、半導体
レーザを基板上に設置する際に、高度な位置決め精度が
要求され、位置決め作業に時間がかかるという問題があ
った。
【０００６】本発明は、このような不具合を解消するた
めになされたもので、その目的とするところは、半導体
レーザを設置する際に高度な位置決め精度を必要としな
い半導体レーザ装置を提供するとともに、この半導体レ
ーザ装置を使用して、小型化、軽量化を図った光ピック
アップ装置を提供しようとするものである。
めになされたもので、その目的とするところは、半導体
レーザを設置する際に高度な位置決め精度を必要としな
い半導体レーザ装置を提供するとともに、この半導体レ
ーザ装置を使用して、小型化、軽量化を図った光ピック
アップ装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体レーザ装置は、半導体レーザと、この半導体
レーザから射出されるレーザビームを反射させるミラー
と、このミラーを回動及びミラー面に対して垂直方向に
駆動させるアクチュエータとを有し、前記ミラー及び前
記アクチュエータを、前記半導体レーザを設ける基板と
同一の基板上に形成したことを特徴とするものである。
明の半導体レーザ装置は、半導体レーザと、この半導体
レーザから射出されるレーザビームを反射させるミラー
と、このミラーを回動及びミラー面に対して垂直方向に
駆動させるアクチュエータとを有し、前記ミラー及び前
記アクチュエータを、前記半導体レーザを設ける基板と
同一の基板上に形成したことを特徴とするものである。
【０００８】さらに、本発明の光ピックアップ装置は、
半導体レーザと、ミラーと、このミラーを駆動させるア
クチュエータと、前記半導体レーザから射出され、前記
ミラーで反射された光ビームを対物レンズを介して光学
記録媒体へ導くとともに前記光学記録媒体からの反射ビ
ームを光検出器に導くプリズムとを具えた光ピックアッ
プ装置において、前記ミラー及び前記アクチュエータ
を、前記半導体レーザ及び前記光検出器を設ける基板と
同一の基板上に形成し、前記光検出器の出力に基づい
て、前記ミラーを回動駆動させて前記半導体レーザから
射出されるレーザビームを偏向させ、光学記録媒体への
照射ビームのトラッキングを行い、かつ前記ミラーをミ
ラー面に対して垂直方向に駆動させて前記半導体レーザ
から射出されるレーザビームの光路長を可変し、照射ビ
ームのフォーカシングを行うことを特徴とするものであ
る。
半導体レーザと、ミラーと、このミラーを駆動させるア
クチュエータと、前記半導体レーザから射出され、前記
ミラーで反射された光ビームを対物レンズを介して光学
記録媒体へ導くとともに前記光学記録媒体からの反射ビ
ームを光検出器に導くプリズムとを具えた光ピックアッ
プ装置において、前記ミラー及び前記アクチュエータ
を、前記半導体レーザ及び前記光検出器を設ける基板と
同一の基板上に形成し、前記光検出器の出力に基づい
て、前記ミラーを回動駆動させて前記半導体レーザから
射出されるレーザビームを偏向させ、光学記録媒体への
照射ビームのトラッキングを行い、かつ前記ミラーをミ
ラー面に対して垂直方向に駆動させて前記半導体レーザ
から射出されるレーザビームの光路長を可変し、照射ビ
ームのフォーカシングを行うことを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】このように、本発明の半導体レーザ装置におい
ては、半導体レーザから射出されるレーザビームを偏向
及び光路長を可変させるミラーと、このミラーを駆動す
るアクチュエータとを、半導体レーザを設ける基板と同
一の基板上に形成したので、半導体レーザに発光点のバ
ラツキがあっても、ミラーを回動することでレーザビー
ムの進行方向を容易に補正することができると共に、ミ
ラーを光軸方向に駆動することで光路長を容易に補正す
ることができる。
ては、半導体レーザから射出されるレーザビームを偏向
及び光路長を可変させるミラーと、このミラーを駆動す
るアクチュエータとを、半導体レーザを設ける基板と同
一の基板上に形成したので、半導体レーザに発光点のバ
ラツキがあっても、ミラーを回動することでレーザビー
ムの進行方向を容易に補正することができると共に、ミ
ラーを光軸方向に駆動することで光路長を容易に補正す
ることができる。
【００１０】また、本発明の光ピックアップ装置では、
前記の半導体レーザ装置を利用して、半導体レーザを設
ける基板に光学記録媒体からの反射ビームを受光する光
検出器を設け、この光検出器の出力に基づいて、半導体
