JPH01297126A - 排ガス処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は徘ガスを放電プラズマにより無害化処理する装
置に関する。更に詳しくは、真空を利用した薄膜形成技
術、例えば各種の化学的気相成長法、すなわち減圧ＣＶ
Ｄ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　［）ｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法や、プラズ
マエツチング法等において排出される反応性ガスを真空
減圧下において、少量から半導体製造の工業的規模での
多量に至るまで、プラズマ処理することにより無害化す
る排ガスの放電処理装置に関する。

［従来技術］ 真空を利用した薄膜形成のために各種ＣＶＤ法やプラズ
マエツチングに於いて使用される反応性カスは、ＣＶＤ
チャンバーやエツチングチャンバーにおいて必ずしもＸ
ａ　’Ｅｌ膜形成時に全量消費されず、未反応ガスの残
留や副生ガスの発生を生じる場合があった。また薄膜形
成の工程上、ＣＶＤやエツチングを経ることなく原料ガ
スがそのままポンプから排出される場合もある。こり、
らの反応性ガスの多くは、未処理のまま大気中に放出さ
れると燃焼や爆発を生じたり、毒＋１を有するものもあ
り、災害や公害の原因となるため大気中での許容濃度が
定められている。

従来、これらの反応性ガスを無害化処理する方法として
、大過剰の不活性ガスによる希釈、触媒反応による化学
的処理、湿式の吸収及び吸着除去、乾式吸着除去等が用
いられている。これらの方法は、いずれも真空ポンプ排
出後の常圧下に於いてなされるものであり、装置コスト
や運転コストが高い欠点を存するのみならず、メンテナ
ンスへの留意に欠けると安全性を確保できないことがい
くつかの事故例として翰告されている。

一方、これとは他の系統に属する技術として、放電を利
用した排ガス処理方法（放電処理法）が提案されている
。これらは、上記した方法に対し被処理ガスをポンプか
ら系外に排出する前に真空減圧下で処理するという特徴
を有している。

例えば、特開昭第５１−１２９８６８号には有毒物質を
含有する廃ガスと酸化剤をプラズマが発生している空間
で相互に接触せしめることにより前記有毒物質を安定な
化合物に変え、廃ガスから除去する処理方法が開示され
ている。又、特開昭第５８−６２３１号には反応性の廃
ガスを排出する反応槽と排出装置との間に配置され、廃
ガスを放電により分解して排出する廃ガス処理装置が開
示されている。しかしながら、これらの放電処理法では
、廃ガスを所定濃度まで無害化処理するに必要なプラズ
マを維持しうる負荷範囲が自ずと限定され、大きな負荷
変動、とりわけ圧力変動に対して安定なプラズマ状態を
維持することは困難であり、排ガス処理装置としては、
その適用範囲が制限されざるを得ないという問題点があ
った。

さらに、最近、放電処理法において、負荷変動追従を可
能とするために磁界を重畳したプラズマを利用する方法
（磁界重畳法）が提案されている（応用物理学会　プラ
ズマエレクトロニクス研究会、１９８６年１月）。該磁
界重畳法においては、電極が形成する電界の向きと約４
５°乃至約１３５°の角度で直流または交流磁界を印加
することにより、プラズマ中での電子の旋回半径が小さ
くなり、電子が電極間を旋回できるために、０．０１ｍ
Ｔｏｒｒ〜数＋Ｔｏｒｒの広範な負荷条件下で安定な放
電を維持し得るという４８　ｉＴｈを有している。

［発明が解決しようとする課題］ 放電処理法では、前記したように、被処理ガスをポンプ
により系外に排出する前段の真空減圧下で処理し得るこ
とが特徴であり、従って、必然的に放電処理装置は各種
ＣＶＤ装置やエツチング装置と真空排気ポンプとの間に
配置されることになるため、これが現実に実用に供し得
るためには、かかる装置の間に容易に組み込まれうるよ
うに可及的に小型で且つ省エネルギー的なものであるこ
とが要請される。これを実現するには、単に磁界を重畳
印加して負荷変動に追従させるという基本概念の提出の
みならず、実際の装置としてプラズマを発生せしめる電
極の至適な構成及び寸法の設定が必要とされるが、前記
の従来技術では、単に基本的な概念が提出されたに止ま
り、具体的にはこれらに関する知見は何ら与えられてお
らず、従って実用に供し得る排ガス処理装置は得られて
いないのが実状である。

