JP2907181B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JP2907181B2
JP2907181B2 JP8133397A JP8133397A JP2907181B2 JP 2907181 B2 JP2907181 B2 JP 2907181B2 JP 8133397 A JP8133397 A JP 8133397A JP 8133397 A JP8133397 A JP 8133397A JP 2907181 B2 JP2907181 B2 JP 2907181B2
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lead frame
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義宏 松浦
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に使用
されるリードフレームの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置用リードフレームに
は、樹脂封止時に封止樹脂がアウターリード間に漏れ出
すのを防止するために、ダムバーが設けられている。こ
のダムバーはリードフレームと一体の金属からなり、樹
脂封止後は各リードを電気的に独立させるために、金型
等によってリード間のダムバーを切断していた。しかし
ながら、近年、モールドパッケージの多ピン・狭ピッチ
化が進むにつれ、リード間のダムバーを金型等によって
切断するのが困難になってきている。このような背景か
ら、従来のリードフレームと一体の金属からなるダムバ
ーに代わり、絶縁性の樹脂でダムバーを構成したリード
フレームが考案されている。このように、ダムバーを絶
縁性樹脂で形成することにより(以下、絶縁性樹脂で形
成されたダムバーを樹脂ダムバーと称す。)、樹脂封止
後の金型によるダムバーの切断が不要となるため、狭ピ
ッチ化に対し有効である上、工程の簡略化を図ることが
できる。
【0003】このような、樹脂ダムバーに関する技術と
してはこれまでに数多く紹介されているが、特開平7−
297338では、実際に樹脂ダムバー仕様のリードフ
レームを製造した際に生じる問題を指摘し、その対策を
提案している。以下、その内容を図5を参照して具体的
に説明する。
【0004】まず、ダムバー用の絶縁樹脂をリードフレ
ームの所定の位置に塗布し、樹脂中の溶媒を乾燥するた
めに100℃以上の高温で加熱した際、樹脂とリードフ
レーム材の線膨張係数の差により、リードフレームには
反りが発生してしまう。これを防止することを目的とし
て、パッケージのコーナー部にダミーリードを設け、樹
脂ダムバーを最端のアウターリードからダミーリードま
で延ばし、ダミーリードとリードフレームのパッケージ
コーナー部とは絶縁性樹脂で連結しないようにしたリー
ドフレームが提案されている。つまり、絶縁性樹脂とコ
ーナー部との間にスリットを設けた構造にする。こうす
ることで、絶縁性樹脂の熱収縮をダミーリードの変形に
よって吸収させ、リードフレーム全体としての反りをな
くすことができるわけである。
【0005】しかしながら現在、絶縁性樹脂の種類、例
えば低弾性樹脂、あるいは、フィラーを配合した紫外線
硬化型のエポキシ系樹脂を使用することで、熱収縮によ
るリードフレームの反りはほとんど発生しなくなること
がわかっている。
【0006】さらに、このような樹脂ダムバー仕様のリ
ードフレームを用いて組立を行った場合、次のような課
題が生じる。
【0007】つまり、スリットに流入した樹脂が仕上工
程中に金型内に落下し、金型を破損したり、コーナー部
の樹脂ダムバーが組立工程中にリードフレームから剥離
してしまったり、欠落してしまい、樹脂封止工程におい
て、パッケージコーナー部のリード間に封止樹脂が漏れ
出してしまうといった不具合である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
技術のリードフレームを使用して半導体装置の組立を行
うと、パッケージコーナー部での封止樹脂漏れが発生
し、組立歩留りが低下するという点である。
【0009】その理由は、図5に示したリードフレーム
においては、コーナー部に設けられたダミーリードの端
部に樹脂ダムバーの端部が接着固定された構造となって
いるが、この接着部分は単にダミーリード上に樹脂が接
着されているだけなので、樹脂封止工程に至るまでの振
動・衝撃等によって、剥がれたり、最悪の場合切れて、
脱落する危険性がある。このような樹脂ダムバーの剥離
や欠落が生じると、樹脂封止工程において、封止樹脂が
パッケージコーナー部のアウターリード間に漏れ出し、
組立不良となってしまうからである。
【0010】結局、樹脂ダムバーの端部での接着性を向
上させる根本対策が必要である。
【0011】第2の問題点は、従来技術のリードフレー
ムを用いて組立を行った場合、スリット間に流入した封
