JP2936069B1 - オゾン発生システム - Google Patents

オゾン発生システム

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JP2936069B1 JP10229765A JP22976598A JP2936069B1 JP 2936069 B1 JP2936069 B1 JP 2936069B1 JP 10229765 A JP10229765 A JP 10229765A JP 22976598 A JP22976598 A JP 22976598A JP 2936069 B1 JP2936069 B1 JP 2936069B1
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    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/10Preparation of ozone
    • C01B13/11Preparation of ozone by electric discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/10Preparation of ozone

Abstract

【要約】 【課題】 簡単な構成で、オゾン発生効率が向上したオ
ゾン発生装置を得る。 【解決手段】 誘電体材料で分断された一対の電極を囲
むハウジングであって、該誘電体材料および該電極の一
方はもう一方の該電極から間隔を空けて配置されてチャ
ンバを規定し、ここで該電極は電源からエネルギーを与
えられた場合に該チャンバ内で酸素分子を酸素原子に解
離する、ハウジングと;該酸素分子を該チャンバ内に導
入する入口と;該ハウジングに接続され、該チャンバか
らシステム内で発生させたオゾンを放出する出口までの
密封された経路を提供する導管と;該チャンバから該導
管の領域に気体を引き込み、かつ該チャンバの圧力より
も高い圧力を該領域に発生させるように作動し得るポン
プと;を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾン発生システ
ムに関し、より詳細にはオゾン発生の効率が向上したオ
ゾン発生システムに関する。
【0002】
【従来の技術】オゾンは、強い酸化剤ならびに強力な殺
菌剤および殺ウィルス剤である。このような特性によ
り、オゾンは飲料水の処理に使用されてきた。さらに、
塩素のような他の酸化剤とは異なって、オゾンは製品中
に減衰し、この製品は環境に無害である。この結果、工
業的な適用(例えば化石燃料発電所の燃焼ガスからの窒
素酸化物の除去)におけるオゾンの使用が増大してい
る。
【0003】オゾン発生器は典型的には、酸素分子を酸
素原子に解離する(酸素原子は残留している酸素分子と
反応してオゾンを形成する)ための、酸素分子供給源(例
えば空気)とエネルギー供給源(例えば2つの電極間の電
気放電(electric discharge))とを含む。ほとんどのオ
ゾン発生器は誘電体障壁放電(dielectric barrier disc
harge)を用いており、これはまた無声放電としても知ら
れている。このようなオゾン発生器は、第1の電極に隣
接して配置され、かつ第2の電極から間隔を空けられた
誘電体を含んで、誘電体材料と第2の電極との間に放電
領域を形成している。誘電体材料が存在することによ
り、ナノ秒のオーダーの持続時間を有する多数のマイク
ロ放電(micro-discharge)が起こる。マイクロ放電は、
空間と時間とに統計的に分配され、そして酸素供給源か
ら供給された酸素分子の解離を引き起こす。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のオゾン発生器で
は、オゾン発生効率が比較的低い。オゾンの需要の増大
に十分対応することができる、オゾン発生効率が向上し
たオゾン発生装置が望まれている。
【0005】本発明の目的は、簡単な構成で、オゾン発
生効率が向上したオゾン発生装置を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のオゾン発生シス
テムは、誘電体材料で分断された一対の電極を囲むハウ
ジングであって、該誘電体材料および該電極の一方はも
う一方の該電極から間隔を空けて配置されてチャンバを
規定し、ここで該電極は電源からエネルギーを与えられ
た場合に該チャンバ内で酸素分子を酸素原子に解離す
る、ハウジングと;該酸素分子を該チャンバ内に導入す
る入口と;該ハウジングに接続され、該チャンバからシ
ステム内で発生させたオゾンを放出する出口までの密封
された経路を提供する導管と;該チャンバから該導管の
