JP2935440B2 - 半導体光スイッチ - Google Patents

半導体光スイッチ

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JP2935440B2 JP31128790A JP31128790A JP2935440B2 JP 2935440 B2 JP2935440 B2 JP 2935440B2 JP 31128790 A JP31128790 A JP 31128790A JP 31128790 A JP31128790 A JP 31128790A JP 2935440 B2 JP2935440 B2 JP 2935440B2
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、動作速度の速い半導体光スイッチに関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の光スイッチとしては、たとえば第8図
に示す構成のものがある。図中、1Aおよび1Bは信号光お
よび出力光を導く入出力光導波路、2はグレーティン
グ、3は制御光導波路である。
第9図(a)および(b)は、それぞれ、第8図にお
けるA−A′線およびB−B′線断面における断面図で
あり、入出力導波路1Aおよび1BはIn0.15Ga0.85As0.32
0.68によるコアで構成される。4はInPクラッド、5はI
nP基板である。グレーティング2は多重量子井戸構造を
した光非線形媒質で構成され、その内部構造は井戸層7
と障壁層8とより成る。ここで、コア1とグレーティン
グ2の光軸は一致している。井戸層7は、In0.72Ga0.28
As0.590.4Åの厚さで形成したものであり、障壁層8
は、InPを75Åの厚さで形成したものである。制御光導
波路3はクラッド4に埋込まれたIn0.15Ga0.85As0.32
0.68によるコアで構成される。制御光導波路3の構造も
A−A′線断面と同じである。第10図は第8図のC−
C′線断面での断面図である。
ここで、第8図の構成におけるスイッチング動作につ
いて説明する。グレーティング2は波長1.30μmに対応
する1次回折格子ピッチ0.20μmに一致している。した
がって、第3図におけるピッチΛは0.20μm、厚さtは
0.4μmである。グレーティング2の多量量子井戸構造
部分およびクラッド4の屈折率は、それぞれ、約3.4お
よび32となるため、グレーティング2の深さgを0.15μ
mとすると、このグレーティング2における反射結合係
数(κ)としては300cm-1が得られる。いま、グレーテ
ィング2の長さLgが50μm(第10図)とすると、最大反
射率としては約82%が得られる。
第11図に示すように、反射率が最初に0となる反射帯
域幅Δλは約50Åとなる。従って、信号光波長(λs)
を1.30μmとすると、初期状態では、グレーティング2
では反射状態となる。いま、グレーティング2に制御信
号光を当てて多重量子井戸構造部7および8の屈折率を
変化され、ブラック波長λsをΔλだけ変化させれば、
グレーティング2は反射状態から透過状態へとスイッチ
ングする。
次に、スイッチング時間について説明する。
第12図(a)は上記光スイッチ(κ=300cm-1,Lg=50
μm)の透過率−波長特性で、グレーティング2のブラ
ック波長1.30μm近傍での透過スペクトルの傾きは緩く
なっている。このような透過スペクトルをもつグレーテ
ィング2に半値幅10psの制御光パルスを制御光導波路3
から入射された場合の時間応答波形は第12図(b)のよ
うになる。この時スイッチの初期状態からの遷移は多重
量子井戸構造のバンド間遷移時間で決まるため非常に高
速である。一方、初期状態への復帰はキャリアのライフ
タイム(5ns)によって制限されるため約3nsを要する。
〔発明が解決しようとする課題〕 以上に説明した構成の光ゲートをもつ従来の光スイッ
チでは、スイッチの動作速度がキャリアのライフタイム
により制限され、高速動作に適さなかった。
加えて、従来技術では、グレーティング構造を具備し
た半導体導波路形光ゲートスイッチの高速動作を達成す
るための明確な設計指標および構造が不明であった。
そこで、本発明の目的は、この設計指標を明らかにす
るとともに、構造を改良し、以て動作速度を高速化した
半導体光スイッチを提供することにある。
本発明の他の目的は、製造が容易であり、かつ高速動
作可能な半導体光スイッチを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板と、該半導体基板上に配置され
た入出力光導波路と、該入出力光導波路の一部分に配置
され、量子井戸構造を有する半導体によるグレーティン
グと、該グレーティングの屈折率を変化させて、前記入
出力光導波路を伝搬する光の透過または反射を切り替え
制御する制御手段とを有する半導体光スイッチにおい
て、前記量子井戸構造の不純物濃度を5×1017cm-3以上
としたことを特徴とする。
ここで、前記グレーティングの結合係数を500cm-1
上とすることができる。
前記グレーティングのうち、前記入出力光導波路の軸
方向に沿う側面と、前記グレーティングおよび前記入出
力光導波路を埋め込むクラッドとの間に、前記入出力光