本発明者らは、実用に供するに充分に小型且つ省エネル
ギーの放電処理装置を具現化することをＵ的として、上
記課題の解決に取組み鋭意検討した結果、陰極と陰極、
陽極と陽極を対向せしめて陰極対および陽極対からなる
空間を形成し、かつ該陰極対と該陽極対により形成され
る空間内に該陽極対とほぼ平行に一以上の補助陽極を設
け、陰極対向方向に磁界を印加することにより、処理装
置単位容積当りの被処理ガスの処理速度を極めて高めら
れると共に長時間の安定運転が可能であることを見出し
本発明を完成するに至った。

［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明によれば、ガス導入口とガス導出口を
具備する管状容器内に陰極と陽極からなる少なくとも一
対の電極を設けて構成した放電管と、該電極と接続され
る直流または交流電源と、および該放電管内に形成され
たガス流路とを含む排ガス放電処理装置に３いて、該ガ
ス流路とほぼ平行に少なくとも一対の陰極を対向させて
陰極対と乙、該陰極対により形成される空間の一端は該
ガス導入口と、且つ他端は該ガス導出口と連結させられ
、該空間内に該陰極とほぼ直角方向に少なくとも一対の
陽極を該陰極と接触することなく対向させて設け、さら
に該陰極対と該陽極対により形成される空間内に、該陽
極対とほぼ平行に一以上の補助陽極を配設せしめると共
に、該陰極の対向方向に直流または交流磁界を形成する
磁界印加装置を該放電管に設けたことを特徴とする排ガ
ス放電処理装置、が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明で対象とする被処理ガスは、ＣＶＤ法もしくはプ
ラズマエツチング法に於いて使用され、未処理のまま大
気中に放出されれば何らかの災害や公害布引き起こす可
能性を有する気体もしくは蒸気であり、とりわけ、従来
の触媒反応や吸収・吸着等の化学的処理法で実施が容易
でないガスである。例えば、モノシラン、ジシラン、ト
リシラン等のシラン系ガス（これらは、本発明による放
電処理により、シリコンもしくは水素化アモルファスシ
リコンと水素に分解処理される）；モノメチルシラン、
ジメチルシラン等のアルキルシラン系ガス（同じ＜　、
水ｇ化アモルファスシリコンカーバイドと水素に分解処
理）；ゲルマン系ガス（同じく、水素化アモルファスゲ
ルマンと水素に分解処理）；クロルシラン系ガス；フル
オロシラン系ガス等が挙げられる。なお、さらにジボラ
ン等のボラン系ガス；　トリメチルボロン等のアルキル
ボラン系ガス；ホスフィン系ガスに対しても適用できる
が、これらの場合には、酸素等を添加することにより、
より有効な処理が可能である。もちろん、適用対象とな
り得るガスは上記のガスに限定されるものではなく、ま
たこれらの混合物や水素、窒素及び不活性ガスで希釈さ
れたものであっても差し支えない。

以下、図面を参照しつつ、本発明の好まＬ２い実施の態
様を説明する。

本発明で開示する排ガス処理装置の主たる電極構成の一
例を第１図に示す。なお、第１図に対応する横断面を第
２図（イ）、　（ホ）に示す。ここで第２図（ホ）は、
　（イ）において、補助陽極を設けたものである。

一般に放電装置では陰極と陽極が対向した構造を成すも
のが多いが、このような陰陽対向構造ではプラズマ陽光
柱内に電子密度の分布が生じ、小型で均−且つ強度の強
いプラズマを形成することは容易でない。これに対し、
本発明においては、少なくとも一対の陰極を対向させて
陰極対とするものであり、このように陰極を対向させる
と、特に磁界が重畳された場合には電子旋回半径が小さ
くなることも作用して、極めて強度が強く、陰極間に閉
し込められたプラズマを形成することができるのである
。

