JP2904370B2 - フォトダイオード - Google Patents
フォトダイオードInfo
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- JP2904370B2 JP2904370B2 JP3265439A JP26543991A JP2904370B2 JP 2904370 B2 JP2904370 B2 JP 2904370B2 JP 3265439 A JP3265439 A JP 3265439A JP 26543991 A JP26543991 A JP 26543991A JP 2904370 B2 JP2904370 B2 JP 2904370B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトダイオードに係
り、特にＩ層が非晶質半導体層よりなるＰＩＮ型又はＮ
ＩＰ型のフォトダイオードに関する。
り、特にＩ層が非晶質半導体層よりなるＰＩＮ型又はＮ
ＩＰ型のフォトダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】光を情報信号の媒体とする映像情報シス
テム，光通信，その他の産業，民生分野において、光信
号を電気信号に変換する半導体受光素子は、最も重要で
基本的な構成要素の一つであり、既に数多くのものが実
用化されている。一般に受光素子の光電変換特性として
は、高い信号対雑音比（高Ｓ／Ｎ比）を持ち、高感度の
読み取りが実現できることと、高速の応答速度を持つこ
とが要求される。
テム，光通信，その他の産業，民生分野において、光信
号を電気信号に変換する半導体受光素子は、最も重要で
基本的な構成要素の一つであり、既に数多くのものが実
用化されている。一般に受光素子の光電変換特性として
は、高い信号対雑音比（高Ｓ／Ｎ比）を持ち、高感度の
読み取りが実現できることと、高速の応答速度を持つこ
とが要求される。
【０００３】このうち、高速ファクシミリ，イメージス
キャナ，複写機等の画像処理装置の入力素子としては、
装置の小型化，パーソナル化に伴い、密着型の形態が望
ましくなり、大面積の素子アレイの形成が要求される。
キャナ，複写機等の画像処理装置の入力素子としては、
装置の小型化，パーソナル化に伴い、密着型の形態が望
ましくなり、大面積の素子アレイの形成が要求される。
【０００４】また、産業監視用，民生用のビデオカメラ
などに使用されるＣＣＤなどのエリアセンサとしては、
画素の高密度化に伴って出力信号が小さくなる為、画素
面積をできるだけ大きく保つことが望まれる。これに対
しては、信号処理回路部と受光素子を積層構造で形成
し、面積を有効に使う方向で近年技術開発が進められて
いる。
などに使用されるＣＣＤなどのエリアセンサとしては、
画素の高密度化に伴って出力信号が小さくなる為、画素
面積をできるだけ大きく保つことが望まれる。これに対
しては、信号処理回路部と受光素子を積層構造で形成
し、面積を有効に使う方向で近年技術開発が進められて
いる。
【０００５】以上の様な高速，高感度の受光素子を、大
面積乃至は積層構造で実現する為の手段としては、非晶
質シリコンを材料とするＰＩＮ型フォトダイオードが有
望である。
面積乃至は積層構造で実現する為の手段としては、非晶
質シリコンを材料とするＰＩＮ型フォトダイオードが有
望である。
【０００６】ＰＩＮフォトダイオードについては、各層
とも非晶質シリコンで形成するのが最も簡単な形態であ
るが、Ｐ層又はＮ層という不純物層の機能として重要な
少数キャリアのブロッキングにより、暗電流を低減さ
せ、入射光をできるだけ透過させて光電流の低下を抑え
ようとする場合に、不純物の活性化率が高くないという
ことと、可視光、特に短波長の光の吸収係数が大きいと
いう性質のために充分な特性を得ることができなかっ
た。
とも非晶質シリコンで形成するのが最も簡単な形態であ
るが、Ｐ層又はＮ層という不純物層の機能として重要な
少数キャリアのブロッキングにより、暗電流を低減さ
せ、入射光をできるだけ透過させて光電流の低下を抑え
ようとする場合に、不純物の活性化率が高くないという
ことと、可視光、特に短波長の光の吸収係数が大きいと
いう性質のために充分な特性を得ることができなかっ
た。
【０００７】この為に、不純物層の膜構造や組成を変え
て、暗電流の低減と、光電流低下の抑制とをはかろうと
する試みがなされてきた。膜構造については、非晶質シ
リコンから多結晶シリコンに変えることにより、電気的
バンドギャップは多少小さくなるが、不純物の活性化率
が大巾に改善される為、少数キャリアのブロッキング性
は大きく向上する。同時に、可視光領域での光吸収係数
が、小さくなり、光透過が改善される（なお、ここで非
