JP2918782B2 - 光学素子修復方法 - Google Patents
光学素子修復方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各光学素子が高度に研
磨した基板上の多層干渉被覆を有するＸ線リソグラフィ
カメラのようなＸ線用の反射光学システムに関する。特
に、本発明は、多層被覆が損傷のためまたは仕様に従わ
ないために拒絶される場合にこのようなシステムを修理
する方法に関する。
磨した基板上の多層干渉被覆を有するＸ線リソグラフィ
カメラのようなＸ線用の反射光学システムに関する。特
に、本発明は、多層被覆が損傷のためまたは仕様に従わ
ないために拒絶される場合にこのようなシステムを修理
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）は一般的に、パ
ターン形成されたマスクを通過した光でホトレジストを
１回または数回露光することを含むステップの列によっ
て製造される。光の回折は、この種の露光によって形成
可能な細部の精細さが制限され、その結果、単一の基板
上に製造可能なデバイスの密度は、一部は露光波長の選
択によって制限される。デバイス密度を上げるため、Ｉ
Ｃ製造の現場では、紫外線やＸ線のような非常に短波長
の電磁波で特殊なレジストを露光することを含む技術の
開発が始まっている。
ターン形成されたマスクを通過した光でホトレジストを
１回または数回露光することを含むステップの列によっ
て製造される。光の回折は、この種の露光によって形成
可能な細部の精細さが制限され、その結果、単一の基板
上に製造可能なデバイスの密度は、一部は露光波長の選
択によって制限される。デバイス密度を上げるため、Ｉ
Ｃ製造の現場では、紫外線やＸ線のような非常に短波長
の電磁波で特殊なレジストを露光することを含む技術の
開発が始まっている。
【０００３】実際、Ｘ線リソグラフィ分野の実務者は、
多層被覆光学素子の修理の問題に対処してきている。例
えば、ディ．ピー．ゲインズ(D. P. Gaines)他、「高性
能多層被覆の修理」、SPIE Vol. 1547 Multilayer Opti
cs for Advanced X-Ray Applications、（１９９１年）
第２２８〜２３８ページ、には２つの修理方法が記載さ
れている。第１の方法は、欠陥多層被覆上に新たな多層
被覆を重ねて被覆する方法であり、第２の方法は、下部
解放層をエッチングすることによって欠陥多層被覆全体
をはぎ取る方法である。これら２つの方法のうち、はぎ
取る方法のほうが一般に有用であるが、それは、重ねて
被覆するのはある種の欠陥を直さないためである。こう
した欠陥には、表面粗さの増大、要求された形からのミ
ラーのずれ、および、剥離や亀裂のような微視的欠陥が
含まれる。このような場合、古い多層被覆をはぎ取り置
換しなければならない。しかし、下部解放層の使用にも
問題があることがある。それは、この技術による多層被
覆の除去に要する時間は、表面積が増大するごとに急激
に増大するためである。
多層被覆光学素子の修理の問題に対処してきている。例
えば、ディ．ピー．ゲインズ(D. P. Gaines)他、「高性
能多層被覆の修理」、SPIE Vol. 1547 Multilayer Opti
cs for Advanced X-Ray Applications、（１９９１年）
第２２８〜２３８ページ、には２つの修理方法が記載さ
れている。第１の方法は、欠陥多層被覆上に新たな多層
被覆を重ねて被覆する方法であり、第２の方法は、下部
解放層をエッチングすることによって欠陥多層被覆全体
をはぎ取る方法である。これら２つの方法のうち、はぎ
取る方法のほうが一般に有用であるが、それは、重ねて
被覆するのはある種の欠陥を直さないためである。こう
した欠陥には、表面粗さの増大、要求された形からのミ
ラーのずれ、および、剥離や亀裂のような微視的欠陥が
含まれる。このような場合、古い多層被覆をはぎ取り置
換しなければならない。しかし、下部解放層の使用にも
問題があることがある。それは、この技術による多層被
覆の除去に要する時間は、表面積が増大するごとに急激
に増大するためである。
【０００４】上記のように、前掲論文のはぎ取り法は、
反射多層被覆を堆積する前に解放層を基板上に堆積する
ことを要求する。この点に関して有用であるためには、
解放層は均一であること、その後の多層の堆積のために
きわめて平滑な表面を有すること、および、基板には比
較的無害なエッチング溶液中で一般的にエッチング可能
であることが必要である。（通常のエッチング時間で許
容量を超えて基板が粗くならない場合にエッチング剤は
比較的無害であるという。）ゲインズ他の前掲論文に
は、アルミニウム解放層の使用が報告されている。アル
ミニウムを選択した理由は、その論文によれば、均一に
堆積可能であり、シリコンを主成分とする基板の表面仕
上げに測定可能な損傷を与えることなく、例えば塩酸と
硫酸銅（ＩＩ）の溶液でエッチング可能であることであ
る。しかし、アルミニウム解放層は上部多層による垂直
入射Ｘ線のピーク反射率を大幅に減少させることが分か
っている。この原因は、２．５μｍ以下の空間波長の表
面粗さに帰せられている。
反射多層被覆を堆積する前に解放層を基板上に堆積する
ことを要求する。この点に関して有用であるためには、
解放層は均一であること、その後の多層の堆積のために
きわめて平滑な表面を有すること、および、基板には比
較的無害なエッチング溶液中で一般的にエッチング可能
であることが必要である。（通常のエッチング時間で許
容量を超えて基板が粗くならない場合にエッチング剤は
比較的無害であるという。）ゲインズ他の前掲論文に
は、アルミニウム解放層の使用が報告されている。アル
ミニウムを選択した理由は、その論文によれば、均一に
堆積可能であり、シリコンを主成分とする基板の表面仕
上げに測定可能な損傷を与えることなく、例えば塩酸と
硫酸銅（ＩＩ）の溶液でエッチング可能であることであ
る。しかし、アルミニウム解放層は上部多層による垂直
入射Ｘ線のピーク反射率を大幅に減少させることが分か
っている。この原因は、２．５μｍ以下の空間波長の表
面粗さに帰せられている。
【０００５】現在、任意の材料が、光学素子を修理する
実用的な方法を提供するのに完全に十分なほど解放層の
すべての条件を満たす保証はない。さらに、解放層の使
用に関わるもう１つの問題点は、上記のように、多層被
覆を除去する工程に比較的時間がかかることである。こ
れは、解放層を攻撃するために、エッチング剤はまず多
層被覆を貫通しなければならないことによる。多層被覆
はエッチング剤に、溶けるとしても一般にゆっくりと溶
解するため、多層被覆は、解放層の溶解を遅延させ、さ
らには阻止することが可能な有効なエッチング障壁とし
てはたらく。
実用的な方法を提供するのに完全に十分なほど解放層の
すべての条件を満たす保証はない。さらに、解放層の使
用に関わるもう１つの問題点は、上記のように、多層被
覆を除去する工程に比較的時間がかかることである。こ
れは、解放層を攻撃するために、エッチング剤はまず多
層被覆を貫通しなければならないことによる。多層被覆
はエッチング剤に、溶けるとしても一般にゆっくりと溶
解するため、多層被覆は、解放層の溶解を遅延させ、さ
らには阻止することが可能な有効なエッチング障壁とし
てはたらく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】多層被覆を除去するも
う１つの方法は、多層被覆を直接エッチングすることで
ある。しかし、この方法は、少なくとも３つの異なる材
料が関係するため、困難に遭遇している。すなわち、直
接エッチング工程は、基板を攻撃することを避けるよう