止樹脂によって、仕上金型が破損される危険性があると
いう点である。
【0012】その理由は、図5に示したリードフレーム
の構造では、スリットの端部がパッケージ内部に向かっ
て開放しているため、樹脂封止工程において、スリット
部には樹脂が容易に流入してしまう。たとえ、スリット
幅を0.1mm程度まで細くしても、封止樹脂の流入を
避けるのは困難である。このように、スリット間にたま
った樹脂は、搬送中や金型に載置した際の振動・衝撃に
より脱落する危険性があり、脱落した樹脂が金型内にか
み込むと容易に金型を破損してしまうからである。
【0013】結局、リードフレームのコーナー部に樹脂
が流入するのを防止しなければこのような問題を解決す
ることはできないわけである。
【0014】本発明は上記問題点に着目してなされたも
のであり、その目的とするところは、仕上金型破損の原
因となる樹脂の流出を防止するとともに、樹脂ダムバー
の剥離や欠落を抑制することで、パッケージコーナー部
のアウターリード間への樹脂漏れを完全に防止し、モー
ルドパッケージの歩留りを向上させる技術を提供するこ
とにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体装
置用リードフレームのうち、請求項1記載の発明は、吊
りリード保持部(図1の4)にあって、最端のアウター
リードに隣接した部分にスリット(図1の7)が設けて
あり、スリットと樹脂ダムバー(図1の8)の少なくと
も一部が接触するようなリードフレーム構造となってい
る。
【0016】また、スリットの形状として、貫通穴(図
2の7a)を採用したリードフレーム構造となってい
る。
【0017】更に、スリットの形状として、アウターリ
ード(図3の6)側に向かって開放した切り込み(図3
の7b)を採用したリードフレーム構造となっている。
【0018】又、前記スリットの代わりに、リードフレ
ームの板厚よりも薄いハーフエッチング(図4の7c)
が、吊りリード保持部(図4の4)にあって樹脂ダムバ
ー(図4の8)と接触する部分に設けられたリードフレ
ーム構造となっている。
【0019】本発明によれば、リードフレームのコーナ
ー部、つまり吊りリード保持部と樹脂ダムバーが接触す
る部分にスリットとして貫通穴、その一部がアウターリ
ード側に向かって開放した切り込み、あるいはハーフエ
ッチングが設けられているため、コーナー部においてリ
ードフレームへの樹脂ダムバーの密着性が向上する。特
に、貫通穴や切り込みの場合、樹脂ダムバーが貫通穴内
部にも埋設されるため、他の部分と同等以上の接着性が
得られる。また、ハーフエッチングの場合も接着面積が
増えることにより、他の部分と同等以上の接着性を得る
ことができる。これによって、組立工程中に樹脂ダムバ
ーの端部が剥離したり、欠落したりするのを防止できる
ため、樹脂封止工程において、パッケージコーナー部の
アウターリード間に封止樹脂が漏れ出すといった不具合
を抑制することが可能である。
【0020】さらに、スリットの形状をパッケージの内
部方向に対して、閉じた形状にすることにより、スリッ
ト内への封止樹脂の流入を防げるため、仕上工程におい
て金型破損の原因となるスリット間樹脂そのものの発生
をなくすといった抜本対策が可能となる。
【0021】また、樹脂ダムバーとリードフレーム材の
線膨張係数差によるリードフレームの反りの問題に関し
ては、前述した通り、低弾性樹脂およびフィラーを配合
した紫外線硬化型エポキシ系樹脂を使用することによっ
て防止することが可能である。
【0022】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態および
実施例について図面を参照して詳細に説明する。図1は
本発明による半導体装置用リードフレームの平面図、図
2はパッケージコーナー部の拡大平面図を示している。
また、図3および図4は発明の他の応用例を示した拡大
平面図である。
【0023】図1および図2に示した本発明による半導
体装置用リードフレーム1においては、矩形のダイパッ
ド2の四隅より延在する吊りリード3と、これを保持す
る吊りリード保持部4および、ダイパッド2の周囲に配
設されたインナーリード5とアウターリード6、さらに
インナーリード5とアウターリード6の境界部分には、
各リードと吊りリード保持部4を連結する樹脂ダムバー
8が形成されており、吊りリード保持部4にあって、最
端のアウターリードに隣接する部分にはスリット7が設
けられ、樹脂ダムバー8の端部とスリット7の少なくと
も一部が接触した構造となっている。
【0024】リードフレーム1の材質としては、例えば
42合金、あるいは銅が用いられ、厚さは例えば0.1
25mmあるいは0.15mmのものが使用される。
【0025】ダイパッド2はその四隅が吊りリード3の
みによって保持されているが、GNDリード等、特定の
リードと接続されていてもよい。また、ダイパッド2の
構造は図示したものの他に、ダイパッド2が吊りリード
3から切り離され、代わりに、インナーリード5の先端
