JP2910518B2 - ブリッジ型インバ−タ装置 - Google Patents

ブリッジ型インバ−タ装置

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JP2910518B2
JP2910518B2 JP5209048A JP20904893A JP2910518B2 JP 2910518 B2 JP2910518 B2 JP 2910518B2 JP 5209048 A JP5209048 A JP 5209048A JP 20904893 A JP20904893 A JP 20904893A JP 2910518 B2 JP2910518 B2 JP 2910518B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子をブ
リッジ又はハ−フブリッジ接続した構成の単相又は多相
のインバータ装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】直流を
交流に変換するためのブリッジ型インバータのスイッチ
ング素子をオン・オフ動作させると、スイッチング素子
においてスイッチング損失が生じる。
【0003】そこで、本発明の目的はスイッチング損失
を少なくすることができるブリッジ型インバータ装置を
提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、実施例を示す図面の符号を参照して説明す
ると、直流電源1の一端と負荷2の一端との間に接続さ
れた第1のスイッチング素子SW1 と、前記直流電源1
の他端と前記負荷2の一端との間に接続された第2のス
ッチング素子SW2 と、前記第1及び第2のスッチング
素子SW1 、SW2 に対して逆方向並列にそれぞれ接続
された第1及び第2の主ダイオードD1、D2 とを有し
前記負荷2に交流電力を供給する単相又は多相のブリッ
ジ型又はハ−フブリッジ型インバータ装置において、前
記第1及び第2の主ダイオ−ド(D1 、D2 に対してそ
れぞれ並列に接続された第1及び第2のコンデンサC1
、C2 と、前記第1及び第2のスィッチング素子SW1
、SW2 に対してそれぞれ逆方向並列に接続された第
1及び第2の補助ダイオ−ドDL1 、DL2 と、前記第
1及び第2のスイッチング素子 SW1 、SW2 と前記
第1及び第2の補助ダイオ−ドDL1 、DL2 とに対し
てそれぞれ直列に接続された第1及び第2のリアクトル
L1 、L2 と、前記第1及び第2のスイッチング素子S
W1 、SW2 をオン駆動するための第1及び第2の制御
パルスを発生するものであり、前記第1及び第2の制御
パルスが相互に重なる期間を有して交互に発生するよう
に設定されているスイッチ制御回路とを備えていること
を特徴とする単相又は多相のブリッジ型又はハ−フブリ
ッジ型インバータ装置に係わるものである。なお、請求
項2、3、4に示すように変形することも可能である。
【0005】
【発明の作用及び効果】上記各請求項の発明によれば、
各スイッチング素子SW1 、SW2 に並列にコンデンサ
C1 、C2 がそれぞれ接続されているので、ターンオフ
時にスイッチング素子SW1 、SW2 の両端子間電圧が
急激に立上らずにゆっくり立上る。このため、電圧と電
流の積に基づく電力損失が少なくなる。また、コンデン
サC、〜C2 とリアクトルL1 、L2 とから成る共振回
路の働きによってスイッチング素子のタ−ンオフ時の両
端子間電圧は徐々に低下する。両端子間電圧が零の時に
ターンオンさせるとゼロボルトスイッチが達成され、電
力損失が小さくなる。また、サ−ジ及びノイズが抑制さ
れる。本発明の方式は特別なスイッチを設けないで、ゼ
ロボルトスイッチング(ZVS)又はゼロ電流スイッチ
ング(ZCV)動作が可能になるという効果を有する。
また、請求項2、3、4のインバ−タ装置によっても請
求項1と同様な作用効果が得られる。
【0006】
【第1の実施例】次に、図1〜図4を参照して本発明の
第1の実施例のブリッジ型インバータ装置を説明する。
このインバータ装置は図1に示すように、直流電源1の