に十分な選択性を維持しつつ、多層被覆の２つの成分
（例えば、金属成分およびシリコン成分）を除去しなけ
ればならない。一般に、１工程で２つの成分を除去する
ことが可能なエッチング剤は、基板の損傷が避けられる
ほど十分な選択性を有しないことが分かっている。これ
によって、多くの、交互のステップで多層被覆を除去す
ることが必要になるが、これは比較的時間がかかるため
好ましくない。このように、これまでこの分野の実務者
は、多層被覆を直接エッチング除去する実用的な方法を
実現することができなかった。
う１つの方法は、多層被覆を直接エッチングすることで
ある。しかし、この方法は、少なくとも３つの異なる材
料が関係するため、困難に遭遇している。すなわち、直
接エッチング工程は、基板を攻撃することを避けるよう
に十分な選択性を維持しつつ、多層被覆の２つの成分
（例えば、金属成分およびシリコン成分）を除去しなけ
ればならない。一般に、１工程で２つの成分を除去する
ことが可能なエッチング剤は、基板の損傷が避けられる
ほど十分な選択性を有しないことが分かっている。これ
によって、多くの、交互のステップで多層被覆を除去す
ることが必要になるが、これは比較的時間がかかるため
好ましくない。このように、これまでこの分野の実務者
は、多層被覆を直接エッチング除去する実用的な方法を
実現することができなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】われわれは、Ｘ線光学素
子のような光学素子から多層被覆を除去するために多層
被覆を直接エッチングする実用的な方法を発見した。す
なわち、本発明は、光学システムを修理する方法として
一般的に記述される。光学システムには少なくとも１つ
の光学素子が含まれ、この光学素子は、主表面を有する
基板と、主表面上の多層被覆からなる。多層被覆に対応
して、主波長におけるピーク反射率がある。基板は第１
の材料からなり、多層被覆は、第２の材料および少なく
とも１つの第３の材料の層を交互に有する。図５を参照
すれば、本発明の方法は、光学システムから光学素子を
取り出すステップ（図のステップＡ）と、基板から多層
被覆を除去するステップ（ＢまたはＥ）と、基板上に新
たな多層被覆を再堆積するステップ（Ｉ）とからなる。
従来の技術とは異なり、古い多層被覆は単一のエッチン
グステップで除去されるが、新たな多層被覆の反射率は
古い多層被覆の示していた最高反射率の少なくとも８０
％になるまで主表面の品質は保存される。
子のような光学素子から多層被覆を除去するために多層
被覆を直接エッチングする実用的な方法を発見した。す
なわち、本発明は、光学システムを修理する方法として
一般的に記述される。光学システムには少なくとも１つ
の光学素子が含まれ、この光学素子は、主表面を有する
基板と、主表面上の多層被覆からなる。多層被覆に対応
して、主波長におけるピーク反射率がある。基板は第１
の材料からなり、多層被覆は、第２の材料および少なく
とも１つの第３の材料の層を交互に有する。図５を参照
すれば、本発明の方法は、光学システムから光学素子を
取り出すステップ（図のステップＡ）と、基板から多層
被覆を除去するステップ（ＢまたはＥ）と、基板上に新
たな多層被覆を再堆積するステップ（Ｉ）とからなる。
従来の技術とは異なり、古い多層被覆は単一のエッチン
グステップで除去されるが、新たな多層被覆の反射率は
古い多層被覆の示していた最高反射率の少なくとも８０
％になるまで主表面の品質は保存される。
【０００８】われわれはさらに、フェリシアン化カリウ
ムと水酸化アルカリからなる水性エッチング溶液が、下
部クロム層を攻撃することによってイリジウム層を除去
するのに有効であることを発見した。すなわち、本発明
は、光学素子が、主表面を有する基板と、主表面上のク
ロム層と、クロム層上の第１のイリジウム層とからな
る、上記のような種類の光学システムを修理する方法に
関するものである。本発明の方法は、光学システムから
基板を取り出すステップと、基板から第１イリジウム層
を除去するステップと、基板上に第２のイリジウム被覆
を形成するステップとからなる。イリジウム層は、フェ
リシアン化カリウムと水酸化ナトリウムとからなる水溶
液にイリジウム層およびクロム層を暴露することによっ
て除去され、クロム層はほぼ溶解する。
ムと水酸化アルカリからなる水性エッチング溶液が、下
部クロム層を攻撃することによってイリジウム層を除去
するのに有効であることを発見した。すなわち、本発明
は、光学素子が、主表面を有する基板と、主表面上のク
ロム層と、クロム層上の第１のイリジウム層とからな
る、上記のような種類の光学システムを修理する方法に
関するものである。本発明の方法は、光学システムから
基板を取り出すステップと、基板から第１イリジウム層
を除去するステップと、基板上に第２のイリジウム被覆
を形成するステップとからなる。イリジウム層は、フェ
リシアン化カリウムと水酸化ナトリウムとからなる水溶
液にイリジウム層およびクロム層を暴露することによっ
て除去され、クロム層はほぼ溶解する。
【０００９】
【実施例】図１を参照すると、光学素子用の基板１０
は、必要な正確さおよび滑らかさで、与えられた表面形
状に研磨することができる材料でできていなければなら
ない。少なくとも直径１０ｃｍのＸ線ミラーに対する一
般的な投影条件が、エヌ．エム．セグリオ(N. M. Cegli
o)他「軟Ｘ線投影リソグラフィシステムの設計」、OSA
Proceedings on Soft-X-Ray Projection Lithography
（１９９１年）第１２巻、ジェー．ボーカー(J. Bokor)
編、米国光学会（１９９１年）第５〜１０ページ、に記
載されている。これらの条件によれば、全形状誤差はミ
ラーあたり１０Å未満、表面粗さは適当な範囲の空間周
波数にわたって２Å（ｒｍｓ）未満である。さらに、基
板材料は、Ｘ線投影システム内の光学素子の動作温度範
囲（一般に約２０℃〜３０℃）にわたって熱膨張係数が
非常に低くなければならない。現在好ましい基板材料の
１つはＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）である。これは、シ
リカを主成分とするガラスセラミック（他の酸化物を多
量にドープしている）であり、ドイツ国マインツのショ
ット・グラスヴェルケ(Schott Glaswerke)から入手可能
である。この材料の断片は、０℃〜５０℃の温度範囲に
わたり、±０．０２×１０-6／Ｋという小さい誤差で熱
膨張係数０．０とすることが可能である。これに代わる
基板材料としては、コーニングからＵＬＥTM（コーニン
グ・コード７９７１）として販売されている超低膨張ガ
ラスがある。このガラスは、火炎加水分解によって製造
され、シリカ９２．５％およびチタン７．５％から構成
される。
は、必要な正確さおよび滑らかさで、与えられた表面形
状に研磨することができる材料でできていなければなら
ない。少なくとも直径１０ｃｍのＸ線ミラーに対する一
般的な投影条件が、エヌ．エム．セグリオ(N. M. Cegli
o)他「軟Ｘ線投影リソグラフィシステムの設計」、OSA
Proceedings on Soft-X-Ray Projection Lithography
（１９９１年）第１２巻、ジェー．ボーカー(J. Bokor)
編、米国光学会（１９９１年）第５〜１０ページ、に記
載されている。これらの条件によれば、全形状誤差はミ
ラーあたり１０Å未満、表面粗さは適当な範囲の空間周
波数にわたって２Å（ｒｍｓ）未満である。さらに、基
板材料は、Ｘ線投影システム内の光学素子の動作温度範
囲（一般に約２０℃〜３０℃）にわたって熱膨張係数が
非常に低くなければならない。現在好ましい基板材料の
１つはＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）である。これは、シ
リカを主成分とするガラスセラミック（他の酸化物を多
量にドープしている）であり、ドイツ国マインツのショ
ット・グラスヴェルケ(Schott Glaswerke)から入手可能
である。この材料の断片は、０℃〜５０℃の温度範囲に
わたり、±０．０２×１０-6／Ｋという小さい誤差で熱
膨張係数０．０とすることが可能である。これに代わる
基板材料としては、コーニングからＵＬＥTM（コーニン
グ・コード７９７１）として販売されている超低膨張ガ
ラスがある。このガラスは、火炎加水分解によって製造
され、シリカ９２．５％およびチタン７．５％から構成
される。
【００１０】われわれがこれまでに達成した最高の反射
率の多層被覆は、モリブデン層２０とアモルファスシリ
コン層３０を交互に堆積することによって製造されてい
る。堆積方法は、ディ．エル．ウィント(D. L. Windt)
他「金属／Ｓｉ−Ｘ線多層構造の界面欠陥」、O. S. A.
Proc. on Soft-X-Ray Projection Lithography、第１
２巻（１９９１年）第８２〜８６ページ、に記載されて
いる。この方法は、アルゴンによるＤＣマグネトロンス
パッタリングに関するものであり、アルゴンの気圧は約
０．２７Ｐａ（２ｍＴｏｒｒ）が好ましい。これに関し
て注意すべきことであるが、中間組成の薄層４０がシリ
コン層とモリブデン（または他の金属）層の間に形成さ
れる傾向がある。この中間層は、多段階選択的エッチン
グによる多層被覆の従来の除去方法に対するもう１つの
障害である。すなわち、この中間層は、シリコンに対す
る選択的エッチング剤によるエッチングと、モリブデン
（または他の金属）に対する選択的エッチング剤による
エッチングの両方に抵抗する傾向がある。例えば、エチ
レンジアミンピロカテコールは１１０℃で直ちにシリコ
ンをエッチングするが、モリブデン層や中間層には作用
しない。
率の多層被覆は、モリブデン層２０とアモルファスシリ
コン層３０を交互に堆積することによって製造されてい
る。堆積方法は、ディ．エル．ウィント(D. L. Windt)
他「金属／Ｓｉ−Ｘ線多層構造の界面欠陥」、O. S. A.
Proc. on Soft-X-Ray Projection Lithography、第１
２巻（１９９１年）第８２〜８６ページ、に記載されて
いる。この方法は、アルゴンによるＤＣマグネトロンス
パッタリングに関するものであり、アルゴンの気圧は約
０．２７Ｐａ（２ｍＴｏｒｒ）が好ましい。これに関し
て注意すべきことであるが、中間組成の薄層４０がシリ
コン層とモリブデン（または他の金属）層の間に形成さ
れる傾向がある。この中間層は、多段階選択的エッチン
グによる多層被覆の従来の除去方法に対するもう１つの
障害である。すなわち、この中間層は、シリコンに対す
る選択的エッチング剤によるエッチングと、モリブデン
（または他の金属）に対する選択的エッチング剤による
エッチングの両方に抵抗する傾向がある。例えば、エチ
レンジアミンピロカテコールは１１０℃で直ちにシリコ
ンをエッチングするが、モリブデン層や中間層には作用
しない。
【００１１】われわれは、あるエッチング剤が、シリカ
を主成分とするガラス基板にはよりゆっくりと作用する
が、多層被覆のシリコン層およびモリブデン層を単一エ
ッチングステップ（図５のステップＥ）ですべて除去す
ることを発見した。このエッチング剤は、エッチング分
野の実務者には「モリブデンエッチング剤ＴＦＭ型」と
して知られ、米国マサチューセッツ州ロウリーのトラン
セン社(Transene Co.,Inc.)によって販売されており、
ティ．エー．シャンコフ(T. A. Shankoff)他「穏やかな
緩衝塩基性エッチング溶液を使用した高分解能タングス
テンパターン形成」、J. Electrochem. Soc.: Solid-St
ate Science and Technology、第１２２巻（１９７５
年）第２９４〜２９８ページに記載された組成と類似し
ている。このエッチング剤は、フェリシアン化カリウム
の塩基性水溶液である。標準的な組成は、０．８８モル
のフェリシアン化カリウムと１．０モルの水酸化ナトリ
ウムである。この組成に対する添加物も使用可能であ
る。例えば、界面活性剤を含めることにより均一なエッ
チングが容易になる。水酸化ナトリウムに代わる水酸化
アルカリも同様に有効である。
を主成分とするガラス基板にはよりゆっくりと作用する
が、多層被覆のシリコン層およびモリブデン層を単一エ
ッチングステップ（図５のステップＥ）ですべて除去す
ることを発見した。このエッチング剤は、エッチング分
野の実務者には「モリブデンエッチング剤ＴＦＭ型」と
して知られ、米国マサチューセッツ州ロウリーのトラン
セン社(Transene Co.,Inc.)によって販売されており、
ティ．エー．シャンコフ(T. A. Shankoff)他「穏やかな
緩衝塩基性エッチング溶液を使用した高分解能タングス
テンパターン形成」、J. Electrochem. Soc.: Solid-St
ate Science and Technology、第１２２巻（１９７５
年）第２９４〜２９８ページに記載された組成と類似し
ている。このエッチング剤は、フェリシアン化カリウム
の塩基性水溶液である。標準的な組成は、０．８８モル
のフェリシアン化カリウムと１．０モルの水酸化ナトリ
ウムである。この組成に対する添加物も使用可能であ
る。例えば、界面活性剤を含めることにより均一なエッ
チングが容易になる。水酸化ナトリウムに代わる水酸化
アルカリも同様に有効である。
【００１２】このエッチング剤は、今までは、シリコン
に対する有効なエッチング剤としては知られていなかっ
た。実際、室温付近で従来のように使用しても、シリコ
ンは、エッチングされるとしても、モリブデンがエッチ
ングされるよりずっとゆっくりとしかエッチングされな
い。しかし、われわれは、このエッチング剤を約６０℃
に加熱すると、シリコン−モリブデン多層膜を直ちに除
去することを発見した。
に対する有効なエッチング剤としては知られていなかっ
た。実際、室温付近で従来のように使用しても、シリコ
ンは、エッチングされるとしても、モリブデンがエッチ
ングされるよりずっとゆっくりとしかエッチングされな
い。しかし、われわれは、このエッチング剤を約６０℃
に加熱すると、シリコン−モリブデン多層膜を直ちに除
去することを発見した。
【００１３】例１ われわれは、２つの異なる供給者、すなわち、ジェネラ
ル・オプティクス社(General Optics Corporation)およ
びトロペル社(Tropel Corporation)から、ＵＬＥTMガラ
スの研磨されたサンプルを取得した。これらの供給者
は、ガラスサンプル上に異なる表面仕上げをしたものと
考える。これらのサンプルを、シリコン−モリブデン多
層被覆によって直接（すなわち、中間障壁層なしで）被
覆した。この多層被覆は、１３０〜１４５Åの範囲の波
長でピーク反射率を示した。
ル・オプティクス社(General Optics Corporation)およ
びトロペル社(Tropel Corporation)から、ＵＬＥTMガラ
スの研磨されたサンプルを取得した。これらの供給者
は、ガラスサンプル上に異なる表面仕上げをしたものと
考える。これらのサンプルを、シリコン−モリブデン多
層被覆によって直接（すなわち、中間障壁層なしで）被
覆した。この多層被覆は、１３０〜１４５Åの範囲の波
長でピーク反射率を示した。
【００１４】もとのトロペル社製ＵＬＥ多層被覆は約５
２％というピーク反射率を示した。この多層被覆を、Ｔ
ＦＭ型エッチング剤中で６０℃で３０分間エッチングす