領域に気体を引き込み、かつ該チャンバの圧力よりも高
い圧力を該領域に発生させるように作動し得るポンプ
と;を含む。
【0007】好適な実施態様においては、上記導管はパ
イプである。
【0008】好適な実施態様においては、上記導管はス
テンレス鋼パイプである。
【0009】好適な実施態様においては、上記ポンプは
ピストンポンプである。
【0010】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約1atm未満の圧力を発生させるよ
うに作動し得る。
【0011】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約500Torr未満の圧力を発生さ
せるように作動し得る。
【0012】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約200Torrから約400Tor
rの範囲の圧力を発生させるように作動し得る。
【0013】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記導管の上記領域内に約1atmより高い圧力を発生
させるように作動し得る。
【0014】好適な実施態様においては、上記チャンバ
を規定する上記誘電体材料および上記電極は、上記もう
一方の電極から約5mmから約12mmの範囲の距離で
間隔を空けて配置される。
【0015】好適な実施態様においては、上記チャンバ
を規定する上記誘電体材料および上記電極は、上記もう
一方の電極から約8mmから約10mmの範囲の距離で
間隔を空けて配置される。
【0016】好適な実施態様においては、上記誘電体材
料はパイレックスガラスである。
【0017】本発明の別の局面において、本発明のオゾ
ン発生システムは、チャンバと、該チャンバ内で酸素分
子を酸素原子に解離するデバイスとを囲むハウジング
と;該酸素分子を該チャンバ内に導入する入口と;該ハ
ウジングに接続され、該チャンバからシステム内で発生
させたオゾンを放出する出口までの密封された経路を提
供する導管と;該チャンバから該導管の領域に気体を引
き込み、かつ該チャンバの圧力よりも高い圧力を該領域
に発生させるように作動し得るポンプと;を含む。
【0018】好適な実施態様においては、上記デバイス
は、誘電体障壁放電、アーク放電、グロー放電、非平衡
電気放電、マイクロ波放電、熱放電、または紫外光分解
により上記酸素分子を解離させる。
【0019】好適な実施態様においては、上記導管はパ
イプである。
【0020】好適な実施態様においては、上記導管はス
テンレス鋼パイプである。
【0021】好適な実施態様においては、上記ポンプは
ピストンポンプである。
【0022】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約1atm未満の圧力を発生させるよ
うに作動し得る。
【0023】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約500Torr未満の圧力を発生さ
せるように作動し得る。
【0024】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記チャンバ内に約200Torrから約400Tor
rの範囲の圧力を発生させるように作動し得る。
【0025】好適な実施態様においては、上記ポンプは
上記導管の上記領域内に約1atmより高い圧力を発生
させるように作動し得る。
【0026】以下に本発明の作用を説明する。
【0027】本発明によれば、気体が引き込まれる導管
の領域の圧力が比較的高く、その内部で酸素分子を酸素
原子に解離するチャンバの圧力が比較的低い。チャンバ
の圧力が比較的低いことにより、励起電子準位、特にB
3Σu -励起電子準位にある酸素分子がクエンチして、エ
ネルギー準位が低下することを低減させることができ
る。励起電子準位にある酸素分子は、酸素分子の解離お
よび酸素原子の形成を引き起こすので、励起電子準位に
ある酸素分子のクエンチを低減させることにより、励起
電子準位にある酸素分子の確立を増加させることができ
る。従って、酸素原子の形成を促進させることができ
る。このような酸素分子の解離においては、一般に酸素
原子よりも解離されていない酸素分子のほうがかなり多
い。よって、酸素原子がより多く形成されることによ
り、酸素原子と解離されていない酸素分子との反応によ
るオゾンの発生効率を向上させることができる。さら
に、導管の領域の圧力が比較的高いことにより、酸素原
子と酸素分子間のオゾン発生の反応速度を増大させる。
よって、オゾンの発生効率をさらに向上することができ
る。加えて、この導管は密封されているので、酸素原子