晶質とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されてい
るが、それ以上の長距離秩序はない状態のものであり、
多結晶とは、特定の結晶方位をもたない単結晶粒が粒界
で隔離されて集合したものである）。
て、暗電流の低減と、光電流低下の抑制とをはかろうと
する試みがなされてきた。膜構造については、非晶質シ
リコンから多結晶シリコンに変えることにより、電気的
バンドギャップは多少小さくなるが、不純物の活性化率
が大巾に改善される為、少数キャリアのブロッキング性
は大きく向上する。同時に、可視光領域での光吸収係数
が、小さくなり、光透過が改善される（なお、ここで非
晶質とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されてい
るが、それ以上の長距離秩序はない状態のものであり、
多結晶とは、特定の結晶方位をもたない単結晶粒が粒界
で隔離されて集合したものである）。
【０００８】さらに、Ｓｉ1-x Ｎx やＳｉ1-xＣx など
のように、膜の組成を変えて、電気的バンドギャップを
広げる事により、不純物の活性化率の多少の違いによら
ず、少数キャリアのブロッキング性は充分のものが得ら
れ、暗電流を小さく抑える事ができる。またバンドギャ
ップを広げる事により、可視光の吸収がかなり抑えら
れ、不純物層による光透過のロスはかなり小さくなる。
のように、膜の組成を変えて、電気的バンドギャップを
広げる事により、不純物の活性化率の多少の違いによら
ず、少数キャリアのブロッキング性は充分のものが得ら
れ、暗電流を小さく抑える事ができる。またバンドギャ
ップを広げる事により、可視光の吸収がかなり抑えら
れ、不純物層による光透過のロスはかなり小さくなる。
【０００９】図１２は非晶質シリコンのＰＩＮフォトダ
イオードと、従来の改善例である多結晶シリコン、非晶
質シリコンカーバイト（Ｅｇ＝２．１ｅＶ）を不純物層
としたＰＩＮフォトダイオードの暗電流の違いを示す特
性図である。
イオードと、従来の改善例である多結晶シリコン、非晶
質シリコンカーバイト（Ｅｇ＝２．１ｅＶ）を不純物層
としたＰＩＮフォトダイオードの暗電流の違いを示す特
性図である。
【００１０】また図１３は分光感度特性の違いを示す特
性図である。
性図である。
【００１１】暗電流低減、光電流低下の抑制の効果は、
非晶質シリコンから、多結晶シリコン、非晶質シリコン
カーバイトと変わるにつれ大きく現われており、組成を
かえて、バンドギャップを大きくした場合には静的な動
作では充分特性の良いセンサが得られている事がわか
る。
非晶質シリコンから、多結晶シリコン、非晶質シリコン
カーバイトと変わるにつれ大きく現われており、組成を
かえて、バンドギャップを大きくした場合には静的な動
作では充分特性の良いセンサが得られている事がわか
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、構造のみを変えた多結晶シリコンのような例
では、暗電流の低減と感度低下の抑制との双方を満足で
きるような不純物層の膜厚や不純物濃度などの設計の自
由度があまりなく、不純物層の機能として充分余裕のあ
る特性を必ずしも示していないという問題があった。
来例では、構造のみを変えた多結晶シリコンのような例
では、暗電流の低減と感度低下の抑制との双方を満足で
きるような不純物層の膜厚や不純物濃度などの設計の自
由度があまりなく、不純物層の機能として充分余裕のあ
る特性を必ずしも示していないという問題があった。
【００１３】また、組成を変えてバンドギャップを広く
するという非晶質シリコンカーバイトのような例では、
前述のように、静的動作は充分であるが、動的な動作に
ついてはあまり考慮がなされていなかった。即ち、実際
の読み取り動作においては、パルス駆動を行なう為、残
像と呼ばれる光応答特性が、センサ特性として重要なポ
イントとなるが、非晶質シリコンカーバイトなどのよう
に、Ｉ層と組成の異なる材料をＩ層と接合を作ると、Ｉ
層との界面のところで多くの欠陥準位を形成し、残像に
悪影響を与える。また一般に、非晶質，多結晶材料にお
いては、シリコンに比べ、組成を変えた材料は膜の欠陥
準位密度の低減が充分はかられておらず、やはりＩ層と
接合を作ると残像を悪化させるという問題があった。
するという非晶質シリコンカーバイトのような例では、
前述のように、静的動作は充分であるが、動的な動作に
ついてはあまり考慮がなされていなかった。即ち、実際
の読み取り動作においては、パルス駆動を行なう為、残
像と呼ばれる光応答特性が、センサ特性として重要なポ
イントとなるが、非晶質シリコンカーバイトなどのよう
に、Ｉ層と組成の異なる材料をＩ層と接合を作ると、Ｉ