直流電圧をブリッジ型インバータ回路によって交流に変
換して負荷2に供給するように構成されている。直流電
源1は整流回路又は電池から成り、負荷2は例えば出力
トランス3とここに接続された負荷回路4とから成る。
【0007】インバータ回路は、典型的なインバータと
同様に第1、第2、第3及び第4のスイッチング素子S
W1 、SW2 、SW3 、SW4 と、第1、第2、第3及
び第4の主ダイオードD1 、D2 、D3 、D4 を有する
他に、第1、第2、第3及び第4の補助ダイオードDL
1 、DL2 と、第1、第2、第3及び第4のコンデンサ
C1 、C2 、C3 、C4 と、第1、第2、第3及び第4
のリアクトルL1 、L2 、L3 、L4 とを有する。な
お、以下において説明を簡単にするために各回路要素を
記号のみで示すこともある。
【0008】第1、第2、第3及び第4のスイッチング
素子SW1 、SW2 、SW3 、SW4 はバイポーラトラ
ンジスタで構成されている。しかし、スイッチング素子
SW1 〜SW4 を電界効果トランジスタ(FET)にす
ることができる。第1のスイッチング素子SW1 は電源
1の一端と負荷2の一端との間に第1のリアクトルL1
を介して接続され、第2のスイッチング素子SW2 は負
荷2の一端と電源1の他端との間に第2のリアクトルL
2 を介して接続され、第3のスイッチング素子SW3 は
電源1の一端と負荷2の他端との間に第3のリアクトル
L3 を介して接続され、第4のスイッチング素子TR4
は負荷2の他端と電源1の他端との間に第4のリアクト
ルL4 を介して接続されている。
【0009】第1、第2、第3及び第4の主ダイオード
はD1 、D2 、D3 、D4 は第1、第2、第3及び第4
のスイッチング素子SW1 、SE2 、SW3 、SW4 に
第1〜第4のリアクトルL1 〜L4 を介してそれぞれ逆
方向並列に接続されている。第1、第2、第3及び第4
の補助ダイオ−ドDL1 〜DL4 は第1〜第4のスイッ
チング素子SW1 〜SW4 に逆並列に接続されている。
なお、第1〜第4のスイッチング素子SW1 〜SW4
を、ソースがサブストレートに接続された構造の絶縁ゲ
ート型(MOS型)電界効果トランジスタとした場合に
は、これに内蔵されたダイオードを補助ダイオードDL
1 〜DL4 とすることができる。
【0010】第1〜第4のコンデンサC1 〜C4 は第1
〜第4の主ダイオ−ドD1 〜D4 にそれぞれ並列接続さ
れている。第1及び第2のリアクトルL1 、L2 は相互
に電磁結合され、第3及び第4のリアクトルL3 、L4
も相互に電磁結合されている。
【0011】各スイッチング素子SW1 〜SW4 の制御
端子(ベース)は制御回路5に接続されている。制御回
路5は図2に原理的に示すように、第1、第2、第3及
び第4の制御パルス発生回路6、7、8、9と、発振器
14と、位相制御回路15とを有する。第1〜第4の制
御パルス発生回路6〜9は発振器14と位相制御回路1
5に制御されて図3の(A)(B)(C)(D)に示す
第1〜第4の制御パルスを発生し、これを第1〜第4の
スイッチング素子SW1 〜SW4 に供給する。
【0012】図3(A)(B)の第1及び第2の制御パ
ルスは相互に重なる区間をt3 〜t4 、t7 〜t8 を有
し且つ約180度の位相差を有して交互に発生し、図3
(C)(D)の第3及び第4の制御パルスも重なる区間
を有して交互に発生する。
【0013】図1のインバータ回路の基本的動作は周知
のインバータと同一である。即ち、第1及び第4のスイ
ッチング素子SW1 、SW4 が同時にオンの期間に電源
1と第1のスイッチング素子SW1 と負荷2と第4のス
イッチング素子SW4 とから成る回路で第1の方向の電
流が負荷2に流れ、第2及び第3のスイッチング素子S
W2 、SW3 が同時にオンの期間に電源1と第3の主ス
イッチング素子SW3と負荷2と第2のスイッチング素
子SW2 とから成る回路で負荷2に第2の方向の電流が
流れる。
【0014】図4は負荷4を無負荷とし、負荷回路2を
トランスのみの遅れ負荷とした場合における図3のt3
〜t4 区間お及びこの近傍における図1の各部の状態を