レーザを設ける基板と同一の基板上に形成したミラーお
よびアクチュエータによりトラッキングおよびフォーカ
シングを行なうようにしたので、対物レンズを駆動する
必要がなくなる。したがって、対物レンズを含む可動部
の質量を小さくすることができるとともに、高速アクセ
ス時の対物レンズのトラッキングおよびフォーカシング
方向の振れを防止することができる。また、従来の装置
に比べてさらに部品点数が軽減され、装置全体の小型
化、軽量化を図ることができる。
前記の半導体レーザ装置を利用して、半導体レーザを設
ける基板に光学記録媒体からの反射ビームを受光する光
検出器を設け、この光検出器の出力に基づいて、半導体
レーザを設ける基板と同一の基板上に形成したミラーお
よびアクチュエータによりトラッキングおよびフォーカ
シングを行なうようにしたので、対物レンズを駆動する
必要がなくなる。したがって、対物レンズを含む可動部
の質量を小さくすることができるとともに、高速アクセ
ス時の対物レンズのトラッキングおよびフォーカシング
方向の振れを防止することができる。また、従来の装置
に比べてさらに部品点数が軽減され、装置全体の小型
化、軽量化を図ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明してゆく。図１は本発明の第１実施例に係る装置の
断面図であり、図２は平面図である。図１に示すとお
り、半導体基板１は上面の一部に傾斜部１ａを備えてお
り、当該傾斜部１ａの斜面上に半導体レーザ２を設置す
る。半導体基板１には、前記半導体レーザ２から出射さ
れるレーザビームが照射される位置に、可動ミラー及び
可動ミラーを回動及びミラー面に対して垂直方向に駆動
させるアクチュエータを形成する。
説明してゆく。図１は本発明の第１実施例に係る装置の
断面図であり、図２は平面図である。図１に示すとお
り、半導体基板１は上面の一部に傾斜部１ａを備えてお
り、当該傾斜部１ａの斜面上に半導体レーザ２を設置す
る。半導体基板１には、前記半導体レーザ２から出射さ
れるレーザビームが照射される位置に、可動ミラー及び
可動ミラーを回動及びミラー面に対して垂直方向に駆動
させるアクチュエータを形成する。
【００１２】可動ミラーを形成するミラー部とこれを駆
動するアクチュエータは、図１、図２Ａで示されるよう
にエッチング等で形成される。その具体的構成を説明す
ると、半導体基板１の表面幅方向（Ｚ方向）に支持軸４
ａを設け、この支持軸４ａを支軸として可動部４ｂを回
動自在及び上下動（Ｙ方向）自在に設け、この可動部４
ｂの表面に反射膜４ｃを形成してミラーとして作用させ
る。さらに、可動部４ｂの表面及び裏面のＸ方向両端に
電極４ｄ〜４ｇを形成する。一方、可動部４ｂの下方に
位置し、可動ミラーおよびアクチュエータを支持してい
るガラス基板４ｍの表面に、可動部４ｂ裏面の電極４
ｆ，４ｇに対向した電極４ｈ，４ｉを形成する。また、
可動部４ｂの上方に位置し、ガラス基板４ｍ上部に可動
部４ｂ表面の電極４ｄ及び４ｅに対向した電極４ｊ及び
４ｋを形成する。
動するアクチュエータは、図１、図２Ａで示されるよう
にエッチング等で形成される。その具体的構成を説明す
ると、半導体基板１の表面幅方向（Ｚ方向）に支持軸４
ａを設け、この支持軸４ａを支軸として可動部４ｂを回
動自在及び上下動（Ｙ方向）自在に設け、この可動部４
ｂの表面に反射膜４ｃを形成してミラーとして作用させ
る。さらに、可動部４ｂの表面及び裏面のＸ方向両端に
電極４ｄ〜４ｇを形成する。一方、可動部４ｂの下方に
位置し、可動ミラーおよびアクチュエータを支持してい
るガラス基板４ｍの表面に、可動部４ｂ裏面の電極４
ｆ，４ｇに対向した電極４ｈ，４ｉを形成する。また、
可動部４ｂの上方に位置し、ガラス基板４ｍ上部に可動
部４ｂ表面の電極４ｄ及び４ｅに対向した電極４ｊ及び
４ｋを形成する。
【００１３】このように構成されたアクチュエータの動
作を説明すると、電極４ｊと可動部４ｂの表面に取り付
けられた電極４ｄの間及び電極４ｉと可動部４ｂの裏面
に取り付けられた電極４ｇの間に電圧を印加すると、電
極４ｊと電極４ｄの間及び電極４ｇと電極４ｉの間に静
電引力が発生し、ミラーが時計回りに回動する。一方、
電極４ｋと電極４ｅの間及び電極４ｈと電極４ｆの間に
電圧を印加すると、ミラーは反時計回りに回動する。ま
た、電極４ｊと電極４ｄの間及び電極４ｋと電極４ｅの
間に電圧を印加するとミラーは上方に移動する。一方、
電極４ｈと電極４ｆの間及び電極４ｉと電極４ｇの間に
電圧を印加するとミラーは下方に移動する。なお、可動