および酸素分子と、放電チャンバ以外の供給源からのガ
スとの混合を防止することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】本発明は、オゾン発生の効率が向
上したオゾン発生システムに関する。このシステムは、
ポンプと、従来のオゾン発生器と同様の電気放電チャン
バに接続された密封された出口導管とを含む。入り口か
ら放電チャンバに酸素分子を導入する。この放電チャン
バは、エネルギーが付与された場合にいくらかの酸素分
子を酸素原子に解離する。ポンプは酸素原子および残留
している酸素分子を放電チャンバから密封された出口導
管へと引き込んで、放電チャンバ内の圧力を約1atm
未満、例えば約370Torrにし、そして密封された
出口導管内の圧力を放電チャンバ内の圧力よりも高い圧
力、例えば約1atmかややこれより高い程度とする。
効率が増加することは、オゾン発生の制限因子が、酸素
分子の解離および酸素原子の形成を引き起こす励起電子
準位にある酸素分子のクエンチ、特にB3Σu -励起電子
準位にある酸素分子のクエンチであるという発見に基づ
く。放電チャンバ内の圧力を減少させることはこのよう
なクエンチを低減させ、これにより酸素原子の生成を増
加させる。ポンプが酸素原子および残留している酸素分
子を密封された出口導管に引き込むとただちに、これら
は互いに反応してオゾンを形成する。出口導管の圧力を
大きくすることは、酸素原子と酸素分子間の反応速度を
増大させる。出口導管は密封されて、酸素原子および酸
素分子と、放電チャンバ以外の供給源からのガスとの混
合を防止する。密封された出口導管内で形成されたオゾ
ンは、放電チャンバと反対側の出口導管端部の出口バル
ブを通って出る。
【0029】オゾン発生器は、単に、ポンプと密封され
た出口導管とを従来のオゾン発生器の放電チャンバに接
続することによって作製され得る。加えて、従来のオゾ
ン発生器の放電チャンバは、酸素分子の解離を最適化す
るように約1atm未満の減圧下で再構成され得る。特
に、放電チャンバの電極間の間隙と、電極間に印加され
る電圧は、絶縁破壊(voltage breakdown)、例えば電極
間のアーク放電を避けつつ、酸素分子の解離を増加させ
るように最適化され得る。他の実施態様においても、オ
ゾン発生システムは電気放電チャンバとは異なる、マイ
クロ波放電チャンバまたは紫外照射で露光されるチャン
バのような酸素分子解離チャンバを含む。このような場
合、ポンプは酸素分子解離チャンバ内で形成された酸素
原子と残留している酸素分子とを密封された出口導管に
再び引き込んで、酸素解離チャンバ内の圧力を約1at
m未満、例えば約370Torrにし、そして密封され
た出口導管内の圧力を酸素解離チャンバ内の圧力よりも
高い圧力、例えば約1atmかややこれより高い程度と
する。
【0030】図1および2は、従来の誘電体障壁放電オ
ゾン発生器20の断面模式図であり、このオゾン発生器
20は外側ハウジング21と内側放電チャンバ22を備
える。図2は、オゾン発生器20の図1の平面に対して
垂直で、かつ図1に示したA−A軸を含む平面に沿った
断面模式図である。オゾン発生器20は、内側および外
側の同心状のステンレス鋼チューブを含み、このチュー
ブはそれぞれ電極34および36を形成する。他の実施
態様においては、電極はステンレス鋼以外の導電性物質
で作製され得る。内側電極34を取り囲むのは適切な誘
電体材料(例えばパイレックス(pyrex)ガラス)からなる
円筒状の誘電体チューブ38である。外側電極36と誘
電体チューブ38との間の空間は放電チャンバ22を形
成する。酸素供給源からの酸素分子は酸素入口24を通
って放電チャンバ22に流入する。誘電体チューブ38
と外側電極36との間の距離は放電間隙厚さとして公知
である。
【0031】電極34と36とはそれぞれワイヤー45
と47とを介してAC電源と接続する。電源46が電極
34および36にエネルギーを付与した時、電極は誘電
体プレート38と電極36との間にマイクロ放電を生じ
させる。マイクロ放電は放電チャンバ22の内部で酸素
分子の解離を引き起こして、酸素原子を形成する。次い
で、酸素原子は解離されていない酸素分子と反応してオ
ゾンを形成する。オゾンはチャンバ22から出口48を
通って出る。出口48はオゾンを貯蔵チャンバまたはオ
ゾンを必要とするプロセスチャンバへと導く。
【0032】オゾン発生器20はまた、電極36と熱的
に接触する冷却水通路40を含む。これはオゾン発生器
が過熱するのを防止する。冷却水リザーバー32(図3
に示す)は通路40に水を流す。
【0033】電源46の適切な電圧および周波数、なら
びに適切な放電間隙厚さは、当該分野で公知であり、こ
れはオゾン発生の所望の速度に依存する。例えば、Ph.