示す。第2のコンデンサC2 がほぼ電源電圧Vに充電さ
れている状態において、t3時点で第2のスイッチング
素子SW2 がオンになると、第2のコンデンサC2 と第
2のリアクトルL2 と第2のスイッチング素子SW2 と
から成る共振回路が形成され、第2のコンデンサC2 の
電流Ic2及び第2のリアクトルL2 の電流Ic2が図4に
示すように正弦波状に流れる。また、L2 にL1 が電磁
結合されているので、L1 とDL1 とC1 の共振回路も
形成される。これにより、第2のコンデンサC2 の電圧
V2 が図4に示すように徐々に低下する。一方、第1の
コンデンサC1 の電流IC1及び第1のリアクトルL1 の
電流IL1も正弦波状に流れ、コンデンサC1 の電圧V1
は図4に示すように徐々に上昇する。即ち、第1のコン
デンサC1 の電圧V1 は電源1の電圧Vから第2のコン
デンサC2 の電圧V2 を差し引いた値になり、V2 の低
下に追従してV1 は上昇する。なお、t3 〜t4 ′区間
において、第1のリアクトルと第1の補助ダイオ−ドD
L1 と第1のコンデンサC1 とから成る回路によって第
1のリアクトルL1 に電流IL1が流れる。SW1 はt3
〜t4 ′の共振電流の流れている間にオフにする。これ
により、SW1 は実質的にゼロボルトスイッチング(Z
VS)及びゼロ電流スイッチング(ZCS)となり、ま
たSW2 はZCSとなる。。
【0015】図3のt7 〜t8 近傍区間においてもt3
〜t4 近傍区間と同様な動作が生じる。なお、図4では
L1 、L2 の直流励磁電流を無視している。
【0016】
【第2の実施例】次に、図5及び図6を参照して本発明
の第2の実施例に係わるブリッジ型インバータ装置を説
明する。但し、図5において図1と共通する部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。図5のインバー
タ回路は図1では第1〜第4のスイッチング素子SW1
〜SW4 に逆方向並列に接続されていた第1〜第4の補
助ダイオードDL1 〜DL4 の接続箇所が変更されてい
る。即ち、図5では第1の補助ダイオードDL1 が電源
1の下端と第1のリアクトルL1 の上端との間に接続さ
れ、第2の補助ダイオードDL2 が第2のリアクトルL
2 の下端と電源1の上端との間に接続され、第3の補助
ダイオードDL3 が電源1の下端と第3のリアクトルL
3 の上端との間に接続され、第4の補助ダイオードDL
4 が第4のリアクトルL4 の下端と電源1の上端との間
に接続されている。
【0017】図5のスイッチング素子SW1 〜SW4 の
制御パルスは図6(A)〜(D)に示す通りであり、S
W1 とSW2 及びSW3 とSW4 は180度の位相差を
有して交互にオン制御される。図7は負荷4を無負荷と
し、負荷回路2をトランスのみの遅れ負荷とした場合の
図6のt3 近傍に対応する区間における第1及び第2の
スイッチング素子TSW、SW2 のオン・オフ状態及び
L1、IL2、更にSW1 、SW2 の電圧Vsw1
sw2 、V2 を示す。図5ではSW1 のオン期間にC2
がVまで充電されている。SW1 のオフと同時にSW2
をオンにする。SW1がオフすると、L1 の電流はSW1
からDL1 へ転流し、L1 とC1 と電源1とDL1 と
の共振回路及びC2 とL2 とSW2 の共振回路に正弦波
電流IL1、IL2が流れる。L2 の電圧波形即ちD2 の電
圧V2 は余弦波状に変化し、これが0となる時にIL2
ピ−ク値に達し、その後循環電流となって流れ続ける。
SW2 はオン時にIL2が0より立上るためにZCSとな
る。また。SW1 はオフ時にSW1 の寄生コンデンサ
(ストレ−キャパシタンス)によるVsw1 の立上りの遅
れによるZVSとなる。
【0018】
【第3の実施例】次に、図8及び図9を参照して第3の
実施例のインバータ装置を説明する。但し、図8におい
て図1及び図5と共通する部分には同一の符号を付して
その説明を省略する。図8の回路は図5の回路の第1〜
第4のスッチング素子SW1 〜SW4 に並列に第1〜第