部４ｂに付設する電極は、図２Ｂに示すように回動用の
電極４ｐとミラー面に対して垂直方向に駆動せるための
電極４ｑとを独立させてもよい。このようにミラーを回
動及びミラー面に対して垂直方向（Ｙ方向）に駆動する
ことで、光ビームの進行方向を変えたり光路長を変えた
りすることができ、半導体レーザの発光点のずれを容易
に補正することが可能となり、半導体レーザを基板に設
置する際に位置決めが容易になる。
作を説明すると、電極４ｊと可動部４ｂの表面に取り付
けられた電極４ｄの間及び電極４ｉと可動部４ｂの裏面
に取り付けられた電極４ｇの間に電圧を印加すると、電
極４ｊと電極４ｄの間及び電極４ｇと電極４ｉの間に静
電引力が発生し、ミラーが時計回りに回動する。一方、
電極４ｋと電極４ｅの間及び電極４ｈと電極４ｆの間に
電圧を印加すると、ミラーは反時計回りに回動する。ま
た、電極４ｊと電極４ｄの間及び電極４ｋと電極４ｅの
間に電圧を印加するとミラーは上方に移動する。一方、
電極４ｈと電極４ｆの間及び電極４ｉと電極４ｇの間に
電圧を印加するとミラーは下方に移動する。なお、可動
部４ｂに付設する電極は、図２Ｂに示すように回動用の
電極４ｐとミラー面に対して垂直方向に駆動せるための
電極４ｑとを独立させてもよい。このようにミラーを回
動及びミラー面に対して垂直方向（Ｙ方向）に駆動する
ことで、光ビームの進行方向を変えたり光路長を変えた
りすることができ、半導体レーザの発光点のずれを容易
に補正することが可能となり、半導体レーザを基板に設
置する際に位置決めが容易になる。
【００１４】図３は本発明の第２実施例に係る装置の平
面図であり、図４は図３におけるＡ−Ａ断面図であり、
図５は一部切り欠き正面図であり、図６はＢ−Ｂ断面図
である。第１実施例と対応する個所には同一符号を付し
た（以下の実施例についても同様）。半導体基板１の長
さ方向一端近傍の片側寄りに半導体レーザ２が、プリズ
ム３の入射面に対して所定の角度を有するように設けら
れ、半導体レーザ２側の面３ａには入射光の一部を透過
させる膜が設けられ、プリズム３の近傍に光ビームを偏
向及び光路長を可変するための可動ミラー４がエッチン
グ等により形成されている。また、光学記録媒体（図示
していない）に到達する以前の光ビームを受光する位置
に、光ビームの出力を検出するための受光素子５が形成
され、光学記録媒体からの反射光を受光する位置にトラ
ッキング及びフォーカス信号を検出するための受光素子
６が形成されている。また、プリズム３の上面に平行平
板７が設けられ、プリズム３と平行平面７との間には半
透過膜８が設けられている。
面図であり、図４は図３におけるＡ−Ａ断面図であり、
図５は一部切り欠き正面図であり、図６はＢ−Ｂ断面図
である。第１実施例と対応する個所には同一符号を付し
た（以下の実施例についても同様）。半導体基板１の長
さ方向一端近傍の片側寄りに半導体レーザ２が、プリズ
ム３の入射面に対して所定の角度を有するように設けら
れ、半導体レーザ２側の面３ａには入射光の一部を透過
させる膜が設けられ、プリズム３の近傍に光ビームを偏
向及び光路長を可変するための可動ミラー４がエッチン
グ等により形成されている。また、光学記録媒体（図示
していない）に到達する以前の光ビームを受光する位置
に、光ビームの出力を検出するための受光素子５が形成
され、光学記録媒体からの反射光を受光する位置にトラ
ッキング及びフォーカス信号を検出するための受光素子
６が形成されている。また、プリズム３の上面に平行平
板７が設けられ、プリズム３と平行平面７との間には半
透過膜８が設けられている。
【００１５】このように構成されている本実施例の動作
を説明すると、半導体レーザ２から出射された光ビーム
はその一部が、図５に示すようにプリズム３の面３ａで
可動ミラー４側に反射され、反射光は光学記録媒体側に
導かれる。同時に光ビームの一部は、図４に示すように
プリズム３の面３ａ、半透過膜８を透過し平行平板７の
面７ａで反射され、受光素子５に導かれ、さらに他の一
部はプリズム３の面３ａを通過し半透過膜８で反射さ
れ、受光素子５に導かれる。受光素子５に導かれた光ビ
ームは電気信号に変換され、半導体レーザ２の光量を制
御するための信号となる。次に可動ミラー４で反射され
た光ビームは、図５に示すように集光レンズ（図示して
いない）に入射することにより光学記録媒体の記録面上
に集光され、情報の記録、再生が行われる。光学記録媒
体で反射された光ビームは、再び集光レンズを透過し前
記可動ミラー４に導かれ、ここで反射された後に図６に
示すようにプリズム３を透過し、半透過膜８により反射
