JPH06226032A - Ｎｆ３ 系排ガス処理装置 - Google Patents
Ｎｆ３ 系排ガス処理装置Info
- Publication number
- JPH06226032A JPH06226032A JP5013263A JP1326393A JPH06226032A JP H06226032 A JPH06226032 A JP H06226032A JP 5013263 A JP5013263 A JP 5013263A JP 1326393 A JP1326393 A JP 1326393A JP H06226032 A JPH06226032 A JP H06226032A
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- JP
- Japan
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- electrode
- gas
- magnetic field
- frequency discharge
- discharge
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガス流通空間により連結されている、ガス導
入口とガス導出口を具備する絶縁性管状容器の外側に、
誘導結合方式の高周波放電用電極を設けて構成した放電
管と、該放電管の外側に設けた、ガス流通方向に対し直
角方向に直流又は交流磁界を印加する磁界印加装置と、
該電極と接続される高周波放電用電源と、からなること
を特徴とするフッ素系排ガス放電処理装置。 【効果】 誘導結合方式の高周波放電用電極を採用する
ことで、電極がプラズマ領域内でなく、その外に配置さ
れている為、フッ素ラジカル、フッ素イオン等による電
極の損傷、消耗がなく、更に磁界印加装置の付加により
反射電力を抑制できる為、排ガス中に含まれる未反応Ｎ
Ｆ3 を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処理でき
る。
入口とガス導出口を具備する絶縁性管状容器の外側に、
誘導結合方式の高周波放電用電極を設けて構成した放電
管と、該放電管の外側に設けた、ガス流通方向に対し直
角方向に直流又は交流磁界を印加する磁界印加装置と、
該電極と接続される高周波放電用電源と、からなること
を特徴とするフッ素系排ガス放電処理装置。 【効果】 誘導結合方式の高周波放電用電極を採用する
ことで、電極がプラズマ領域内でなく、その外に配置さ
れている為、フッ素ラジカル、フッ素イオン等による電
極の損傷、消耗がなく、更に磁界印加装置の付加により
反射電力を抑制できる為、排ガス中に含まれる未反応Ｎ
Ｆ3 を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処理でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、排ガス処理装置、詳し
くはフッ素系排ガスを放電プラズマにより処理する装置
に関する。更に詳しくは、半導体産業に代表される減圧
を利用した薄膜形成技術、例えば減圧ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマエッチング法等にお
いて、各種装置から排出される未反応、未処理の特にＮ
Ｆ3 を含むガスを減圧下でプラズマ処理することにより
無害化する排ガス処理装置に関する。
くはフッ素系排ガスを放電プラズマにより処理する装置
に関する。更に詳しくは、半導体産業に代表される減圧
を利用した薄膜形成技術、例えば減圧ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマエッチング法等にお
いて、各種装置から排出される未反応、未処理の特にＮ
Ｆ3 を含むガスを減圧下でプラズマ処理することにより
無害化する排ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧を利用した薄膜形成等の各種半導体
プロセスにおいて使用される反応性ガスは、必ずしも該
プロセスで全量消費はなされず、その一部は未反応ガス
として系外へ排出される。本発明の対象とするフッ素系
排ガス特にＮＦ3 を含む未反応ガスは、処理されること
なくそのまま大気中へ放出されると災害や公害の原因と
なる。従来、特にＮＦ3 等を含むフッ素系排ガスを無害
化処理する方法として、大気放出以前の真空ポンプ出口
以降において、大過剰の不活性ガスによる希釈方式、あ
るいは高温加熱による分解方式、高温反応物質との接触
分解方式等が用いられている。しかしながら、前述の希
釈方式は高圧ガス・特殊材料ガスの法改正（ '９２年５
月施行）に伴い採用不可となり、又、高温処理方式は、
例えばＳｉＨ4等とＮＦ3 を含むガスとの高温下での混
合においては爆発の危険を有する等の問題が指摘され
る。
プロセスにおいて使用される反応性ガスは、必ずしも該
プロセスで全量消費はなされず、その一部は未反応ガス
として系外へ排出される。本発明の対象とするフッ素系
排ガス特にＮＦ3 を含む未反応ガスは、処理されること