導波路のコア以上の深さをもつ溝を配置することもでき
る。
さらに加えて、少なくとも前記グレーティングの多重
量子井戸層にプロトンが注入されるようにしてもよい。
さらにまた、前記制御手段は前記グレーティングに制
御光を導く制御光導波路であることを特徴とする。
[作 用[ 本発明によれば、半導体光スイッチの光制御部の量子
井戸構造の不純物濃度を5×1017cm-3以上とすることに
よりキャリアライフタイムが短縮され、光スイッチの高
速動作が可能である。
本発明において、光スイッチのグレーティングの結合
係数を500cm-1以上とすることにより、スイッチングオ
フ時間をキャリアライフタイムで決まる時間に比べ、大
幅に短縮することが可能である。
さらにまた、本発明において、光スイッチの導波路の
コアあるいはクラッドにキャリアの再結合中心を形成し
たことにより、キャリアライフタイムが短縮され、光ス
イッチの高速動作が可能である。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
第1図(a),(b),(c)は本発明の第1実施例
を説明する図である。
本発明の第1実施例における光スイッチの構造は第8
図,第9図(b)および第10図に示した従来の光スイッ
チと同様であるが、グレーティング2の結合係数は以下
のように定めるものとする。
本実施例では、従来技術に比べ結合係数の大きなグレ
ーティング2をもつが、この場合の透過スペクトルの一
例を第1図(a)に示す。第1図(a)の例において、
結合係数は600cm-1、グレーティング長は50μmであ
る。このような大きな結合係数を得るためにはグレーテ
ィングの深さgを0.20μm以上にする必要がある。本実
施例では電子ビームリソグラフィーとアルゴンイオンビ
ーム技術によりg=0.2μmを実現した。第1図(a)
からわかるように、ブラッグ波長1.30μm近傍での透過
スペクトルの傾きは急峻になっている。その結果、屈折
率の変化が遅くブラック波長の初期状態への復帰に長時
間を要したとしても、グレーティングの透過率はある時
点で大きく変化することになる。
g=0.2μmのグレーティング光スイッチに半値幅10p
sの制御光パルスを照射したときの時間応答波形は第1
図(b)のようになり、スイッチングオフ時間として約
700psが得られ、高速化が実現された。
第1図(c)は、消光比10dBで得るために必要なブラ
ッグ波長のシフト量Δλと結合係数κとの関係を示して
いる。ここで、Δλが小さい程、透過スペクトルが急峻
で高速化に適していることがわかる。これにより、κの
増加に伴い、Δλは急激に小さくなり、約500cm-1を境
にΔλの減少率はゆるやかになる。この結果より、κは
500cm-1以上とすることが望ましいことがわかる。
なお、ここではグレーティング2を光によって制御す
る場合について説明したが、グレーティング2をpn接合
中に形成し、このpn接合に電界または電流を印加する制
御方法、あるいはヒーターをグレーティング2の近傍に
配置して、そのヒーターによりグレーティング2に熱を
加える制御方法を用いる場合であっても、本の作用が得
られることは同様である。
第2図は本発明の第2実施例を説明する図であって、
第9図(b)と同様の構成の光スイッチのB−B′断面
を示している。ここで、グレーティング2はキャリア濃
度2×1018cm-3の高ドープの多重量子井戸を構造をした
光非線形媒質によるグレーティングであり、第8図に示
したグレーティング2と同時に入出力光導波路1Aと1Bと
の間に配置される。このグレーティング2は多重量子井
戸構造の成長時に原料にSiを混入することにより製作し
た。多重量子井戸構造の内部構造は、井戸層7および障
壁層8ともにSiがドーピングされているほかには、第9
図(b)に示されたものと同様である。また、素子のA
−A′断面およびC−C断面ともに第9図(a)および
第10図に示されたものと同様である。
ここで、本実施例の効果について説明する。キャリア
のライフタイムとキャリア濃度との間には、第3図のよ
うな関係がある。本実施例の光スイッチにたとえば波長
1.3μmの制御光が入射した際に生成されるキャリア濃
度は、たとえば代表適な値としては、約3×1018cm-3
あるために、キャリアのライフタイムは約4nsとなる。
ここで、キャリアが生成される多重量子井戸構造部に2
×1018cm-3のキャリアがバイアスキャリアとして予め存
在する場合には、制御光注入時の合計のキャリア濃度は
5×1018cm-3となり、キャリアライフタイムは1nsに短
縮される。その結果、スイッチング時間も1ns以下に短
縮された。
従って、第3図より、バイアスキャリアが予め5×10
cm17cm-3以上のドーパント濃度で存在すれば、制御光入
射により生成されるフォトキャリアの濃度、即ち入射光
量に依らずライフタイムの短縮を図ることができる。こ
の5×1017cm-3は、この値を臨界値として、この値以上
でライフタイムが急激に減少する値である。
なお、ここでは不純物をドープする方法によってバイ
アスキャリアをグレーティング2に得る場合について説
明したが、グレーティング2をps接合中に形成し電流を
注入する方法、あるいはバイアス光を制御光および信号
光と直交する方向から注入する方法、制御光にバイアス