LecciおよびJ.E. Petitimbert(Proceedings of the 8th
Ozone World Congress, 1:A41-A48, 1987)、またはB.E
lliassonら(J. Phys. D: Appl. Phys., 20:1421-1437,
1987)を参照のこと。例えば、代表的な値は、約10,
000V、約60Hz、および放電間隙厚さ約3mmで
ある。
【0034】図3は、図1および2に示した従来のオゾ
ン発生器20を用いたオゾン発生システムの模式図を示
す。酸素分子が酸素供給源26から酸素入口24を通っ
て、ハウジング21の内部のチャンバ22に流入する。
入口バルブ27は酸素の入口流量を調節し、これはフロ
ーメーター28によって計測される。酸素供給源26は
特定の実施態様によって変化し得る。例えば、酸素供給
源26は大気であり得、この周辺雰囲気からエアがチャ
ンバ22へと通る。あるいは例えば比較的純粋な酸素の
高圧供給源であり得る。
【0035】システム10はまた出口48に接続された
ピストンポンプ60を含む。ピストンポンプ60はガス
をチャンバ22に引き込み、そして密封された出口パイ
プ50(例えばステンレス鋼チューブ)の内側に押し出
す。よって、出口パイプの内側は衝突ゾーン領域62を
形成し、ポンプ60はこの衝突ゾーン領域62をチャン
バ22の圧力よりも高い圧力にする。中間バルブ64は
出口48とピストンポンプ50の間に位置し、チャンバ
22の圧力を調節するのに使用される。圧力ゲージ66
および68は、それぞれチャンバ22および衝突ゾーン
領域62の圧力を計測する。
【0036】ピストンポンプ60を起動させつつ、酸素
分子の入口流量とチャンバ22の圧力とを、入口バルブ
27と中間バルブ64とを調節することによって制御し
得る。チャンバ22の圧力を約1atm未満、例えば約
200Torr〜約600Torrの範囲、またはさら
に特に約200Torr〜約400Torrの範囲に圧
力を減少させると、酸素の解離を引き起こす励起電子準
位にある酸素分子のクエンチを低減し、これにより酸素
原子の形成を増加させる。ピストンポンプ60は酸素原
子および解離されていない酸素分子、ならびに酸素原子
と酸素分子との反応によって形成されたすべてのオゾン
を出口パイプ50の衝突ゾーン領域に引き込む。ピスト
ンポンプ60によって、衝突ゾーン領域62の圧力はチ
ャンバ22の圧力よりも高く、代表的には約1atmよ
りも高い。衝突ゾーン領域の圧力は出口バルブ52によ
って調節され得る。この出口バルブ52はまた出口流量
を制御する。第2のフローメーター54は出口流量を計
測する。衝突ゾーン領域62の圧力が高くなるにつれ
て、チャンバ22から引き込まれる酸素原子と酸素分子
との反応速度(これらは互いに反応してオゾンをけいせ
いする)が増大する。加えて、出口バルブ52を超えて
ガス流れ中に残っている酸素原子は酸素分子と反応し続
けて、オゾンを形成し得る。
【0037】出口パイプ50は中間バルブ84と出口バ
ルブ52との間で密封されて、チャンバ22以外の供給
源からのガスが衝突ゾーン領域62に入るのを防止し、
かつチャンバ22からの酸素原子および酸素分子が衝突
ゾーン領域62の内部でチャンバ22の圧力よりも高い
圧力で互いに反応させ得る。図3は直角な屈曲部を備え
た出口パイプ50を示しているが、他の実施態様におい
ては、出口パイプは異なる形状を有しうる。例えば、出
口パイプは直線または曲線であり得、そして矩形または
楕円の断面を有し得る。
【0038】オゾン発生システム10は、ポンプ60、
出口パイプ50、バルブ64および52、ならびに圧力
ゲージ66および68を従来のオゾン発生器に加えるこ
とによって極めて簡単に組み立てられ得る。オゾン発生
システムを特定の流量条件下、例えば、従来のオゾン発
生器20の条件下で作動させるためにオペレーターは以
下の工程を実施する。ピストンポンプをオンにした後、
入口バルブ27と中間バルブ68とをフローメーター2
8が所望の入口流量を示し、かつ圧力ゲージ66がチャ
ンバ22の所望の圧力(例えば約370Torr)を示す
まで調節する。次いで、出口バルブ52をフローメータ
ー54が所望の出口流量を示すまで調節する。このよう
な場合、オゾン発生システム10におけるフローメータ
ー54を通過するオゾン濃度の増加は、従来のオゾン発
生器20を従来の条件、すなわちチャンバ22の圧力を
約1atmとする条件下でシステム10から切り離して
作動させた場合の、従来のオゾン発生器20の出口48
を通って出るオゾン濃度の約2〜約5倍であり得る。こ
の比較においては、オゾン発生システム10と従来のオ
ゾン発生器20とを、約1atmでの従来のオゾン発生
器の性能を最適化する放電条件下で、例えば、約60H
zで約10,000Vの電圧を印加し、かつ放電間隙厚
さ約3mmで作動する。
【0039】オゾン発生システム10の効率をさらに向
上させるために、オゾン発生器20の放電条件を変化さ
せて、フローメーター54を出るオゾン濃度を最適化す
る。特に、チャンバ22の圧力が約1atm未満である
ので、従来のオゾン発生器20がオゾン発生システム1
0の構成物として使用される場合に、チャンバ22の圧
力に対して、印加電圧と放電間隙厚さを変化させて、フ