ることによって除去し、新たな多層被覆を堆積した。こ
の新たな多層被覆は、４２％〜４５％というピーク反射
率を示した。
２％というピーク反射率を示した。この多層被覆を、Ｔ
ＦＭ型エッチング剤中で６０℃で３０分間エッチングす
ることによって除去し、新たな多層被覆を堆積した。こ
の新たな多層被覆は、４２％〜４５％というピーク反射
率を示した。
【００１５】もとのジェネラル・オプティクス社製ＵＬ
Ｅ多層被覆は６３％〜６４％というピーク反射率を示し
た。この被覆を、ＴＦＭ型エッチング剤中で６０℃で
１．２５時間除去し、新たな被覆を堆積した。この新た
な被覆は６３％というピーク反射率を示した。この新た
な被覆を有する基板を再び４．２５時間除去し、第３の
多層被覆を形成した。この第３の被覆は５８％という反
射率を示した。
Ｅ多層被覆は６３％〜６４％というピーク反射率を示し
た。この被覆を、ＴＦＭ型エッチング剤中で６０℃で
１．２５時間除去し、新たな被覆を堆積した。この新た
な被覆は６３％というピーク反射率を示した。この新た
な被覆を有する基板を再び４．２５時間除去し、第３の
多層被覆を形成した。この第３の被覆は５８％という反
射率を示した。
【００１６】ジェネラル・オプティクス社によって提供
された基板上の各置換多層被覆はもとの被覆の反射率の
８０％以上を示した。しかし、観測したいずれの場合に
おいても、新たな多層被覆は、実際には、前の多層被覆
よりもやや低い反射率であった。この変化の原因は、エ
ッチングによる基板の表面粗さの増大に帰せられる。前
記のように、基板の特定の表面仕上げが、最初の反射率
と、除去および再被覆後の反射率の変化の程度との両方
に影響している。
された基板上の各置換多層被覆はもとの被覆の反射率の
８０％以上を示した。しかし、観測したいずれの場合に
おいても、新たな多層被覆は、実際には、前の多層被覆
よりもやや低い反射率であった。この変化の原因は、エ
ッチングによる基板の表面粗さの増大に帰せられる。前
記のように、基板の特定の表面仕上げが、最初の反射率
と、除去および再被覆後の反射率の変化の程度との両方
に影響している。
【００１７】ＴＦＭ型エッチング剤では、エッチング剤
温度は約６０℃が好ましい。その理由は、これによっ
て、約１時間で多層被覆が除去されるためである。約５
０℃まで温度を下げても除去は可能であるが、エッチン
グはよりゆっくりと行われることになる。ＴＦＭ型エッ
チング剤は、室温では、モリブデン−シリコン層間材料
をエッチングしない。約８０℃ほどの高温でもエッチン
グは可能である。しかし、できるだけ高温から基板を保
護することか好ましい。すなわち、非常に低い熱膨張係
数を有する基板材料は一般に注意深くバランスされた相
の混合物からなる。この材料の熱循環は、このバランス
を変化させ、熱膨張係数を増大させる可能性がある。こ
のような変化は、材料の融点（すなわちガラス点）を大
きく上回るような熱循環過程によって引き起こされる。
例えば、ＺＥＲＯＤＵＲの熱膨張係数は、１３０℃以上
に温度を循環させることによって変化することがある。
このため、エッチング剤温度を１３０℃以下（例えば、
約１００℃以下）に保持することが好ましいことが多
く、さらに、実際にはできるだけ室温に接近させて保持
することが好ましい。
温度は約６０℃が好ましい。その理由は、これによっ
て、約１時間で多層被覆が除去されるためである。約５
０℃まで温度を下げても除去は可能であるが、エッチン
グはよりゆっくりと行われることになる。ＴＦＭ型エッ
チング剤は、室温では、モリブデン−シリコン層間材料
をエッチングしない。約８０℃ほどの高温でもエッチン
グは可能である。しかし、できるだけ高温から基板を保
護することか好ましい。すなわち、非常に低い熱膨張係
数を有する基板材料は一般に注意深くバランスされた相
の混合物からなる。この材料の熱循環は、このバランス
を変化させ、熱膨張係数を増大させる可能性がある。こ
のような変化は、材料の融点（すなわちガラス点）を大
きく上回るような熱循環過程によって引き起こされる。
例えば、ＺＥＲＯＤＵＲの熱膨張係数は、１３０℃以上
に温度を循環させることによって変化することがある。
このため、エッチング剤温度を１３０℃以下（例えば、
約１００℃以下）に保持することが好ましいことが多
く、さらに、実際にはできるだけ室温に接近させて保持
することが好ましい。
【００１８】われわれの実験的試験では、浸漬によって
エッチング剤を作用させた。しかし、蒸気暴露や、回転
する基板上にエッチング剤を噴霧する方法のような他の
作用方法も、常に新しいエッチング剤に均一に暴露する
ことを容易にするので、有効であると考える。この点に
関して、攪拌によってエッチング速度が増大することを
われわれは観測したことを注意しておく。
エッチング剤を作用させた。しかし、蒸気暴露や、回転
する基板上にエッチング剤を噴霧する方法のような他の
作用方法も、常に新しいエッチング剤に均一に暴露する
ことを容易にするので、有効であると考える。この点に
関して、攪拌によってエッチング速度が増大することを
われわれは観測したことを注意しておく。
【００１９】図２を参照して、基板表面にほとんど損傷
を与えずに単一ステップで多層被覆を除去する第２の方
法を説明する。この第２の方法は、材料のもう１つの層
５０（「障壁層」と呼ぶ）を基板と多層被覆６０の中間
に形成することを含む。障壁層は、例えば、基板の主表
面上に直接堆積し、続いて多層被覆を障壁層上に直接堆
積することが可能である。多層被覆は単一ステップでエ
ッチング除去される。障壁層の存在によって、１ステッ
プエッチング剤に対する制約が緩和される。すなわち、
従来の解放層とは異なり、障壁層の材料（すなわち、
「障壁材料」）は、エッチング剤に対して比較的抵抗性
であるように選択される。その結果、基板はエッチング
剤から保護され、エッチング剤は、上記のような意味で
基板に対して無害である必要はない。
を与えずに単一ステップで多層被覆を除去する第２の方
法を説明する。この第２の方法は、材料のもう１つの層
５０（「障壁層」と呼ぶ）を基板と多層被覆６０の中間
に形成することを含む。障壁層は、例えば、基板の主表
面上に直接堆積し、続いて多層被覆を障壁層上に直接堆
積することが可能である。多層被覆は単一ステップでエ
ッチング除去される。障壁層の存在によって、１ステッ
プエッチング剤に対する制約が緩和される。すなわち、
従来の解放層とは異なり、障壁層の材料（すなわち、
「障壁材料」）は、エッチング剤に対して比較的抵抗性
であるように選択される。その結果、基板はエッチング
剤から保護され、エッチング剤は、上記のような意味で
基板に対して無害である必要はない。
【００２０】エッチング剤は、基板の温度循環を避ける
ために室温で使用可能なものであることが望ましい。硝
酸とフッ化水素酸の混合物（ＨＦ−ＨＮＯ3）は、シリ
コンと、モリブデンのような金属成分と、それらの間の
層間領域に形成される中間成分とを除去する室温エッチ
ング剤の周知のクラスを構成する。このようなエッチン
グ剤は、二酸化ケイ素にも作用し、従って現在考えてい
る基板材料のうちの少なくとも一部に対しては有害であ
る。（硝酸中のＨＦの濃度が低い場合（すなわち、約１
体積％以下ではあるが、少なくとも約０．０５体積
％）、室温で、二酸化ケイ素は、モリブデン−シリコン
多層よりも約３０倍遅くエッチングされることをわれわ
れは発見した。ＨＦ濃度が高いと、選択性は低くなると
予想される。）しかし、障壁材料としてはたらく適当な
化学抵抗性を有する材料が利用可能である。
ために室温で使用可能なものであることが望ましい。硝
酸とフッ化水素酸の混合物（ＨＦ−ＨＮＯ3）は、シリ
コンと、モリブデンのような金属成分と、それらの間の
層間領域に形成される中間成分とを除去する室温エッチ
ング剤の周知のクラスを構成する。このようなエッチン