光を重畳させる方法についても第2実施例と同様の効果
を得ることができる。
第4図は本発明の第3実施例を示す平面図であって、
入出力光導波路1Aと1B、グレーティング2および制御光
導波路3は第2図と同様に構成される。13は、グレーテ
ィング2のうち導波路1Aおよび1Bの軸方向に沿った側面
に対向してクラッド4に形成された溝である。これらの
光導波路は、通常の半導体レーザの埋込み成長技術と同
様にして製作した。溝13は幅0.1μmでこれら光導波路
のコアの下側のクラッド4にまで達する深さをもち、臭
素リアクティブイオンビームエッチング法により製作し
た。
第5図は第4図におけるグレーティング2のB−B′
断面の構造を示しており、グレーティング2は多重量子
井戸構造をもつ光非線形媒質で構成されている。クラッ
ド4はInPクラッドであり、光導波路3はIn0.72Ga0.28A
s0.590.41のコアで構成されている。グレーティング
2の光非線形媒質の内部構造は第2図に示したものと同
一である。第4図における入出力光導波路1Aと1Bおよび
グレーティング2のA−A′断面およびC−C′断面
は、それぞれ、第9図(a)および第10図に示されたも
のと同一であり、制御光導波路3の構造も第9図(a)
に示した導波路1BのA−A′断面と同じである。
ここで、本実施例の動作について説明する。本実施例
では、導波路3のコアの端壁とグレーティング2の側壁
との間に溝13を設けることにより半導体と空気の界面が
形成されている。この界面におけるキャリアの再結合速
度は通常の100倍程度速く、しかも界面がグレーティン
グ2の光非線形媒質に接しているので、非線形媒質内の
キャリアライフタイムは約100psに短縮されている。そ
の結果、光非線形媒質に半値幅10psの制御光を入射させ
てスイッチングさせたところ、スイッチングオフ時間は
100psに短縮され、光スイッチの高速動作が実現され
た。
なお、溝13はグレーティング2の側壁の一方にのみ設
けることもできる。
第6図は本発明の第4実施例を示す断面図であって、
第2図と同様な構成の光スイッチのB−B′断面を有し
ている。ここで、17はイオン注入技術を用いてドーズ量
1014cm-2のプロトンを注入された。多重量子井戸構造を
もつ光非線形媒質によるグレーティングである。InPク
ラッド4および制御光導波路3は第2図と同様の構成で
あるが、同様に、ドーズ量1014cm-2のプロトンを注入さ
れている。多重量子井戸構造のグレーティング17の内部
構造は、井戸層18および障壁層19ともに、プロトンが注
入されていることを除けば、第2図および第9図に示さ
れたものと同様である。本実施例の素子のA−A′断面
およびC−C断面は、それぞれ、第9図および第10図に
示されたものと同様である。
本実施例では、光非線形媒質によるグレーティング
2、光非線形媒質に近接するクラッド層4および制御光
導波路3にプロトンを注入することにより、光非線形媒
質内部およびその近傍に欠陥を生じさせ、以てキャリア
の再結合速度を増加させる。その結果、キャリアのライ
フタイムは約200psに短縮され、半値幅10psの制御光を
光導波路3に入射させてスイッチングさせたところ、ス
イッチングオフ時間は200psに短縮され、光スイッチの
高速動作が実現された。
第7図は、本発明の第5実施例を示す断面図であっ
て、第5図と同様な構成の光スイッチのB−B′断面を
示している。ここで、溝13は幅0.1μmで、これら光導
波路のコアの下側のクラッド4にまで達する深さをも
ち、多重量子井戸構造をもつ光非線形媒質で構成されて
いる。クラッド4はInPクラッドであり、制御光導波路
3には、イオン注入技術を用いてドーズ量1041/cm-2
プロトンが注入されている。かかるプロトンの注入を除
けば、本実施例は第5図に示されたものと同様である。
本実施例の素子のA−A′断面およびC−C′断面は、
それぞれ、第9図および第10図に示されたものと同様で
ある。
本発明では、光非線形媒質によるグレーティング2、
それに近接するクラッド層4および制御光導波路3にプ
ロトンを注入することにより、光非線形媒質内部および
その近傍に欠陥を生じさせ、以てキャリアの再結合速度
を増加させ、さらに導波路3のコアの端壁とグレーティ
ング2の側壁との間に溝13を設けることにより、半導体
−空気界面における再結合を利用することにより、キャ
リアの再結合速度を大幅に増加させることができる。こ
の結果、本実施例では、キャリアのライフタイムは30ps
に短縮され、半値幅10psの制御光を光導波路3に入射さ
せてスイッチングを行ったところ、スイッチングオフ時
間は30psに短縮され、光スイッチのより一層の高速動作
が実現された。なお、プロトン注入部分は、少なくとも
多重量子井戸層を含めば良い。
なお、上記第4または第5実施例において、プロトン
注入部分は、少くとも多重量子井戸層を含めば良い。
以上の実施例では、光非線形媒質の屈折率を光によっ
て制御する場合について説明してきたが、本発明はこの
実施例にのみ限られるものではなく、光非線形媒質をpn
接合中に設けて電流により制御する場合についても同様
の作用効果を期待できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、光スイッチの
