JP2937676B2 - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層回路基板に係り、
詳しくは、電子計算機等に用いられる多層セラミック回
路基板等に適用することができ、特に、多層セラミック
回路基板と薄膜多層回路の界面に金属超塑性部材を形成
し構成することにより、界面での応力集中によって金属
薄膜が断線しても、断線し難い金属超塑性部材を介して
金属薄膜とこの金属薄膜と接続される配線間での導通を
取ることができ、信頼性の高い配線構造を得ることがで
きる多層回路基板に関する。
詳しくは、電子計算機等に用いられる多層セラミック回
路基板等に適用することができ、特に、多層セラミック
回路基板と薄膜多層回路の界面に金属超塑性部材を形成
し構成することにより、界面での応力集中によって金属
薄膜が断線しても、断線し難い金属超塑性部材を介して
金属薄膜とこの金属薄膜と接続される配線間での導通を
取ることができ、信頼性の高い配線構造を得ることがで
きる多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層の半導体素子を搭載する多層
回路基板は、主に厚膜部分と薄膜部分からなり、その製
造方法としては、スクリーン印刷によって導体層が形成
された複数のグリーンシートを積層し、その後に焼成し
て多層セラミック回路基板とする方法、所謂厚膜技術
と、この厚膜技術で得られる多層セラミック回路基板上
に金属薄膜を蒸着、パターニング及びエッチングして配
線を形成し、その上に絶縁層を形成し、これを繰り返し
て薄膜多層回路とする方法、所謂薄膜技術が併用されて
いる。
回路基板は、主に厚膜部分と薄膜部分からなり、その製
造方法としては、スクリーン印刷によって導体層が形成
された複数のグリーンシートを積層し、その後に焼成し
て多層セラミック回路基板とする方法、所謂厚膜技術
と、この厚膜技術で得られる多層セラミック回路基板上
に金属薄膜を蒸着、パターニング及びエッチングして配
線を形成し、その上に絶縁層を形成し、これを繰り返し
て薄膜多層回路とする方法、所謂薄膜技術が併用されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の多層回路基板では、厚膜技術を用い、グリーンシート
にバイアホールを形成し、このバイアホールに金属の粉
末やペースト等を充填した後、導体配線を印刷して積層
した後、焼成して多層セラミック回路基板を形成する。
そして、フォトリソグラフィ技術を用いた薄膜技術によ
り、多層セラミック回路基板上に金属薄膜を蒸着、パタ
ーニング及びエッチングして配線を形成し、その上に絶
縁層を形成し、これを繰り返して薄膜多層回路を形成し
ている。このように薄膜多層回路を形成するには多くの
複雑なプロセスが必要であり、このプロセス毎に加熱処
理が行われるため、それが熱サイクルとなり、多層セラ
ミック回路基板（厚膜）部分で、セラミック部分と導体
部分での熱膨脹率の差によって導体部分が相対的に伸び
てしまう。このため、この導体部分上に形成された金属
薄膜部分に剪断応力が働き、これにより金属薄膜にクラ
ック等が生じたりして断線し易いという問題が生じてい
た。
の多層回路基板では、厚膜技術を用い、グリーンシート
にバイアホールを形成し、このバイアホールに金属の粉
末やペースト等を充填した後、導体配線を印刷して積層
した後、焼成して多層セラミック回路基板を形成する。
そして、フォトリソグラフィ技術を用いた薄膜技術によ
り、多層セラミック回路基板上に金属薄膜を蒸着、パタ
ーニング及びエッチングして配線を形成し、その上に絶
縁層を形成し、これを繰り返して薄膜多層回路を形成し
ている。このように薄膜多層回路を形成するには多くの
複雑なプロセスが必要であり、このプロセス毎に加熱処
理が行われるため、それが熱サイクルとなり、多層セラ
ミック回路基板（厚膜）部分で、セラミック部分と導体
部分での熱膨脹率の差によって導体部分が相対的に伸び
てしまう。このため、この導体部分上に形成された金属
薄膜部分に剪断応力が働き、これにより金属薄膜にクラ
ック等が生じたりして断線し易いという問題が生じてい
た。
【０００４】そこで本発明は、多層セラミック回路基板