グ剤は、二酸化ケイ素にも作用し、従って現在考えてい
る基板材料のうちの少なくとも一部に対しては有害であ
る。（硝酸中のＨＦの濃度が低い場合（すなわち、約１
体積％以下ではあるが、少なくとも約０．０５体積
％）、室温で、二酸化ケイ素は、モリブデン−シリコン
多層よりも約３０倍遅くエッチングされることをわれわ
れは発見した。ＨＦ濃度が高いと、選択性は低くなると
予想される。）しかし、障壁材料としてはたらく適当な
化学抵抗性を有する材料が利用可能である。
【００２１】そのような材料の１つは炭素である。炭素
は、スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）、または蒸
発によって堆積される。ＨＦ：硝酸エッチング剤に長時
間暴露している間に、スパッタ堆積した炭素フィルムの
エッチングは検出されていない。また、ＴＦＭ型エッチ
ング剤に長時間暴露している間にも検出されていない。
炭素障壁層の好ましい厚さは１００〜１０００Åの範囲
である。比較的薄い層、例えば、厚さ１００〜２００Å
の層において、最良の反射率が期待される。さらに、現
在では、このような比較的薄い層は、多層被覆によって
光学素子に加えられる応力とは異なり、ほとんど応力を
加えないと考えられる。しかし、層を厚くすれば、障壁
層内のピンホールの密度を減少させることができる。
は、スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ）、または蒸
発によって堆積される。ＨＦ：硝酸エッチング剤に長時
間暴露している間に、スパッタ堆積した炭素フィルムの
エッチングは検出されていない。また、ＴＦＭ型エッチ
ング剤に長時間暴露している間にも検出されていない。
炭素障壁層の好ましい厚さは１００〜１０００Åの範囲
である。比較的薄い層、例えば、厚さ１００〜２００Å
の層において、最良の反射率が期待される。さらに、現
在では、このような比較的薄い層は、多層被覆によって
光学素子に加えられる応力とは異なり、ほとんど応力を
加えないと考えられる。しかし、層を厚くすれば、障壁
層内のピンホールの密度を減少させることができる。
【００２２】ウェットエッチングによって多層被覆を除
去した後、任意に、ドライエッチングプロセスで炭素層
を除去する（図５のステップＣまたはステップＦ）。基
板の加熱を最小にするため、例えば酸素またはオゾン中
における低温プラズマエッチングを使用することが望ま
しい。この点に関して、障壁材料として金などのいくつ
かの重い貴金属の使用は避けることが好ましいことに注
意すべきである。その理由は、例えば金は、過度の表面
粗さにつながる粒状の層を形成する傾向があるためであ
る。
去した後、任意に、ドライエッチングプロセスで炭素層
を除去する（図５のステップＣまたはステップＦ）。基
板の加熱を最小にするため、例えば酸素またはオゾン中
における低温プラズマエッチングを使用することが望ま
しい。この点に関して、障壁材料として金などのいくつ
かの重い貴金属の使用は避けることが好ましいことに注
意すべきである。その理由は、例えば金は、過度の表面
粗さにつながる粒状の層を形成する傾向があるためであ
る。
【００２３】障壁層は、新たな多層被覆を堆積する前に
容易に再堆積される（図５のステップＤまたはステップ
Ｇ）。
容易に再堆積される（図５のステップＤまたはステップ
Ｇ）。
【００２４】例２ ジェネラル・オプティクス社により提供された仕上げＵ
ＬＥガラスのサンプルを、例１のような多層被覆によっ
て被覆した。各サンプルは、ガラス表面とシリコン−モ
リブデン多層被覆の中間にスパッタ堆積した２００Åの
炭素障壁層を有していた。もとの多層被覆は約６５％と
いう反射率を示した。この多層被覆を６０℃で例１のよ
うに除去し、もとの障壁層上に再堆積した。３０分間の
除去の後、新たな多層被覆は（２つのサンプルで平均し
て）６５％というピーク反射率を示した。障壁層なしで
同時にエッチングし再被覆したサンプルのピーク反射率
は６３％であった。４，２５時間の除去および１秒間の
再被覆の後、新たな多層被覆は（２つのサンプルで平均
して）６３％というピーク反射率を示した。障壁層なし
の対応するサンプルのピーク反射率は５８％であった。
ＬＥガラスのサンプルを、例１のような多層被覆によっ
て被覆した。各サンプルは、ガラス表面とシリコン−モ
リブデン多層被覆の中間にスパッタ堆積した２００Åの
炭素障壁層を有していた。もとの多層被覆は約６５％と
いう反射率を示した。この多層被覆を６０℃で例１のよ
うに除去し、もとの障壁層上に再堆積した。３０分間の
除去の後、新たな多層被覆は（２つのサンプルで平均し
て）６５％というピーク反射率を示した。障壁層なしで
同時にエッチングし再被覆したサンプルのピーク反射率
は６３％であった。４，２５時間の除去および１秒間の
再被覆の後、新たな多層被覆は（２つのサンプルで平均
して）６３％というピーク反射率を示した。障壁層なし
の対応するサンプルのピーク反射率は５８％であった。
【００２５】障壁材料として適当と考えられるもう１つ
の材料はルテニウムである。ルテニウムは、塩基、酸、
および王水にさえも比較的不溶である。ルテニウム−シ
リコン２層に基づく多層被覆のわれわれの研究によれ
ば、適度な表面品質を有するルテニウム障壁層が、アル
ゴン中のＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成
可能である。薄層（すなわち厚さ約１００Åの層）さえ
も、ＨＦ−ＨＮＯ3のような１ステップエッチング剤に
対する有効な障壁層を提供することが期待される。ルテ
ニウムは低温で除去することが困難であるため、新たな
多層被覆の堆積前に除去（および置換）しない永久障壁
層としてルテニウム層を使用することが好ましい。
の材料はルテニウムである。ルテニウムは、塩基、酸、
および王水にさえも比較的不溶である。ルテニウム−シ
リコン２層に基づく多層被覆のわれわれの研究によれ
ば、適度な表面品質を有するルテニウム障壁層が、アル
ゴン中のＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成
可能である。薄層（すなわち厚さ約１００Åの層）さえ
も、ＨＦ−ＨＮＯ3のような１ステップエッチング剤に
対する有効な障壁層を提供することが期待される。ルテ
ニウムは低温で除去することが困難であるため、新たな
多層被覆の堆積前に除去（および置換）しない永久障壁
層としてルテニウム層を使用することが好ましい。
【００２６】他の材料も、少なくともある場合には、障
壁材料として適当である。例えば、これらの材料にはイ
リジウム、ホウ素、およびロジウムが含まれると考えら
れる。
壁材料として適当である。例えば、これらの材料にはイ
リジウム、ホウ素、およびロジウムが含まれると考えら
れる。
【００２７】上記のように、多層被覆はエッチング剤中
に溶解することによって除去される。図３に記載した本
発明のもう１つの実施例によれば、多層被覆はエッチン
グ剤に直接作用させることのみによって除去されるので
はない。その代わりに、解放層７０を、好ましくは障壁
層と多層被覆の中間に、堆積する。多層被覆は、その下
の解放層をエッチングすることによって（図５のステッ
プＥ）、または、多層被覆および解放層の両方をエッチ
ングすることによって、一般に単一ステップで、除去さ
れる。解放層は、新たな多層被覆を堆積する前に容易に
再堆積される（図５のステップＨ）。
に溶解することによって除去される。図３に記載した本
発明のもう１つの実施例によれば、多層被覆はエッチン
グ剤に直接作用させることのみによって除去されるので
はない。その代わりに、解放層７０を、好ましくは障壁
層と多層被覆の中間に、堆積する。多層被覆は、その下