ローメーター54を出るオゾン濃度を最適化する。一般
に、オゾンの発生は印加電圧とともに増加する。しか
し、印加電圧は、電極34と36との間の絶縁破壊によ
って制限され、これは印加電圧の上限にあたる。オゾン
発生は、絶縁破壊が起こる電圧、すなわち絶縁破壊電圧
よりもわずかに小さい印加電圧を用いることによって最
適化される。
【0040】絶縁破壊電圧は放電間隙厚さおよび圧力と
ともに増加する。よって、チャンバ22の低圧下(例え
ば約1atm未満)でのオゾン発生システム10の性能
を最適化するために、放電間隙厚さは、従来の条件下で
作動される従来のオゾン発生器の放電間隙厚さに対して
増加される。これはシステム10を、従来の条件下で作
動される従来のオゾン発生器の印加電圧以上の印加電圧
で作動させ得る。例えば、システム10から切り離し
て、チャンバ22の圧力が約1atmで作動する従来の
オゾン発生器に対する従来条件が、印加電圧「V」、放電
間隙厚さ「d」であるとすると、オゾン発生器20を含む
オゾン発生システム10の最適条件は、チャンバ22の
圧力が約300〜約400Torrの範囲、例えば約3
00Torrであり、印加電圧が約1V〜約2Vの範
囲、例えば約1.5Vであり、そして、放電間隙厚さが
約2d〜約3.5dの範囲、例えば約3dである。特
に、V=約10,000V、d=約3mmが、チャンバ
22の内部で約1atmの圧力で従来のオゾン発生器2
0を単独で作動するための最適条件である。システム1
0の放電間隙厚さは、約6〜約12mmの範囲、例えば
約9mmであり得、印加電圧は約13,000〜約2
0,000Vの範囲、例えば約15,000Vであり得
る。
【0041】他の実施態様においては、ピストンポンプ
は、例えばオイルフリーポンプ、またはノズルおよびジ
ェット噴流(fluid jet)を利用するポンプを含む、当該
分野に公知の他のポンプで置換させ得る。さらに、オゾ
ン発生システムは、従来の誘電体障壁オゾン発生器とは
異なる酸素分子を解離するためのデバイスを含み得る。
例えば、図3のシステム10におけるオゾン発生器20
は、例えばアーク放電、グロー放電、非平衡電気放電、
マイクロ波放電、熱放電、および紫外光分解を含む誘電
体障壁放電(これらは当該分野で公知である)とは異なる
機構によって酸素分子を解離するデバイスで置換され得
る。このデバイス以外に、デバイスがハウジング21の
内部のチャンバ21内で酸素分子を解離し、ポンプ60
が得られた酸素原子と残留してる酸素分子とを密封され
た出口パイプ50に引き込むようなシステムが図3に類
似する。
【0042】各実施態様において、オゾン発生システム
はポンプを含み、このポンプは、酸素分子解離チャンバ
(例えばチャンバ22)に約1atm未満(例えば約20
0〜約600Torrの範囲、特に約200〜約400
Torrの範囲)で圧力をかける。ポンプは酸素分子解
離チャンバ内で生成された酸素原子とチャンバ内に残留
している解離されていない酸素分子を、酸素分子解離チ
ャンバの下流にある比較的高い圧力(例えば約1atm
以上)の衝突ゾーン領域に引き込む。図3および4に示
すように、衝突ゾーン領域は出口パイプの内部にあり得
る。他の実施態様においては、ポンプの下流にある別の
密封されたチャンバが衝突ゾーン領域を含み得る。酸素
原子および解離されていない酸素分子以外のものが、ポ
ンプによって酸素分子解離チャンバから衝突ゾーン領域
に引き込まれるが、さらなるガスは効率的なオゾン形成
に必要でないので、出口パイプまたは別のチャンバは、
衝突ゾーン領域内にさらなるガスを導入しないように密
封されている。
【0043】さらなる労作なしで、上記の記載は適切に
本発明を実施し得ると考える。よって、以下の特定の実
施態様は、本発明の開示の残余を単に例示するものと解
釈され、本発明をいかようにも限定するものでないと解
釈されるべきである。本明細書中で引用される、特許を
含むすべての刊行物は、全体として参照されて本明細書
中に組み込まれる。
【0044】
【実施例】図1および2に示されるものに類似する、従
来の誘電体障壁放電オゾン発生器を、円筒電極に約30
cmの長さのステンレス鋼チューブを用い、誘電体チュ
ーブとして約30cmの長さのパイレックスガラスを用
いて組み立てた。誘電体チューブは内側電極を取り囲
み、かつこれに接触し、そして約3cmの直径であっ
た。外側電極は誘電体チューブから約3mm離して配置
して、放電チャンバを形成した。次いで、図3に示す構
成要素を従来のオゾン発生器に加えて、オゾン発生シス
テムを形成した。特に、外径約1/4インチのステンレ
ス鋼パイプを従来のオゾン発生器の出口に接続して出口
パイプを形成し、そして市販の約13〜約15リットル
/分のエアポンプ(Iwaki製、モデルNO.AP−
115N)をポンプとして使用した。図3に示した出口
パイプとは異なり、本実施例における出口パイプは直間
である。衝突ゾーン領域、すなわちポンプと出口バルブ
との間の出口パイプの領域は約30cmであった。
【0045】上記のオゾン発生システムを用いて以下の
実験を行った。約790Torrのエアを従来のオゾン
発生器の放電チャンバに、流量約3SCFH(standard
cubic feet per hour)で供給した。ここで、1SCFH