層との界面のところで多くの欠陥準位を形成し、残像に
悪影響を与える。また一般に、非晶質，多結晶材料にお
いては、シリコンに比べ、組成を変えた材料は膜の欠陥
準位密度の低減が充分はかられておらず、やはりＩ層と
接合を作ると残像を悪化させるという問題があった。
【００１４】図１４は、ワイドギャップ材料を不純物層
に用いた場合と非晶質又は多結晶シリコンを不純物層と
した場合の残像特性の違いを示す特性図である。
に用いた場合と非晶質又は多結晶シリコンを不純物層と
した場合の残像特性の違いを示す特性図である。
【００１５】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたものであり、暗電流の低減と光感度の低下
抑制及び高速応答を同時に実現するＰＩＮ型又はＮＩＰ
型フォトダイオードを提供するものである。
めになされたものであり、暗電流の低減と光感度の低下
抑制及び高速応答を同時に実現するＰＩＮ型又はＮＩＰ
型フォトダイオードを提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、Ｉ層
が非晶質半導体層よりなるＰＩＮ型又はＮＩＰ型のフォ
トダイオードにおいて、周期律表第III族または第Ｖ族
原子を含有するＰ型半導体層及び／又はＮ型半導体層
が、少なくともＩ層と同じ材料で３０〜３００Åの粒径
を有する多結晶構造をもつ第１の半導体層と、Ｉ層の構
成元素と禁制帯幅拡大元素として炭素原子、窒素原子及
び酸素原子の内少なくとも一種を有する多結晶又は非晶
質構造をもつ第２の半導体層との二層から構成され、前
記第１の半導体層が前記Ｉ層に隣接して配置されたこと
を特徴とする。
が非晶質半導体層よりなるＰＩＮ型又はＮＩＰ型のフォ
トダイオードにおいて、周期律表第III族または第Ｖ族
原子を含有するＰ型半導体層及び／又はＮ型半導体層
が、少なくともＩ層と同じ材料で３０〜３００Åの粒径
を有する多結晶構造をもつ第１の半導体層と、Ｉ層の構
成元素と禁制帯幅拡大元素として炭素原子、窒素原子及
び酸素原子の内少なくとも一種を有する多結晶又は非晶
質構造をもつ第２の半導体層との二層から構成され、前
記第１の半導体層が前記Ｉ層に隣接して配置されたこと
を特徴とする。
【００１７】本発明によると、残像特性を悪くさせるこ
となしに、暗電流の低減と光感度の向上が図られた、高
感度の光センサが得られる。
となしに、暗電流の低減と光感度の向上が図られた、高
感度の光センサが得られる。
【００１８】図１は、本発明のフォトダイオードの一実
施態様例の構成を示す断面図である。
施態様例の構成を示す断面図である。
【００１９】ここで示す実施態様例はＰ型半導体層及び
Ｎ型半導体層が第１の半導体層と第２の半導体層との二
層構成となっている場合である。
Ｎ型半導体層が第１の半導体層と第２の半導体層との二
層構成となっている場合である。
【００２０】図１に示すように、本実施態様例の光電変
換装置は、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を被着した半導体
基板１０上に形成される第１の電極１１、該第１の電極
１１上に形成される、非単結晶のＰＩＮ又はＮＩＰ接合
を作る半導体層１６、該半導体層１６上に形成される透
明電極１５より成り、上記ＰＩＮ又はＮＩＰ接合のＮ型
半導体層１２及びＰ型半導体層１４の両方が、それぞれ
Ｉ層１３と同じ材料で多結晶構造をもつ第１の半導体層
１２ａ，１４ａと、Ｉ層の構成元素と禁制帯幅拡大元素
よりなる多結晶ないしは非晶質構造をもつ第２の半導体
層１２ｂ，１４ｂの２層からなり、上記第１の半導体層
１２ａ，１４ａが、Ｉ層に隣接して配置される構成とな
っている。
換装置は、絶縁性基板又は絶縁性薄膜を被着した半導体
基板１０上に形成される第１の電極１１、該第１の電極
１１上に形成される、非単結晶のＰＩＮ又はＮＩＰ接合
を作る半導体層１６、該半導体層１６上に形成される透
明電極１５より成り、上記ＰＩＮ又はＮＩＰ接合のＮ型
半導体層１２及びＰ型半導体層１４の両方が、それぞれ
Ｉ層１３と同じ材料で多結晶構造をもつ第１の半導体層
１２ａ，１４ａと、Ｉ層の構成元素と禁制帯幅拡大元素
よりなる多結晶ないしは非晶質構造をもつ第２の半導体
層１２ｂ，１４ｂの２層からなり、上記第１の半導体層
１２ａ，１４ａが、Ｉ層に隣接して配置される構成とな
っている。
【００２１】本発明では２層からなる不純物層のそれぞ
れの層が、暗電流の低減と、残像の低減という役割を別
々に担当するため、従来技術では同時に両方の特性を満
足できなかったのが、本発明により達成することができ
る。また暗電流低減を図る手段は不純物層における光透
過率の改善の方向と一致し、残像低減の為の多結晶層で