4の補助コンデンサCs1〜Cs4を接続したものである。
【0019】図5の寄生コンデンサに比べて第1〜第4
の補助コンデンサCs1〜Cs4を接続した場合には図9に
示すようにSW1 のZVSが確実になる。
【0020】おな、Cs1〜Cs4によるロスが生じるが、
Cs1〜Cs4の容量をC1 〜C4 に比べて小さく設定する
ことによってこれを少なくすることができる。
【0021】
【第4の実施例】次に、図10に示すハーフブリッジ型
インバータ装置を説明する。但し、図10において図1
と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略
する。図10のインバータ回路は図1のインバータ回路
の右半分を同一容量の第1及び第2の電力供給用コンデ
ンサCa、Cbに置き換えた構成になっている。即ち、
電源1の一端と他端との間に第1及び第2の電力供給用
コンデンサCa、Cbの直列回路が接続され、これ等の
接続中点に負荷2の他端(右端)が接続されている。
【0022】このハーフブリッジ型インバータ回路で
は、最初に第1及び第2の電力供給用コンデンサCa、
Cbが電源1の電圧Vの1/2の値にそれぞれ充電され
ている。この状態で第1の主スッチング素子SW1 をオ
ン、第2の主スッチング素子SW2 をオフにすると、電
源1と第1の主スッチング素子TR1 と負荷2と第2の
電力供給用コンデンサCbとの回路で第1の方向の電流
が流れて第2の電力供給用コンデンサCbを充電する。
また、第1の電力供給用コンデンサCaと第1の主スッ
チング素子SW1 と負荷2の回路で第1の方向の放電電
流が流れる。この時、負荷2にはV/2の電圧が印加さ
れる。次に、第2の主スッチング素子SW2 のオン期間
には、電源1と第1の電力供給用コンデンサCaと負荷
2と第2の主スッチング素子SW2 とから成る回路で第
2の方向の電流が流れると共に、第2の電力供給用コン
デンサCbと負荷2と第2の主スッチング素子SW2 と
から成る回路で第2の方向の放電電流が流れる。図10
のハーフブリッジ型インバータにおいても、コンデンサ
C1 、C2 、ダイオードDL1 、DL2 、リアクトルL
1 、L2 が図1と同様に設けられているので、図1と同
様な効果が得られる。
【0023】なお、図10において、負荷2よりも左側
の半分を図5又は図8又は後述する図12の左半分と同
一にすることができる。
【0024】
【第5の実施例】次に、図11に示す3相ブリッジ型イ
ンバータ装置を示す。但し、図1と共通する部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。この実施例では
電源1に第1、第2及び第3の相のスイッチ回路Su 、
Sv 、Sw が並列接続されている。各スイッチ回路Su
、Sv 、Sw は図1の左半分のスイッチ回路とそれぞ
れ同一である。各スイッチ回路Su 、Sv 、Sw におけ
る第1及び第2の主スッチング素子SW1 、SW2 の接
続中点から各相の出力ライン21、22、23が導出さ
れ、3相負荷2に接続されている。第1〜第3相のスイ
ッチ回路Su 、Sv 、Sw は周知のように120度の角
度間隔を有して駆動される。この3相インバータにおい
ても、各相のスイッチ回路は図1の単相のスイッチング
回路と同一に構成されているので、同一の作用効果を有
する。
【0025】なお、図11において、スイッチ回路を図
5又は図8又は後述する図にそれと同一にすることがで
きる。
【0026】
【第6の実施例】次に、図12〜図14を参照して第6
の実施例のインバ−タ装置を説明する。但し、図12及
び図13において図1〜図9と共通する部分には同一の
符号を付してその説明を省略する。図1の第1〜第4の
スイッチング素子SW1 〜SW4 の位置に第1〜第4の
補助コンデンサCs1〜Cs4を接続し、第1〜第4のスイ
ッチング素子SW1 〜SW4 は第1〜第4のリアクトル
L1 〜L4 を介さないで第1〜第4の主ダイオ−ドD1
〜D4 に並列に接続されている。
【0027】図13に示すように第1及び第2のスイッ
チング素子SW1 、SW2 の制御パルスの相互間及び第