すなわち、本発明は、かかる発想に基づくもので、ガス
導入口とガス導出口を具備する管状容器内に陰極と陽極
からなる少なくとも一対の電極を設けて構成した放電管
と、該電極と接続される直流または交’／Ａ電源と、お
よび該放電管内に形成されたガス流路とを含む排ガス放
電処理装置において、該ガス流路とほぼ平行に少なくと
も一対の陰極を対向させて陰極対ｌとし、該陰極対によ
り形成される空間の一端は咳ガス導入口５と、且つ他端
は該ガス導出口６と連結させられるようにし、該空間内
に該陰極とほぼ直角方向に少なくとも一対の陽極２を該
陰極と触することなく対向させて設け、さらに該陰極対
１と陽極対２とにより囲まれて形成（すなわち郭定）さ
れる放電管内部の空間内に、該陰極１と接触することな
く該陽極２とほぼ平行に一以上の補助陽極２゛、−・・
・・−・を配設せしめると共に、陰極の対向方向に直流
または交流モｚ界を形成する磁界印加装置３を放電管主
に設けるものである。なお、補助陽極２゛に関しては、
第２図（ホ）、　（へ）、　（ト）、　（チ）、第４図
（ロ）、第５図（ロ）、第６図等に明確に示されている
。（なお、後記するが、第２図（伺、ｃ口）、　（ハ）
、　（ニ）、第４図（イ）、第５図（イ）はそれぞれ、
補助陽極を配設する前の状態を示している。） 第１図においては、ガス導入口５とガス導出口６を結ぶ
ガス流路とほぼ平行に長方形の陰極を対向させて陰極対
１とし、該陰極の両背面に磁界印加装置例えば永久磁石
３をＮ／Ｓ対向するごとく放電管主に設置して陰極対向
方向に直流磁界を印加するようになっている。なお、９
はヨークである。

しかして、磁界の強さは距離の平方に逆比例するため、
該陰極対１の対向距離は小さいことが好ましく、また、
容積当りの電力密度を増大させるために該距離は小さい
ことが望まれる。陰極対の対向距離の至適値は負荷圧力
および被処理ガス組成により異なりうるが、好ましくは
５ｍｍ乃至８０ｍｍ。

より好ましくは１０ｍｍ乃至４Ｑｍｍ程度である。

なお、陰極対ｌとほぼ直角方向に、好ましくは、ガス流
路とほぼ平行に、陰極１と接触することなしに陽極を一
対対向させ陽極対２とする。また該陰極対１と該陽極対
２とからなる放電空間内に該陰極１と接触することなし
に、該陽極２とほぼ平行に一以上の補助陽極２゛を設け
る。そして、陰極及び陽極と電源とを接続し、該電極間
に電界を形成せしめると、陰極対と陽極対とで囲まれた
空間にプラズマが発生するのである。

本発明において、該陽極対間の距離は、該プラズマ空間
での電子密度を高めて被処理ガスの分解速度則ち単位容
積・単位時間当りの処理量を高めるために、陰極対間の
距離に対し２倍以上の長さを有することが好ましく、よ
り好ましくは２乃至４０倍である。なお、真空容器内壁
と陰極もしくは陽極との接触による電流短絡を防止する
ため、該内壁と陰極および陽極との間をポリテトラフル
オロエチレンのごとき絶縁物４で遮薮もしくは充填する
ことが好ましい。

陰極対、陽極対、及び補助陽極のガス流路方向の長さは
、それぞれ１０ｃｍ〜８０ｃｍ程度が好ましく、１５ｃ
ｍ〜４０ｃｍ程度がより好ましい。短すぎるとプラズマ
処理容積が小さく処理効率が低く、また長すぎると電極
長さ方向でのプラズマ均一性を保持することが難しいの
みならず、下流位置では処理効率が著しく低下して仕舞
う。

陰極の大きさは被処理ガスの流通する空間内において可
能な限り大きいことが、ガスを効果的に分解処理するた
め好ましい。なお、補助陽極を、陰極対と陰極対により
形成される空間内に設置せしめることにより、直流は勿
論、特に陰極と陽極とが一定の周期をもって反転を繰り
返す交流電源等において長期間安定したプラズマを得る
ことが出来るのである。すなわち、場合によっては、運
転を続けているうちに、陰極と陽極の近接した部分・箇
所においてスパークやアーク放電が発生するようになる
ことを我々は見出したが、かかる現象が発生すると、排
ガスの分解効率が著しく低下し、もはや運転を継続する
ことが出来ず操作を停止せざるを得なくなる。これに対
し補助陽極を放電空間内に配設せしめることにより、か
かる現象の発生を効果的に防止することが出来、長期間
の安定した操作を確保することが出来るのである。

補助陽極の設置の基準としては、陰極の投影面積に対し
、陽極および補助陽極の投影面積和が近似した値となる
ようにすることが好ましい。なお、本発明において電極
の投影面積とは、電極上の電位が同一である点すべてで
囲まれる面積と定義される。