は、不純物の活性化が上がるため、膜厚の低減が可能と
なってやはり光透過率の改善につながる。このため光感
度の向上も同時に実現できる事となる。
れの層が、暗電流の低減と、残像の低減という役割を別
々に担当するため、従来技術では同時に両方の特性を満
足できなかったのが、本発明により達成することができ
る。また暗電流低減を図る手段は不純物層における光透
過率の改善の方向と一致し、残像低減の為の多結晶層で
は、不純物の活性化が上がるため、膜厚の低減が可能と
なってやはり光透過率の改善につながる。このため光感
度の向上も同時に実現できる事となる。
【００２２】本発明に用いられる材料は、光吸収層であ
るＩ層には、大面積の薄膜形成を行なうために非晶質シ
リコン系合金が用いられ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，ａ−ＳｉＮ：Ｈ，ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ及びａ−ＧｅＣ：Ｈなどがある。
るＩ層には、大面積の薄膜形成を行なうために非晶質シ
リコン系合金が用いられ、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，ａ−ＳｉＮ：Ｈ，ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ及びａ−ＧｅＣ：Ｈなどがある。
【００２３】２層構造の不純物層のうちの１層の形成に
用いられる禁制帯幅拡大元素としては、炭素（Ｃ），窒
素（Ｎ），酸素（Ｏ）が使用されるが、既に該元素がＩ
層及びもう１層の不純物層に添加されている場合には、
上記Ｃ，Ｎ，Ｏなどの元素の膜内含有比率をふやすよう
にする。例えばＩ層がａ−Ｓｉ0.8 Ｃ0.2 ：Ｈで形成さ
れる場合には、禁制帯幅を拡大する方の不純物層にはａ
−Ｓｉ0.5 Ｃ0.5 ：Ｈを使用するというようにする。
用いられる禁制帯幅拡大元素としては、炭素（Ｃ），窒
素（Ｎ），酸素（Ｏ）が使用されるが、既に該元素がＩ
層及びもう１層の不純物層に添加されている場合には、
上記Ｃ，Ｎ，Ｏなどの元素の膜内含有比率をふやすよう
にする。例えばＩ層がａ−Ｓｉ0.8 Ｃ0.2 ：Ｈで形成さ
れる場合には、禁制帯幅を拡大する方の不純物層にはａ
−Ｓｉ0.5 Ｃ0.5 ：Ｈを使用するというようにする。
【００２４】不純物層に添加される不純物としては、Ｐ
型制御に対しては周期律表の第III族原子、Ｎ型制御に
対しては第Ｖ族原子が使用される。
型制御に対しては周期律表の第III族原子、Ｎ型制御に
対しては第Ｖ族原子が使用される。
【００２５】具体的には、第III 族原子としては、Ｂ
（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａであ
る。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ
素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものはＰ、Ｓｂであ
る。
（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａであ
る。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ
素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等を挙げ
ることができるが、特に好ましいものはＰ、Ｓｂであ
る。
【００２６】透明電極として用いられる材料には、ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ2 などが用いられる。
Ｏ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ2 などが用いられる。
【００２７】下部電極としてはＣｒ，Ａｌ，Ｔｉなど通
常使用される金属電極であれば何でも使用できる他、高
濃度不純物添加されたＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を
用いる事も可能であるし、基板に半導体基板を用いる場
合には、半導体基板内に形成した高濃度不純物層を、被
着した絶縁層にあけたコンタクトホールを介して下部電
極に使用することができる。
常使用される金属電極であれば何でも使用できる他、高
濃度不純物添加されたＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を
用いる事も可能であるし、基板に半導体基板を用いる場
合には、半導体基板内に形成した高濃度不純物層を、被
着した絶縁層にあけたコンタクトホールを介して下部電