と薄膜多層回路の界面に、金属ビアのエッジ部分を覆う
ように金属超塑性部材を形成し構成することにより、界
面での応力集中によって金属薄膜が断線しても、断線し
難い金属超塑性部材を介して金属薄膜とこの金属薄膜と
接続される配線間での導通を取ることができ、信頼性の
高い配線構造を得ることができる多層回路基板を提供す
ることを目的としている。
と薄膜多層回路の界面に、金属ビアのエッジ部分を覆う
ように金属超塑性部材を形成し構成することにより、界
面での応力集中によって金属薄膜が断線しても、断線し
難い金属超塑性部材を介して金属薄膜とこの金属薄膜と
接続される配線間での導通を取ることができ、信頼性の
高い配線構造を得ることができる多層回路基板を提供す
ることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
る多層回路基板は上記目的達成のため、厚膜部分の多層
セラミック回路基板（１）の金属ビア（２）上に金属薄
膜（４）と絶縁物層からなる薄膜部分の多層回路が形成
されてなる多層回路基板において、厚膜薄膜部分の界面
に位置する前記金属薄膜（４）上に金属超塑性部材
（５）が形成され、該金属超塑性部材（５）は前記金属
薄膜（４）を介して金属ビア（２）のエッジ部分を覆う
ことを特徴とするものである。
る多層回路基板は上記目的達成のため、厚膜部分の多層
セラミック回路基板（１）の金属ビア（２）上に金属薄
膜（４）と絶縁物層からなる薄膜部分の多層回路が形成
されてなる多層回路基板において、厚膜薄膜部分の界面
に位置する前記金属薄膜（４）上に金属超塑性部材
（５）が形成され、該金属超塑性部材（５）は前記金属
薄膜（４）を介して金属ビア（２）のエッジ部分を覆う
ことを特徴とするものである。
【０００６】請求項２記載の発明による多層回路基板は
上記目的達成のため、厚膜部分の多層セラミック回路基
板（１）の金属ビア（２）上に金属薄膜（４）と絶縁物
層からなる薄膜部分の多層回路が形成されてなる多層回
路基板において、厚膜薄膜部分の界面に位置する前記金
属薄膜（４）と金属ビア（２）の間に金属超塑性部材
（５）が形成され、該金属超塑性部材（５）は金属ビア
（２）のエッジ部分を覆うことを特徴とするものであ
る。 請求項１、２記載の発明に係る金属超塑性材料は、
応力が働いた時、通常金属よりもよく伸びる性質を有
し、粒子すべりによって数百％から千％も伸びる性質を
有するものを言い、この金属超塑性材料にはＨＳＬＡ鋼
等の炭素鋼、Ｔｉ−６Ａ１−４Ｖ等のチタン合金、Ｚｎ
−２２％ＡｌやＡｌ−６％Ｃｕ−０．４％Ｚｒ等のアル
ミ合金等が挙げられる。
上記目的達成のため、厚膜部分の多層セラミック回路基
板（１）の金属ビア（２）上に金属薄膜（４）と絶縁物
層からなる薄膜部分の多層回路が形成されてなる多層回
路基板において、厚膜薄膜部分の界面に位置する前記金
属薄膜（４）と金属ビア（２）の間に金属超塑性部材
（５）が形成され、該金属超塑性部材（５）は金属ビア
（２）のエッジ部分を覆うことを特徴とするものであ
る。 請求項１、２記載の発明に係る金属超塑性材料は、
応力が働いた時、通常金属よりもよく伸びる性質を有
し、粒子すべりによって数百％から千％も伸びる性質を
有するものを言い、この金属超塑性材料にはＨＳＬＡ鋼
等の炭素鋼、Ｔｉ−６Ａ１−４Ｖ等のチタン合金、Ｚｎ
−２２％ＡｌやＡｌ−６％Ｃｕ−０．４％Ｚｒ等のアル
ミ合金等が挙げられる。
【０００７】本発明に係る金属超塑性部材を形成する方
法には、一元スパッタ法や多元同時スパッタ法が挙げら
れ、このうち多元同時スパッタ法によれば、一元スパッ
タ法（合金ターゲットを用いる場合）による場合よりも
各成分の組成を容易に制御することができるので、容易
に超塑性部材を得ることができる。
法には、一元スパッタ法や多元同時スパッタ法が挙げら
れ、このうち多元同時スパッタ法によれば、一元スパッ
タ法（合金ターゲットを用いる場合）による場合よりも
各成分の組成を容易に制御することができるので、容易
に超塑性部材を得ることができる。
【０００８】
【作用】従来では、薄膜多層回路を形成する前処理とし
て多層セラミック回路基板を焼成した後に研磨して平滑
にした後、薄膜プロセスを行って薄膜多層回路を形成し
ていた。この薄膜多層回路を形成するには、前述した如