される光路と、半透過膜８を透過した後、平行平板７の
面７ａで反射される光路との２つに分離され受光素子６
でそれぞれ受光される。そしてトラッキングエラー信
号、フォーカスエラー信号が検出される。
を説明すると、半導体レーザ２から出射された光ビーム
はその一部が、図５に示すようにプリズム３の面３ａで
可動ミラー４側に反射され、反射光は光学記録媒体側に
導かれる。同時に光ビームの一部は、図４に示すように
プリズム３の面３ａ、半透過膜８を透過し平行平板７の
面７ａで反射され、受光素子５に導かれ、さらに他の一
部はプリズム３の面３ａを通過し半透過膜８で反射さ
れ、受光素子５に導かれる。受光素子５に導かれた光ビ
ームは電気信号に変換され、半導体レーザ２の光量を制
御するための信号となる。次に可動ミラー４で反射され
た光ビームは、図５に示すように集光レンズ（図示して
いない）に入射することにより光学記録媒体の記録面上
に集光され、情報の記録、再生が行われる。光学記録媒
体で反射された光ビームは、再び集光レンズを透過し前
記可動ミラー４に導かれ、ここで反射された後に図６に
示すようにプリズム３を透過し、半透過膜８により反射
される光路と、半透過膜８を透過した後、平行平板７の
面７ａで反射される光路との２つに分離され受光素子６
でそれぞれ受光される。そしてトラッキングエラー信
号、フォーカスエラー信号が検出される。
【００１６】次に上記各信号の検出方法を説明すると、
受光素子６は、図７に示すように９つの領域（６ａ〜６
ｉ）に分割されている。そして、トラッキングエラー信
号（ＴＥＳ）は、各領域の出力を次式のように演算する
ことで検出される。 ＴＥＳ＝（６ｄ＋６ｅ＋６ｆ）−（６ｇ＋６ｈ＋６ｉ） また、フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）は、例えばビー
ムサイズ法により演算することで検出される。 ＦＥＳ＝（６ａ−６ｂ＋６ｃ）−（６ｄ−６ｅ＋６ｆ＋
６ｇ−６ｈ＋６ｉ） 駆動アクチュエータの構成と動作については、第１実施
例と同様で、電極４ｊと可動部４ｂの表面に取り付けら
れた電極４ｄの間及び電極４ｉと可動部４ｂの裏面に取
り付けられた電極４ｇと電極４ｉの間にトラッキングエ
ラー信号に基づく電圧を印加すると、電極４ｊと電極４
ｄの間及び電極４ｉと電極４ｇの間に静電引力が発生
し、ミラー４が時計回りに回動する。一方、電極４ｋと
電極４ｅの間及び電極４ｈと電極４ｆの間にトラッキン
グエラー信号に基づく電圧を印加すると、ミラー４は半
時計回りに回動する。このようにミラー４を回動させ、
ミラー４で反射する光ビームの進行方向を変えて、対物
レンズを通過後の照射ビームの光学記録媒体上における
トラックからのずれ量を補正する。
受光素子６は、図７に示すように９つの領域（６ａ〜６
ｉ）に分割されている。そして、トラッキングエラー信
号（ＴＥＳ）は、各領域の出力を次式のように演算する
ことで検出される。 ＴＥＳ＝（６ｄ＋６ｅ＋６ｆ）−（６ｇ＋６ｈ＋６ｉ） また、フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）は、例えばビー
ムサイズ法により演算することで検出される。 ＦＥＳ＝（６ａ−６ｂ＋６ｃ）−（６ｄ−６ｅ＋６ｆ＋
６ｇ−６ｈ＋６ｉ） 駆動アクチュエータの構成と動作については、第１実施
例と同様で、電極４ｊと可動部４ｂの表面に取り付けら
れた電極４ｄの間及び電極４ｉと可動部４ｂの裏面に取
り付けられた電極４ｇと電極４ｉの間にトラッキングエ
ラー信号に基づく電圧を印加すると、電極４ｊと電極４
ｄの間及び電極４ｉと電極４ｇの間に静電引力が発生
し、ミラー４が時計回りに回動する。一方、電極４ｋと
電極４ｅの間及び電極４ｈと電極４ｆの間にトラッキン
グエラー信号に基づく電圧を印加すると、ミラー４は半
時計回りに回動する。このようにミラー４を回動させ、
ミラー４で反射する光ビームの進行方向を変えて、対物
レンズを通過後の照射ビームの光学記録媒体上における
トラックからのずれ量を補正する。
【００１７】また、電極４ｊと電極４ｄ間及び電極４ｋ
と電極４ｅの間にフォーカスエラー信号に基づく電圧を
印加するとミラー４は上方に移動する。一方、電極４ｈ
と電極４ｆの間及び電極４ｉと電極４ｇの間にフォーカ
スエラー信号に基づく電圧を印加するとミラー４は下方
に移動する。このようにミラー４をミラー面に対して垂
直方向に駆動させ、ミラー４で反射する光ビームの光路
長を変えて、対物レンズを通過後の照射ビームの光学記