3及び第4のスイッチング素子SW3 、SW4 の制御パ
ルスの相互間には休止期間Taが設けられている。
【0028】図12の各部の波形は図14となる。SW
1 がオンSW2 がオフの期間には、リアクトルL1 の電
流がSW1 −L1 −DL1 のル−プで循環電流となって
流れる。このとき、C2 は図12に示す極性にVまで、
又Cs2にもVの電圧が充電されている。次に、SW1 を
オフとすると、SW1 の電流はC1 へ転流する。その後
C1 は充電されてV1 が直線的に上昇し、C2 の電圧V
2 は直線的に減少する。SW1 のオフ動作はC1 の充電
電圧によりZVSとなる。C2 の電圧V2 が0となる
と、D2 が導通し、リアクトルL1 の電流はD2 −C1
−DL1 のル−プで電源へ帰還される。D2 が導通して
いる間にSW2 にオン信号を印加しておけば、SW2 の
ZVSが可能となる。電源へ帰還されるL1 の電流は直
線的に減少し、0となるとDL1 はカットオフする。こ
れにより、Cs2に充電されていた電圧Vに依ってCs2、
L2 の共振現象が発生し、Cs2−L2 −SW2 にて共振
電流が流れる。正弦波状の電流が90度の期間流れる
と、Cs2の電圧は0となりDs2が導通する。このとき、
L2 の電流IL2は共振電流のほぼピ−ク値に達してお
り、この電流はDL2−L2 −SW2 の循環電流となって
流れつづける。以上のようにリアクトルL1 、L2 の電
流は循環電流となって流れつづけ、半導体素子やリアク
トルの導通ロスが増大するが、SW1 、SW2 のソフト
スイッチングが達成される。
【0029】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 第1〜第4のスイッチング素子SW1 〜SW4
を180度区間中に複数回オン・オフする形式のPWM
制御に従って駆動することができる。 (2) 図5、図12の回路の場合には、C3 、C4 、
L3 、L4 、DL3 、DL4 を省くことができる。この
ようにしても左半分でZVS、ZCSの効果を得ること
ができる。 (3) 図5のSW1 〜SW4 に逆並列にダィオ−ドを
付加することができる。 (4) 図5、図8、図12ではL1 とL2 、L3 とL
4 が特に電磁結合されていない。しかし、これ等を必要
に応じて電磁結合することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のインバータ装置を示す
回路図である。
【図2】図1の制御回路を原理的に示すブロック図であ
る。
【図3】図2のA〜D点の状態を示す電圧波形図であ
る。
【図4】図1の各部の状態を示す図である。
【図5】第2の実施例のインバータ装置を示す回路図で
ある。
【図6】図5の各スイッチング素子の制御パルスを示す
図である。
【図7】図5の各部の状態を示す図である。
【図8】第3の実施例のインバ−タ装置を示す回路図で
ある。
【図9】図8の各部の状態を示す波形図である。
【図10】第4の実施例のインバ−タ装置を示す図であ
る。
【図11】第5の実施例のインバ−タ装置を示す図であ
る。
【図12】第6の実施例のインバ−タ装置を示す回路図
である。
【図13】図12のスイッチング素子の制御パルスを示
す図である。
【図14】図12の各部の状態を示す波形図である。
【符号の説明】
SW1 〜SW4 スイッチング素子 C1 〜C4 コンデンサ L1 〜L4 リアクトル

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源(1)の一端と負荷(2)の一
    端との間に接続された第1のスイッチング素子(SW1
    )と、 前記直流電源(1)の他端と前記負荷(2)の一端との
    間に接続された第2のスッチング素子(SW2 )と、 前記第1及び第2のスッチング素子(SW1 、SW2 )
    に対して逆方向並列にそれぞれ接続された第1及び第2
    の主ダイオード(D1 、D2 )と、 を有し前記負荷(2)に交流電力を供給する単相又は多
    相のブリッジ型又はハ−フブリッジ型インバータ装置に