部分を結んでなる領域よりも大面積の板材をインナーリ
ード5の一方の面に接着したヒートスプレッダータイプ
のものであってもよい。
【0026】吊りリード3には必要に応じて、ダイパッ
ド面とインナーリード面とに例えば0.15mmあるい
は0.175mmの段差を設けるための加工が施され
る。
【0027】樹脂ダムバー8の厚さはリードフレーム1
の厚さと同一かそれ以上であり、材質としては、例えば
低弾性ポリイミド系樹脂あるいは、フィラーを配合した
紫外線硬化型のエポキシ系樹脂が用いられる。
【0028】なお、樹脂ダムバー8を形成する方法とし
ては、ディスペンス方式、あるいはスクリーン印刷方式
によって所望の位置にダムバー用樹脂を塗布し、紫外線
あるいは熱により固化形成するといった方法が用いられ
る。また、樹脂が完全に固化する前に、金型等によって
樹脂部をプレスすることにより、樹脂ダムバー8の厚さ
をリードフレーム1の厚さとほぼ同一にすることが可能
である。
【0029】スリット7は図1および図2に示した貫通
穴7aタイプのものの他に、例えば、図3に示すよう
に、樹脂ダムバー8と吊りリード保持部4が重なる部分
に、アウターリード6側に向かってその一部が開放した
切り込み7bを設けたタイプのものであってもよい。な
お、切り込みの形状はパッケージの内部方向に対して閉
じた形状であればどのような形状でもよい。また、図4
に示すように、その一部が樹脂ダムバー8と重なるよう
に設けられたハーフエッチング7cであってもよい。ハ
ーフエッチングの形状は図示したものの他に、その一部
が樹脂ダムバー8と重なるものであればどのようなもの
でもよい。さらに、これらスリットの一部には前述した
方法によって樹脂ダムバー8の一部が埋設されている。
【0030】本発明による半導体装置用リードフレーム
においては、吊りリード保持部4と樹脂ダムバー8が重
なる部分に貫通穴(図2の7a)や、切り込み(図3の
7b)あるいは、ハーフエッチング(図4の7c)が設
けられており、樹脂ダムバー8とリードフレーム1との
接着性の向上が図られている。例えば、貫通穴や切り込
みの場合、その内部にまで樹脂が埋設されるため、樹脂
ダムバーの端部とリードフレーム1との接着力は他の部
分に比べて大幅に向上する。また、ハーフエッチングの
場合、樹脂ダムバー8とリードフレーム1の接触面積の
約50%に半球状のハーフエッチングを入れただけで、
接着強度を約1.5倍に増やすことが可能である。
【0031】このようなスリットの導入が、どのように
して樹脂封止工程での封止樹脂漏れに効果を奏するかに
ついて次に説明する。
【0032】一般に、半導体装置の組立を行う場合、半
導体装置用リードフレームには様々な熱履歴および振動
・衝撃が加わる。本発明における半導体装置用リードフ
レームを用いて組立を行う場合も例外ではなく、各工程
において、種々の負荷が加わる。
【0033】まず、ダイボンディング工程においてダイ
パッド上に、半導体素子を搭載する際、素子をダイパッ
ドに接着固定するために、例えばエポキシ系の樹脂から
なる銀ペーストを用いると、加熱方式にもよるが150
℃〜250℃程度の加熱が必要である。また、ワイヤー
ボンディング工程においては、例えば、最大で約240
℃の熱がリードフレームに加わる。このような熱によっ
て、樹脂ダムバーとリードフレーム間には各材料の線膨
張係数の差に起因した歪みが発生し、特に樹脂ダムバー
の端部などにおいては、リードフレームとの接着力が弱
まったり、剥がれが生じる場合がある。
【0034】さらに、各工程間および各装置内での搬送
中において、リードフレームは常に振動や衝撃にさらさ
れることになる。こうした振動や衝撃と前述した熱履歴
によって、樹脂ダムバーの端部の剥離はさらに増長さ
れ、最悪の場合、欠落してしまう場合がある。
【0035】パッケージのコーナー部でこのような樹脂
ダムバーの剥離や欠落が生じると、次の樹脂封止工程に
おいて、この剥離や欠落した部分から封止樹脂が漏れだ
し、これ以降の組立が困難になってしまう。特に図5に
示した従来構造のリードフレームにおいてはこの傾向は
顕著にあらわれる。
【0036】つまり、本発明によって提案するスリット
を導入することにより、樹脂ダムバーの剥離および欠落
を防止でき、結果としてこのような不具合を抑制できる
わけである。
【0037】また、このようなスリットはパッケージの
内部方向に対しては閉じた形状になっているため、従来
構造のリードフレームで問題となるスリット内に漏れだ
した封止樹脂の脱落による仕上金型破損といった不具合
を招くこともない。
【0038】
【発明の効果】本発明における半導体装置用リードフレ
ームを使用することで、パッケージコーナー部での封止
樹脂漏れを防止でき、組立歩留りを向上することができ
る。
【0039】その理由は、吊りリード保持部と樹脂ダム
バーが接触する部分にスリットとして貫通穴、その一部
がアウターリード側に向かって開放した切り欠き、ある
いはハーフエッチングが設けられているため、コーナー