録媒体上の光軸方向の合焦点のずれ量を補正する。以上
のように第２実施例においては、半導体レーザを設ける
基板と同一基板にプリズムおよび受光素子を設けると共
に、トラッキング及びフォーカシングを行うアクチュエ
ータを形成したので、半導体レーザを基板に設置する際
に位置決めが容易になる他、対物レンズ用のアクチュエ
ータを設ける必要がなくピックアップ装置全体を小型、
軽量にできる。
と電極４ｅの間にフォーカスエラー信号に基づく電圧を
印加するとミラー４は上方に移動する。一方、電極４ｈ
と電極４ｆの間及び電極４ｉと電極４ｇの間にフォーカ
スエラー信号に基づく電圧を印加するとミラー４は下方
に移動する。このようにミラー４をミラー面に対して垂
直方向に駆動させ、ミラー４で反射する光ビームの光路
長を変えて、対物レンズを通過後の照射ビームの光学記
録媒体上の光軸方向の合焦点のずれ量を補正する。以上
のように第２実施例においては、半導体レーザを設ける
基板と同一基板にプリズムおよび受光素子を設けると共
に、トラッキング及びフォーカシングを行うアクチュエ
ータを形成したので、半導体レーザを基板に設置する際
に位置決めが容易になる他、対物レンズ用のアクチュエ
ータを設ける必要がなくピックアップ装置全体を小型、
軽量にできる。
【００１８】図８は本発明の第３実施例に係る断面図で
ある。第１の半導体基板１の上方片側よりに、第２の半
導体基板９が配置され、第１の半導体基板１のほぼ中央
位置に半導体レーザ２が設けられ、半導体レーザ２の近
傍に第２の半導体基板９を支持するようにプリズム３が
設けられている。プリズム３の面３ａには入射光の一部
が透過する膜がコートされている。半導体レーザ２から
の光ビームがプリズム３の面３ａで反射されて導かれる
第２の半導体基板９の下面には反射面９ａが形成され、
反射面１１ａで反射された光ビームが導かれる第１の半
導体基板１には可動ミラー４がエッチング等により設け
られている。また、プリズム３の下面側の第１の半導体
基板１上面にはトラッキングエラー信号及びフォーカス
エラー信号検出用の受光素子１０、半導体レーザ２の出
力検出用の受光素子５を、さらにプリズム３の上面側の
第２の半導体基板９の下面にはフォーカスエラー信号検
出用の受光素子１１が設けられている。図９はこのよう
に構成された第１の半導体基板１に配置された各素子を
示したものであり、図１０は、第２の半導体基板１１に
配置された各素子を示したものである。
ある。第１の半導体基板１の上方片側よりに、第２の半
導体基板９が配置され、第１の半導体基板１のほぼ中央
位置に半導体レーザ２が設けられ、半導体レーザ２の近
傍に第２の半導体基板９を支持するようにプリズム３が
設けられている。プリズム３の面３ａには入射光の一部
が透過する膜がコートされている。半導体レーザ２から
の光ビームがプリズム３の面３ａで反射されて導かれる
第２の半導体基板９の下面には反射面９ａが形成され、
反射面１１ａで反射された光ビームが導かれる第１の半
導体基板１には可動ミラー４がエッチング等により設け
られている。また、プリズム３の下面側の第１の半導体
基板１上面にはトラッキングエラー信号及びフォーカス
エラー信号検出用の受光素子１０、半導体レーザ２の出
力検出用の受光素子５を、さらにプリズム３の上面側の
第２の半導体基板９の下面にはフォーカスエラー信号検
出用の受光素子１１が設けられている。図９はこのよう
に構成された第１の半導体基板１に配置された各素子を
示したものであり、図１０は、第２の半導体基板１１に
配置された各素子を示したものである。
【００１９】このように構成されている本実施例の動作
を説明すると、半導体レーザ２から射出された光ビーム
の一部は、ブリズム３の面３ａを透過し受光素子５に導
かれ出力が検出され、半導体レーザ２の光量制御がなさ
れる。一方、光ビームの他の一部は、プリズム３の面３
ａで反射され、第２の半導体基板下面の反射面９ａ、可
動ミラー４、再び反射面９ａ再び可動ミラー４で反射さ
れ図示しない集光レンズを介して光学記録媒体の記録面
に集光され、情報の記録、再生が行われる。記録面で反
射された光ビームは再び集光レンズを透過し、可動ミラ
ー４、反射面９ａで２回づつ反射されプリズム３の面３
ａに導かれる。そして、面３ａを透過した光ビームは表
面に半透過膜が形成されている受光素子１０に導かれ、
一部は反射され受光素子１１に導かれる。
を説明すると、半導体レーザ２から射出された光ビーム
の一部は、ブリズム３の面３ａを透過し受光素子５に導
かれ出力が検出され、半導体レーザ２の光量制御がなさ