の解放層をエッチングすることによって（図５のステッ
プＥ）、または、多層被覆および解放層の両方をエッチ
ングすることによって、一般に単一ステップで、除去さ
れる。解放層は、新たな多層被覆を堆積する前に容易に
再堆積される（図５のステップＨ）。
【００２８】解放層の存在によって、多層被覆の材料に
対する制約が緩和される。その理由は、エッチング可能
である必要があるのが多層被覆ではなく解放層であるた
め、多層被覆の材料はエッチング可能性にかかわらず選
択可能であるためである。
対する制約が緩和される。その理由は、エッチング可能
である必要があるのが多層被覆ではなく解放層であるた
め、多層被覆の材料はエッチング可能性にかかわらず選
択可能であるためである。
【００２９】障壁層の存在によって、１ステップエッチ
ング剤に対する制約が緩和される。すなわち、障壁層が
基板を保護するため、基板に作用するはずのエッチング
剤も使用可能となる。また、障壁層の存在によって、解
放層の材料に対する制約も緩和される。その理由は、基
板よりもエッチングされやすい材料を選択する必要がな
いためである。
ング剤に対する制約が緩和される。すなわち、障壁層が
基板を保護するため、基板に作用するはずのエッチング
剤も使用可能となる。また、障壁層の存在によって、解
放層の材料に対する制約も緩和される。その理由は、基
板よりもエッチングされやすい材料を選択する必要がな
いためである。
【００３０】解放層のエッチングを加速するため、上部
多層被覆にあるパターンの孔を穿孔することができる。
例えば、ある穿孔方法では、ホトレジストの層がリソグ
ラフィパターン形成される。このパターン形成された層
が多層被覆の下に形成され、多層被覆材料をリフトオフ
して穿孔の形成を容易にする。一般に、孔の面積が多層
被覆の全面積の約５％以下であれば、Ｘ線結像システム
の性能は許容できないほど劣化することはないと考え
る。このようなシステムにおける光学素子の１つはマス
クである。マスクにおいては、パターン形成したＸ線吸
収性材料を、反射しないようにしたい多層被覆の領域上
に堆積することによって反射領域を非反射領域から区別
する。このような素子の性能を最適にするため、少なく
ともある場合には、穿孔を非反射領域に制限することが
可能である。
多層被覆にあるパターンの孔を穿孔することができる。
例えば、ある穿孔方法では、ホトレジストの層がリソグ
ラフィパターン形成される。このパターン形成された層
が多層被覆の下に形成され、多層被覆材料をリフトオフ
して穿孔の形成を容易にする。一般に、孔の面積が多層
被覆の全面積の約５％以下であれば、Ｘ線結像システム
の性能は許容できないほど劣化することはないと考え
る。このようなシステムにおける光学素子の１つはマス
クである。マスクにおいては、パターン形成したＸ線吸
収性材料を、反射しないようにしたい多層被覆の領域上
に堆積することによって反射領域を非反射領域から区別
する。このような素子の性能を最適にするため、少なく
ともある場合には、穿孔を非反射領域に制限することが
可能である。
【００３１】われわれは、ゲルマニウムの解放層が特に
有用であると考える。ゲルマニウム層は、露出したシリ
カを主成分とするガラス基板上に、または、炭素障壁層
上に、例えば蒸着によって容易に堆積される。ゲルマニ
ウム解放層は、事前に障壁層の堆積がなくても有用であ
る。その理由は、ゲルマニウムは、例えば室温の水酸化
ナトリウムの水溶液中で急速にエッチングされるが、二
酸化ケイ素は同じ条件下ではゆっくりとしかエッチング
されないためである。
有用であると考える。ゲルマニウム層は、露出したシリ
カを主成分とするガラス基板上に、または、炭素障壁層
上に、例えば蒸着によって容易に堆積される。ゲルマニ
ウム解放層は、事前に障壁層の堆積がなくても有用であ
る。その理由は、ゲルマニウムは、例えば室温の水酸化
ナトリウムの水溶液中で急速にエッチングされるが、二
酸化ケイ素は同じ条件下ではゆっくりとしかエッチング
されないためである。
【００３２】４００Å付近の波長でミラーを形成するの
に有用な材料の１つはイリジウムである。図４のよう
に、例として、ＺＥＲＯＤＵＲ基板９０上に８０Åのク
ロム層８０を堆積した後、３５０Åのイリジウム層１０
０を堆積することによって、直径２５ｃｍの光学素子を
形成し、その反射率を測定した。クロム層は、イリジウ
ム層の接着を促進する結合層として作用するため、好ま
しい。われわれは、このクロム層が、ＴＦＭ型エッチン
グ剤に暴露した場合に、イリジウム層を除去するのに有
効な解放層でもあることを発見した。われわれは、エッ
チング剤はイリジウム層を直ちに貫通してクロムに作用
し、イリジウム層の除去を容易にしていることを発見し
た。このようにイリジウム層を除去した後、その除去後
の基板上にシリコン−モリブデン多層被覆を堆積した。
この被覆は、もとの基板を仮定して予想されるよりも低
いＸ線反射率を示した。この結果は表面粗さの増大に帰
せられる。表面粗さの増大は、クロム層の下に適当な障
壁層１１０を使用することによって防ぐことができる。
この点に関して、表面粗さの増大がＸ線光学における応
用に対して許容できない場合であっても、除去後の基板
表面の品質は、可視波長のようなより長い波長で動作す
る光学素子には十分であることに注意すべきである。
に有用な材料の１つはイリジウムである。図４のよう
に、例として、ＺＥＲＯＤＵＲ基板９０上に８０Åのク
ロム層８０を堆積した後、３５０Åのイリジウム層１０
０を堆積することによって、直径２５ｃｍの光学素子を
形成し、その反射率を測定した。クロム層は、イリジウ
ム層の接着を促進する結合層として作用するため、好ま
しい。われわれは、このクロム層が、ＴＦＭ型エッチン
グ剤に暴露した場合に、イリジウム層を除去するのに有
効な解放層でもあることを発見した。われわれは、エッ
チング剤はイリジウム層を直ちに貫通してクロムに作用
し、イリジウム層の除去を容易にしていることを発見し
た。このようにイリジウム層を除去した後、その除去後
の基板上にシリコン−モリブデン多層被覆を堆積した。
この被覆は、もとの基板を仮定して予想されるよりも低
いＸ線反射率を示した。この結果は表面粗さの増大に帰
せられる。表面粗さの増大は、クロム層の下に適当な障
壁層１１０を使用することによって防ぐことができる。
この点に関して、表面粗さの増大がＸ線光学における応
用に対して許容できない場合であっても、除去後の基板
表面の品質は、可視波長のようなより長い波長で動作す
る光学素子には十分であることに注意すべきである。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、光
学素子の反射率を維持しながら、その多層被覆を単一ス
テップで容易に除去することが可能となる。
学素子の反射率を維持しながら、その多層被覆を単一ス
テップで容易に除去することが可能となる。
【図１】従来技術のＸ線反射光学素子上の多層被覆の概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】障壁層上の多層被覆の概略断面図である。
【図３】解放層および障壁層上の多層被覆の概略断面図
である。
である。
【図４】クロム層および障壁層上の反射イリジウム層の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図５】本発明によって光学素子を修理する工程ステッ
プをいくつかの代替経路によって示す流れ図である。
プをいくつかの代替経路によって示す流れ図である。
