JP2929243B2 - 感光磁性体およびその製造方法 - Google Patents
感光磁性体およびその製造方法Info
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- JP2929243B2 JP2929243B2 JP3096074A JP9607491A JP2929243B2 JP 2929243 B2 JP2929243 B2 JP 2929243B2 JP 3096074 A JP3096074 A JP 3096074A JP 9607491 A JP9607491 A JP 9607491A JP 2929243 B2 JP2929243 B2 JP 2929243B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光などの放射線が照射
されたことにより透磁率が変化する感光磁性体およびそ
の製造方法に関するものである。
されたことにより透磁率が変化する感光磁性体およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来において、光などの放射線が照射さ
れたことにより透磁率が変化する感光磁性体として、種
々のものが知られている。
れたことにより透磁率が変化する感光磁性体として、種
々のものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の感光磁
性体は、感度が悪いという問題がある。本発明の課題
は、感度が良い感光磁性体およびその製造方法を提供す
ることにある。
性体は、感度が悪いという問題がある。本発明の課題
は、感度が良い感光磁性体およびその製造方法を提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，軟磁性
フェライト粉末５０〜９０重量％とバインダ５０〜１０
重量％との混合物からなるフェライト膜と，このフェラ
イト膜の一面に放射線を吸収する物質からなる放射線吸
収物質膜とから実質的になる感光磁性体であって，放射
線の照度に応じて当該感光磁性体の透磁率が変化するこ
とを利用したことを特徴することを特徴とする感光磁性
体が得られる。
フェライト粉末５０〜９０重量％とバインダ５０〜１０
重量％との混合物からなるフェライト膜と，このフェラ
イト膜の一面に放射線を吸収する物質からなる放射線吸
収物質膜とから実質的になる感光磁性体であって，放射
線の照度に応じて当該感光磁性体の透磁率が変化するこ
とを利用したことを特徴することを特徴とする感光磁性
体が得られる。
【０００５】また，本発明によれば，放射線の照度に応
じて透磁率が変化することを利用した感光磁性体を製造
する方法であって，軟磁性フェライト粉末５０〜９０重
量％とペ−スト状のバインダ５０〜１０重量％との混合
物を基板に塗布した後に，これを乾燥してフェライト膜
を作り，次にこのフェライト膜の一面に液状またはペ−
スト状の放射線吸収物質を塗布して放射線吸収物質膜を
形成することを特徴とする感光磁性体の製造方法が得ら
れる。
じて透磁率が変化することを利用した感光磁性体を製造
する方法であって，軟磁性フェライト粉末５０〜９０重
量％とペ−スト状のバインダ５０〜１０重量％との混合
物を基板に塗布した後に，これを乾燥してフェライト膜
を作り，次にこのフェライト膜の一面に液状またはペ−
スト状の放射線吸収物質を塗布して放射線吸収物質膜を
形成することを特徴とする感光磁性体の製造方法が得ら
れる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例を詳細に説明する。本
発明の感光磁性体は、図１に示すように、軟磁性フェラ
イト粉末５０〜９０重量％とバインダ５０〜１０重量％
との混合物からなるフェライト膜Ａと、このフェライト
膜Ａの一面に放射線を吸収する物質からなる放射線吸収
物質膜Ｂとからなることを特徴とする。また、本発明の
感光磁性体の製造方法は、軟磁性フェライト粉末５０〜
９０重量％とペースト状のバインダ５０〜１０重量％と
の混合物を基板Ｃに塗布した後に、これを３０分〜数時
間乾燥してフェライト膜Ａを作り、次にこのフェライト
膜Ａの一面に液状またはペースト状の放射線吸収物質を
塗布して放射線吸収物質膜Ｂを形成することを特徴とす
る。
発明の感光磁性体は、図１に示すように、軟磁性フェラ
イト粉末５０〜９０重量％とバインダ５０〜１０重量％
との混合物からなるフェライト膜Ａと、このフェライト
膜Ａの一面に放射線を吸収する物質からなる放射線吸収
物質膜Ｂとからなることを特徴とする。また、本発明の
感光磁性体の製造方法は、軟磁性フェライト粉末５０〜
９０重量％とペースト状のバインダ５０〜１０重量％と
の混合物を基板Ｃに塗布した後に、これを３０分〜数時
間乾燥してフェライト膜Ａを作り、次にこのフェライト
膜Ａの一面に液状またはペースト状の放射線吸収物質を
塗布して放射線吸収物質膜Ｂを形成することを特徴とす
る。
【０００７】次に、本発明の特性および効果を確認する
ための実験例を説明する。図２に示す感光磁性体の試料
１〜８を作った。これらの試料１〜８は、フェライト膜
Ａの厚さを６０μｍとし、このフェライト膜Ａを厚さが
０．８mmである合成樹脂からなる基板Ｃに形成してな
り、かつ、放射線吸収物質膜Ｂの厚さを７μｍとした。
ための実験例を説明する。図２に示す感光磁性体の試料
１〜８を作った。これらの試料１〜８は、フェライト膜
Ａの厚さを６０μｍとし、このフェライト膜Ａを厚さが
０．８mmである合成樹脂からなる基板Ｃに形成してな
り、かつ、放射線吸収物質膜Ｂの厚さを７μｍとした。
【０００８】図１に示すように、試料１〜８を磁界発生
器１００により発生される磁界に配置し、周囲温度が２
０℃である環境において試料１〜３に照射する光の照度
を変えることにより感光磁性体の透磁率が変化すること
を磁気ヘッド１０１で検出してこれを磁気電圧変換器１
０２により出力電圧に変換して出力電圧の変化量を求め
る実験をしたところ、図３の直線で示すような結果が得
られた。
器１００により発生される磁界に配置し、周囲温度が２
０℃である環境において試料１〜３に照射する光の照度
を変えることにより感光磁性体の透磁率が変化すること
を磁気ヘッド１０１で検出してこれを磁気電圧変換器１
０２により出力電圧に変換して出力電圧の変化量を求め
る実験をしたところ、図３の直線で示すような結果が得
られた。
【０００９】次に、試料１，２，３について、周囲温度
および照度を変化させた場合のおける出力電圧の変化を
求めたところ、図４に示す結果が得られた。また、試料
２，４について周囲温度および照度を変化させた場合に
おける出力電圧の変化を求めたところ、図５および図６
に示す結果が得られた。さらにまた、試料２，４，５，
６，７，８について周囲温度を２０℃とし、かつ、照度
を変化させた場合における出力電圧の変化量を求めたと
ころ、図７，図８に示す結果が得られた。これらの図７
および図８に示すように、フェライト粉末のキュリ−温
度Ｔｃを変えると感光磁性体の特性が変化する。
および照度を変化させた場合のおける出力電圧の変化を
求めたところ、図４に示す結果が得られた。また、試料
２，４について周囲温度および照度を変化させた場合に
おける出力電圧の変化を求めたところ、図５および図６
に示す結果が得られた。さらにまた、試料２，４，５，
６，７，８について周囲温度を２０℃とし、かつ、照度
を変化させた場合における出力電圧の変化量を求めたと
ころ、図７，図８に示す結果が得られた。これらの図７
および図８に示すように、フェライト粉末のキュリ−温
度Ｔｃを変えると感光磁性体の特性が変化する。