    おいて、 前記第1及び第2の主ダイオ−ド(D1 、D2 )に対し
    てそれぞれ並列に接続された第1及び第2のコンデンサ
    (C1 、C2 )と、 前記第1及び第2のスィッチング素子(SW1 、SW2
    )に対してそれぞれ逆方向並列に接続された第1及び
    第2の補助ダイオ−ド(DL1 、DL2 )と、 前記第1及び第2のスイッチング素子(SW1 、SW2
    )と前記第1及び第2の補助ダイオ−ド(DL1 、D
    L2)とに対してそれぞれ直列に接続された第1及び第2
    のリアクトル(L1 、L2 )と、 前記第1及び第2のスイッチング素子(SW1 、SW2
    )をオン駆動するための第1及び第2の制御パルスを
    発生するものであり、前記第1及び第2の制御パルスが
    相互に重なる期間を有して交互に発生するように設定さ
    れているスイッチ制御回路とを備えていることを特徴と
    する単相又は多相のブリッジ型又はハ−フブリッジ型イ
    ンバータ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1における前記第1及び第2の補
    助ダイオ−ド(DL1 、DL2 )の接続箇所を、前記第
    1の補助ダイオ−ド(DL1 )の一端を前記直流電源
    (1)の他端に接続し、前記第1の補助ダイオ−ド(D
    L1)の他端を前記第1のスイッチング素子(SW1 )と
    前記第1のリアクトル(L1 )との接続点に接続し、前
    記第2の補助ダイオ−ド(DL2)の一端を前記第2のス
    イッチング素子(SW2 )と前記第2のリアクトル(L
    2 )との接続点に接続し、前記第2の補助ダイオ−ドD
    L2 の他端を前記直流電源の一端に接続するように変更
    し、且つ前記第1及び第2の制御パルスが重なる期間を
    実質的に有さないで交互に発生するように請求項1の前
    記制御回路を変更したことを特徴とするインバ−タ装
    置。
  3. 【請求項3】 更に、前記第1及び第2のスイッチング
    素子(SW1 、SW2 )に対して並列であり且つ前記第
    1及び第2のリアクトル(L1 、L2 )に対して直列に
    接続された第1及び第2の補助コンデンサ(Cs1、Cs
    2)を有する請求項2記載のインバ−タ装置。
  4. 【請求項4】 直流電源(1)の一端と負荷(2)の一
    端との間に接続された第1のスイッチング素子(SW1
    )と、 前記直流電源(1)の他端と前記負荷(2)の一端との
    間に接続された第2のスッチング素子(SW2 )と、 前記第1及び第2のスッチング素子(SW1 、SW2 )
    に対して逆方向並列にそれぞれ接続された第1及び第2
    の主ダイオード(D1 、D2 )と、 を有し前記負荷(2)に交流電力を供給する単相又は多
    相のブリッジ型又はハ−フブリッジ型インバータ装置に
    おいて、 前記第1及び第2の主ダイオ−ド(D1 、D2 )に対し
    てそれぞれ並列に接続された第1及び第2のコンデンサ
    (C1 、C2 )と、 前記第1及び第2のスィッチング素子(SW1 、SW2
    )に対して第1及び第2の補助ダイオ−ド(DL1 、
    DL2 )を介して並列に接続された第1及び第2のリア
    クトル(L1 、L2 )と、 前記第1及び第2の補助ダイオ−ド(DL1 、DL2)に
    対して並列に接続された第1及び第2の補助コンデンサ
    (Cs1、Cs2) と、 前記第1及び第2のスイッチング素子(SW1 、SW2
    )をオン駆動するための第1及び第2の制御パルスを
    発生するものであり、前記第1及び第2の制御パルスが
    相互間に所定の時間間隙を有して交互に発生するように
    設定されているスイッチ制御回路とを備えていることを
    特徴とする単相又は多相のブリッジ型又はハ−フブリッ
    ジ型インバ−タ装置。
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