１０ 基板 ２０ モリブデン層 ３０ アモルファスシリコン層 ５０ 障壁層 ６０ 多層被覆 ７０ 解放層 ８０ クロム層 ９０ 基板 １００ イリジウム層 １１０ 障壁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドナルド ミラン テナント アメリカ合衆国 07728 ニュージャー ジー、フリーホールド、フーヴァー ス トリート 27 (72)発明者 ワレン カズマー ワスキーウィッツ アメリカ合衆国 08809 ニュージャー ジー、クリントン、レイ ストリート 114 (72)発明者 デイヴィッド リー ウィント アメリカ合衆国 07081 ニュージャー ジー、スプリングフィールド、ヘンショ ー アヴェニュー 53 (56)参考文献 特開 平５−55120（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G21K 1/06
Claims (11)
- 【請求項１】 Ｘ線波長にピーク反射率を有する光学素
子の修復方法において、この光学素子は、主表面を有す
る基板（１０）と、その主表面上の第１の多層被覆（６
０）とからなり、この多層被覆は第１の材料層および少
なくとも第２の材料層（２０、３０）を複数交互に含
み、前記方法は、 ａ．基板から第１多層被覆を除去するステップと、 ｂ．ステップａの後、主表面上を被覆するように、第１
多層被覆とほぼ同じ組成および構造を有する第２の多層
被覆を形成するステップとからなり、 ステップａは、単一のエッチング溶液中で第１多層被覆
の大部分を溶解するとにより、単一のエッチングステッ
プで第１多層被覆をほぼ完全に除去するステップからな
り、 ステップｂは、結果として得られる修復された光学素子
が、ステップａの前にその光学素子が示していたピーク
反射率の最高値の少なくとも８０％のピーク反射率を示
すように実行されることを特徴とする、光学素子修復方
法。 - 【請求項２】 第１および第２の多層被覆は、シリコン
およびモリブデンの層を複数交互に含むことを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項３】 ステップａは、水酸化アルカリとフェリ
シアン化カリウムとからなる水溶液に第１多層被覆を暴
露するステップからなることを特徴とする請求項２の方
法。 - 【請求項４】 光学素子は、主表面と第１多層被覆の間
に障壁層を有し、ステップａは、フッ化水素酸と硝酸と
からなる水溶液に第１多層被覆を暴露するステップから
なることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 ステップａは、フッ化水素酸と硝酸とか
らなる水溶液に第１多層被覆を暴露するステップからな
ることを特徴とする請求項２の方法。 - 【請求項６】 ステップａの間に、水溶液の温度を約６
０℃に維持するステップをさらに有することを特徴とす
る請求項３の方法。 - 【請求項７】 光学素子は、主表面と第１多層被覆の間
に比較的耐エッチング性の第１の障壁層をさらに有し、 ｃ．ステップａの後、基板から第１障壁層を除去するス
テップと、 ｄ．ステップｃの後、ステップｂの前に、第１障壁層と
ほぼ同じ組成および構造を有する第２の障壁層を主表面
上に形成するステップとをさらに有することを特徴とす
る請求項１の方法。 - 【請求項８】 障壁層は炭素からなり、ステップｃは第
１障壁層を低温プラズマに暴露するステップからなるこ
とを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 主表面を有する基板と、その主表面上の
クロム層と、そのクロム層上の第１のイリジウム層とか
らなる反射性光学素子を修復する方法において、 ａ．基板から第１イリジウム層を除去するステップと、 ｂ．ステップａの後、基板上に第２のイリジウム層を形
成するステップとからなり、 ステップａは、フェリシアン化カリウムと水酸化アルカ
リの水溶液にイリジウム層とクロム層を暴露することに
よりクロム層をほぼ溶解させるステップからなることを
特徴とする光学素子修復方法。 - 【請求項１０】 ステップａの前に、光学結像システム
から光学素子を取り出すステップをさらに有することを
特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項１１】 ステップａの前に、光学結像システム
から光学素子を取り出すステップをさらに有することを
特徴とする請求項９の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/000,856 US5356662A (en) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating |
| US000856 | 1993-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273605A JPH06273605A (ja) | 1994-09-30 |
| JP2918782B2 true JP2918782B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=21693304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6011279A Expired - Lifetime JP2918782B2 (ja) | 1993-01-05 | 1994-01-05 | 光学素子修復方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5356662A (ja) |
| EP (1) | EP0605961B1 (ja) |
| JP (1) | JP2918782B2 (ja) |
| DE (1) | DE69314305T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0652400B1 (en) * | 1993-11-05 | 2000-09-20 | Vari-Lite, Inc. | Light pattern generator (gobo) and laser ablation method and apparatus for making it |
| US5698113A (en) * | 1996-02-22 | 1997-12-16 | The Regents Of The University Of California | Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates |
| US6049588A (en) * | 1997-07-10 | 2000-04-11 | Focused X-Rays | X-ray collimator for lithography |
| US5958605A (en) * | 1997-11-10 | 1999-09-28 | Regents Of The University Of California | Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography |
| US6110607A (en) * | 1998-02-20 | 2000-08-29 | The Regents Of The University Of California | High reflectance-low stress Mo-Si multilayer reflective coatings |
| US6235434B1 (en) * | 1998-12-08 | 2001-05-22 | Euv Llc | Method for mask repair using defect compensation |
