JPH02131115A - 三弗化窒素含有排ガスの処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は三弗化窒素（Ｎｈ）含有排ガスを放電プラズマ
により無害化処理する方法に関する。更に詳しくは、真
空を利用した半導体の製造において、例えばＣＶＤ　（
Ｃｈｅｍｉｃａｌνａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｊｏｎ）
チャンバーやドライエツチングチャンバーから排出され
るＮＦ３含有排ガスを、真空減圧下において放電プラズ
マにより無害化する方法に関する。

［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］ＮＦ、
ｌガスは常温において物理的、化学的に安定であり取扱
いが容易であることから、半導体製造時において、上記
ＣＶＤチャンバーのクリーニングガスやドライエツチン
グガス等として需要の大幅な伸びが予想されている。

しかして、ＣＶＤチャンバーのクリーニングガスや半導
体のドライエツチングガスとして使用されたＮＦ、ガス
は、必ずしも全量消費されず未反応のＮＦａガスがその
まま真空ポンプから排出される場合がある。この未反応
のＮＦ３ガスを含有したガス（排ガス）をそのまま大気
中に放出することは、環境汚染や爆発等の災害の原因と
なるので、無害化処理しなければならない。

従来、半導体製造装置から排出されるＮＦ３含有排ガス
を無害化する方法としては、１）大過剰の不活性ガスに
よる希釈、２）　ＮＦ３含有排ガスを分解炉に導入し、
いったん窒素（Ｎ２）ガスと弗素（Ｆ２）ガスに分解し
、この分解ガスを更に水あるいはアルカリ水溶液のスク
ラバーに導入して除害する方法、３）Ｎｈ含有排ガスを
銅、鉄等の金属と反応させる方法（Ｎａｖａｌ　５ｕｒ
ｆａｃｅ　Ｗｅａｐｏｎｓ　Ｃｅｎｔｅｒ、　Ｎｉｔｒ
ｏｇｅｎＴｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ　；Ｉｔｓ　Ｃｈｅｍ
ｉｓｔｒｙ　Ｔｏｘｉｃｉｔｙ　ａｎｄ　ＳａｆｅＨａ
ｎｄｌｉｎｇ”、１２　Ｎｏｖ、　１９７６、　Ｆ３１
）、４）　ＮＦ３含有排ガスを炭素と反応させる方法、
５）　ＮＦ、含有排ガスをケイ素やタングステン等のよ
うに、その弗化物がガス状である物質と反応させる方法
等がある。

しかしながら、１）の方法は本質的にＮＦ３を無害化す
る方法ではないので上記問題の完全解決にはならず、ま
た、大量の不活性ガスを必要とする。

２）の方法では分解炉の損傷が激しい等の問題があると
共に、分解して生成したＦ２ガスを除去するための装置
が必要である。３）、４）及び５）の方法は何れも高温
で反応を行わせるため、反応制御のための付帯設備が必
要となること、真空ポンプ排出後の常圧下において除害
が行なわれるので、このため装置コストや運転コストが
高いという欠点を有しており、更には、ＣＶＤチャンバ
ーあるいはドライエツチングチャンバーの出口より真空
ポンプまでの設備を含む排ガス処理系のメインテナンス
への留意に欠けると、安定性を確保できないという重大
な問題点も含んでいる。

更に、４）の方法では銅や鉄の弗化物、窒素（Ｎ２）ガ
スの他に三弗化二窒素（ＮｚＦｚ）、四弗化二窒素（Ｎ
２Ｆ４）等の弗化物が生成するので、このＮｔＦｔ等の
弗化物を無害化するための装置が必要である。５）の方
法においてもケイ素やタングステン等の弗化物が生成す
るが、これらの弗化物はガス状であるので、これを除去
するための装置が必要である。

Ｃ課題を解決するための手段〕 本発明者等は、ＣＶＤチャンバーやドライエツチングチ
ャンバーから排出される排ガスの無害化のための処理装
置として、プラズマ放電を利用した装置を開発し、特願
昭６２−３０１４３９号及び特願昭６３１２６１４号と
して出願したが、上記の排ガス処理装置が、本発明で対
象とするＮＦ、含有排ガスの無害化処理に適用できれば
好都合である点に着目し検討した。