なくそのまま大気中へ放出されると災害や公害の原因と
なる。従来、特にＮＦ3 等を含むフッ素系排ガスを無害
化処理する方法として、大気放出以前の真空ポンプ出口
以降において、大過剰の不活性ガスによる希釈方式、あ
るいは高温加熱による分解方式、高温反応物質との接触
分解方式等が用いられている。しかしながら、前述の希
釈方式は高圧ガス・特殊材料ガスの法改正（ '９２年５
月施行）に伴い採用不可となり、又、高温処理方式は、
例えばＳｉＨ4等とＮＦ3 を含むガスとの高温下での混
合においては爆発の危険を有する等の問題が指摘され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、例えばＮＦ3 を
含むガスに対し、前述した真空ポンプ出口以降での処理
とは別に、減圧下、すなわち真空ポンプの入口以前にお
いてプラズマを利用した排ガス放電処理方式（放電処理
法）が提案されている。しかしながら、これらの放電処
理法はプラズマ形成の為の放電用電極を減圧下、すなわ
ち放電容器内に配慮している。それ故に、配置した電極
は、プラズマにより分解、励起状態にあるＮＦ3 等に起
因するフッ素ラジカル、フッ素イオン等と直接接触する
こととなり、いずれの場合も電極材、あるいは電極保護
材が短時間に激しく消耗し実用に耐えられないのが現状
である。しかして、本発明は、排ガス中に残存する未反
応ＮＦ3 等を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処
理することを特徴とする排ガス放電処理装置を提供する
ものである。
含むガスに対し、前述した真空ポンプ出口以降での処理
とは別に、減圧下、すなわち真空ポンプの入口以前にお
いてプラズマを利用した排ガス放電処理方式（放電処理
法）が提案されている。しかしながら、これらの放電処
理法はプラズマ形成の為の放電用電極を減圧下、すなわ
ち放電容器内に配慮している。それ故に、配置した電極
は、プラズマにより分解、励起状態にあるＮＦ3 等に起
因するフッ素ラジカル、フッ素イオン等と直接接触する
こととなり、いずれの場合も電極材、あるいは電極保護
材が短時間に激しく消耗し実用に耐えられないのが現状
である。しかして、本発明は、排ガス中に残存する未反
応ＮＦ3 等を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処
理することを特徴とする排ガス放電処理装置を提供する
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ガ
ス流通空間により連結されている、ガス導入口とガス導
出口を具備する絶縁性管状容器の外側に、誘導結合方式
の高周波放電用電極を設けて構成した放電管と、該放電
管の外側に設けた、ガス流通方向に対し直角方向に直流
又は交流磁界を印加する磁界印加装置と、該電極と接続
される高周波放電用電源と、からなることを特徴とする
フッ素系排ガス放電処理装置、を要旨とするものであ
る。本発明において、フッ素系排ガスとはＮＦ3 系排ガ
スを主体とするガスで、ＮＦ3 単独またはこれとＦ2 、
ＳｉＦ4 、Ｎ2 、Ｏ2 、ＮＯ、ＮＯ2 、Ｎ2 Ｏ等からな
るＮＦ3 一種、あるいはＮＦ3 を含む二種以上の混合ガ
スをいう。まず、添付図面について説明するに、図１
は、本発明によるフッ素系排ガス処理装置の一例の縦断
面図であり、ガス導入口１はガス供給系に接続され、ガ
ス導出口２は真空ポンプに接続される。尚、後記実施例
に記載した四重極質量分析装置は、ガス導出口２と真空
ポンプとの間に分岐配置される。図２は図１の装置の横
断面図である。図において、１はガス導入口、２はガス
導出口、３は絶縁性管状容器、４は誘導結合方式の高周
波放電用電極、５は磁界印加装置、６は高周波放電用電
極、７はアースをそれぞれ示す。
ス流通空間により連結されている、ガス導入口とガス導
出口を具備する絶縁性管状容器の外側に、誘導結合方式
の高周波放電用電極を設けて構成した放電管と、該放電
管の外側に設けた、ガス流通方向に対し直角方向に直流
又は交流磁界を印加する磁界印加装置と、該電極と接続
される高周波放電用電源と、からなることを特徴とする
フッ素系排ガス放電処理装置、を要旨とするものであ
る。本発明において、フッ素系排ガスとはＮＦ3 系排ガ
スを主体とするガスで、ＮＦ3 単独またはこれとＦ2 、
ＳｉＦ4 、Ｎ2 、Ｏ2 、ＮＯ、ＮＯ2 、Ｎ2 Ｏ等からな
るＮＦ3 一種、あるいはＮＦ3 を含む二種以上の混合ガ
スをいう。まず、添付図面について説明するに、図１
は、本発明によるフッ素系排ガス処理装置の一例の縦断
面図であり、ガス導入口１はガス供給系に接続され、ガ
ス導出口２は真空ポンプに接続される。尚、後記実施例
に記載した四重極質量分析装置は、ガス導出口２と真空
ポンプとの間に分岐配置される。図２は図１の装置の横
断面図である。図において、１はガス導入口、２はガス
導出口、３は絶縁性管状容器、４は誘導結合方式の高周
波放電用電極、５は磁界印加装置、６は高周波放電用電
極、７はアースをそれぞれ示す。
【０００５】本発明において、誘導結合方式の高周波放
電管とは、ガス流通空間により連結されているガス導入
