JP2924544B2 - 光学的情報記録用媒体 - Google Patents
光学的情報記録用媒体Info
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- JP2924544B2 JP2924544B2 JP5054094A JP5409493A JP2924544B2 JP 2924544 B2 JP2924544 B2 JP 2924544B2 JP 5054094 A JP5054094 A JP 5054094A JP 5409493 A JP5409493 A JP 5409493A JP 2924544 B2 JP2924544 B2 JP 2924544B2
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- Japan
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- recording
- film
- layer
- substrate
- recording medium
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光などの照射に
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関する。
より、高速かつ高密度に情報を記録、消去、再生可能な
光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大、記録再生の高密度
化、高速化の要求にこたえる記録媒体として、レーザー
光線を利用した光ディスクが開発されている。光ディス
クには、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が
何度でも可能な書換え型がある。
化、高速化の要求にこたえる記録媒体として、レーザー
光線を利用した光ディスクが開発されている。光ディス
クには、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が
何度でも可能な書換え型がある。
【０００３】書換え型光ディスクとしては、光磁気効果
を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化
を利用した相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は、外
部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、さらに、消去と再記録
を単一ビームで同時に行う、１ビームオーバーライトが
可能であるという利点を有する。
を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化
を利用した相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は、外
部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、さらに、消去と再記録
を単一ビームで同時に行う、１ビームオーバーライトが
可能であるという利点を有する。
【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金
薄膜等が挙げられる。
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金
薄膜等が挙げられる。
【０００５】なお、書換え型とほとんど同じ材料・層構
成により、追記型の相変化媒体も実現できる。この場
合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情報を
記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が可能
である。追記型として相変化媒体を用いた場合、孔あけ
型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がりが生
じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空隙が
不要なため、エアーサンドイッチ構造にする必要がない
という利点がある。
成により、追記型の相変化媒体も実現できる。この場
合、可逆性が無いという点でより長期にわたって情報を
記録・保存でき、原理的にはほぼ半永久的な保存が可能
である。追記型として相変化媒体を用いた場合、孔あけ
型と異なりビット周辺にリムと呼ばれる盛り上がりが生
じないため信号品質に優れ、また、記録層上部に空隙が
不要なため、エアーサンドイッチ構造にする必要がない
という利点がある。
【０００６】一般に、書換え型の相変化記録媒体では、
相異なる結晶状態を実現するために、２つの異なるレー
ザー光パワーを用いる。この方式を、非晶質ビットと結
晶化された消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例
にとって説明する。結晶化は、通常は記録層の結晶化温
度より十分高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱
することによってなされる。
相異なる結晶状態を実現するために、２つの異なるレー
ザー光パワーを用いる。この方式を、非晶質ビットと結
晶化された消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例
にとって説明する。結晶化は、通常は記録層の結晶化温
度より十分高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱
することによってなされる。
【０００７】この場合、冷却速度は結晶化が十分なされ
る程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだり、
ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
一方、非晶質化は記録層を融点より高い温度まで加熱
し、急冷することによって行う。この場合、上記誘電体
層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るための放熱層