しかし、上記の排ガスの処理装置を使用してＮＦｓ含有
排ガスを処理した場合、ＮＦ、３ガスが効率よく分解可
能であるか、分解生成物が安全な物質に分解されている
か、ＮＦ’ｓガスの強い酸化性により該処理装置が損傷
する惧れはないか、ＮＦ、含有排ガスの処理が長時間に
わたり安定的に運転可能か、排ガス処理装置のメインテ
ナンスは容易か、等は検討されていない。また、Ｎｌ’
ｌ含有排ガスの処理条件も検討されていない。

本発明者等はかかる状況に鑑み、上記の排ガス処理装置
を使用してＮＦ３含有排ガスを処理する方法について鋭
意検討を行なった結果、前記従来の問題を解決し、Ｎｈ
含有排ガス中のＮＦｉを効率よく分解し無害化できるこ
とを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。

即ち本発明によれば、排ガス導入口と排ガス導出口を具
備する管状容器内に陰極と陽極からなる少なくとも一対
の電極を設けて構成した放電管と、該電極と接続される
直流または交流電源と、および該放電管内に形成された
排ガス流路とを含む排ガス放電処理装置であって、該排
ガス流路とほぼ平行に少なくとも一対の陰極を対向させ
て陰極対とし、該陰極対により形成される空間の一端は
該排ガス導入口と、かつ他端は該排ガス導出口と連結さ
せられ、該空間内に該陰極とほぼ直角方向に少なくとも
一対の陽極を該陰極と接触することなく対向させて設け
、更に該陰極対と該陽極対により形成される空間内に、
該陰極と接触することなく一以上の補助陽極を配設せし
めると共に、または補助陽極を配設せしめることなく、
該陰極の対向方向に直流または交流磁界を形成する磁界
印加装置を該放電管に設けた排ガス処理装置の排ガス導
入口に、三弗化窒素含有排ガスを圧力がＯ，１ｍＴｏｒ
ｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲で通気させてプラズマ放電する
ことを特徴とする三弗化窒素含有排ガスの処理方法が提
供される。

〔発明の詳細な説明〕

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明で対象とするＮＦ＋含有排ガスは、ＣＶＤチャン
バーのクリーニング時または半導体のドライエツチング
時等において、ＣＶ［ｌチャンバーまたはドライエツチ
ングチャンバーから排出される、減圧状態で未反応のＮ
Ｆ３を含有するガスである。

このＮＦｓ含有排ガスは、Ｈｅ、　Ｎｇ等の不活性ガス
で希釈された状態であっても構わないが、本発明で使用
する排ガス処理装置に導入する時の圧力が、０．１ｍＴ
ｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒである必要がある。

上記圧力がＱ、１ｍＴｏｒｒ未満または１０Ｔｏｒｒを
越える場合には、プラズマ放電が不良となり、ＮＦ、ガ
スの分解率が大きく低下するので不都合である。

尚、半導体製造時において、ＮｈガスをＣＶＤチャンバ
ーのクリーニングガスやドライエツチングガスとして使
用する際の圧力は上記圧力範囲内であるので、本発明で
使用する排ガス処理装置を、ＣＶＤチャンバーやドライ
エツチングチャンバー出口と真空ポンプを接続する配管
中に挿入すれば、ＮＦ３含有排ガスの無害化処理の際に
上記圧力の調節を特別に行なう必要がないので、この点
でも本発明の方法は好都合である。

以下、図面を参照しつつ、本発明で使用される排ガス処
理装置（以下、該装置を単に本装置と略記する）の好ま
しい実施態様を説明する。

本装置の主たる電極構成の一例を第１図及び第３図に示
すが、第１図は補助陽極を配設しない場合の正面断面図
であり、第３図は補助陽極を配設した場合の正面断面図
である。第２図（イ）は第１図におけるＡ−Ａ’矢視断
面図であり、第４図（イ）は第３図におけるＡ−Ａ“矢
視断面図である。

一般に放電装置では陰極と陽極が対向した構造を成すも
のが多いが、このような陰陽対向構造ではプラズマ陽光
柱内に電子密度の分布が生じ、小型で均一かつ強度の強
いプラズマを形成することは容易でない。これに対し、
本装置においては、少なくとも一対の陰極を対向させて
陰極対とするものであり、このように陰極を対向させる
と、特に磁界が重畳された場合には電子旋回半径が小さ
（なることも作用して、極めて強度が強く、陰極間に閉
じ込められたプラズマを形成することができるのである
。