部においてリードフレームへの樹脂ダムバーの密着性が
向上する。これによって、組立工程中の熱履歴や振動・
衝撃によって樹脂ダムバーの端部が剥離したり、欠落し
たりするのを防止できるためである。
【0040】更に、本発明における半導体装置用リード
フレームを使用することで、スリット間に流入した樹脂
の落下による仕上金型の破損といった不具合を防止する
ことができる。
【0041】その理由は、吊りリード保持部に設けられ
たスリットの形状が、パッケージの内部方向に対して閉
じた構造となっているため、樹脂封止工程において、封
止樹脂がスリット内に流入するのを防止できるからであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置用リードフレームの一実施
例を示す平面図である。
【図2】図1に示す半導体装置用リードフレームの拡大
平面図である。
【図3】本発明の半導体装置用リードフレームの応用例
を示す拡大平面図である。
【図4】本発明の半導体装置用リードフレームの応用例
を示す拡大平面図である。
【図5】従来の半導体装置用リードフレームの平面図で
ある。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 ダイパッド 3 吊りリード 4 吊りリード保持部 5 インナーリード 6 アウターリード 7 スリット 7a 貫通穴 7b 切り込み 7c ハーフエッチング 8 樹脂ダムバー

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子を載置するダイパッドと、前記
    ダイパッドの四隅よりそれぞれ延在する吊リード部と各
    吊リード部の先端部分を保持する吊リード保持部と、
    記ダイパッドの周囲に放射状に配設されたインナーリー
    ドおよびアウターリードと、前記インナーリードと前記
    アウターリードの境界近傍に絶縁性樹脂からなるダムバ
    ーを有する半導体装置用リードフレームにおいて、前記
    吊リード保持部の前記吊リード部を挟んだ両側の部分に
    それぞれにスリットを設け、前記スリットと前記ダムバ
    ーの少なくとも一部が接触していることを特徴とする半
    導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項2】前記スリットが貫通孔となっていることを
    特徴とする請求項1記載の半導体装置用リードフレー
    ム。
  3. 【請求項3】半導体素子を載置するダイパッドと、前記
    ダイパッドの四隅より延在する吊リード部および吊リー
    ド保持部と、前記ダイパッドの周囲に放射状に配設され
    たインナーリードおよびアウターリードと、前記インナ
    ーリードと前記アウターリードの境界近傍に絶縁性樹脂
    からなるダムバーを有する半導体装置用リードフレーム
    において、前記吊リード保持部にあって、最端のアウタ
    ーリードに隣接した部分にスリットが設けてあり、前記
    スリットと前記絶縁性樹脂からなるダムバーの少なくと
    も一部が接触しており、前記スリットの形状が前記アウ
    ターリード側に向かって開放した構造になっていること
    を特徴とする半導体装置用リードフレーム。
  4. 【請求項4】半導体素子を載置するダイパッドと、前記
    ダイパッドの四隅より延在する吊リード部および吊リー
    ド保持部と、前記ダイパッドの周囲に放射状に配設され
    たインナーリードおよびアウターリードと、前記インナ
    ーリードと前記アウターリードの境界近傍に絶縁性樹脂
    からなるダムバーを有する半導体装置用リードフレーム
    において、前記吊リード保持部にあって、最端のアウタ
    ーリードに隣接した部分 にスリットが設けてあり、前記
    スリットと前記絶縁性樹脂からなるダムバーの少なくと
    も一部が接触しており、前記吊リード保持部と前記ダム
    バーの接触部分に、ハーフエッチングが設けられている
    ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
JP8133397A 1997-03-31 1997-03-31 半導体装置用リードフレーム Expired - Lifetime JP2907181B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101404465B1 (ko) * 2011-12-27 2014-06-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101404465B1 (ko) * 2011-12-27 2014-06-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임

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