| JP2000338299A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、ｘ線マスク、ｘ線ミラー、シンクロトロン放射装置、シンクロトロン放射方法および半導体装置 |
| TW561279B (en) * | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
| KR100647968B1 (ko) | 1999-07-22 | 2006-11-17 | 코닝 인코포레이티드 | 극 자외선 소프트 ｘ-선 투사 리소그라피 방법 및 마스크디바이스 |
| AU6208300A (en) * | 1999-07-22 | 2001-02-13 | Corning Incorporated | Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithography elements |
| JP2002093684A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
| US6776006B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-08-17 | Corning Incorporated | Method to avoid striae in EUV lithography mirrors |
| US6643353B2 (en) | 2002-01-10 | 2003-11-04 | Osmic, Inc. | Protective layer for multilayers exposed to x-rays |
| US6759141B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of California | Oxidation preventative capping layer for deep-ultra-violet and soft x-ray multilayers |
| JP3919599B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置 |
| US7176610B2 (en) * | 2004-02-10 | 2007-02-13 | Toshiba Machine America, Inc. | High brightness thermionic cathode |
| JP4566791B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 軟ｘ線多層膜反射鏡 |
| JP2006308483A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Canon Inc | 多層膜及び多層膜の製造方法 |
| US7960701B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-06-14 | Cymer, Inc. | EUV light source components and methods for producing, using and refurbishing same |
| US7641349B1 (en) | 2008-09-22 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer |
| JP5691677B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2015-04-01 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法 |
| WO2014113617A1 (en) | 2013-01-21 | 2014-07-24 | Innovative Finishes LLC | Refurbished component, electronic device including the same, and method of refurbishing a component of an electronic device |
| US9075316B2 (en) | 2013-11-15 | 2015-07-07 | Globalfoundries Inc. | EUV mask for use during EUV photolithography processes |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4129463A (en) * | 1977-06-29 | 1978-12-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Polycrystalline silicon semiconducting material by nuclear transmutation doping |
| US4260451A (en) * | 1980-03-17 | 1981-04-07 | International Business Machines Corp. | Method of reworking substrates, and solutions for use therein |
| US5165954A (en) * | 1986-09-02 | 1992-11-24 | Microbeam, Inc. | Method for repairing semiconductor masks & reticles |
| EP0279670B1 (en) * | 1987-02-18 | 1997-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | A reflection type mask |
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| JP3047541B2 (ja) * | 1991-08-22 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 反射型マスクおよび欠陥修正方法 |
-
1993
- 1993-01-05 US US08/000,856 patent/US5356662A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-06 EP EP93309760A patent/EP0605961B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-06 DE DE69314305T patent/DE69314305T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-05 JP JP6011279A patent/JP2918782B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06273605A (ja) | 1994-09-30 |
| EP0605961A1 (en) | 1994-07-13 |
| EP0605961B1 (en) | 1997-10-01 |
| DE69314305D1 (de) | 1997-11-06 |
| US5356662A (en) | 1994-10-18 |
| DE69314305T2 (de) | 1998-04-09 |
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