としての機能も有する。
る程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟んだり、
ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。
一方、非晶質化は記録層を融点より高い温度まで加熱
し、急冷することによって行う。この場合、上記誘電体
層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るための放熱層
としての機能も有する。
【０００８】さらに、上述のような、加熱・冷却過程に
おける記録層の溶融・体積変化に伴う変形や、プラスチ
ック基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録
層の劣化を防止する機能、レーザー光の干渉を利用しコ
ントラストを高める機能等が重要である。誘電体保護層
の材質は、レーザー光に対して光学的に透明で、適当な
屈折率を有すること、融点・軟化点・分解温度が高いこ
と、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有するこ
となどの観点から選定される。このようにして選定され
た誘電体保護層を用いることにより相変化光ディスクの
特性、特に記録、消去の繰り返しによる劣化の問題につ
いては大きく向上した。
おける記録層の溶融・体積変化に伴う変形や、プラスチ
ック基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録
層の劣化を防止する機能、レーザー光の干渉を利用しコ
ントラストを高める機能等が重要である。誘電体保護層
の材質は、レーザー光に対して光学的に透明で、適当な
屈折率を有すること、融点・軟化点・分解温度が高いこ
と、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有するこ
となどの観点から選定される。このようにして選定され
た誘電体保護層を用いることにより相変化光ディスクの
特性、特に記録、消去の繰り返しによる劣化の問題につ
いては大きく向上した。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電体
保護層材質の改善による繰り返し特性の向上には限界が
あることが分かった。すなわち、記録、消去の繰り返し
により記録層中に含まれるガス等が凝集しボイドとな
り、特性に影響を与えるという問題のあることが明らか
になってきた。
保護層材質の改善による繰り返し特性の向上には限界が
あることが分かった。すなわち、記録、消去の繰り返し
により記録層中に含まれるガス等が凝集しボイドとな
り、特性に影響を与えるという問題のあることが明らか
になってきた。
【００１０】記録層をＡｒガスを用いたスパッタリング
法で作製する場合には、膜中に取り込まれたＡｒが、記
録、消去の繰り返しで記録層の原子が移動を繰り返すう
ちに、凝集して記録層と保護層の間にボイドを発生する
ことがＳＥＭにより観察される。このボイドによると思
われる反射率低下等のため、Ｃ／Ｎ等の特性も劣化す
る。記録層中のガス等が原因となっている特性劣化の問
題については、保護層の材質を変化させても解決は望め
ない。
法で作製する場合には、膜中に取り込まれたＡｒが、記
録、消去の繰り返しで記録層の原子が移動を繰り返すう
ちに、凝集して記録層と保護層の間にボイドを発生する
ことがＳＥＭにより観察される。このボイドによると思
われる反射率低下等のため、Ｃ／Ｎ等の特性も劣化す
る。記録層中のガス等が原因となっている特性劣化の問
題については、保護層の材質を変化させても解決は望め
ない。
【００１１】Ａｒガスを用いたスパッタリング法におい
ては、低圧でスパッタをした場合は高圧でスパッタした
場合よりも膜中のＡｒガス量が多くなる。膜中Ａｒガス
を少なくするためには、高圧でスパッタすることが好ま
しい。一方、記録、消去の繰り返しによる劣化は記録膜
の物質移動によっても起こることが知られている。高圧
で膜を作製した場合は密度が小さい空隙の多い膜となる
ので、記録、消去の繰り返しで記録膜の物質移動が起こ
りやすくなる。
ては、低圧でスパッタをした場合は高圧でスパッタした
場合よりも膜中のＡｒガス量が多くなる。膜中Ａｒガス
を少なくするためには、高圧でスパッタすることが好ま
しい。一方、記録、消去の繰り返しによる劣化は記録膜
の物質移動によっても起こることが知られている。高圧
で膜を作製した場合は密度が小さい空隙の多い膜となる
ので、記録、消去の繰り返しで記録膜の物質移動が起こ
りやすくなる。
【００１２】本発明者らは、記録膜について種々の作製
条件を検討し、記録、消去の繰り返しによる特性の劣化
が少ないディスクの作製が可能であることを見いだし本
発明に到達した。
条件を検討し、記録、消去の繰り返しによる特性の劣化
が少ないディスクの作製が可能であることを見いだし本
発明に到達した。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体保護
層、反射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体に
おいて、相転移型光記録層中に含まれるＡｒ量が０．１
ａｔ．％（原子％）以上、１．５ａｔ．％未満であるこ
とを特徴とする光学的情報記録用媒体である。
くとも誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体保護
層、反射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体に
おいて、相転移型光記録層中に含まれるＡｒ量が０．１
ａｔ．％（原子％）以上、１．５ａｔ．％未満であるこ
とを特徴とする光学的情報記録用媒体である。
【００１４】膜中Ａｒ量が上記の範囲よりも多いと、書
き込み、消去の繰り返しによりＡｒが凝集しボイドとな
り特性が劣化する。このボイドは、記録、消去の繰り返
しが１０4回程度から観察され、繰り返し回数が増える
にしたがい、より大きなボイドとなっていく。ボイドが
大きくなるにともない、再生信号の反射率低下やノイズ
の上昇が起きる。さらに高温高湿環境試験では、ボイド
の発生した部分は発生していない部分よりも早く結晶化