また、陰極に空隙部を有すこと、例えばメソシュ状、多
孔板状あるいはスリット板状とすることが、かかる投影
面積を維持しつつ実質的な陰極面積を小さくして陰極電
流密度を高め、高いガス処理速度を少ない供給電力で実
現することができるため有効な手段である。一方、陽極
は電子の捕集の役割を果たせればよく、平板のみならず
、メツシュ状、多孔板状あるいはスリット板状の如き空
隙を有する形状、あるいは棒状や針状であってもなんら
差し支えない。

本発明において陰極対１、陽極対２及び補助陽極２“の
数は、上記した至適な陰極間距離が確保されている限り
特に制限は無く、例えば、第２図（イ）〜（チ）に示す
が如き態様が取られ得るのである。なお、すでに述べた
ごとく、第２図（イ）は補助陽極設置前のＢ様を示し、
第２図（ホ）は陰極対と陰極対で形成される放電空間内
に補助陽極を設置した態様を示す。同様にして、第２図
（ロ）と　（へ）：同　（ハ）と　（ト）；同（ニ）と
　（チ）はそれぞれ補助電極設置前と設置後の状態を示
す対応図である。

また被処理ガスが流れるガス流路は、当然のことながら
、プラズマ空間を通過することのなく排出されるガス流
れを存在させないことが処理を効果的に行うために重要
であり、陰極対から構成される空間の一端を処理装置の
ガス導入口５と、且つ他端をガス導出口６と連結させる
ことが必要である。また、ガス流路中のガス流通方向は
鉛直線に対し平行方向もしくは鉛直方向を含む任意の角
度を採用できるが、処理によって固体が発生するような
場合には、該生成した固体をＴＬ極面から自由落下させ
て除くことを勘案し、鉛直方向に設定されることが望ま
しい。

さらに、かくの如き寸法および構成の少なくとも一対の
陰極を対向させてなる陰極対と、同しく少なくとも一対
の陽極を対向させてなる陽極対とからＴＬ電極組構成し
、該電極組をガス流通方向に複数組直列に配置して電極
組列とし、このような電極組列の一端をガス導入口と且
つ他端はガス導出口と連結させることが、ガスの処理率
の向上に極めて有効であり、処理ガス量が多量なる場合
に特に効果的である。第３図及び第４図（イ）、（ロ）
はかかる電極組を二組直列に結合した例を示すもので、
第３図はその縦断面図、第４図（イ）、　（ロ）はその
Ａ−Ａ’矢視横断面図である。ここで第４図（ロ）が、
第４図（イ）において、陰極対と陽極対とにより形成さ
れる空間内にさらに補助陽極を設けた例なのである。し
かして、電極組列の数は、処理量、圧力、供給電力によ
り任意に設定すればよい。各Ｂ　Ｐｉ！ｕにより形成（
郭定）される空間内を、第３図に示したように、被処理
ガスが下降流、上昇流と順次流通する構成は、本発明の
最も好ましい実施形態の一つである。なお、このとき、
直列に配置された電極組と電極組の間に、各々のプラズ
マの独立性を確保し、一つのプラズマが他方に回り込む
ことのないように、放電を遮断する隔離壁７を存在せし
めることが、放電間の相互作用を回避する上で非常に有
効な手段である。隔離壁はポリテトラフルオロエチレン
のごとき絶縁物を使用することが好ましいが、電極組の
構成によっては必ずしもこの限りではない。

また、本発明の技術的範囲に属するバリエーションとし
て、例えば第５図（イ）、　（ロ）に示すように、陰極
対１のみを使用し、放電管主の内壁の一部もしくは全部
をこれに対する陽極（もしくは陽極対）として陰極対に
対向せしめ（同図（イ））、さらに陰極対と陽極対とに
より形成される空間内に補助陽極を設けること（同図（
ロ））も可能である。もちろん、更なるバリエーション
としてこれに準じて、陰極と陽極を入れ換えたような構
成とすることも出来る。

本発明において使用する電源は、直流、交流、高周波の
いずれでもよいが、位相整合の不要な直流及び交流が好
ましく、アーク放電の持続防止のため交流電源がより好
ましい。もっとも、負荷範囲によっては必ずしもこの限
りではない。さらに、本発明におけるプラズマは、概し
て定電圧と見なせる電流〜電圧特性を呈するが故に、被
処理ガスの連続的且つ安定的な処理を実施するには、定
出力電源もしくは定電流電源を採用することが便利であ
る。