極に使用することができる。
【００２８】Ｉ層に隣接して配置され、Ｉ層と同じ材料
で形成される多結晶半導体の不純物層の膜厚ｄc は、Ｉ
層に印加された電界により、不純物層に侵入してきた空
乏層が、禁制帯幅拡大元素を含む不純物層に到達しない
ような最小の膜厚で与えれば残像の悪化と光感度の低下
を招かないようにできる。即ち、
で形成される多結晶半導体の不純物層の膜厚ｄc は、Ｉ
層に印加された電界により、不純物層に侵入してきた空
乏層が、禁制帯幅拡大元素を含む不純物層に到達しない
ような最小の膜厚で与えれば残像の悪化と光感度の低下
を招かないようにできる。即ち、
【００２９】
【数２】 が必要な最低の膜厚、言い換えれば最適の膜厚であり、
センサの駆動電圧の最大値を考慮して決めれば良い。
センサの駆動電圧の最大値を考慮して決めれば良い。
【００３０】 ここで、ｄI ：Ｉ層膜厚 Ｎ：不純物濃度 ε：不純物層の誘電率 ＶR ：印加電圧 φBI：ＰＩＮ接合のビルトインポテンシャル ｑ：単位電荷 である。
【００３１】さらに、光感度の低下を極力抑える為には
不純物濃度は可能な限り高い方が望ましい。例えば、多
結晶シリコン中の活性化した不純物濃度として、１０20
程度まで可能だとし、印加電圧を１０Ｖとすれば、必要
な最低の膜厚は、 ｄc ≒１０-8（ｃｍ）＝１Å となる。現実的には多結晶の粒径の大きさを考慮しなけ
ればならないので数１００Åあれば充分な事がわかる。
不純物濃度は可能な限り高い方が望ましい。例えば、多
結晶シリコン中の活性化した不純物濃度として、１０20
程度まで可能だとし、印加電圧を１０Ｖとすれば、必要
な最低の膜厚は、 ｄc ≒１０-8（ｃｍ）＝１Å となる。現実的には多結晶の粒径の大きさを考慮しなけ
ればならないので数１００Åあれば充分な事がわかる。
【００３２】なお、前述したように、多結晶とは、特定
の結晶方位をもたない単結晶粒が粒界で隔離されて集合
したものをいい、単結晶粒の粒径は３０〜３００Å程度
のものが用いられる。
の結晶方位をもたない単結晶粒が粒界で隔離されて集合
したものをいい、単結晶粒の粒径は３０〜３００Å程度
のものが用いられる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３４】図２は、本発明のフォトダイオードの第１
実施例を示す概略的平面図である。
実施例を示す概略的平面図である。
【００３５】図３は、上記図２のＡ−Ａ’線断面図であ
る。
る。
【００３６】図４は、上記図２のＢ−Ｂ’線断面図であ
る。
る。
【００３７】以下、図２〜図４を用いて本実施例のフォ
トダイオードの製造工程について説明する。
トダイオードの製造工程について説明する。
【００３８】まずコーニング社製＃７０５９ガラス基板
４００上にスパッタ法により厚さ２０００ÅのＣｒ膜を
堆積した。続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、フォトダイオードの下部電
極４０１を形成した。
４００上にスパッタ法により厚さ２０００ÅのＣｒ膜を
堆積した。続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、フォトダイオードの下部電
極４０１を形成した。
【００３９】その後、容量結合型ＣＶＤ装置で基板温度
を３００℃にセットして、ＳｉＨ4４０ＳＣＣＭ，Ｈ2
希釈１０％ＰＨ3 ２０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ２０ＳＣＣＭを
導入し、ガス圧０．２Ｔｏｒｒの条件で高周波０．２Ｗ
／ｃｍ2 で１分４０秒間放電を行ない、第２のホールの
ブロッキング層たるＮ型非晶質シリコンナイトライド層
４０２ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、続いて同じく容量
結合型ＣＶＤ装置で基板温度を３００℃にセットして、
ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＰＨ3 ２４ＳＣＣ
Ｍ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧２．０Ｔｏｒ
ｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で１６分４０秒間放
電を行ない、第１のホールのブロッキング層たるＮ型多
結晶シリコン層４０２ａ（膜厚３００Å）を堆積し、ホ
ールのブロッキング層を完成した。
を３００℃にセットして、ＳｉＨ4４０ＳＣＣＭ，Ｈ2
希釈１０％ＰＨ3 ２０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ２０ＳＣＣＭを