する。ボイドが結晶核となり、結晶化を促進しているこ
とも考えられる。
き込み、消去の繰り返しによりＡｒが凝集しボイドとな
り特性が劣化する。このボイドは、記録、消去の繰り返
しが１０4回程度から観察され、繰り返し回数が増える
にしたがい、より大きなボイドとなっていく。ボイドが
大きくなるにともない、再生信号の反射率低下やノイズ
の上昇が起きる。さらに高温高湿環境試験では、ボイド
の発生した部分は発生していない部分よりも早く結晶化
する。ボイドが結晶核となり、結晶化を促進しているこ
とも考えられる。
【００１５】膜中Ａｒ量は、スパッタ時の圧力、投入電
力、ターゲットと基板との距離等で変化させることがで
きると考えられる。スパッタ時の圧力については、圧力
が低いほどＡｒ量は多くなる。したがって、スパッタ圧
力でＡｒ量を変化させる場合、Ａｒ量を少なくするには
スパッタ圧力をある程度高くする必要がある。一方、膜
中Ａｒ量が上記の範囲よりも少ないと、膜の密度は小さ
く、空隙の多い膜となる。空隙の多い膜は、記録、消去
の繰り返しにおいて、劣化しやすいことは容易に推測で
きる。
力、ターゲットと基板との距離等で変化させることがで
きると考えられる。スパッタ時の圧力については、圧力
が低いほどＡｒ量は多くなる。したがって、スパッタ圧
力でＡｒ量を変化させる場合、Ａｒ量を少なくするには
スパッタ圧力をある程度高くする必要がある。一方、膜
中Ａｒ量が上記の範囲よりも少ないと、膜の密度は小さ
く、空隙の多い膜となる。空隙の多い膜は、記録、消去
の繰り返しにおいて、劣化しやすいことは容易に推測で
きる。
【００１６】相変化光ディスクでは、繰り返し書き込
み、消去による劣化は記録膜の物質移動が一つの原因と
なっていることがよく知られているからである。したが
ってＡｒ含有量には適当な範囲が存在することになる。
記録層中に含まれるＡｒ量を０．１ａｔ．％以上、１．
５ａｔ．％未満とすることにより、繰り返し記録、消去
に対し充分な耐久性を有する光学的情報記録用媒体の提
供が可能となるが、０．１５ａｔ．％以上、０．８０ａ
ｔ．％以下がより好ましい。
み、消去による劣化は記録膜の物質移動が一つの原因と
なっていることがよく知られているからである。したが
ってＡｒ含有量には適当な範囲が存在することになる。
記録層中に含まれるＡｒ量を０．１ａｔ．％以上、１．
５ａｔ．％未満とすることにより、繰り返し記録、消去
に対し充分な耐久性を有する光学的情報記録用媒体の提
供が可能となるが、０．１５ａｔ．％以上、０．８０ａ
ｔ．％以下がより好ましい。
【００１７】記録層密度は、使用する組成で異なるが、
たとえばＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜の場合は４．５ｇ／
ｃｍ3以上が好ましい。なお、膜中Ａｒ量がスパッタ圧
力等と関係するのは、ターゲットに入射したＡｒイオン
が中和され、はねかえり、基板側の膜をたたくときのエ
ネルギーが圧力等と関係しているためであると考えられ
る。
たとえばＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜の場合は４．５ｇ／
ｃｍ3以上が好ましい。なお、膜中Ａｒ量がスパッタ圧
力等と関係するのは、ターゲットに入射したＡｒイオン
が中和され、はねかえり、基板側の膜をたたくときのエ
ネルギーが圧力等と関係しているためであると考えられ
る。
【００１８】基板に入射するＡｒ粒子のエネルギーを大
きくすれば膜中Ａｒ量は多くなる。すなわちＡｒ量を多
くするには、たとえばスパッタ圧力を低くする、ターゲ
ット、基板間の距離を小さくする、投入電力を大きくす
る等の方法が考えられる。本発明における記録媒体の基
板としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化
性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよい。
きくすれば膜中Ａｒ量は多くなる。すなわちＡｒ量を多
くするには、たとえばスパッタ圧力を低くする、ターゲ
ット、基板間の距離を小さくする、投入電力を大きくす
る等の方法が考えられる。本発明における記録媒体の基
板としては、ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化
性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよい。
【００１９】基板、記録層を保護するため誘電体保護層
を設ける必要があるが、誘電体保護層として耐熱性に優
れ、基板の熱的変形防止効果があり、基板との密着性の
強いものを用いれば、現在光ディスク用基板として一般
的に使用されているポリカーボネート樹脂基板を使用す
ることが可能である。誘電体保護層の厚みは、１００か
ら５０００Åの範囲であることが望ましい。一般に誘電
体保護層の厚みが１００Å未満であると、基板や記録膜
の変形防止効果が不十分である。
を設ける必要があるが、誘電体保護層として耐熱性に優
れ、基板の熱的変形防止効果があり、基板との密着性の
強いものを用いれば、現在光ディスク用基板として一般
的に使用されているポリカーボネート樹脂基板を使用す
ることが可能である。誘電体保護層の厚みは、１００か
ら５０００Åの範囲であることが望ましい。一般に誘電
体保護層の厚みが１００Å未満であると、基板や記録膜
の変形防止効果が不十分である。
【００２０】一方、プラスチック基板を用いた場合、５
０００Åを越えると、誘電体保護層自体の内部応力や基
板との弾性特性の差が顕著になって、クラックが発生し
やすくなる。保護効果を高めるためには硬い膜が好まし
く、たとえばヌープ硬度は５００以上がよい。内部応力
は硬度等と相関があり、硬度が大きくなると圧縮応力も
大きくなる傾向にある。しかし、内部応力が大きすぎる
と、クラックや剥がれが生じ易いため、誘電体保護膜の
内部応力は２．０ｄｙｎ×１０9／ｃｍ2以上５．０×１
０9／ｃｍ2であることが好ましい。さらに、誘電体保護
層の密度はバルクの値の９０％以上が好ましい。誘電体
保護層には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒
化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることがで
きる。