即ち、本装置はかかる発想に基づくもので、排ガス導入
口５と排ガス導出口６を具備する管状容器内に陰極と陽
極からなる少なくとも一対の電極を設けて構成した放電
管８と、該電極と接続される直流または交流電源と、お
よび該放電管８内に形成された排ガス流路とを含む排ガ
ス放電処理装置であって、該排ガス流路とほぼ平行に少
なくとも一対の陰極を対向させて陰極対１とし、該陰極
対１により形成される空間の一端は該排ガス導入口５と
、かつ他端は該排ガス導出口６と連結させられるように
し、該空間内に該陰極とほぼ直角方向に少なくとも一対
の陽極を該陰極と接触することなく対向させて設け、更
に該陰極対１と陽極対２とにより囲まれて形成（すなわ
ち郭定）される放電管８内部の空間内に、該陰極と接触
することなく一以上の補助陽極２”を配設させると共に
、または補助陽極２′を配設させることなく、該陰極の
対向方向に直流または交流磁界を形成する磁界印加装置
３を放電管８に設けるものである。尚、補助陽極２°に
ついては、第４図（イ）、（ロ）、　（ハ）、　（ニ）
、第７図、第８図等に明確に示されている。

第１図及び第３図においては、排ガス導入口５と排ガス
導出口６を結ぶ排ガス流路とほぼ平行に長方形の陰極を
対向させて陰極対１とし、該陰極の両背面に磁界印加装
置３、例えば永久磁石をＮ／Ｓ対向するごとく放電管８
に設置して陰極対向方向に直流磁界を印加するようにな
っている。

尚、９はヨークである。

しかして、磁界の強さは距離の平方に逆比例するため、
該陰極対１の対向距離は小さいことが好ましく、また、
容積当りの電力密度を増大させるために該距離は小さい
ことが望まれる。陰極対１の対向距離の至適値は負荷圧
力及び排ガス組成により異なりうるが、好ましくは５Ｉ
Ｉ１ｍ乃至８０ＩＩＩｍ、より好ましくは１０ｍｍ乃至
４０ＩＩＩＩｌ程度である。

尚、陰極対１とほぼ直角方向に、好ましくは排ガス流路
とほぼ平行に、陰極と接触することなしに陽極を一対対
向させ陽極対２とする。また、該陰極対１と該陽極対２
とからなる放電空間８内に該陰極と接触することなしに
、−以上の補助陽極２°を設ける。そして、陰極及び陽
極と電源とを接続し、該電極間に電界を形成せしめると
、陰極対１と陽極対２とで囲まれた空間にプラズマが発
生するのである。

本装置において、該陽極対間の距離は該プラズマ空間で
の電子密度を高めて排ガスの分解速度、即ち単位容積・
単位時間当りの処理量を高めるために、陰極対間の距離
に対し２倍以上の長さを有することが好ましく、より好
ましくは２乃至４０倍である。尚、管状容器の内壁と陰
極もしくは陽極との接触による電流短絡を防止するため
、該内壁と陰極及び陽極との間をポリテトラフルオロエ
チレンの如き絶縁物４で遮蔽もしくは充填することが好
ましい。

陰極対１、陽極対２及び補助陽極２゛の排ガス流路方向
の長さは、それぞれ１０ｃｍ〜８０ｃｍ程度が好ましく
、１５ｃｍ〜４０ｃｍ程度がより好ましい。この長さが
短すぎるとプラズマ処理容積が小さくなって処理効率が
低くなり、また、長すぎると電極長さ方向でのプラズマ
均一性を保持することが難しいのみならず、下流位置で
は処理効率が著しく低下して仕舞う。

