JP2863854B2 - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JP2863854B2 JP2863854B2 JP63284230A JP28423088A JP2863854B2 JP 2863854 B2 JP2863854 B2 JP 2863854B2 JP 63284230 A JP63284230 A JP 63284230A JP 28423088 A JP28423088 A JP 28423088A JP 2863854 B2 JP2863854 B2 JP 2863854B2
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- Japan
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- gas
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- electrode
- discharge tube
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は排ガスを放電プラズマにより無害化処理する
装置に関する。更に詳しくは、本発明は半導体産業など
で用いられる減圧系を利用した薄膜形成技術、例えば減
圧CVD（Chemical Vapor Deposition）法、プラズマCVD
法、光CVD法、プラズマエッチング法などにおいて排出
される反応性ガス及び、これらの方法に関連して行われ
る容器内クリーニング等において排出される未反応、未
処理ガスを減圧下においてプラズマ処理することにより
無害化する、排ガスの放電処理装置に関する。
装置に関する。更に詳しくは、本発明は半導体産業など
で用いられる減圧系を利用した薄膜形成技術、例えば減
圧CVD（Chemical Vapor Deposition）法、プラズマCVD
法、光CVD法、プラズマエッチング法などにおいて排出
される反応性ガス及び、これらの方法に関連して行われ
る容器内クリーニング等において排出される未反応、未
処理ガスを減圧下においてプラズマ処理することにより
無害化する、排ガスの放電処理装置に関する。
［従来の技術］ 減圧系を利用した薄膜形成の為の各種CVD法等におい
て使用される反応性ガスは必ずしも該薄膜形成時等に全
量消費はなされず、その一部は未反応ガスとして系外へ
排出される。また、該薄膜形成後等の反応槽内のクリー
ニングに用いられるガスもその一部は未反応ガスとして
系外へ排出される。これら未反応ガスの多くは未処理の
まま大気中へ放出されると災害や公害の原因となる為、
大気中での許容濃度が定められている。
て使用される反応性ガスは必ずしも該薄膜形成時等に全
量消費はなされず、その一部は未反応ガスとして系外へ
排出される。また、該薄膜形成後等の反応槽内のクリー
ニングに用いられるガスもその一部は未反応ガスとして
系外へ排出される。これら未反応ガスの多くは未処理の
まま大気中へ放出されると災害や公害の原因となる為、
大気中での許容濃度が定められている。
従来、これらの反応性ガスを無害化処理する方法とし
て、大過剰の不活性ガスによる希釈あるいは湿式法、乾
式法による吸着、吸収等の手段が用いられているが、こ
れらの方法はいずれも減圧排気系以後の常圧下において
実施されており、装置コストや運転コストが高い欠点を
有するのみならず、一部のガスについては充分な除害効
果が得られていないものもある。
て、大過剰の不活性ガスによる希釈あるいは湿式法、乾
式法による吸着、吸収等の手段が用いられているが、こ
れらの方法はいずれも減圧排気系以後の常圧下において
実施されており、装置コストや運転コストが高い欠点を
有するのみならず、一部のガスについては充分な除害効
果が得られていないものもある。
一例として常温では極めて化学的に安定な三フッ化窒
素（NF3）があげられ、その無害化処理方法として高温
下でFe、Cuなどの金属と接触させることにより金属フッ
化物とする方法が提案されているが、この方法において
は毒性の強い且つ爆発性物質でもあるN2F4も同時に生成
されるなど問題点を含んでいる。
素（NF3）があげられ、その無害化処理方法として高温
下でFe、Cuなどの金属と接触させることにより金属フッ
化物とする方法が提案されているが、この方法において
は毒性の強い且つ爆発性物質でもあるN2F4も同時に生成
されるなど問題点を含んでいる。