０００Åを越えると、誘電体保護層自体の内部応力や基
板との弾性特性の差が顕著になって、クラックが発生し
やすくなる。保護効果を高めるためには硬い膜が好まし
く、たとえばヌープ硬度は５００以上がよい。内部応力
は硬度等と相関があり、硬度が大きくなると圧縮応力も
大きくなる傾向にある。しかし、内部応力が大きすぎる
と、クラックや剥がれが生じ易いため、誘電体保護膜の
内部応力は２．０ｄｙｎ×１０9／ｃｍ2以上５．０×１
０9／ｃｍ2であることが好ましい。さらに、誘電体保護
層の密度はバルクの値の９０％以上が好ましい。誘電体
保護層には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒
化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることがで
きる。
【００２１】これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。特に、酸化タンタル、窒化シリコン、
酸化ケイ素、硫化亜鉛やこれらの混合物が好ましい。
物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率
等の制御のために組成を制御したり、混合して用いるこ
とも有効である。特に、酸化タンタル、窒化シリコン、
酸化ケイ素、硫化亜鉛やこれらの混合物が好ましい。
【００２２】相変化光記録層はＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳ
ｂＴｅ系等が用いられ、結晶化速度、非晶質化のしやす
さ、結晶粒径、保存安定性等の改善のためＳｎ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えてもよい。
その厚みは一般的に１００Åから１０００Åの範囲に選
ばれる。
ｂＴｅ系等が用いられ、結晶化速度、非晶質化のしやす
さ、結晶粒径、保存安定性等の改善のためＳｎ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を加えてもよい。
その厚みは一般的に１００Åから１０００Åの範囲に選
ばれる。
【００２３】記録層の厚みが１００Åより薄いと十分な
コントラストが得にくく、得られたとしても膜厚依存性
が大きいので実用的でない。一方１０００Åを越すとク
ラックが生じ易くなる。記録層は、誘電体保護層で挟ん
で基板上に設け、さらに反射層、紫外線硬化樹脂層等を
設けることが必要である。反射層は、ＡｌおよびＡｌ合
金、Ａｕ、Ａｇ等の、物質を用いることが好ましく、そ
の厚みは５００Åから２０００Åの範囲が好ましい。
コントラストが得にくく、得られたとしても膜厚依存性
が大きいので実用的でない。一方１０００Åを越すとク
ラックが生じ易くなる。記録層は、誘電体保護層で挟ん
で基板上に設け、さらに反射層、紫外線硬化樹脂層等を
設けることが必要である。反射層は、ＡｌおよびＡｌ合
金、Ａｕ、Ａｇ等の、物質を用いることが好ましく、そ
の厚みは５００Åから２０００Åの範囲が好ましい。
【００２４】記録層、保護層、反射層はスパッタリング
法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保護
膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲッ
トを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で
膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ま
しい。また、生産性の面からもすぐれている。
法などによって形成される。記録膜用ターゲット、保護
膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲッ
トを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で
膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ま
しい。また、生産性の面からもすぐれている。
【００２５】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上にＴａ2Ｏ5保護膜１１００
Å、Ｇｅ22Ｓｂ22Ｔｅ 56記録膜２００Å、（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20（ａｔ．％、以下同じ）保護膜２００
Å、Ａｌ合金反射膜２０００Åをそれぞれスパッタリン
グ法により順に形成した。Ｔａ2Ｏ5保護膜は、Ｔａター
ゲットをＡｒとＯ2混合ガス圧０.２８Ｐａ、電流１．３
ＡでＤＣ反応性スパッタリングすることにより作製し
た。
る。 実施例１ ポリカーボネート樹脂基板上にＴａ2Ｏ5保護膜１１００
Å、Ｇｅ22Ｓｂ22Ｔｅ 56記録膜２００Å、（ＺｎＳ）80
（ＳｉＯ2）20（ａｔ．％、以下同じ）保護膜２００
Å、Ａｌ合金反射膜２０００Åをそれぞれスパッタリン
グ法により順に形成した。Ｔａ2Ｏ5保護膜は、Ｔａター
ゲットをＡｒとＯ2混合ガス圧０.２８Ｐａ、電流１．３
ＡでＤＣ反応性スパッタリングすることにより作製し
た。
【００２６】記録膜は、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流
０．８ＡでＤＣマグネトロンスパッタリングすることに
より作製した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護膜は、
Ａｒガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００ＷでＲＦスパ
ッタリングすることにより作製した。反射膜はＡｒガス
圧０．５５Ｐａ、電流１．３ＡでＤＣスパッタリングす
ることにより作製した。さらに反射層の上部に紫外線硬
化樹脂層を設けた。
０．８ＡでＤＣマグネトロンスパッタリングすることに
より作製した。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護膜は、
Ａｒガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００ＷでＲＦスパ