口とガス導出口を具備する、たとえば石英ガラス等の絶
縁性管状容器の外側にコイルに代表される誘導結合方式
の高周波放電用電極を配置したものをいい、該電極に高
周波電磁界を印加することにより減圧された該容器内に
プラズマを形成せしめるものである。ここでいう高周波
放電とは、１００ＫＨｚから１０ＧＨｚの電源周波数に
よる放電を指す。更に、該放電管の外側に設けた、ガス
流通方向に対し直角方向に直流又は交流磁界を印加する
磁界印加装置は、高周波放電においてその供給電力の増
加に伴い発生する反射電力の増大を抑制する作用効果を
奏するためのものである。ここで用いられる磁界は、直
流、交流磁界のいずれでも良い。印加する磁束密度は最
小部で５０ガウス以上、好ましくは１００ガウス以上で
あれば良く、実用に供し得る排ガス処理装置の観点にた
てば、該印加装置は廉価かつ簡便な直流磁界を形成でき
るフェライト焼結型磁石が好ましい。又、高い磁束密度
を有するサマリウム・コバルト、あるいはネオジウム・
鉄・ボロン系の希土類磁石を使用することも何ら差し支
えない。
電管とは、ガス流通空間により連結されているガス導入
口とガス導出口を具備する、たとえば石英ガラス等の絶
縁性管状容器の外側にコイルに代表される誘導結合方式
の高周波放電用電極を配置したものをいい、該電極に高
周波電磁界を印加することにより減圧された該容器内に
プラズマを形成せしめるものである。ここでいう高周波
放電とは、１００ＫＨｚから１０ＧＨｚの電源周波数に
よる放電を指す。更に、該放電管の外側に設けた、ガス
流通方向に対し直角方向に直流又は交流磁界を印加する
磁界印加装置は、高周波放電においてその供給電力の増
加に伴い発生する反射電力の増大を抑制する作用効果を
奏するためのものである。ここで用いられる磁界は、直
流、交流磁界のいずれでも良い。印加する磁束密度は最
小部で５０ガウス以上、好ましくは１００ガウス以上で
あれば良く、実用に供し得る排ガス処理装置の観点にた
てば、該印加装置は廉価かつ簡便な直流磁界を形成でき
るフェライト焼結型磁石が好ましい。又、高い磁束密度
を有するサマリウム・コバルト、あるいはネオジウム・
鉄・ボロン系の希土類磁石を使用することも何ら差し支
えない。
【０００６】本発明において対象となるフッ素系排ガス
中の特にＮＦ3 は、プラズマ処理することにより主とし
てＮ2 とＦ2 とに分解されるが、処理によって生じたＦ
2 等は真空ポンプに至る以前の減圧下、あるいは真空ポ
ンプ出口以降において化学的処理等の従来技術を付加す
ることにより、容易に無害化処理することが可能であ
る。尚、本発明においてプラズマ処理に採用される圧力
条件は約１ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度であり、好ま
しくは１０ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度である。
中の特にＮＦ3 は、プラズマ処理することにより主とし
てＮ2 とＦ2 とに分解されるが、処理によって生じたＦ
2 等は真空ポンプに至る以前の減圧下、あるいは真空ポ
ンプ出口以降において化学的処理等の従来技術を付加す
ることにより、容易に無害化処理することが可能であ
る。尚、本発明においてプラズマ処理に採用される圧力
条件は約１ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度であり、好ま
しくは１０ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度である。
【０００７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく
説明する。 実施例１ 図に示した構成の装置を使用した。ガス導入口１、ガス
導出口２を具備した内容積０．５Ｌの石英ガラス管（内
径４０ｍｍ）の外側にコイル状の銅パイプ（外径６ｍ
ｍ）を誘導結合方式の高周波放電用電極として配置し、
銅パイプの一端を１３．５６ＭＨｚの高周波放電用電極
に接続、他端をアース接続した。磁界印加装置として表
面磁束密度８００ガウス（Ｇ）のフェライト焼結磁石を
用い直流磁界を形成した。上記装置を真空ポンプに接続
後、ガス導入口より、１００％ＮＦ3 ５０ｓｃｃｍを導
入、圧力０．２Ｔｏｒｒ、供給電力５００ｗの条件下で
プラズマ処理を行った。プラズマ処理されたガスをガス
導出口と真空ポンプとの間で四重極質量分析装置により
測定した結果、残留ＮＦ3 のイオンピークは認められな
かった。
説明する。 実施例１ 図に示した構成の装置を使用した。ガス導入口１、ガス
導出口２を具備した内容積０．５Ｌの石英ガラス管（内
径４０ｍｍ）の外側にコイル状の銅パイプ（外径６ｍ
ｍ）を誘導結合方式の高周波放電用電極として配置し、
銅パイプの一端を１３．５６ＭＨｚの高周波放電用電極
に接続、他端をアース接続した。磁界印加装置として表
面磁束密度８００ガウス（Ｇ）のフェライト焼結磁石を
用い直流磁界を形成した。上記装置を真空ポンプに接続
後、ガス導入口より、１００％ＮＦ3 ５０ｓｃｃｍを導
入、圧力０．２Ｔｏｒｒ、供給電力５００ｗの条件下で
プラズマ処理を行った。プラズマ処理されたガスをガス