一方、こうした常圧下での処理とは別に減圧下におい
て放電を利用した排ガス処理方法（放電処理法）が提案
されており（特開昭51−129868号、同58−6231号参
照）、いずれも該反応性ガスの処理を減圧排気系の真空
ポンプに至る前に行うことを特徴としている。しかしな
がら、これらの放電処理法では負荷変動、特に圧力変動
に対して安定なプラズマ状態を維持することが極めて難
しく、排ガス処理装置としてはその適用範囲が制限され
ざるを得ないという問題点があった。
て放電を利用した排ガス処理方法（放電処理法）が提案
されており（特開昭51−129868号、同58−6231号参
照）、いずれも該反応性ガスの処理を減圧排気系の真空
ポンプに至る前に行うことを特徴としている。しかしな
がら、これらの放電処理法では負荷変動、特に圧力変動
に対して安定なプラズマ状態を維持することが極めて難
しく、排ガス処理装置としてはその適用範囲が制限され
ざるを得ないという問題点があった。
最近、放電処理法において磁界を重畳したプラズマを
利用する方法（磁界重畳法）が提案され、その適用範囲
が拡大している。該磁界重畳法においては電極が形成す
る電解の向きと約45゜乃至約135゜の角度で直流または
交流磁界を印加することにより0.1mTorr〜数10Torrの広
範な負荷条件下でプラズマ状態を安定維持しうるという
特徴を有するまでに至っている。
利用する方法（磁界重畳法）が提案され、その適用範囲
が拡大している。該磁界重畳法においては電極が形成す
る電解の向きと約45゜乃至約135゜の角度で直流または
交流磁界を印加することにより0.1mTorr〜数10Torrの広
範な負荷条件下でプラズマ状態を安定維持しうるという
特徴を有するまでに至っている。
［発明が解決しようとする課題］ 放電処理法では前記したように無害化処理を要する残
存反応性ガスを各種CVD装置、エッチング装置等と減圧
排気系の真空ポンプとの間の減圧下で処理することを特
徴としており、減圧下における負荷変動、特に圧力変動
に対して処理能力の維持、すなわち安定なプラズマ状態
を維持することは必要不可欠である。
存反応性ガスを各種CVD装置、エッチング装置等と減圧
排気系の真空ポンプとの間の減圧下で処理することを特
徴としており、減圧下における負荷変動、特に圧力変動
に対して処理能力の維持、すなわち安定なプラズマ状態
を維持することは必要不可欠である。
また、放電処理法により該反応性ガスの分解等により
生じた物質が排ガス処理装置を含む機器及び配管等の腐
食、また真空ポンプ油の性能劣化をきたす恐れのある場
合には、影響を与える以前に、すみやかに、該物質の除
害化処理を行う必要がある。
生じた物質が排ガス処理装置を含む機器及び配管等の腐
食、また真空ポンプ油の性能劣化をきたす恐れのある場
合には、影響を与える以前に、すみやかに、該物質の除
害化処理を行う必要がある。
本発明者らは、かかる課題に対し、その解決に取組み
鋭意検討した結果、陰極と陰極、陽極と陽極を対向せし
めて陰極対および陽極対からなる空間を形成し、かつ該
陰極対方向に直流または交流磁界を印加することにより
該負荷変動に対し安定なプラズマ状態を維持しうること
を見出すと共に、放電処理によって生じた該物質を該真
空ポンプに至る以前の主として該処理装置内において回
収もしくは無害物質化することが可能であることを見出
し本発明を完成するに至った。
鋭意検討した結果、陰極と陰極、陽極と陽極を対向せし
めて陰極対および陽極対からなる空間を形成し、かつ該
陰極対方向に直流または交流磁界を印加することにより
該負荷変動に対し安定なプラズマ状態を維持しうること
を見出すと共に、放電処理によって生じた該物質を該真
空ポンプに至る以前の主として該処理装置内において回
収もしくは無害物質化することが可能であることを見出
し本発明を完成するに至った。
［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明に係る排ガス処理装置はガス流通空
間により連結されているガス導入口とガス導出口を有す
る管状容器内に陰極と陽極とからなる電極を設けて構成
した放電管と、該電極と接続される直流又は交流電極
と、該放電管内に形成されるガス流路とを含む排ガス処
理装置において、該ガス流路とほぼ平行に少なくとも一
対の陰極を対向させて陰極対とし、該陰極対により形成
される空間の一端は該ガス導入口と且つ他端は該ガス導
出口と連結させて、該空間内に該陰極対と略々直角に少