は約0.472リットル/分に等しい。出口パイプの衝
突ゾーン領域から出るガスの流量は約3CFHであっ
た。印加電圧は約10,000V、約60Hzであっ
た。ポンプを用いて、従来のオゾン発生器の放電チャン
バの圧力を、衝突ゾーン領域の圧力が約790Torr
に保持されるように変化させた。入口バルブ、中間バル
ブ、および出口バルブを、約3SCFHの入口流量と約
3SCFHの出口流量を維持するように調節した。出口
ガスに対するオゾン濃度を、当該分野に周知であるヨー
ド滴定法(iodometric method)(例えば、B.E. Saltmanお
よび N.Gilbert(Anal. Chem., 31:1914, 1959)を参照の
こと)を用いて測定した。
【0046】従来のオゾン発生器の放電チャンバを約7
90Torrに設定した場合には、放電チャンバと衝突
ゾーン領域の圧力が等しいので、このシステムは従来の
オゾン発生器と等価である。このような条件下では、オ
ゾン生成は、約1.8mg/リットル/分であると測定
された。従来のオゾン発生器の放電チャンバの圧力を約
370Torrに減少させた場合には、オゾン生成は約
2.76mg/リットル/分であると測定され、これは
約53%向上している。
【0047】別の実施態様においては、印加電圧を約
7,000V、約60Hzに減少させたこと以外は上記
の条件と同じである。これらの条件下では、放電チャン
バの圧力を、電圧絶縁破壊なしで約200Torrまで
減少させることができた。オゾン効率を、衝突ゾーン領
域の圧力を約790Torrに固定しながら、放電チャ
ンバの圧力が約200Torr〜約790Torrの範
囲に対して測定した。得られた結果を図4に示す。ここ
で、放電チャンバの圧力に対して、オゾン生成の相対向
上率をプロットしている。相対向上率は、改善されたオ
ゾン発生器のオゾン生成と従来のオゾン発生器のオゾン
生成との間の差を従来のオゾン発生器の生成で割り、こ
れをパーセントで表記することにより与えられる。第1
の実験例に示すように、従来のオゾン発生器のオゾン生
成は、放電チャンバの圧力が約790Torrである場
合に測定されたオゾン生成に一致する。図4は、オゾン
生成がほぼ1200%実質的に向上したことを示す。こ
の時のオゾン生成の絶対値は、約767Torrで約
0.156mg/リットル/分であり、約304Tor
rで約2.0mg/リットル/分であった。
【0048】工業的に適用するには、上記実施例におけ
るオゾン発生システムのサイズをスケールアップし、放
電間隙厚さと印加電圧とを最適化すれば良い。
【0049】他の局面、利点、および改変もまた本発明
の請求の範囲内にある。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、従来のオゾン発生器に
比較して、オゾン発生効率が実質的に向上したオゾン発
生システムが提供される。本発明のオゾン発生システム
はまた、組み立てが簡単である。特に、従来のオゾン発
生器にポンプと出口導管とを簡単に加えることによっ
て、本発明のオゾン発生システムを提供し得る。さら
に、本発明のオゾン発生システムによれば、オゾン発生
効率の向上によって、その消費電力が低減される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は従来のオゾン発生器の長さ方向に沿った
断面図である。
【図2】図2は図1の従来のオゾン発生器のA−A線に
沿った断面図である。
【図3】図3は図1および図2に示した従来のオゾン発
生器を用いたオゾン発生システムの模式図である。
【図4】図4は図3に示したオゾン発生システムに対す
るオゾン生成効率の向上を例証するグラフであり、以下
の条件で作動したものである:衝突ゾーン領域の圧力約
790Torr;出口流量 約3SCFH;および印加
電圧 約7000V。
【符号の説明】
10 オゾン発生システム 20 オゾン発生器 22 放電チャンバ 26 酸素供給源 34、36 電極 38 誘電体チューブ 46 電源 50 出口パイプ 60 ポンプ 62 衝突ゾーン領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C01B 13/10 C01B 13/11

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体材料で分断された一対の電極を囲
    むハウジングであって、該誘電体材料および該電極の一
    方はもう一方の該電極から間隔を空けて配置されてチャ
    ンバを規定し、ここで該電極は電源からエネルギーを与
    えられた場合に該チャンバ内で酸素分子を酸素原子に解
    離する、ハウジングと;該酸素分子を該チャンバ内に導
    入する入口と;該ハウジングに接続され、該チャンバか
    らシステム内で発生させたオゾンを放出する出口までの
    密封された経路を提供する導管と;該チャンバから該導
    管の領域に気体を引き込み、かつ該チャンバの圧力より
    も高い圧力を該領域に発生させるように作動し得るポン
    プと;を含む、オゾン発生システム。
  2. 【請求項2】 前記導管はパイプである、請求項1に記