く、多くの複雑なプロセスが必要であり、このプロセス
毎に加熱処理が行われるため、それが熱サイクルとな
り、セラミック回路基板部分で、セラミック部分と導体
部分での熱膨脹率の差によって導体部分が相対的に伸び
てしまうため、その導体部分上に形成された金属薄膜部
分に剪断応力が働き、これにより金属薄膜にクラック等
が生じたりして断線障害が起こり易いという問題があっ
た。
て多層セラミック回路基板を焼成した後に研磨して平滑
にした後、薄膜プロセスを行って薄膜多層回路を形成し
ていた。この薄膜多層回路を形成するには、前述した如
く、多くの複雑なプロセスが必要であり、このプロセス
毎に加熱処理が行われるため、それが熱サイクルとな
り、セラミック回路基板部分で、セラミック部分と導体
部分での熱膨脹率の差によって導体部分が相対的に伸び
てしまうため、その導体部分上に形成された金属薄膜部
分に剪断応力が働き、これにより金属薄膜にクラック等
が生じたりして断線障害が起こり易いという問題があっ
た。
【０００９】そこで、本発明者等は、上記界面での熱膨
脹率の差による金属薄膜の断線を防ぐために、思考錯誤
を繰り返しながら各種実験を重ねた結果、厚膜部分と薄
膜部分の界面に応力が働いても通常金属よりもよく伸び
る性質を有する金属超塑性部材を該界面に形成し構成し
たところ、薄膜導体に剪断応力が掛かってもクラックが
入り難く断線し難い超塑性部材が存在するため、断線し
ないインターフェースを得ることができた。このため、
セラミック部分と導体部分での熱膨脹率の差によって導
体部分が伸び、この導体部分上に形成された金属薄膜部
分に剪断応力が働いて金属薄膜が断線しても、この部分
に金属超塑性部材を形成すれば、この金属超塑性部材は
応力が掛かっても伸びるため、断線し難い。このため、
金属薄膜が断線しても金属超塑性部材を介して金属薄膜
とこの金属薄膜と接続される配線間での導通を取ること
ができるので、信頼性の高い配線構造を得ることができ
る。
脹率の差による金属薄膜の断線を防ぐために、思考錯誤
を繰り返しながら各種実験を重ねた結果、厚膜部分と薄
膜部分の界面に応力が働いても通常金属よりもよく伸び
る性質を有する金属超塑性部材を該界面に形成し構成し
たところ、薄膜導体に剪断応力が掛かってもクラックが
入り難く断線し難い超塑性部材が存在するため、断線し
ないインターフェースを得ることができた。このため、
セラミック部分と導体部分での熱膨脹率の差によって導
体部分が伸び、この導体部分上に形成された金属薄膜部
分に剪断応力が働いて金属薄膜が断線しても、この部分
に金属超塑性部材を形成すれば、この金属超塑性部材は
応力が掛かっても伸びるため、断線し難い。このため、
金属薄膜が断線しても金属超塑性部材を介して金属薄膜
とこの金属薄膜と接続される配線間での導通を取ること
ができるので、信頼性の高い配線構造を得ることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （実施例１） 図１は本発明の実施例１に則した多層回路基板を示す図
である。図１において、１は銅等の金属ビア２等が形成
された多層セラミック回路基板であり、３ａ〜３ｃはレ
ジストであり、４は金属ビア２上に形成されたＴｉ等の
金属薄膜であり、５はＴｉ金属薄膜４上に形成されたＺ
ｎ−２２％Ａｌ合金等の金属超塑性部材であり、６は金
属超塑性部材５を覆うように形成されたＴｉ等の金属薄
膜であり、７はＴｉ金属薄膜６上に形成された銅等の金
属薄膜である。本実施例では、金属ビア２のエッジ部分
を覆うように金属薄膜４上に金属超塑性部材５が設けら
れている。
する。 （実施例１） 図１は本発明の実施例１に則した多層回路基板を示す図
である。図１において、１は銅等の金属ビア２等が形成
された多層セラミック回路基板であり、３ａ〜３ｃはレ
ジストであり、４は金属ビア２上に形成されたＴｉ等の
金属薄膜であり、５はＴｉ金属薄膜４上に形成されたＺ
ｎ−２２％Ａｌ合金等の金属超塑性部材であり、６は金
属超塑性部材５を覆うように形成されたＴｉ等の金属薄
膜であり、７はＴｉ金属薄膜６上に形成された銅等の金
属薄膜である。本実施例では、金属ビア２のエッジ部分
を覆うように金属薄膜４上に金属超塑性部材５が設けら
れている。