なくとも一対の陽極を該陰極と接触することなく対向さ
せれ設けると共に、該陰極の対向方向に直流又は交流磁
界を形成する磁界印加装置を該放電管に設け、前記電極
が主として炭素材で構成され、且つ放電管の器壁内側が
該電極と接することなく主として炭素材で一部又は全部
が覆われていることを特徴とする。
間により連結されているガス導入口とガス導出口を有す
る管状容器内に陰極と陽極とからなる電極を設けて構成
した放電管と、該電極と接続される直流又は交流電極
と、該放電管内に形成されるガス流路とを含む排ガス処
理装置において、該ガス流路とほぼ平行に少なくとも一
対の陰極を対向させて陰極対とし、該陰極対により形成
される空間の一端は該ガス導入口と且つ他端は該ガス導
出口と連結させて、該空間内に該陰極対と略々直角に少
なくとも一対の陽極を該陰極と接触することなく対向さ
せれ設けると共に、該陰極の対向方向に直流又は交流磁
界を形成する磁界印加装置を該放電管に設け、前記電極
が主として炭素材で構成され、且つ放電管の器壁内側が
該電極と接することなく主として炭素材で一部又は全部
が覆われていることを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で対象とする被処理ガスは減圧系を利用した各
種CVD法、エッチング法等及びこれらの方法に関連して
行われる容器内のクリーニング等において排出される未
反応、未処理ガスであって大気中への放出により何らか
の災害や公害を引き起こす可能性を有する気体もしくは
蒸気であり、例えばモノシラン、ジシラン等のシラン系
ガス（これらは本発明による放電処理により、シリコン
もしくは水素化アモルファスシリコンと水素に分解処理
される）：モノメチルシラン、ジメチルシラン等のアル
キルシラン系ガス（同じく水素化アルモファスシリコン
カーバイドと水素に分解処理される）：三弗化窒素等の
弗化窒素系ガス（本発明による放電処理により窒素と四
弗化炭素に分解処理させる）等が挙げられる。
種CVD法、エッチング法等及びこれらの方法に関連して
行われる容器内のクリーニング等において排出される未
反応、未処理ガスであって大気中への放出により何らか
の災害や公害を引き起こす可能性を有する気体もしくは
蒸気であり、例えばモノシラン、ジシラン等のシラン系
ガス（これらは本発明による放電処理により、シリコン
もしくは水素化アモルファスシリコンと水素に分解処理
される）：モノメチルシラン、ジメチルシラン等のアル
キルシラン系ガス（同じく水素化アルモファスシリコン
カーバイドと水素に分解処理される）：三弗化窒素等の
弗化窒素系ガス（本発明による放電処理により窒素と四
弗化炭素に分解処理させる）等が挙げられる。
またさらに適用対象となり得るガスは上記のガスに限
定されるものではなく、加えてこれらの混合物や、水
素、窒素及び不活性ガスで希釈されたものであっても差
し支えない。
定されるものではなく、加えてこれらの混合物や、水
素、窒素及び不活性ガスで希釈されたものであっても差
し支えない。
次に本発明の装置の一例を添付図面に基づき説明す
る。
る。
第１図は排ガス処理装置の主要部を構成する放電管の
使用状態の一例を示す断面図であり、第２図は同上のII
−II線断面図である。
使用状態の一例を示す断面図であり、第２図は同上のII
−II線断面図である。
同図において、１はガス流通空間により連結されるガ
ス導入口２とガス導入口３を有する管状容器であり、該
容器内に放電管を有する。
ス導入口２とガス導入口３を有する管状容器であり、該
容器内に放電管を有する。
本実施例において、ガスの導入は第１図に示すように
上向流式であってもよいが下向流式にしてもよい。なお
放電管は横方向（水平方向）での使用も可能であるが、
放電処理により固形物（例えば水素化アルモファスシリ
コン等）を生じる場合は、縦方向（上下方向）での使用
が好ましい。
上向流式であってもよいが下向流式にしてもよい。なお
放電管は横方向（水平方向）での使用も可能であるが、
放電処理により固形物（例えば水素化アルモファスシリ
コン等）を生じる場合は、縦方向（上下方向）での使用
が好ましい。
４は放電管の器壁内側に設置された炭素材である。該
炭素材４は放電処理によって生じた腐食性等の物質を無
害化処理するためのものであり、例えば三弗化窒素の放
電処理を例にとると該放電管内に導入された三弗化窒素
は放電により分解され窒素と弗素とに分離されるが、励
起状態にある弗素は特に処理を行わない場合排ガス処理
装置を含む機器及び配管等の腐食、また真空ポンプ油の