れる。一方、光ビームの他の一部は、プリズム３の面３
ａで反射され、第２の半導体基板下面の反射面９ａ、可
動ミラー４、再び反射面９ａ再び可動ミラー４で反射さ
れ図示しない集光レンズを介して光学記録媒体の記録面
に集光され、情報の記録、再生が行われる。記録面で反
射された光ビームは再び集光レンズを透過し、可動ミラ
ー４、反射面９ａで２回づつ反射されプリズム３の面３
ａに導かれる。そして、面３ａを透過した光ビームは表
面に半透過膜が形成されている受光素子１０に導かれ、
一部は反射され受光素子１１に導かれる。
【００２０】各受光素子での信号の検出方法は、第２実
施例と同様である。先ずトラックエラー信号（ＴＥＳ）
は、次式の演算のように検出される。 ＴＥＳ＝（10a ＋10b ＋10c)−（10d ＋10e ＋10f) また、フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）は次式のように
検出される。 ＦＥＳ＝（10a −10b ＋10c ＋ 10d−10e ＋10f) −(11a−11b ＋ 11c) 駆動アクチェータの構成と動作については、前記各出実
施例と同様であるので説明を省略する。以上のように本
実施例のような構成にすると、第２実施例と同様な効果
を得ることができる他、第２実施例に比べて光ビームが
可動ミラー４と反射面９ａの間を複数回反射しているの
で、偏向角及び光路長の変化量を大きくとることができ
る。
施例と同様である。先ずトラックエラー信号（ＴＥＳ）
は、次式の演算のように検出される。 ＴＥＳ＝（10a ＋10b ＋10c)−（10d ＋10e ＋10f) また、フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）は次式のように
検出される。 ＦＥＳ＝（10a −10b ＋10c ＋ 10d−10e ＋10f) −(11a−11b ＋ 11c) 駆動アクチェータの構成と動作については、前記各出実
施例と同様であるので説明を省略する。以上のように本
実施例のような構成にすると、第２実施例と同様な効果
を得ることができる他、第２実施例に比べて光ビームが
可動ミラー４と反射面９ａの間を複数回反射しているの
で、偏向角及び光路長の変化量を大きくとることができ
る。
【００２１】次に可動ミラー４の支持構成について説明
する。各実施例において、可動ミラー４はアクチュエー
タにより回動およびミラー面に対して垂直方向に駆動可
能とされている。その具体的構成としては、図１１（Ａ
図は平面図、Ｂ図は側面図）に示すようなクランク状の
支持軸４ａとすればよい。支持軸４ａの固定部１２との
連続部４ａ−１は、可動部４ｂを回動させる際に捩れる
ように動作をする。また中央のクランク状のバネ部分４
ａ−２は、可動部４ｂをミラー面に対して垂直方向に動
作させる際にストロークをかせぐように作用する。
する。各実施例において、可動ミラー４はアクチュエー
タにより回動およびミラー面に対して垂直方向に駆動可
能とされている。その具体的構成としては、図１１（Ａ
図は平面図、Ｂ図は側面図）に示すようなクランク状の
支持軸４ａとすればよい。支持軸４ａの固定部１２との
連続部４ａ−１は、可動部４ｂを回動させる際に捩れる
ように動作をする。また中央のクランク状のバネ部分４
ａ−２は、可動部４ｂをミラー面に対して垂直方向に動
作させる際にストロークをかせぐように作用する。
【００２２】図１２は、支持軸４ａの他の実施例を示し
たもので、Ａ図は平面図、Ｂ図はＡ図におけるＡ−Ａ断
面図である。この実施例では支持軸４ａを偏平な板状に
形成して、回動およびミラー面に対して垂直方向に駆動
可能にしてある。そして、支持軸４ａの幅方向と高さ方
向の比を、幅方向を大きくとることで回動量より、ミラ
ー面に対して垂直方向のストロークをかせぐようにして
ある。
たもので、Ａ図は平面図、Ｂ図はＡ図におけるＡ−Ａ断
面図である。この実施例では支持軸４ａを偏平な板状に
形成して、回動およびミラー面に対して垂直方向に駆動
可能にしてある。そして、支持軸４ａの幅方向と高さ方
向の比を、幅方向を大きくとることで回動量より、ミラ
ー面に対して垂直方向のストロークをかせぐようにして
ある。
【００２３】図１３は、支持軸４ａの他の実施例を示し
たもので、固定部１２との連続部４ａ−３は、可動部４
ｂとの連続部４ａ−４より広い幅に形成してある。この
ように形成することにより、固定部１２との連続部４ａ
−３はミラー面に対して垂直方向に駆動させる場合に作
用させ、可動部４Ｂとの連続部４ａ−４はミラーを回動
