JP2929770B2 - 半田の形状検査方法 - Google Patents

半田の形状検査方法

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半田の形状検査方法に係
り、電極表面の仮想直線や半田表面の仮想傾斜線を求
め、これに基いて、半田形状の良否を判断するようにし
たものである。
【0002】
【従来の技術】QFP、SOP、コンデンサチップ、抵
抗チップなどの電子部品を基板に搭載した後、電子部品
の電極を基板に接着する半田の形状検査が行われる。従
来、半田の形状検査は、作業者の目視検査により行われ
ていたが、近年は、レーザ装置を使用した形状検査が徐
々に普及してきている。
【0003】レーザ装置による半田の形状検査は、レー
ザ光を電極や半田に照射して、スキャンニング線に沿っ
た電極表面や半田表面の高さを計測し、この計測結果に
基づいて、半田形状の良否を判断するようになってい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】レーザ装置によれば、
電極表面や半田表面の形状を精密に計測することができ
る。また半田形状の良否判断を的確に行うためには、し
っかりした良否判断基準を設定せねばならない。ところ
が、半田表面の形状は様々であり、このため、半田形状
の合理的な良否判断基準は未だ確立されておらず、この
ため従来のレーザ装置による形状検査では、良否判断を
誤りやすい問題点があった。
【0005】したがって本発明は、合理的な良否判断基
準を設定して、半田の形状検査を行える方法を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極の長さ方
向にレーザ光を照射して、電極表面の仮想直線と半田表
面の仮想傾斜線を求め、この仮想直線と仮想傾斜線の交
点の高さ及びこの仮想傾斜線の傾斜角度から、半田形状
の良否を判断するようにしたものである。
【0007】
【作用】上記構成によれば、仮想直線と仮想傾斜線の交
点の高さ、及び仮想傾斜線の傾斜角度を良否判断基準と
し、これに基づいて、半田形状の良否を的確に判断でき
る。
【0008】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0009】図1は、半田の形状検査手段の斜視図であ
って、1は基板、2は基板1に搭載された電子部品、3
はその電極である。電極3は、半田4(4a〜4c)に
より、基板1上の回路パターン7に接着されている。
【0010】5はレーザ装置、6は受光部であり、電極
3の長さ方向Nに沿ってレーザ光をスキャンニングさせ
ながら照射し、その反射光を受光部6に受光することに
より、電極3表面や半田4表面の形状を計測する。
【0011】図1において、半田4aは、形状が良好な
半田である。また半田4bは過剰であって、その形状は
不良である。また半田4cは過少であって、その形状は
不良である。
【0012】図2a,b,cは、各半田4a,4b,4
cの形状計測結果を表している。図中、L1,L2,L
3は、上記レーザ装置5の計測により求められたそれぞ
れの電極表面の仮想直線である。またS1,S2,S3
は、同様にして求められたそれぞれの半田4a,4b,
4c表面の仮想傾斜線である。このような仮想直線Lや
仮想傾斜線Sは、複数ポイントの高さを結ぶ線を求める
ことにより、簡単に求められる。
【0013】また、図中、Q1,Q2,Q3は各々の仮
想直線L1,L2,L3と仮想傾斜線S1,S2,S3
の交点、θ1,θ2,θ3は仮想傾斜線S1,S2,S
3のの垂直面に対する傾斜角度である。
【0014】本方法は、交点Qの上限高さHmaxと、
下限高さHminを予め設定し、求められた交点Q1,
Q2,Q3の高さHx(H1,H2,H3)が、上限高
さHmaxと下限高さHminの間にあって、Hmin
<Hx<Hmaxであれば、良品と判断する。また傾斜
角度θx(θ1,θ2,θ3)が下限角度θminより
も大きく、θx>θminであれば、良品と判断する。
【0015】上記本方法は、様々な形状を有する電極表
面や半田表面の形状を、仮想直線Lや仮想傾斜線Sとし
て単純化し、その交点Qの高さHxや仮想傾斜線Sの傾
斜角度θxの大きさから、半田形状の良否を判断するも
のであり、本発明者の実験によれば、きわめて信頼性の
高い良否判断結果を得ることができた。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電極の長
さ方向にレーザ光を照射して、電極表面の仮想直線と半
田表面の仮想傾斜線を検出し、この仮想直線と仮想傾斜
線の交点の高さ及びこの仮想傾斜線の傾斜角度から、半
田形状の良否を判断するようにしているので、様々な形
状を有する半田の形状検査を行うための合理的な良否判
断基準を設定し、きわめて信頼性の高い半田の形状検査
を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半田の形状検査手段の斜視図
【図2】本発明に係る計測中の側面図
【符号の説明】
1 基板 2 電子部品 3 電極 4 半田 L 仮想直線 S 仮想傾斜線 Q 交点 Hx 交点の高さ θx 仮想傾斜線の傾斜角度

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子部品の電極を基板に接着する半田の形
    状検査方法であって、電極の長さ方向にレーザ光を照射
    して、電極表面の仮想直線と半田表面の仮想傾斜線を求
    め、この仮想直線と仮想傾斜線の交点の高さ及びこの仮
    想傾斜線の傾斜角度から、半田形状の良否を判断するよ
    うにしたことを特徴とする半田の形状検査方法。
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