【００１１】次に、その多層回路基板の製造方法を説明
する。まず、アルミナ、硼硅酸ガラス、石英ガラスを絶
縁層の主成分とし、導体配線材料として銅を用いて金属
ビア２を形成した多層セラミック回路基板１の表面を鏡
面研磨した後、フォトリソグラフィにより、金属ビア２
の周りにレジスト３でマスクし（図１（ａ））、Ｔｉ金
属薄膜４を１０００Åスパッタした。次に、レジスト３
ａを除去した後、金属ビア２のエッジ部分のみを覆うよ
うにレジスト３ｂでマスクし（図１（ｂ））、Ｚｎ−２
２％Ａｌの合金ターゲットを用いてＺｎ−２２％Ａｌ合
金からなる金属超塑性部材５を５０００Åスパッタし
た。その後、レジスト３ｂを除去した後、レジスト３ｃ
でマスクし（図１（ｃ））、Ｔｉ金属薄膜６を１０００
Åスパッタし、続けてＣｕ金属薄膜７を５μｍスパッタ
した（図１（ｄ））。その後、レジスト３ｃを除去し、
更に薄膜プロセスにより薄膜多層回路を形成した。そし
て、この本実施例の多層回路基板と、上記金属超塑性部
材５を形成しない比較例の多層回路基板（その他の条件
は上記実施例１と同じ）とを、各々６０〜４５０℃の熱
衝撃試験を行ったところ、比較例の多層回路基板では、
十数回のサイクルで断線が生じていたが、本実施例の多
層回路基板では、数十回のサイクルでも断線は生じてい
なかった。また、実施例では金属ビア２のエッジ部分を
覆うように金属薄膜４上に金属超塑性部材５を設けたた
め、金属薄膜４および金属ビア２の電気的な抵抗が増大
するのを防止することができる。すなわち、金属超塑性
部材５はＺｎ−２２％Ａｌ合金等の合金であるため、銅
等に比較して電気抵抗が大きくこれを金属薄膜４に接合
すると、金属薄膜４および金属ビア２の電気抵抗が増大
してしまう。 本実施例では、金属超塑性部材５を、金属
ビア２のエッジ部分を覆う金属薄膜４上の必要最低限な
部分に設けることにより、金属薄膜４および金属ビア２
の電気的な抵抗が増大するのを防止することができるの
である。
する。まず、アルミナ、硼硅酸ガラス、石英ガラスを絶
縁層の主成分とし、導体配線材料として銅を用いて金属
ビア２を形成した多層セラミック回路基板１の表面を鏡
面研磨した後、フォトリソグラフィにより、金属ビア２
の周りにレジスト３でマスクし（図１（ａ））、Ｔｉ金
属薄膜４を１０００Åスパッタした。次に、レジスト３
ａを除去した後、金属ビア２のエッジ部分のみを覆うよ
うにレジスト３ｂでマスクし（図１（ｂ））、Ｚｎ−２
２％Ａｌの合金ターゲットを用いてＺｎ−２２％Ａｌ合
金からなる金属超塑性部材５を５０００Åスパッタし
た。その後、レジスト３ｂを除去した後、レジスト３ｃ
でマスクし（図１（ｃ））、Ｔｉ金属薄膜６を１０００
Åスパッタし、続けてＣｕ金属薄膜７を５μｍスパッタ
した（図１（ｄ））。その後、レジスト３ｃを除去し、
更に薄膜プロセスにより薄膜多層回路を形成した。そし
て、この本実施例の多層回路基板と、上記金属超塑性部
材５を形成しない比較例の多層回路基板（その他の条件
は上記実施例１と同じ）とを、各々６０〜４５０℃の熱
衝撃試験を行ったところ、比較例の多層回路基板では、
十数回のサイクルで断線が生じていたが、本実施例の多
層回路基板では、数十回のサイクルでも断線は生じてい
なかった。また、実施例では金属ビア２のエッジ部分を
覆うように金属薄膜４上に金属超塑性部材５を設けたた
め、金属薄膜４および金属ビア２の電気的な抵抗が増大
するのを防止することができる。すなわち、金属超塑性
部材５はＺｎ−２２％Ａｌ合金等の合金であるため、銅
等に比較して電気抵抗が大きくこれを金属薄膜４に接合
すると、金属薄膜４および金属ビア２の電気抵抗が増大
してしまう。 本実施例では、金属超塑性部材５を、金属
ビア２のエッジ部分を覆う金属薄膜４上の必要最低限な
部分に設けることにより、金属薄膜４および金属ビア２
の電気的な抵抗が増大するのを防止することができるの
である。
【００１２】（実施例２）図２は本発明の実施例２に則
した多層回路基板の製造方法を示す図である。図２にお
いて、11は銅等の金属ビア12等が形成された多層セラミ
ック回路基板であり、13ａ〜13ｃはレジストであり、14
は金属ビア12上に形成されたＴｉ等の金属薄膜であり、
15はＴｉ金属薄膜14上に形成されたＺｎ−２２％Ａｌ合