導出口と真空ポンプとの間で四重極質量分析装置により
測定した結果、残留ＮＦ3 のイオンピークは認められな
かった。
【０００８】実施例２ 図に示した構成の装置を使用した。ガス導入口１、ガス
導出口２を具備した内容積１．３Ｌの石英ガラス管（内
径６０ｍｍ）の外側にコイル状の銅パイプ（外径６ｍ
ｍ）を誘導結合方式の高周波放電用電極として配置し、
銅パイプの一端を１３．５６ＭＨｚの高周波放電用電源
に接続、他端をアース接続した。磁界印加装置として表
面磁束密度９００Ｇのフェライト焼結磁石を用い直流磁
界を形成した。上記装置を真空ポンプに接続後、ガス導
入口より、ＮＦ3 １００ｓｃｃｍ、Ｏ2 １００ｓｃｃｍ
の混合ガスを導入、圧力０．３Ｔｏｒｒ、供給電力６０
０ｗの条件下でプラズマ処理を行った。プラズマ処理さ
れたガスをガス導出口と真空ポンプとの間で四重極質量
分析装置により測定した結果、残留ＮＦ3 は０．３％以
下であった。
導出口２を具備した内容積１．３Ｌの石英ガラス管（内
径６０ｍｍ）の外側にコイル状の銅パイプ（外径６ｍ
ｍ）を誘導結合方式の高周波放電用電極として配置し、
銅パイプの一端を１３．５６ＭＨｚの高周波放電用電源
に接続、他端をアース接続した。磁界印加装置として表
面磁束密度９００Ｇのフェライト焼結磁石を用い直流磁
界を形成した。上記装置を真空ポンプに接続後、ガス導
入口より、ＮＦ3 １００ｓｃｃｍ、Ｏ2 １００ｓｃｃｍ
の混合ガスを導入、圧力０．３Ｔｏｒｒ、供給電力６０
０ｗの条件下でプラズマ処理を行った。プラズマ処理さ
れたガスをガス導出口と真空ポンプとの間で四重極質量
分析装置により測定した結果、残留ＮＦ3 は０．３％以
下であった。
【０００９】実施例３ 実施例２と同じ装置を用いた。上記装置を真空ポンプに
接続後、ガス導入口より、ＮＦ3 １００ｓｃｃｍ、Ｏ2
１００ｓｃｃｍ、Ｎ2 １００ｓｃｃｍの混合ガスを導
入、圧力０．５Ｔｏｒｒ、供給電力８００ｗの条件下で
プラズマ処理を行った。プラズマ処理されたガスをガス
導出口と真空ポンプとの間で四重極質量分析装置により
測定した結果、残留ＮＦ3 は０．２％以下であった。
接続後、ガス導入口より、ＮＦ3 １００ｓｃｃｍ、Ｏ2
１００ｓｃｃｍ、Ｎ2 １００ｓｃｃｍの混合ガスを導
入、圧力０．５Ｔｏｒｒ、供給電力８００ｗの条件下で
プラズマ処理を行った。プラズマ処理されたガスをガス
導出口と真空ポンプとの間で四重極質量分析装置により
測定した結果、残留ＮＦ3 は０．２％以下であった。
【００１０】比較例１ 実施例２で用いた装置の磁界印加装置部分を取り外し、
他は実施例３と同様の条件でプラズマ処理を試みようと
したが、供給電力６００ｗ以上で反射電力が増大し、こ
れ以上の供給電力の増加が難しいと判断された為、実験
を中止した。尚、供給電力６００ｗにおける残留ＮＦ3
は２％であった。
他は実施例３と同様の条件でプラズマ処理を試みようと
したが、供給電力６００ｗ以上で反射電力が増大し、こ
れ以上の供給電力の増加が難しいと判断された為、実験
を中止した。尚、供給電力６００ｗにおける残留ＮＦ3
は２％であった。
【００１１】
【発明の効果】誘導結合方式の高周波放電用電極を採用
することで、電極がプラズマ領域内でなく、その外に配
置されている為、フッ素ラジカル、フッ素イオン等によ
る電極の損傷、消耗がなく、更に磁界印加装置の付加に
より反射電力を抑制できる為、排ガス中に含まれる未反
応ＮＦ3 を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処理
できることにより、災害防止上並びに公害防止上極めて
大きな効果を得ることができる。
することで、電極がプラズマ領域内でなく、その外に配
置されている為、フッ素ラジカル、フッ素イオン等によ
る電極の損傷、消耗がなく、更に磁界印加装置の付加に
より反射電力を抑制できる為、排ガス中に含まれる未反
応ＮＦ3 を減圧下で効果的、かつ実用的にプラズマ処理
できることにより、災害防止上並びに公害防止上極めて
大きな効果を得ることができる。
【図１】本発明によるフッ素系排ガス処理装置の縦断面
図。
図。
【図２】本発明によるフッ素系排ガス処理装置の横断面
図。
図。
１ ガス導入口 ２ ガス導出口 ３ 絶縁性管状容器 ４ 誘導結合方式の高周波放電用電極 ５ 磁界印加装置 ６ 高周波放電用電極 ７ アース
Claims (1)
- 【請求項１】 ガス流通空間により連結されている、ガ
ス導入口とガス導出口を具備する絶縁性管状容器の外側
に、誘導結合方式の高周波放電用電極を設けて構成した
放電管と、該放電管の外側に設けた、ガス流通方向に対
し直角方向に直流又は交流磁界を印加する磁界印加装置
と、該電極と接続される高周波放電用電源と、からなる