性能劣化を促す。本発明においては該弗素を生成と同時
に該放電管の器壁内側に設置された炭素材及び後述する
電極の炭素材に接触、反応させることにより四弗化炭素
ガスとし、窒素と共に真空ポンプを経て大気へ放出され
ることとなる。
炭素材４は放電処理によって生じた腐食性等の物質を無
害化処理するためのものであり、例えば三弗化窒素の放
電処理を例にとると該放電管内に導入された三弗化窒素
は放電により分解され窒素と弗素とに分離されるが、励
起状態にある弗素は特に処理を行わない場合排ガス処理
装置を含む機器及び配管等の腐食、また真空ポンプ油の
性能劣化を促す。本発明においては該弗素を生成と同時
に該放電管の器壁内側に設置された炭素材及び後述する
電極の炭素材に接触、反応させることにより四弗化炭素
ガスとし、窒素と共に真空ポンプを経て大気へ放出され
ることとなる。
5,5はガス流路とほぼ平行に対向して設けられた陰極
対であり、6,6は該陰極対5,5の対向方向と略々直角方向
に対向して設けられた陽極対である。
対であり、6,6は該陰極対5,5の対向方向と略々直角方向
に対向して設けられた陽極対である。
一般に放電装置では陰極と陽極が対向した構成を成す
ものが多いことがこのような陰陽対向構造ではプラズマ
陽光柱内の電子密度分布差が大きく均一且つ強度の強い
プラズマを形成することは容易ではない。これに対し、
本発明においては第１図及び第２図に示す如く少なくと
も一対の陰極対と陽極対とからなる空間に陰極対向方向
に直流または交流の磁界を印加することにより、均一且
つ強度の強いプラズマを形成することが極めて難しい1m
Torr以下においても、何ら問題なくプラズマを形成する
ことができる。
ものが多いことがこのような陰陽対向構造ではプラズマ
陽光柱内の電子密度分布差が大きく均一且つ強度の強い
プラズマを形成することは容易ではない。これに対し、
本発明においては第１図及び第２図に示す如く少なくと
も一対の陰極対と陽極対とからなる空間に陰極対向方向
に直流または交流の磁界を印加することにより、均一且
つ強度の強いプラズマを形成することが極めて難しい1m
Torr以下においても、何ら問題なくプラズマを形成する
ことができる。
本発明において前記電極は主とし炭素材によって構成
される。器壁内側の炭素材４と同様に腐食性等の物質を
無害化するためである。
される。器壁内側の炭素材４と同様に腐食性等の物質を
無害化するためである。
本発明においては、陰極対5,5及び陽極対6,6は少なく
とも１対あればよいが、これに限定されず、少なくとも
一対の陰極対5,5と少なくとも一対の陽極対6,6とから電
極組を構成し、該電極組を複数組直列または並列に配置
して電極組列としてもよい。このようにすると、該排ガ
ス処理装置の処理能力の低下をきたすことなく、被処理
ガスの流量増加にも対応しうる。
とも１対あればよいが、これに限定されず、少なくとも
一対の陰極対5,5と少なくとも一対の陽極対6,6とから電
極組を構成し、該電極組を複数組直列または並列に配置
して電極組列としてもよい。このようにすると、該排ガ
ス処理装置の処理能力の低下をきたすことなく、被処理
ガスの流量増加にも対応しうる。
前記陰極対5,5により形成される空間７の一端は該ガ
ス導入口２と且つ他端は該ガス導出口３と連結されてい
る。
ス導入口２と且つ他端は該ガス導出口３と連結されてい
る。
本発明で用いる管状容器は第２図に示すような円筒状
に限定されるものではなく、任意形状の断面、例えば第
３図に示すような矩形断面の容器も用いることができ
る。また電極形状についても第２図に示すような形状に
限定されるものではなく、第３図に示すような円柱状あ
るいは角柱状等でもよく、電極を構成する炭素材に芯材
等の補強材を用いることもできる。本発明において使用
する電源は直流、交流、高周波のいずれでもよいが、位
相整合の不要な直流及び交流が好ましい。ただし、負荷
範囲によっては必ずしもこの限りではない。
に限定されるものではなく、任意形状の断面、例えば第
３図に示すような矩形断面の容器も用いることができ
る。また電極形状についても第２図に示すような形状に
限定されるものではなく、第３図に示すような円柱状あ
るいは角柱状等でもよく、電極を構成する炭素材に芯材
等の補強材を用いることもできる。本発明において使用
する電源は直流、交流、高周波のいずれでもよいが、位
相整合の不要な直流及び交流が好ましい。ただし、負荷
範囲によっては必ずしもこの限りではない。
本発明では陰極対向方向に磁界を形成するための磁界