させる場合に作用させることができる。
たもので、固定部１２との連続部４ａ−３は、可動部４
ｂとの連続部４ａ−４より広い幅に形成してある。この
ように形成することにより、固定部１２との連続部４ａ
−３はミラー面に対して垂直方向に駆動させる場合に作
用させ、可動部４Ｂとの連続部４ａ−４はミラーを回動
させる場合に作用させることができる。
【００２４】図１４は、支持軸４ａの他の実施例を示し
たもので、固定部１２との連続部４ａ−５は、中空部４
ａ−７を有する広い幅に形成し、可動部４ｂとの連続部
４ａ−６は、細い幅に形成してある。そして、連続部４
ａ−５はミラー面に対して垂直方向に駆動させる場合に
作用させ、連続部４ａ−６はミラーを回動させる場合に
作用させる。
たもので、固定部１２との連続部４ａ−５は、中空部４
ａ−７を有する広い幅に形成し、可動部４ｂとの連続部
４ａ−６は、細い幅に形成してある。そして、連続部４
ａ−５はミラー面に対して垂直方向に駆動させる場合に
作用させ、連続部４ａ−６はミラーを回動させる場合に
作用させる。
【００２５】
【発明の効果】本願発明に係る半導体レーザ装置におい
ては、半導体レーザを設ける基板と同一基板に、この半
導体レーザから射出されるレーザビームを偏向及びレー
ザビームの光路長を可変させるミラーと、その駆動用の
アクチュエータとを形成したので、ミラーを回動及びミ
ラー面に対して垂直方向に駆動することで、半導体レー
ザの発光点のずれを容易に補正することが可能となり、
半導体レーザの基板に対する位置決めが容易になる。ま
た、上記発明に係る半導体レーザ装置を使用した光ピッ
クアップ装置においては、半導体レーザを設ける基板と
同一基板に形成したミラー及びアクチュエータによりト
ラッキング及びフォーカシングを行なうようにしたの
で、対物レンズをトラッキング方向及びフォーカシング
方向に駆動する必要がなく、したがって高速アクセス時
の対物レンズのトラッキングおよびフォーカシング方向
の振れを防止することができるとともに、装置全体を小
型化、軽量にすることができる。更に、本発明の装置
を、ボイスコイルモータを使用してアクセス動作を行な
う機器に適用した場合には、本発明の装置は、小型、か
つ軽量であるために、省スペース化を図ることができる
とともに、可動部の質量を小さくすることができるの
で、高速アクセスを実現することが可能となる。
ては、半導体レーザを設ける基板と同一基板に、この半
導体レーザから射出されるレーザビームを偏向及びレー
ザビームの光路長を可変させるミラーと、その駆動用の
アクチュエータとを形成したので、ミラーを回動及びミ
ラー面に対して垂直方向に駆動することで、半導体レー
ザの発光点のずれを容易に補正することが可能となり、
半導体レーザの基板に対する位置決めが容易になる。ま
た、上記発明に係る半導体レーザ装置を使用した光ピッ
クアップ装置においては、半導体レーザを設ける基板と
同一基板に形成したミラー及びアクチュエータによりト
ラッキング及びフォーカシングを行なうようにしたの
で、対物レンズをトラッキング方向及びフォーカシング
方向に駆動する必要がなく、したがって高速アクセス時
の対物レンズのトラッキングおよびフォーカシング方向
の振れを防止することができるとともに、装置全体を小
型化、軽量にすることができる。更に、本発明の装置
を、ボイスコイルモータを使用してアクセス動作を行な
う機器に適用した場合には、本発明の装置は、小型、か
つ軽量であるために、省スペース化を図ることができる
とともに、可動部の質量を小さくすることができるの
で、高速アクセスを実現することが可能となる。
【図１】本発明に係る半導体装置（第１実施例）の断面
図である。
図である。
【図２】半導体装置の平面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置（第２実施例）の平面
図である。
図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ断面図である。
【図５】図３における一部切り欠き正面図である。
【図６】図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図７】受光素子の領域を示す説明図である。
【図８】本発明に係る半導体装置（第３実施例）の断面
図である。
図である。
【図９】第１の半導体基板の平面図である。
【図１０】第２の半導体基板の底面図である。
【図１１】支持軸の平面図、側面図である。
【図１２】他の実施例に係る支持軸の平面図、Ａ−Ａ断