陰極の大きさはＮＦ３含有排ガスの流通する空間内にお
いて可能な限り大きいことが、排ガス中のＮＦ、を効果
的に分解処理する上で好ましい。尚、補助陽極２°を、
陰極対１と陽極対２により形成される空間内に配設置さ
せることにより、直流は勿論、特に陰極と陽極とが一定
の周期をもって反転を繰り返す交流電源等において、長
期間安定したプラズマを得ることができるのである。即
ち、場合によっては、運転を続けているうちに、陰極と
陽極の近接した部分・箇所においてスパークやアーク放
電が発生する場合があるが、かかる現象が発生すると、
排ガスの分解効率が著しく低下し、もはや運転を継続す
ることができず操作を停止せざるを得なくなるなる場合
がある。これに対し補助陽極２゛を放電空間内に配設せ
しめることにより、かかる現象の発生を効果的に防止す
ることができ、長期間の安定した操作を確保することが
できるのである。補助陽極２゛を設置する場合の基準と
しては、陰極の投影面積に対し、陽極及び補助陽極２′
の投影面積和が近似した値となるようにすることが好ま
しい。尚、本装置において電極の投影面積とは、電極上
の電位が同一である点すべてで囲まれる面積と定義され
る。

また、陰極に空隙部を有すこと、例えばメツシュ状、多
孔板状あるいはスリット板状とすることが、かかる投影
面積を維持しつつ実質的な陰極面積を小さくして陰極電
流密度を高め、高い排ガス処理速度を少ない供給電力で
実現することができるため有効な手段である。一方、陽
極は電子の捕集の役割を果たせればよく、平板のみなら
ず、メツシュ状、多孔板状あるいはスリット板状の如き
空隙を有する形状、もしくは棒状や針状であってもなん
ら差し支えない。

かかる形状の電極を具備した本装置を示すと、第８図〜
第１３図の各図が挙げられる。

本装置において陰極対１、陽極対２及び補助陽極２゛の
数は、上記した至適な陰極間距離が確保されている限り
特に制限はなく、例えば、第２図（イ）〜（ニ）及び第
４図（イ）〜（ニ）に示すが如き態様が取られ得るので
ある。尚、第２図（イ）〜（ニ）は補助陽極を配設しな
い場合の図であり、第４図（イ）〜（ニ）は補助陽極２
＋を配設した場合の図である。そして、第２図（イ）〜
（ニ）と第４図（イ）〜（ニ）は、それぞれ補助電極２
゛を配設しない場合と配設した場合の対応図である。

また、ＮＦ３含有排ガスが流れる流路は、当然のことな
がら、プラズマ空間を通過することのなく排出されるガ
スの流れを存在させないことが、排ガス処理を効果的に
行うために重要であり、陰極対１から構成される空間の
一端を本装置の排ガス導入口５と、かつ他端を排ガス導
出口６と連結させることが必要である。また、排ガス流
路中の該排ガスの流通方向は、鉛直線に対し平行方向も
しくは鉛直方向を含む任意の角度を採用できる。しかし
、排ガス中のＮＦ、と電極とが反応して生成する弗化物
が常温で固体である金属等を電極として使用する場合に
は、該生成した固体弗化物を電極面から自由落下させて
除くことを勘案し、鉛直方向に設定されることが望まし
い。

更に、かくの如き寸法および構成の少なくとも一対の陰
極を対向させてなる陰極対１と、同じく少なくとも一対
の陽極を対向させてなる陽極対２とから電極組を構成し
、該電極組を排ガスの流通方向に複数組直列に配置して
電極組列とし、このような電極組列の一端を排ガス導入
口とかつ他端＝１６ は排ガス導出口と連結させることが、排ガスの処理効率
の向上に極めて有効であり、処理排ガス量が多量なる場
合に特に効果的である。第５図及び第６図（イ）、（ロ
）はかかる電極組を二組直列に結合した例を示すもので
、第５図はその正面断面図、第６図（イ）、（ロ）は第
５図におけるＡ−Ａ’矢視断面図である。ここで第６図
（イ）は補助陽極２゛を配設しない場合の図であり、第
６図（ロ）は補助陽極２゛を配設した場合の図である。

しかして、電極組列の数は、処理量、圧力、供給電力に
より任意に設定すればよい。各電極組により形成（郭定
）される空間内を、第５図に示したように、排ガスが下
降流、上昇流と順次流通する構成は、本装置の最も好ま
しい実施形態の一つである。なお、このとき、直列に配
置された電極組と電極組の間に、各々のプラズマの独立
性を確保し、一つのプラズマが他方に回り込むことのな
いように、放電を遮断する隔離壁７を存在せしめること
が、放電間の相互作用を回避する上で非常に有効な手段
である。隔Ｍ壁７はポリテトラフルオロエチレンのごと
き絶縁物を使用することが好ましいが、電極組の構成に
よっては必ずしもこの限りではない。