ことを特徴とするフッ素系排ガス放電処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013263A JPH06226032A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Ｎｆ３ 系排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013263A JPH06226032A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Ｎｆ３ 系排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06226032A true JPH06226032A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=11828336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5013263A Pending JPH06226032A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | Ｎｆ３ 系排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06226032A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358750B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 과불화 화합물 가스의 처리 장치 |
| KR100365666B1 (ko) * | 2000-08-04 | 2002-12-26 | 주식회사 선익시스템 | 중주파수 플라즈마원를 이용한 파티클 제거 및클로로플루오로카본 화합물 분해장치 |
| WO2003067642A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
| KR100444528B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-08-21 | 주식회사 월드코아 | 음식물 쓰레기 처리기의 냄새제거장치 |
| KR101408298B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2014-07-11 | 운해이엔씨(주) | 악취 유발성 물질 및 바이오 에어로졸 제거장치 |
| KR20150108327A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
| KR20150108328A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5013263A patent/JPH06226032A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365666B1 (ko) * | 2000-08-04 | 2002-12-26 | 주식회사 선익시스템 | 중주파수 플라즈마원를 이용한 파티클 제거 및클로로플루오로카본 화합물 분해장치 |
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| WO2003067642A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
| US7090742B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-08-15 | Kwang-Ho Kwon | Device for producing inductively coupled plasma and method thereof |
| KR101408298B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2014-07-11 | 운해이엔씨(주) | 악취 유발성 물질 및 바이오 에어로졸 제거장치 |
| KR20150108327A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
| KR20150108328A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 제해 기능을 갖는 진공 펌프 |
| EP2933007A1 (en) | 2014-03-17 | 2015-10-21 | Ebara Corporation | Vacuum pump with abatement function |
| US10641272B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-05-05 | Ebara Corporation | Vacuum pump with abatement function |
| US10641256B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-05-05 | Ebara Corporation | Vacuum pump with abatement function |
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