面図である。
面図である。
【図１３】他の実施例に係る支持軸の平面図である。
【図１４】他の実施例に係る支持軸の平面図である。
【図１５】従来例に係る半導体装置の断面図である。
１ 半導体基板 １ａ 傾斜部 ２ 半導体レーザ ４ａ 支持軸 ４ｂ 可動部 ４ｃ 反射膜 ４ｄ 電極 ４ｅ 電極 ４ｆ 電極 ４ｇ 電極 ４ｈ 電極 ４ｉ 電極 ４ｊ 電極 ４ｍ ガラス基板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/09 - 7/095 G11B 7/12 - 7/135 G02B 26/10 H01S 3/18
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザと、この半導体レーザから
射出されるレーザビームを反射させるミラーと、このミ
ラーを回動及びミラー面に対して垂直方向に駆動させる
アクチュエータとを有し、前記ミラー及び前記アクチュ
エータを、前記半導体レーザを設ける基板と同一の基板
上に形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 半導体レーザと、ミラーと、このミラー
を駆動させるアクチュエータと、前記半導体レーザから
射出され、前記ミラーで反射された光ビームを対物レン
ズを介して光学記録媒体へ導くとともに前記光学記録媒
体からの反射ビームを光検出器に導くプリズムとを具え
た光ピックアップ装置において、 前記ミラー及び前記アクチュエータを、前記半導体レー
ザ及び前記光検出器を設ける基板と同一の基板上に形成
し、前記光検出器の出力に基づいて、前記ミラーを回動
駆動させて前記半導体レーザから射出されるレーザビー
ムを偏向させ、光学記録媒体への照射ビームのトラッキ
ングを行い、かつ前記ミラーをミラー面に対して垂直方
向に駆動させて前記半導体レーザから射出されるレーザ
ビームの光路長を可変し、照射ビームのフォーカシング
を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124531A JP2941997B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124531A JP2941997B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328337A JPH04328337A (ja) | 1992-11-17 |
| JP2941997B2 true JP2941997B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=14887784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124531A Expired - Fee Related JP2941997B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を使用した光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2941997B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996034439A1 (fr) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semiconducteur et appareil a disque optique utilisant ce laser |
| JP3154726B2 (ja) * | 1995-05-17 | 2001-04-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ及びディクス装置 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3124531A patent/JP2941997B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04328337A (ja) | 1992-11-17 |
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|---|---|---|---|
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