本装置において使用する電源は、直流、交流、高周波の
何れでもよいが、位相整合の不要な直流及び交流が好ま
しく、アーク放電の持続防止のため交流電源がより好ま
しい。もっとも、負荷範囲によっては必ずしもこの限り
ではない。更に、本装置におけるプラズマは概して定電
圧と見なせる電流〜電圧特性を呈するが故に、排ガスの
連続的かつ安定的な処理を実施するためには、定出力電
源もしくは定電流電源を採用することが便利である。

本装置においては、陰極対向方向に磁界を形成するため
の磁界印加装置３を放電管８に設ける。

ここで陰極対向方向に磁界を形成するとは、陰極面に垂
直に磁力線が交わる場合を基本とし、この、±４５°程
度の範囲で交わる場合をも包含するものとする。磁界は
直流、交流磁界の何れでもよいが、プラズマ反応を連続
的に実施する見地及び廉価かつ簡便であることから、該
磁界印加装置３としては、永久磁石を用いた直流磁界が
好ましい。

永久磁石としては、焼結型磁石や樹脂中に混合成形され
たプラスチック磁石でよく、磁束密度を高めるためには
、ネオジウム−鉄−はう素等の希土類磁石の使用が効果
的である。印加する表面磁束密度は数ガウス以上、好ま
しくは１００〜１０，０００ガウス程度である。実際の
排ガス処理においては、上記した如き構成を有する本装
置の排ガス放電処理装置に於いて、排ガス導入口５から
排ガスを陰極対１、陽極対２及び磁界印加装置３からな
る磁界を重畳されたプラズマ空間に導入する。導入され
たＮＦ３含有排ガスは所定の滞留時間の間プラズマ反応
により無害化処理された後に、排ガス導出口６から排出
され、真空ポンプを経て大気中に放出される。無給、真
空ポンプから排出後の該排ガスは、化学的処理等の従来
処理技術と組合せて、更に処理を徹底化させることに何
ら支障はない。

本発明においては、本装置の電極にステンレス鋼を用い
た場合は、排ガス中のＮＦ３とステンレス鋼が反応して
電極の表面に弗化物を形成するが、この弗化物はプラズ
マ放電中に剥離して落下し、電極の表面は常に殆ど新し
い表面を露出している。従って、排ガス中のＮＦ、はプ
ラズマ反応により良好に分解されるので、ＮＦ、が未分
解あるいは異なる形態の窒素弗化物として系外へ排出さ
れることは殆どないのである。

本装置の電極にタングステン、モリブデン等の如き、Ｎ
Ｆ３と電極材とが反応してガス状の弗化物を生成するも
のを電極材として使用すると、本装置により処理された
排ガスを水あるいはアルカリ水溶液と接触させて、含有
するガス状の弗化物を除去する必要が生ずるので好まし
くない。

しかし炭素を電極材に使用した場合には、生成するガス
状の弗化物が無害な四弗化炭素（ＣＦ４）のみであので
、上記の如きガス状の弗化物を除去する必要はない。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。尚
、以下において％は特記しない限り容量基準とする。

実施例１〜３ 第３図（すなわち第４図（イ））に示した構成の装置を
使用した。

即ち、排ガス導入口５及び排ガス導出口６の口径が５０
ｍｍで、内容積が２！のステンレス鋼製の放電管８内に
、幅２０ｃｍ　、長さ３０ｃｍ　、厚み２１のステンレ
ス鋼製の板一対を３ｃｍの間隔で対向させて陰極対１と
し、該陰極対１で形成される空間内に、陰極と直角方向
に、絶縁物４としてポリテトラフルオロエチレン（商標
名テフロン）を介して陰極と接触することなしに、幅２
ｃｍ、長さ３０ｃｍ。

厚み２ｍｍのステンレス鋼製の板を対向させて陽極対２
とした。また、陰極対１と陽極対２とからなる空間部内
に、該陽極とほぼ平行に陽極と同寸法のステンレス鋼製
の板からなる補助陽極２“を、陰極と接触することなく
等間隔で４枚設置した。