    載のシステム。
  3. 【請求項3】 前記導管はステンレス鋼パイプである、
    請求項1に記載のシステム。
  4. 【請求項4】 前記ポンプはピストンポンプである、請
    求項1に記載のシステム。
  5. 【請求項5】 前記ポンプは前記チャンバ内に約1at
    m未満の圧力を発生させるように作動し得る、請求項1
    に記載のシステム。
  6. 【請求項6】 前記ポンプは前記チャンバ内に約500
    Torr未満の圧力を発生させるように作動し得る、請
    求項5に記載のシステム。
  7. 【請求項7】 前記ポンプは前記チャンバ内に約200
    Torrから約400Torrの範囲の圧力を発生させ
    るように作動し得る、請求項6に記載のシステム。
  8. 【請求項8】 前記ポンプは前記導管の前記領域内に約
    1atmより高い圧力を発生させるように作動し得る、
    請求項6に記載のシステム。
  9. 【請求項9】 前記チャンバを規定する前記誘電体材料
    および前記電極は、前記もう一方の電極から約5mmか
    ら約12mmの範囲の距離で間隔を空けて配置される、
    請求項1に記載のシステム。
  10. 【請求項10】 前記チャンバを規定する前記誘電体材
    料および前記電極は、前記もう一方の電極から約8mm
    から約10mmの範囲の距離で間隔を空けて配置され
    る、請求項9に記載のシステム。
  11. 【請求項11】 前記チャンバを規定する前記誘電体材
    料および前記電極は、前記もう一方の電極から約8mm
    から約10mmの範囲の距離で間隔を空けて配置され
    る、請求項8に記載のシステム。
  12. 【請求項12】 前記誘電体材料はパイレックスガラス
    である、請求項1に記載のシステム。
  13. 【請求項13】 チャンバと、該チャンバ内で酸素分子
    を酸素原子に解離するデバイスとを囲むハウジングと;
    該酸素分子を該チャンバ内に導入する入口と;該ハウジ
    ングに接続され、該チャンバからシステム内で発生させ
    たオゾンを放出する出口までの密封された経路を提供す
    る導管と;該チャンバから該導管の領域に気体を引き込
    み、かつ該チャンバの圧力よりも高い圧力を該領域に発
    生させるように作動し得るポンプと;を含む、オゾン発
    生システム。
  14. 【請求項14】 前記デバイスは、誘電体障壁放電、ア
    ーク放電、グロー放電、非平衡電気放電、マイクロ波放
    電、熱放電、または紫外光分解により前記酸素分子を解
    離させる、請求項13に記載のシステム。
  15. 【請求項15】 前記導管はパイプである、請求項13
    に記載のシステム。
  16. 【請求項16】 前記導管はステンレス鋼パイプであ
    る、請求項13に記載のシステム。
  17. 【請求項17】 前記ポンプはピストンポンプである、
    請求項13に記載のシステム。
  18. 【請求項18】 前記ポンプは前記チャンバ内に約1a
    tm未満の圧力を発生させるように作動し得る、請求項
    13に記載のシステム。
  19. 【請求項19】 前記ポンプは前記チャンバ内に約50
    0Torr未満の圧力を発生させるように作動し得る、
    請求項18に記載のシステム。
  20. 【請求項20】 前記ポンプは前記チャンバ内に約20
    0Torrから約400Torrの範囲の圧力を発生さ
    せるように作動し得る、請求項19に記載のシステム。
  21. 【請求項21】 前記ポンプは前記導管の前記領域内に
    約1atmより高い圧力を発生させるように作動し得
    る、請求項19に記載のシステム。
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Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL122300A (en) * 1997-11-25 2005-09-25 Rafael Armament Dev Authority Modular dielectric barrier discharge device for pollution abatement
US6372096B1 (en) * 2000-05-25 2002-04-16 Novazone Pressure regulation process for ozone generating cell
US6685803B2 (en) * 2001-06-22 2004-02-03 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of processing gases
US20030030374A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-13 Deepak Pai Dielectric barrier discharge plasma reactor cell