本発明においては、陰極対向方向に磁界を形成するため
の磁界印加装置を放電管に設ける。ここで陰極対向方向
に磁界を形成するとは、陰極面に垂直に磁力線が交わる
場合を基本とし、この、±４５°程度の範囲で交わる場
合をも包含するものとする。磁界は直流、交流磁界のい
ずれでもよいが、プラズマ反応を連続的に実施する見地
及び廉価かつ簡便であることから、該ｆｆｆ界印加装置
としては、永久磁石を用いた直流磁界が好ましい。永久
Ｃ〃石としては、焼結型磁石や樹脂中に混合成形された
プラスチック磁石でよく、磁束音度を高めるためには、
ネオジウム−鉄−はう素等の希土類磁石の使用が効果的
である。印加する表面磁束密度は数ガウス以上好ましく
は１００〜１０，０００ガウス程度である。実隙の排ガ
ス処理においては、上記したごとき構成を有する本発明
の排ガス放電処理装置に於いて、ガス導入口５から被処
理ガスを陰極対１、陽極対２及び磁界印加装置から成る
磁界を重畳されたプラズマ空間に導入する。導入された
排ガスは所定の滞留時間の間プラズマ反応により無害化
処理された後に、ガス導出口６から排出され、真空排気
ポンプを経て大気中に放出される。

無接、真空ポンプ排出後に化学的処理等の従来処理技術
と組合せて、更に処理を徹底化させることに何ら支障は
無い、なお、本発明において採用される負荷条件は、約
０．１ｍＴｏｒｒ〜１ＯＴｏｒｒ程度である［実施例］ 以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する
。

実施例１ 第１Ａ（すなわち第２図（ホ））に示した構成の装置を
使用した。

ガス導入口５及びガス導出口６用の２インチのフランジ
を具備した内容積２１のステンレス製真空容器８内に、
幅２０ｃｍ　、長さ３０ｃｍ　、　ＦＸみ２ｍ＋ａのス
テンレス板一対を３ＣＩＩ＋の間隔で対向させて陰極対
１とし、該陰極対で形成される空間内に、陰極と直角方
向に、絶縁物としてポリテトラフルオロエチレン（商標
名テフロン）４を介して陰極と接触することなしに、幅
２ｃｍ、長さ３０ｃｍ　、厚み２ｍｍのステンレス板を
対句させて陽極対２とした。

また、陰極対ｌと陽極対２とからなる空間部内に゛該陽
極とほぼ平行に陽極と同寸法の補助陽極を陰極と接触す
ることなく等間隔で４枚設置した。陰極の両背面にテフ
ロン４を介して表面磁束密度５００ガウスのフェライト
磁石３を対向させ、ヨーク９により陰）対向方向に直流
磁界を形成させた。

陰極対と陽極対とを交流電源に接続し、ガス導入口５よ
り１０ｏｚのモノシランガス５０ｓｅｃｍを導入してプ
ラズマを発生させ、ガス導出口６よりメカニカルブース
ターポンプによって真空排気を行った。

一定の電力を陰極に供給して、ガス導出口における残留
モノシランガス濃度を四重極質量分析装置により測定し
た。

圧力０．３Ｔｏｒｒ、供給電力２５０Ｗ一定の条件下に
おける残留モノシランガス濃度は、陰極間距離に対する
陽極間距離として、１０倍間隔で３．０χであった。な
お、第２図（イ）のごとく、補助陽極を設けない場合は
、安定的な操作は１時間ｊａ続したところで、陰極端部
にアーク放電が発生し、排ガスの分解効率が急激に低下
して仕舞った。これに対して（ホ）の如き補助陽極を設
けた場合は、１００時間以上の安定操作が可能であった
。

実施例２ 第３図に示すような装置を使用した。

実施例１において、陽極間隔を陰極間隔の１０倍とした
電極組を２組直列に、内容積４Ｆ、のステンレス製真空
容器に設ｆｆＬ、１００χのモノシランガス２５０ｓｅ
ｃｉをガス導入口５より供給し、プラズマを発生させた
。２組の電極組への供給電力の和を５００貝とし、圧力
０．３Ｔｏｒｒにて、ガス導出口６における残留モノシ
ランガス濃度を四重極質量分析装置により測定した結果
、同濃度は、ｏ、７４χであった。実施例１と同様に、
この場合も１００時間以上の安定操作が可能であった。