ッタリングすることにより作製した。反射膜はＡｒガス
圧０．５５Ｐａ、電流１．３ＡでＤＣスパッタリングす
ることにより作製した。さらに反射層の上部に紫外線硬
化樹脂層を設けた。
【００２７】Ｔａ2Ｏ5の密度は７．９ｇ／ｃｍ3、ヌー
プ硬度は６６０、圧縮応力は３．７×１０9ｄｙｎ／ｃ
ｍ2であった。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の密度は３．
６ｇ／ｃｍ3、ヌープ硬度は４３０、圧縮応力は１．５
×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2であった。上記のように作製した
ディスクの記録層はアモルファス状態であるので、Ａｒ
レーザーで結晶化させ初期化を行なった後、波長８３０
ｎｍ、ＮＡ０．５０のレーザーピックアップを用いた評
価装置でディスクの動特性を評価した。
プ硬度は６６０、圧縮応力は３．７×１０9ｄｙｎ／ｃ
ｍ2であった。（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の密度は３．
６ｇ／ｃｍ3、ヌープ硬度は４３０、圧縮応力は１．５
×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2であった。上記のように作製した
ディスクの記録層はアモルファス状態であるので、Ａｒ
レーザーで結晶化させ初期化を行なった後、波長８３０
ｎｍ、ＮＡ０．５０のレーザーピックアップを用いた評
価装置でディスクの動特性を評価した。
【００２８】線速度１０ｍ／ｓでディスクを回転させ、
記録パワー２０Ｗ、消去パワー１０ｍＷで４ＭＨｚ、ｄ
ｕｔｙ５０％の信号を１０回および５０００００回オー
バーライトしたときのＣ／Ｎを測定したところ、それぞ
れ５６．１ｄＢ、４６．０ｄＢであった。次に、ポリカ
ーボネート基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と
同じ成膜条件で６０００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ
線分析でＡｒの含有量を測定したところ０．８０ａｔ．
％であった。
記録パワー２０Ｗ、消去パワー１０ｍＷで４ＭＨｚ、ｄ
ｕｔｙ５０％の信号を１０回および５０００００回オー
バーライトしたときのＣ／Ｎを測定したところ、それぞ
れ５６．１ｄＢ、４６．０ｄＢであった。次に、ポリカ
ーボネート基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と
同じ成膜条件で６０００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ
線分析でＡｒの含有量を測定したところ０．８０ａｔ．
％であった。
【００２９】なおＡｒの絶対量と蛍光Ｘ線分析とはＬＥ
ＣＯ社製のＡｒ計（不活性ガス加熱抽出−熱伝導度測
定）を用いて対応付けを行ない、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの絶
対量はＩＣＰ分析と対応付けを行なうことにより求め
た。次に、ガラス基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を
上記と同じ成膜条件で６０００Å設け、成膜前後の重量
変化から膜の密度を測定したところ、５．５６ｇ／ｃｍ
3であった。
ＣＯ社製のＡｒ計（不活性ガス加熱抽出−熱伝導度測
定）を用いて対応付けを行ない、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの絶
対量はＩＣＰ分析と対応付けを行なうことにより求め
た。次に、ガラス基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を
上記と同じ成膜条件で６０００Å設け、成膜前後の重量
変化から膜の密度を測定したところ、５．５６ｇ／ｃｍ
3であった。
【００３０】実施例２ 記録層を、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、電流０．８ＡでＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により作製したこと以外
は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー２
０ｍＷ、消去パワー９ｍＷで実施例１と同様の動特性評
価をおこなったところ、１０回および５０００００回オ
ーバーライトしたときのＣ／Ｎはそれぞれ５４．６ｄ
Ｂ、４８．２ｄＢであった。次に、ポリカーボネート基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で５３００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒ
の含有量を測定したところ０．４２ａｔ．％であった。
次に、ガラス基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記
と同じ成膜条件で５３００Å設け、成膜前後の重量変化
から膜の密度を測定したところ、５．４０ｇ／ｃｍ3で
あった。
マグネトロンスパッタリング法により作製したこと以外
は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー２
０ｍＷ、消去パワー９ｍＷで実施例１と同様の動特性評
価をおこなったところ、１０回および５０００００回オ
ーバーライトしたときのＣ／Ｎはそれぞれ５４．６ｄ
Ｂ、４８．２ｄＢであった。次に、ポリカーボネート基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で５３００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒ
の含有量を測定したところ０．４２ａｔ．％であった。
次に、ガラス基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記
と同じ成膜条件で５３００Å設け、成膜前後の重量変化
から膜の密度を測定したところ、５．４０ｇ／ｃｍ3で
あった。
【００３１】実施例３ 記録層を、Ａｒガス圧１．０Ｐａ、電流０．８ＡでＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により作製したこと以外