グレーティングの結合係数を500cm-1以上とすることに
より、スイッチングオフ時間をキャリアライフタイムで
決まる時間に比べ、大幅に短縮することが可能である。
また、本発明によれば、半導体は光スイッチの光制御
部の量子井戸構造の不純物濃度を5×1017cm-3以上とす
ることによりキャリアライフタイムが短縮され、光スイ
ッチの高速動作が可能である。
さらにまた、本発明によれば、光スイッチの導波路の
コアあるいはクラッドにキャリアの再結合中心を形成し
たことにより、キャリアライフタイムが端種され、光ス
イッチの高速動作が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はグレーティングの結合係数が大きな場合
(κ=600cm-1)の本発明光スイッチの第1実施例にお
ける透過率−波長特性を示す特性図、 第1図(b)は本発明の第1実施例における時間応答波
形を示す図、 第1図(c)はブラッグ波長のシフト量と結合係数の関
係を示す図、 第2図は本発明の第2実施例を示すB−B′断面図、 第3図はキャリア濃度とキャリアライフタイムの関係を
示す図、 第4図は本発明の第3実施例の平面図、 第5図は第4図におけるB−B′線での断面図、 第6図は本発明の第4実施例を示すB−B′断面図、 第7図は本発明の第5実施例を示すB−B′断面図、 第8図は従来の光スイッチの一例を示す斜視図、 第9図(a)および(b)は、それぞれ、第8図におけ
るA−A′線およびB−B′線での断面図、 第10図は第8図におけるC−C′線での断面図、 第11図は従来例におけるグレーティングの波長−反射率
特性図、 第12図(a)はグレーティングの結合係数の小さな場合
(κ=300cm-1)の従来例における透過率−波長特性を
示す特性図、 第12図(b)はグレーティングの結合係数の小さな場合
(κ=300cm-1)の従来例における時間応答波形を示す
図である。 1A,1B……入出力光導波路(コア)、 2……グレーティング(多重量子井戸構造をした光非線
形媒質)、 3……制御光導波路(コア)、 4……クラッド、 7……井戸層、 8……障壁層、 13……溝、 17……プロトン注入された光非線形媒質によるグレーテ
ィング、 18……井戸層、 19……障壁層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−224731(JP,A) 特開 平1−179023(JP,A) 特開 平4−114133(JP,A) 特開 平4−77714(JP,A) 電子情報通信学会春季全国大会(1989 年)講演論文集 第4分冊 pp258 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/025 G02F 1/015 505 JOIS(JICSTファイル)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板と、 該半導体基板上に配置された入出力光導波路と、 該入出力光導波路の一部分に配置され、量子井戸構造を
    有する半導体によるグレーティングと、 該グレーティングの屈折率を変化させて、前記入出力光
    導波路を伝搬する光の透過または反射を切り替え制御す
    る制御手段と を有する半導体光スイッチにおいて、 前記量子井戸構造の不純物濃度を5×1017cm-3以上とし
    たことを特徴とする半導体光スイッチ。
  2. 【請求項2】前記グレーティングの結合係数を500cm-1
    以上としたことを特徴とする請求項1に記載の半導体光
    スイッチ。
  3. 【請求項3】前記グレーティングのうち、前記入出力光
    導波路の軸方向に沿う側面と、前記グレーティングおよ
    び前記入出力光導波路を埋め込むクラッドとの間に、前
    記入出力光導波路のコア以上の深さをもつ溝を配置した
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体光ス
    イッチ。
  4. 【請求項4】少なくとも前記グレーティングの多重量子
    井戸層にプロトンが注入されたことを特徴とする請求項
    3記載の半導体光スイッチ。
  5. 【請求項5】前記制御手段は前記グレーティングに制御
    光を導く制御光導波路であることを特徴とする請求項1,
    2,3または4項に記載の半導体光スイッチ。
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JP2005266632A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Yokogawa Electric Corp 光スイッチ
JP5691033B2 (ja) * 2009-12-25 2015-04-01 学校法人慶應義塾 導波路型光ゲートスイッチ

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電子情報通信学会春季全国大会(1989年)講演論文集 第4分冊 pp258

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