金等の金属超塑性部材であり、16は金属超塑性部材15を
覆うように形成されたＴｉ等の金属薄膜であり、17は金
属薄膜16上に形成された銅等の金属薄膜である。
した多層回路基板の製造方法を示す図である。図２にお
いて、11は銅等の金属ビア12等が形成された多層セラミ
ック回路基板であり、13ａ〜13ｃはレジストであり、14
は金属ビア12上に形成されたＴｉ等の金属薄膜であり、
15はＴｉ金属薄膜14上に形成されたＺｎ−２２％Ａｌ合
金等の金属超塑性部材であり、16は金属超塑性部材15を
覆うように形成されたＴｉ等の金属薄膜であり、17は金
属薄膜16上に形成された銅等の金属薄膜である。
【００１３】次に、その多層回路基板の製造方法を説明
する。まず、アルミナ、硼硅酸ガラス、石英ガラスを絶
縁層の主成分とし、導体配線材料として銅を用いて金属
ビア２を形成した多層セラミック回路基板１の表面を鏡
面研磨した後、フォトリソグラフィにより、金属ビア12
の周りにレジスト13でマスクし（図２（ａ））、Ｔｉ金
属薄膜４を１０００Åスパッタした。次に、レジスト13
ａを除去した後、金属ビア12のエッジ部分のみを覆うよ
うにレジスト13ｂでマスクし（図２（ｂ））、ＺｎとＡ
ｌの各ターゲットを用いてＺｎ−２２％Ａｌの合金組成
になるように二元同時にスパッタして膜厚５０００Åの
Ｚｎ−２２％Ａｌ合金からなる金属超塑性部材15を形成
した。その後、レジスト13ｂを除去した後、レジスト13
ｃでマスクし（図２（ｃ））、Ｔｉ金属薄膜16を１００
０Åスパッタし、続けてＣｕ金属薄膜17を５μｍスパッ
タした（図２（ｄ））。その後、レジスト13ｃを除去
し、更に薄膜プロセスにより薄膜多層回路を形成した。
そして、この本実施例の多層回路基板と、上記金属超塑
性部材15を形成しない比較例の多層回路基板（その他の
条件は上記実施例２と同じ）とを、各々６０〜４５０℃
の熱衝撃試験を行ったところ、比較例の多層回路基板で
は、十数回のサイクルで断線が生じていたが、本実施例
の多層回路基板では数十回のサイクルでも断線は生じて
いなかった。
する。まず、アルミナ、硼硅酸ガラス、石英ガラスを絶
縁層の主成分とし、導体配線材料として銅を用いて金属
ビア２を形成した多層セラミック回路基板１の表面を鏡
面研磨した後、フォトリソグラフィにより、金属ビア12
の周りにレジスト13でマスクし（図２（ａ））、Ｔｉ金
属薄膜４を１０００Åスパッタした。次に、レジスト13
ａを除去した後、金属ビア12のエッジ部分のみを覆うよ
うにレジスト13ｂでマスクし（図２（ｂ））、ＺｎとＡ
ｌの各ターゲットを用いてＺｎ−２２％Ａｌの合金組成
になるように二元同時にスパッタして膜厚５０００Åの
Ｚｎ−２２％Ａｌ合金からなる金属超塑性部材15を形成
した。その後、レジスト13ｂを除去した後、レジスト13
ｃでマスクし（図２（ｃ））、Ｔｉ金属薄膜16を１００
０Åスパッタし、続けてＣｕ金属薄膜17を５μｍスパッ
タした（図２（ｄ））。その後、レジスト13ｃを除去
し、更に薄膜プロセスにより薄膜多層回路を形成した。
そして、この本実施例の多層回路基板と、上記金属超塑
性部材15を形成しない比較例の多層回路基板（その他の
条件は上記実施例２と同じ）とを、各々６０〜４５０℃
の熱衝撃試験を行ったところ、比較例の多層回路基板で
は、十数回のサイクルで断線が生じていたが、本実施例
の多層回路基板では数十回のサイクルでも断線は生じて
いなかった。
【００１４】なお、上記各実施例では、金属薄膜上に金
属超塑性部材を形成してなる場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、金属薄膜４と
多層セラミック回路基板の金属ビアの間に金属超塑性部
材を形成してなる場合であってもよく、この場合は、金
属ビア２のエッジ部分を覆うように金属薄膜４と金属ビ
ア２の間に金属超塑性部材５を設けることにより、上記
各実施例と同様の効果を得ることができる。
属超塑性部材を形成してなる場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、金属薄膜４と
多層セラミック回路基板の金属ビアの間に金属超塑性部
材を形成してなる場合であってもよく、この場合は、金
属ビア２のエッジ部分を覆うように金属薄膜４と金属ビ