【００１０】感光磁性体のフェライト膜Ａにおける軟磁
性フェライト粉末は、５０重量％以下では感度が悪くな
り、かつ、９０重量％以上となると基板Ｃとの接着力が
弱くなる。また、感光磁性体のフェライト膜Ａにおける
バインダとしては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、
酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂
またはセルロース系樹脂などの樹脂が用いられる。ま
た、感光磁性体のフェライト膜Ａの厚さは、２０〜１０
０μｍであることが望ましい。感光磁性体のフェライト
膜Ａの厚さが１００μｍ以上であると光を照射したとき
の応答速度が遅く、かつ、感光磁性体のフェライト膜Ａ
の厚さが２０μｍ以下であると検出電圧が低くなり過ぎ
る。放射線吸収物質膜Ｂの厚さは、５〜１０μｍである
ことが望ましい。放射線吸収物質膜Ｂの厚さが５μｍ以
下であると感光磁性体の感度が悪くなり、かつ、放射線
吸収物質膜Ｂの厚さが１０μｍ以上であると感光磁性体
の熱応答性が遅くなる。
性フェライト粉末は、５０重量％以下では感度が悪くな
り、かつ、９０重量％以上となると基板Ｃとの接着力が
弱くなる。また、感光磁性体のフェライト膜Ａにおける
バインダとしては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、
酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂
またはセルロース系樹脂などの樹脂が用いられる。ま
た、感光磁性体のフェライト膜Ａの厚さは、２０〜１０
０μｍであることが望ましい。感光磁性体のフェライト
膜Ａの厚さが１００μｍ以上であると光を照射したとき
の応答速度が遅く、かつ、感光磁性体のフェライト膜Ａ
の厚さが２０μｍ以下であると検出電圧が低くなり過ぎ
る。放射線吸収物質膜Ｂの厚さは、５〜１０μｍである
ことが望ましい。放射線吸収物質膜Ｂの厚さが５μｍ以
下であると感光磁性体の感度が悪くなり、かつ、放射線
吸収物質膜Ｂの厚さが１０μｍ以上であると感光磁性体
の熱応答性が遅くなる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、感度が良い感光磁性体
およびその製造方法が得られる。
およびその製造方法が得られる。
【図１】本発明の感光磁性体の実施例および比較例の試
料を用いた実験をするための装置を示す正面図である。
料を用いた実験をするための装置を示す正面図である。
【図２】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験に用いる試料を説明するための説明図であ
る。
るための実験に用いる試料を説明するための説明図であ
る。
【図３】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
【図４】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
【図５】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
【図６】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
【図７】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
【図８】本発明の感光磁性体の特性および効果を確認す
るための実験の結果を説明するための特性図である。
るための実験の結果を説明するための特性図である。
Ａ フェライト膜 Ｂ 放射線吸収物質膜 Ｃ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−1149（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−113534（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−66045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−302415（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 軟磁性フェライト粉末５０〜９０重量％
とバインダ５０〜１０重量％との混合物からなるフェラ
イト膜と，このフェライト膜の一面に放射線を吸収する
物質からなる放射線吸収物質膜とから実質的になる感光
磁性体であって，放射線の照度に応じて当該感光磁性体
の透磁率が変化することを利用したことを特徴すること
を特徴とする感光磁性体。 - 【請求項２】 放射線の照度に応じて透磁率が変化する
ことを利用した感光磁性体を製造する方法であって，軟
磁性フェライト粉末５０〜９０重量％とペ−スト状のバ
インダ５０〜１０重量％との混合物を基板に塗布した後
に，これを乾燥してフェライト膜を作り，次にこのフェ
ライト膜の一面に液状またはペ−スト状の放射線吸収物
質を塗布して放射線吸収物質膜を形成することを特徴と
する感光磁性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3096074A JP2929243B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 感光磁性体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3096074A JP2929243B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 感光磁性体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306806A JPH04306806A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2929243B2 true JP2929243B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=14155260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3096074A Expired - Fee Related JP2929243B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 感光磁性体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2929243B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59113534A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS621149A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP3096074A patent/JP2929243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04306806A (ja) | 1992-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |
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