印加装置を放電管に設けるが、ここで陰極対向方向に磁
界を形成するとは陰極面に垂直に磁力線が交わる場合を
基本とし、この±45゜程度の範囲で交わる場合をも包含
するものとする。
印加装置を放電管に設けるが、ここで陰極対向方向に磁
界を形成するとは陰極面に垂直に磁力線が交わる場合を
基本とし、この±45゜程度の範囲で交わる場合をも包含
するものとする。
磁界は直流、交流磁界のいずれでもよいが、廉価かつ
簡便であることから永久磁石を用いた直流磁界が好まし
い。永久磁石としては一般にはフェライト系焼結磁石で
良く、必要に応じてSm−Co系もしくはNd−Fe−Ｂ系等の
希土類磁石を用いてより高い磁束密度を得ることも可能
である。
簡便であることから永久磁石を用いた直流磁界が好まし
い。永久磁石としては一般にはフェライト系焼結磁石で
良く、必要に応じてSm−Co系もしくはNd−Fe−Ｂ系等の
希土類磁石を用いてより高い磁束密度を得ることも可能
である。
印加する磁界は磁束密度値で数ガウス以上、好ましく
は100〜10,000ガウス程度である。
は100〜10,000ガウス程度である。
本発明は真空ポンプ以降の大気圧系に設置された従来
技術によるところの排ガス処理との組合せにより更に処
理を徹底化させることに何ら支障は無い。
技術によるところの排ガス処理との組合せにより更に処
理を徹底化させることに何ら支障は無い。
尚、本発明において採用される圧力条件は約0.1mTorr
〜10Torr程度である。
〜10Torr程度である。
［実施例］ 以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
実施例１ 第１図及び第２図に示す放電管を用いた。
管径３インチの内部へカーボン管及び集板状の炭素電
極を配置しさらに陰極対向方向に該放電管の外側よりフ
ェライト系焼結磁石を両側より配置、ヨークを用いてＨ
型（サイクロン形）の閉路磁界を採用することにより管
中心部の磁束密度として320ガウスを得た。
極を配置しさらに陰極対向方向に該放電管の外側よりフ
ェライト系焼結磁石を両側より配置、ヨークを用いてＨ
型（サイクロン形）の閉路磁界を採用することにより管
中心部の磁束密度として320ガウスを得た。
上記放電管内へ100％モノシランガス20sccmを導入し
圧力を0.2Torrに調節後、交流電源を用いてプラズマを
形成し、出力電力360wにおいて該放電管ガス導出口での
残留モノシランガス濃度を四重極質量分析計により測定
した結果３％の値を得た。
圧力を0.2Torrに調節後、交流電源を用いてプラズマを
形成し、出力電力360wにおいて該放電管ガス導出口での
残留モノシランガス濃度を四重極質量分析計により測定
した結果３％の値を得た。
実施例２ 第３図に示す矩形の放電管を用いた。
外寸法がタテ200mm、ヨコ90mm、高さ300mmの管状容器
内へ円柱状の炭素電極を設置すると共に内壁に炭素材を
配置、外側よりフェライト系焼結磁石による直流磁界を
与えた。
内へ円柱状の炭素電極を設置すると共に内壁に炭素材を
配置、外側よりフェライト系焼結磁石による直流磁界を
与えた。
上記放電管内へ100％三弗化窒素ガスを20sccm導入
し、圧力を0.1Torrに調節後、直流電源を用いてプラズ
マを形成、出力電力200wにおいて残留三弗化窒素４％の
値を得ると共に多量の窒素と四弗化炭素を検出したが、
弗素は検出されなかった。
し、圧力を0.1Torrに調節後、直流電源を用いてプラズ
マを形成、出力電力200wにおいて残留三弗化窒素４％の
値を得ると共に多量の窒素と四弗化炭素を検出したが、
弗素は検出されなかった。
［発明の効果］ 本発明によれば、減圧下での負荷変動に対し安定なプ
ラズマ状態を維持することができるという効果があり、
また放電処理によって生じた有害物質を該真空ポンプに
至る以前の主として該処理装置内において回収もしくは
無害物質化することが可能であるという効果がある。
ラズマ状態を維持することができるという効果があり、
また放電処理によって生じた有害物質を該真空ポンプに
至る以前の主として該処理装置内において回収もしくは
無害物質化することが可能であるという効果がある。
第１図は排ガス処理装置の主要部を構成する放電管の使
用状態の一例を示す断面図であり、第２図は同上のII−
II線断面図、第３図は放電管の他の態様を示す断面図で
ある。 1:管状容器 2:ガス導入口 3:ガス導出口 4:炭素材 5:陰極対 6:陽極対 7:空間
用状態の一例を示す断面図であり、第２図は同上のII−