導入し、ガス圧０．２Ｔｏｒｒの条件で高周波０．２Ｗ
／ｃｍ2 で１分４０秒間放電を行ない、第２のホールの
ブロッキング層たるＮ型非晶質シリコンナイトライド層
４０２ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、続いて同じく容量
結合型ＣＶＤ装置で基板温度を３００℃にセットして、
ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＰＨ3 ２４ＳＣＣ
Ｍ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧２．０Ｔｏｒ
ｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で１６分４０秒間放
電を行ない、第１のホールのブロッキング層たるＮ型多
結晶シリコン層４０２ａ（膜厚３００Å）を堆積し、ホ
ールのブロッキング層を完成した。
【００４０】次に同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板温
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ３０ＳＣＣＭ，Ｈ
2 ３０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件
で高周波０．２Ｗ／ｃｍ2 で７５分間放電を行ない、光
吸収層４０３（膜厚８０００Å）を堆積した。
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ３０ＳＣＣＭ，Ｈ
2 ３０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件
で高周波０．２Ｗ／ｃｍ2 で７５分間放電を行ない、光
吸収層４０３（膜厚８０００Å）を堆積した。
【００４１】さらに同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板
温度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｂ
2 Ｈ6 １２ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガ
ス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で
１６分４０秒放電を行ない、第１の電子のブロッキング
層たるＰ型多結晶シリコン層４０４ａ（膜厚３００Å）
を堆積し、続いて同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板温
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ２４ＳＣＣＭ，Ｈ
2 希釈１０％Ｂ2 Ｈ6 ２０ＳＣＣＭ，ＣＨ4 ３６ＳＣＣ
Ｍを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件で、高周波
０．２Ｗ／ｃｍ2で１分４０秒放電を行ない、第２の電
子のブロッキング層たるＰ型非晶質シリコンカーバイト
層４０４ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、電子のブロッキ
ング層を完成した。
温度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｂ
2 Ｈ6 １２ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガ
ス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で
１６分４０秒放電を行ない、第１の電子のブロッキング
層たるＰ型多結晶シリコン層４０４ａ（膜厚３００Å）
を堆積し、続いて同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板温
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ２４ＳＣＣＭ，Ｈ
2 希釈１０％Ｂ2 Ｈ6 ２０ＳＣＣＭ，ＣＨ4 ３６ＳＣＣ
Ｍを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件で、高周波
０．２Ｗ／ｃｍ2で１分４０秒放電を行ない、第２の電
子のブロッキング層たるＰ型非晶質シリコンカーバイト
層４０４ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、電子のブロッキ
ング層を完成した。
【００４２】ことあと、スパッタ法によりＩＴＯを７０