ア２の間に金属超塑性部材５を設けることにより、上記
各実施例と同様の効果を得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１、２記載の発明によれば、界面
での応力集中によって金属薄膜が断線しても断線し難い
金属超塑性部材を介して金属薄膜とこの金属薄膜と接続
される配線間での導通を取ることができ、信頼性の高い
配線構造を得ることができるという効果がある。また、
金属超塑性部材を、金属ビアのエッジ部分を覆う金属薄
膜上の必要最低限な部分に設けることにより、金属薄膜
および金属ビアの電気的な抵抗が増大するのを防止する
ことができる。
での応力集中によって金属薄膜が断線しても断線し難い
金属超塑性部材を介して金属薄膜とこの金属薄膜と接続
される配線間での導通を取ることができ、信頼性の高い
配線構造を得ることができるという効果がある。また、
金属超塑性部材を、金属ビアのエッジ部分を覆う金属薄
膜上の必要最低限な部分に設けることにより、金属薄膜
および金属ビアの電気的な抵抗が増大するのを防止する
ことができる。
【図１】本発明の実施例１に則した多層回路基板の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】本発明の実施例２に則した多層回路基板の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
１、11 多層セラミック回路基板 ２、12 金属ビア ３ａ、３ｂ、３ｃ、13ａ、13ｂ、13ｃ レジスト ４、６、７、14、16、17 金属薄膜 ５、15 金属超塑性部材
Claims (2)
- 【請求項１】 厚膜部分の多層セラミック回路基板
（１）の金属ビア（２）上に金属薄膜（４）と絶縁物層
からなる薄膜部分の多層回路が形成されてなる多層回路
基板において、厚膜薄膜部分の界面に位置する前記金属
薄膜（４）上に金属超塑性部材（５）が形成され、該金
属超塑性部材（５）は前記金属薄膜（４）を介して金属
ビア（２）のエッジ部分を覆うことを特徴とする多層回
路基板。 - 【請求項２】 厚膜部分の多層セラミック回路基板
（１）の金属ビア（２）上に金属薄膜（４）と絶縁物層
からなる薄膜部分の多層回路が形成されてなる多層回路
基板において、厚膜薄膜部分の界面に位置する前記金属
薄膜（４）と金属ビア（２）の間に金属超塑性部材
（５）が形成され、該金属超塑性部材（５）は金属ビア
（２）のエッジ部分を覆うことを特徴とする多層回路基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668293A JP2937676B2 (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668293A JP2937676B2 (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 多層回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232557A JPH06232557A (ja) | 1994-08-19 |
| JP2937676B2 true JP2937676B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=11923094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1668293A Expired - Fee Related JP2937676B2 (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2937676B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP1668293A patent/JP2937676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06232557A (ja) | 1994-08-19 |
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