II線断面図、第３図は放電管の他の態様を示す断面図で
ある。 1:管状容器 2:ガス導入口 3:ガス導出口 4:炭素材 5:陰極対 6:陽極対 7:空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B01D 53/32 B01D 53/34 120
Claims (1)
- 【請求項１】ガス流通空間により連結されているガス導
入口とガス導出口を有する管状容器内に陰極と陽極とか
らなる電極を設けて構成した放電管と、該電極と接続さ
れる直流又は交流電源と、該放電管内に形成されるガス
流路とを含む排ガス処理装置において、該ガス流路とほ
ぼ平行に少なくとも一対の陰極を対向させて陰極対と
し、該陰極対により形成される空間の一端は該ガス導入
口と且つ他端は該ガス導出口と連結させて、該空間内に
該陰極対と略々直角に少なくとも一対の陽極を該陰極と
接触することなく対向させて設けると共に、該陰極の対
向方向に直流又は交流磁界を形成する磁界印加装置を該
放電管に設け、前記電極が主として炭素材で構成され、
且つ放電管の器壁内側が該電極と接することなく主とし
て炭素材で一部又は全部が覆われていることを特徴とす
る排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284230A JP2863854B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284230A JP2863854B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 排ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02131120A JPH02131120A (ja) | 1990-05-18 |
| JP2863854B2 true JP2863854B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=17675858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284230A Expired - Lifetime JP2863854B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863854B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621227B1 (en) | 2000-02-08 | 2003-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Discharge generating apparatus and discharge generating method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200043A (en) * | 1989-11-08 | 1993-04-06 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Method for treating waste gas |
| JP2000348896A (ja) | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | プラズマ発生方法、プラズマ発生装置及びプラズマ反応によるガス処理方法 |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284230A patent/JP2863854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621227B1 (en) | 2000-02-08 | 2003-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Discharge generating apparatus and discharge generating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02131120A (ja) | 1990-05-18 |
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