陰極の両背面に上記と同様の絶縁物４を介して表面磁束
密度５００ガウスのフェライト磁石３を対向させ、ヨー
ク９により陰極対向方向に直流磁界を形成させた。

陰極対１と陽極対２とを交流電源に接続し、排ガス導入
口５より１００％のＮＦ、ガスを第１表に示す圧力及び
量で導入してプラズマを発生させ、排ガス導出口６より
メカニカルブースターポンプとロータリーポンプの併用
によって真空排気を行なった。一定の電力を陰極に供給
して、排ガス導出口６における残留ＮＦ３ガス濃度を四
重極質量分析装置により測定した。

その結果を第１表に示すが、何れの条件においても、Ｎ
Ｆｓガスは効率よく分解されることが分かる。また、排
ガス導出口６における排ガス中に、ＮｔＦｚ、Ｎ４Ｆ４
の如き窒素弗化物ガスやその他の弗化物ガス及びＦ２ガ
スは検出されなかった。

第１表 その結果を第２表に示すが、実施例１〜３と同様に何れ
の条件においても、Ｎｈガスは効率よく分解されること
が分かる。尚、排ガス導出口６における排ガス中には、
補助陽極２°に炭素棒を使用しているのでＣＦ、の存在
が認められた。

実施例４〜７ 第１２図（イ）（ロ）に示した構成の装置を使用した。

即ち、実施例１で使用した装置において、４枚の補助陽
極２゛に代えて２枚の陽極間に直径６ｍ、長さ２０ｃＩ
ｌの炭素棒からなる補助陽極２゛を６本等間隔にガスの
流通方向に対して水平方向に、かつ陰極及び陽極と接触
することなく設置した。

以下第２表に示す条件以外は実施例１〜３と同一の方法
で、１００％のＮＦ２ガスのプラズマ放電による分解を
行なった。

実施例８〜１１ 第１３図（イ）（ロ）に示した構成の装置を使用した。

即ち、実施例１で使用した装置において、陰極及び陽極
を直径６１１１％長さ３０Ｃ１の炭素棒に代えた、陰極
及び陽極はガスの流通方向に対して平行に、かつ、絶縁
物４表面のほぼ中央に各１対設置した。尚、補助陽極は
配設しなかった。

以下第３表に示す条件以外は実施例１〜３と同一の方法
で、１００％のＮｈガスのプラズマ放電による分解を行
なった。

その結果を第３表に示すが、実施例１〜３と同様に何れ
の条件においても、ＮＦｓガスは効率よく分解されるこ
とが分かる。尚、排ガス導出口６における排ガス中には
、陰極及び陽極に炭素棒を使用しているのでＣＦ４の存
在が認められた。

［発明の効果］ 以上詳細に説明した如く、本発明は半導体の製造時にＣ
ＶＤチャンバーのクリーニングガスやドライエツチング
ガスとして使用された、Ｎｈ含有排ガスを、放電プラズ
マを利用した装置を使用して減圧下で無害化処理すると
いう方法である。

本発明の方法によりＮＦｓ含有排ガスは効率よく無害化
され、しかも、本発明で使用する排ガス処理装置は小型
であるので、ＣＶＤチャンバーやドライエツチングチャ
ンバーの出口に上記装置を挿入して使用することができ
る。

また、ＣＶＤチャンバーやドライエツチングチャンバー
の排ガスの圧力は、本発明でＮＦｓ含有排ガスを無害化
する際の圧力の範囲内にあるので、本発明を実施するの
に特に圧力を調節する必要がないことも好都合である。

従って本発明の方法は、従来の方法である化学的に処理
して無害化する方法に比べて、装置が小型であることも
あって設備の建設費が少なく、がつ無害化処理の際の処
理費用が少なくてすむのである。また、従来の方法は真
空ポンプ以後において常圧の状態で無害化処理がなされ
るが、これに対し本発明の方法では、上記の通りＣＶＤ
チャンバー等の出口に排ガス処理装置を挿入することが
できるので、有害なＮＦ＋含有排ガスの漏洩時の安全対
策はＣＶＤチャンバー等及び本発明で使用する排ガス処
理装置まで施されてあれば、保安上も十分である。