は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー２
０ｍＷ、消去パワー１１ｍＷで実施例１と同様の動特性
評価をおこなったところ、１０回および５０００００回
オーバーライトしたときのＣ／Ｎはそれぞれ５３．９ｄ
Ｂ、４２．８ｄＢであった。
マグネトロンスパッタリング法により作製したこと以外
は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー２
０ｍＷ、消去パワー１１ｍＷで実施例１と同様の動特性
評価をおこなったところ、１０回および５０００００回
オーバーライトしたときのＣ／Ｎはそれぞれ５３．９ｄ
Ｂ、４２．８ｄＢであった。
【００３２】次に、ポリカーボネート基板上にＧｅ22Ｓ
ｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で４５００Å設
け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定
したところ０．１５ａｔ．％であった。次に、ガラス基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で４５００Å設け、成膜前後の重量変化から膜の密度を
測定したところ、４．９１ｇ／ｃｍ3であった。
ｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で４５００Å設
け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定
したところ０．１５ａｔ．％であった。次に、ガラス基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で４５００Å設け、成膜前後の重量変化から膜の密度を
測定したところ、４．９１ｇ／ｃｍ3であった。
【００３３】比較例１ 記録層を、Ａｒガス圧０．０９Ｐａ、電流０．８ＡでＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法により作製したこと以
外は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー
２０ｍＷ、消去パワー１１ｍＷで実施例１と同様の動特
性評価をおこなったところ、１０回オーバーライトした
ときのＣ／Ｎは５６．０ｄＢであったが５０００００回
オーバーライト後のＣ／Ｎは４０．１ｄＢまで低下し
た。
Ｃマグネトロンスパッタリング法により作製したこと以
外は実施例１と同様にディスクを作製した。記録パワー
２０ｍＷ、消去パワー１１ｍＷで実施例１と同様の動特
性評価をおこなったところ、１０回オーバーライトした
ときのＣ／Ｎは５６．０ｄＢであったが５０００００回
オーバーライト後のＣ／Ｎは４０．１ｄＢまで低下し
た。
【００３４】次に、ポリカーボネート基板上にＧｅ22Ｓ
ｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で６３００Å設
け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定
したところ１．５２ａｔ．％であった。次に、ガラス基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で６３００Å設け、成膜前後の重量変化から膜の密度を
測定したところ、５．５６ｇ／ｃｍ3であった。
ｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で６３００Å設
け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定
したところ１．５２ａｔ．％であった。次に、ガラス基
板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件
で６３００Å設け、成膜前後の重量変化から膜の密度を
測定したところ、５．５６ｇ／ｃｍ3であった。
【００３５】比較例２ 記録層を、Ａｒガス圧１．５０Ｐａ、電流０．８ＡでＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法により作製したこと以
外は実施例１と同様にディスクを作製した。
Ｃマグネトロンスパッタリング法により作製したこと以
外は実施例１と同様にディスクを作製した。
【００３６】記録パワー１８ｍＷ、消去パワー８ｍＷで
実施例１と同様の動特性評価をおこなったところ、１０
回オーバーライトしたときのＣ／Ｎは５３．１ｄＢであ
ったが５０００００回オーバーライト後は劣化が激し
く、測定はできなかった。次に、ポリカーボネート基板
上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で
４０００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの
含有量を測定したところ０．０８ａｔ．％であった。
実施例１と同様の動特性評価をおこなったところ、１０
回オーバーライトしたときのＣ／Ｎは５３．１ｄＢであ
ったが５０００００回オーバーライト後は劣化が激し
く、測定はできなかった。次に、ポリカーボネート基板
上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56記録膜を上記と同じ成膜条件で
４０００Å設け、Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの
含有量を測定したところ０．０８ａｔ．％であった。
【００３７】次に、ガラス基板上にＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56
記録膜を上記と同じ成膜条件で４０００Å設け、成膜前
後の重量変化から膜の密度を測定したところ、４．４１
ｇ／ｃｍ3であった。
記録膜を上記と同じ成膜条件で４０００Å設け、成膜前
後の重量変化から膜の密度を測定したところ、４．４１
ｇ／ｃｍ3であった。
【００３８】
【発明の効果】記録層中に含まれるＡｒ量を０．１ａ
ｔ．％以上、１．５ａｔ．％未満とすることにより、繰