〔発明の効果］ 本発明によれば、モノシランガス等の半導体排ガスを放
電処理法により無害化処理する際に、小型且つ低消費電
力にて処理が可能な排ガス、処理装置が提供される。ま
た、極めて長時間の安定操作が可能である。従って、こ
の半導体製造の工業的規模に至るまでの有害ガスの無害
化処理にもたらす貢献は大であり、その産業上の利用可
能性はきわめて大きいといわざるを得ない。

なお、以下にその他の、本発明の実施の態様等について
付記的説明を加える。

第６図は、磁界を形成するに際し、より有効な手段とし
て、閉回路Ｃ〃界を採用した例を示すものである。これ
はＨ形またはサイクロトロン形と称されているものであ
るが、その他かかる閉回路磁界としてＣ形またはワイス
形と称されるものも本装置に好適に適用されることは云
うまでもない。

第７図〜第１０図は、電極形状として、上記したごとき
板状のものでなく、柱状もしくは口・７ド状の電極（以
下柱状電極と云う）を使用し、これを多数空間的に一種
の格子を形成するように配設せしめた例である。該柱状
電極の断面形状としては、円、楕円形、四角形、長方形
、多角形、等が採用出来る。各図とも、上面（上の図）
および側面（下の図）より見た場合の電極の配置、位置
関係を示すものである。なお、第９図は、かかる柱状電
極を真空容器の空間内につり下げたり、自立せしめたり
して構成した例を示す。当然のことながら、これらの場
合においても、容器壁と電極と間の電流短絡を防止する
措置が必要であることは云うまでも無い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の排ガス処理装置の構成の一例を示す
縦断面図である。 第２図（イ）〜第２図（チ）は、本発明における電極の
構成例を示す横断面図である。 第３図〜第４図（イ）、（ロ）は本発明における電極組
を直列に配置して電極組列とする電極の構成例を示すも
ので、第３図は縦断面図、第４図（イ）、　（ロ）はそ
のＡ−Ａ’　矢視の横断面図である。 第５図（イ）、　（ロ）は本発明における電極の構成例
の他の例を示す横断面図である。 第６図は、閉回路磁界を採用した例を示す縦断面図であ
る。 第７図〜第１０図は、柱状電極で構成した例を示す説明
図である。 特許出願人　　　三井東圧化学株式会社図面 第１９ 第３図 第４図（イ） 第４図（ロ） 第５図（イ） 第５図（ロ） 第６０ 第７図 第８０ 第９図 第１０（２

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガス導入口とガス導出口を具備する管状容器内に
   陰極と陽極からなる少なくとも一対の電極を設けて構成
   した放電管と、該電極と接続される直流または交流電源
   と、および該放電管内に形成されたガス流路とを含む排
   ガス放電処理装置において、該ガス流路とほぼ平行に少
   なくとも一対の陰極を対向させて陰極対とし、該陰極対
   により形成される空間の一端は該ガス導入口と、且つ他
   端は該ガス導出口と連結させられ、該空間内に該陰極と
   ほぼ直角方向に少なくとも一対の陽極を該陰極と接触す
   ることなく対向させて設け、さらに該陰極対と該陽極対
   により形成される空間内に、該陰極対とほぼ平行に一以
   上の補助陽極を配設せしめると共に、該陰極の対向方向
   に直流または交流磁界を形成する磁界印加装置を該放電
   管に設けたことを特徴とする排ガス放電処理装置。
2. （２）陰極と陽極の少なくとも一方が空隙部を有してい
   る特許請求の範囲第１項に記載の処理装置。
3. （３）少なくとも一対の陰極を対向させてなる陰極対と
   少なくとも一対の陽極を対向させてなる陽極対と一以上
   の補助陽極とから電極組を構成し、該電極組を複数組直
   列に配置して電極組列とし、該電極組列の一端はガス導
   入口と且つ他端はガス導出口と連結させた特許請求の範
   囲第１項または第２項に記載の処理装置。
4. （４）直列に配置された電極組と電極組との間に各々の
   放電を遮断する隔離壁を設けた特許請求の範囲第３項に
   記載の処理装置。
5. （５）陽極対がガス流路にほぼ平行に設けられる特許請
   求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載の処理装置。