以上のように本発明の方法は、半導体製造業界において
多大の貢献をなすものである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図は、本発明に使用する排ガス処理装置
の構成の一例を示す正面断面図であり、第１図は補助陽
極を配設しない場合の図、第３図は補助陽極を配設した
場合の図である。 第２図（イ）〜第２図（ニ）及び第４図（イ）〜第４図
（ニ）は、本発明における電極の構成例を示す断面図で
あり、第２図（イ）は第１図におけるＡ−Ａ″矢視断面
図、第４図（イ）は第１図におけるＡ−Ａ’矢視断面図
である。 第５図及び第６図（イ）、（ロ）は本発明における電極
組を直列に配置して電極組列とする電極の構成例を示す
もので、第５図は正面断面図、第６図（イ）、（ロ）は
第５図におけるＡ−Ａ’矢視断面図であり、６図（イ）
は補助陽極を配設しない場合の図、第６図（ロ）は補助
陽極を配設した場合の図である。 第７図は、閉回路磁界を採用した例を示す断面図である
。 第８図（イ）、第９図（イ）、第１０図（伯、第１１図
（イ）、第１２図（イ）、第１３図（イ）は、棒状電極
で構成した例を示す側面断面図であり、第８図（ロ）、
第９図（ロ）、第１０図（ロ）、第１Ｉ図（ロ）、第１
２図（ロ）、第１３図（ロ）は、それぞれのｌ−Ａ’矢
視断面図である。 図において、 １−一一一陰極対、　　　２−一一一陽極対、２”−一
−−補助陽極、　３−一一一磁界印加装置、４−一一一
絶縁物、　　　５−−−一排ガス導入口、６−−−−排
ガス導出口、７−−−−隔離壁、８−−−〜放電管、　
　　９−一一−ヨーク、を示す。 特許出願人　　　三井東圧化学株式会社第２図（イ） 第２図（ハ） δ 第２図（ロ） 第２図（ニ） 第４図（イ） 第４図（ロ） 第４図（ハ） 第４図（ニ） δ 第６図（ロ） 第８図（イ） 第９図（イ） 第８図（ロ） 第９図（ロ） 第１０図（イ） 第１１図 （イ） 第１０図゛（ロ） 第１１図（ロ） 第１２図（イ） 第１３図（イ） 第１２図（ロ） 第１３図（ロ）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）排ガス導入口と排ガス導出口を具備する管状容器
   内に陰極と陽極からなる少なくとも一対の電極を設けて
   構成した放電管と、該電極と接続される直流または交流
   電源と、および該放電管内に形成された排ガス流路とを
   含む排ガス放電処理装置であって、該排ガス流路とほぼ
   平行に少なくとも一対の陰極を対向させて陰極対とし、
   該陰極対により形成される空間の一端は該排ガス導入口
   と、かつ他端は該排ガス導出口と連結させられ、該空間
   内に該陰極とほぼ直角方向に少なくとも一対の陽極を該
   陰極と接触することなく対向させて設け、該陰極の対向
   方向に直流または交流磁界を形成する磁界印加装置を該
   放電管に設けた排ガス処理装置の排ガス導入口に、三弗
   化窒素含有排ガスを圧力が０．１ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏ
   ｒｒの範囲で通気させてプラズマ放電することを特徴と
   する三弗化窒素含有排ガスの処理方法。
2. （２）陰極対と陽極対により形成される空間内に、該陰
   極と接触することなく一以上の補助陽極を配設せしめた
   請求項１項に記載の排ガス処理装置を使用する三弗化窒
   素含有排ガスの処理方法。
3. （３）少なくとも一対の陰極を対向させてなる陰極対と
   少なくとも一対の陽極を対向させてなる陽極対とから電
   極組を構成し、該電極組を複数組直列に配置して電極組
   列とし、該電極組列の一端は排ガス導入口とかつ他端は
   排ガス導出口と連結させた請求項第１項に記載の排ガス
   処理装置を使用する三弗化窒素含有排ガスの処理方法。
4. （４）少なくとも一対の陰極を対向させてなる陰極対と
   少なくとも一対の陽極を対向させてなる陽極対と一以上
   の補助陽極とから電極組を構成し、該電極組を複数組直
   列に配置して電極組列とし、該電極組列の一端は排ガス
   導入口とかつ他端は排ガス導出口と連結させた請求項第
   ２項に記載の排ガス処理装置を使用する三弗化窒素含有
   排ガスの処理方法。
5. （５）直列に配置された電極組と電極組との間に各々の
   放電を遮断する隔離壁を設けた請求項第３項及び第３項
   の何れかに記載の排ガス処理装置を使用する三弗化窒素
   含有排ガスの処理方法。