TW497986B (en) 2001-12-20 2002-08-11 Ind Tech Res Inst Dielectric barrier discharge apparatus and module for perfluorocompounds abatement
US20030194358A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Minter Bruce E. Ozone generator
KR20050053595A (ko) 2002-07-23 2005-06-08 이프라스 게엠베하 기체 반응을 실시하기 위한 플라즈마 반응기, 및 가스의플라즈마 조장된 반응을 위한 방법
US7314091B2 (en) * 2003-09-24 2008-01-01 Weatherford/Lamb, Inc. Cement-through, tubing retrievable safety valve
US8241581B2 (en) * 2006-09-27 2012-08-14 Minimus Spine, Inc. Apparatus, method and system for delivering ozone
US7588750B2 (en) 2007-07-03 2009-09-15 Amarante Technologies, Inc. Systems and methods for generating and storing ozone
US8057748B2 (en) * 2007-10-24 2011-11-15 Minimus Spine, Inc. Syringe, system and method for delivering oxygen-ozone
US8961471B2 (en) 2007-12-12 2015-02-24 Minimus Spine, Inc. Syringe device, system and method for delivering ozone gas
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) * 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603031A (en) * 1985-05-28 1986-07-29 Gelbman Howard A Ozone generator
US5186907A (en) * 1987-03-30 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for treating organic waste gas
ATE120375T1 (de) * 1988-04-29 1995-04-15 Medizone Int Inc Vorrichtung für die gesteuerte generierung und verabreichung von ozon.
JPH01297126A (ja) * 1988-05-26 1989-11-30 Mitsui Toatsu Chem Inc 排ガス処理装置
US5366703A (en) * 1992-02-10 1994-11-22 Ozonia International S.A. Methods and systems for forming process gases having high effective ozone content utilizing isothermal compression
EP0579060B1 (en) * 1992-07-03 1998-10-07 Ebara Corporation Method for producing ozone
CA2075789C (en) * 1992-08-11 1998-12-22 Amir Salama Inner electrode for an ozone generator, ozone generator containing said electrode and method of use of said ozone generator
US5635059A (en) * 1994-10-20 1997-06-03 Aqua-Ion Systems, Inc. Method and apparatus for water treatment and purification using gas ion plasma source and disinfectant metal ion complexes
US5785824A (en) * 1995-09-28 1998-07-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for producing ozone
DE19648514A1 (de) * 1995-11-27 1997-05-28 Sumitomo Precision Prod Co Verfahren zum verringern metallischer Verunreinigungen in einer Ozongasleitung

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