り返し記録、消去に対し充分な耐久性を有する光学的情
報記録用媒体の提供が可能となった。
ｔ．％以上、１．５ａｔ．％未満とすることにより、繰
り返し記録、消去に対し充分な耐久性を有する光学的情
報記録用媒体の提供が可能となった。
フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀実 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−154241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−176185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−17229（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−171290（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−206587（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−119884（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−119885（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−333275（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相転
移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順次積層してな
る光学的情報記録用媒体において、相転移型光記録層中
に含まれるＡｒ量が０．１ａｔ．％以上、１．５ａｔ．
％未満であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。 - 【請求項２】 相転移型光記録層中に含まれるＡｒ量が
０．１５ａｔ．％以上、０．８０ａｔ．％以下であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒
体。 - 【請求項３】 相転移型光記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅか
らなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学的
情報記録用媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054094A JP2924544B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光学的情報記録用媒体 |
| US08/468,320 US5637434A (en) | 1992-12-21 | 1995-06-06 | Method for producing toner for electrostatic development |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054094A JP2924544B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光学的情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06262855A JPH06262855A (ja) | 1994-09-20 |
| JP2924544B2 true JP2924544B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=12961042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054094A Expired - Lifetime JP2924544B2 (ja) | 1992-12-21 | 1993-03-15 | 光学的情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924544B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154241A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録用媒体 |
| JPS63176185A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録材料 |
| JPS6417229A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Nippon Telegraph & Telephone | Optical recording medium and its production |
| JPH02171290A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JP2887322B2 (ja) * | 1989-02-03 | 1999-04-26 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH04119885A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| JPH04119884A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| JP3214210B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2001-10-02 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054094A patent/JP2924544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06262855A (ja) | 1994-09-20 |
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