０Å堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、所望の形状にエッチングし、上部透明電極４０５を
形成した。
０Å堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、所望の形状にエッチングし、上部透明電極４０５を
形成した。
【００４３】続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、半導体層４０４ａ，４０４ｂ，４０３，４０２ａ，
４０２ｂを所望の形状にエッチングし、半導体層のアイ
ソレーションを行なった。
り、半導体層４０４ａ，４０４ｂ，４０３，４０２ａ，
４０２ｂを所望の形状にエッチングし、半導体層のアイ
ソレーションを行なった。
【００４４】次に、容量結合型ＣＶＤ装置で、基板温度
を３００℃にして、水素希釈１０％ＳｉＨ4 ガスを１０
０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ガスを１００ＳＣＣＭの流量で、ガ
ス圧を０．４Ｔｏｒｒに調節して高周波電力０．０１Ｗ
／ｃｍ2 で１時間放電し、３０００ÅのＳｉＮx 膜によ
る保護層４０６を形成した。続いて通常のホトリソグラ
フィ工程により、ＳｉＮx 層４０６を所望の形状にエッ
チングし、上部電極及び下部電極取り出し用のコンタク
トホールを形成した。
を３００℃にして、水素希釈１０％ＳｉＨ4 ガスを１０
０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ガスを１００ＳＣＣＭの流量で、ガ
ス圧を０．４Ｔｏｒｒに調節して高周波電力０．０１Ｗ
／ｃｍ2 で１時間放電し、３０００ÅのＳｉＮx 膜によ
る保護層４０６を形成した。続いて通常のホトリソグラ
フィ工程により、ＳｉＮx 層４０６を所望の形状にエッ
チングし、上部電極及び下部電極取り出し用のコンタク
トホールを形成した。
【００４５】このあとスパッタ法によりＡｌを１．０μ
ｍ堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、上部電極の引き出し用配線
電極４０７を形成する事により素子を作成した。
ｍ堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、上部電極の引き出し用配線
電極４０７を形成する事により素子を作成した。
【００４６】上記の様にして作成されたフォトダイオー
ドについて評価したところ次の様な結果を得た。 （１）図６のＩ−Ｖ特性に示すように、５Ｖの逆バイア
ス印加時に暗電流は３×１０-11 Ａ／ｃｍ2 程度に抑え
られた。 （２）図７の分光感度特性に示すように、波長５６０ｎ
ｍの光の感度が量子効率としてみると、９１％まで保た
れる。 （３）図８の残像特性に示すように、第１フィールド目
の残像は０．５％程度に抑えられた。
ドについて評価したところ次の様な結果を得た。 （１）図６のＩ−Ｖ特性に示すように、５Ｖの逆バイア
ス印加時に暗電流は３×１０-11 Ａ／ｃｍ2 程度に抑え
られた。 （２）図７の分光感度特性に示すように、波長５６０ｎ
ｍの光の感度が量子効率としてみると、９１％まで保た
れる。 （３）図８の残像特性に示すように、第１フィールド目
の残像は０．５％程度に抑えられた。
【００４７】図９は、本発明のフォトダイオードの第２
実施例を示す概略的平面図である。
実施例を示す概略的平面図である。
【００４８】図１０は、上記図９のＡ−Ａ’線断面図で
ある。
ある。
【００４９】図１１は、上記図９のＢ−Ｂ’線断面図で
ある。
ある。
【００５０】以下に図９〜図１１を用いて本実施例のフ
ォトダイオードの製造工程について説明する。
ォトダイオードの製造工程について説明する。
【００５１】まずコーニング社製＃７０５９ガラス基板
８００上にスパッタ法により厚さ２０００ÅのＣｒ膜を
堆積した。続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、フォトダイオードの下部電
極８０１を形成した。
８００上にスパッタ法により厚さ２０００ÅのＣｒ膜を
堆積した。続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、フォトダイオードの下部電
極８０１を形成した。
【００５２】その後、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置で基板温度を
３００℃にセットして、Ｈ2 希釈１０％ＳｉＨ4 １０Ｓ
ＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＣＨ4 １０ＳＣＣＭ，Ｈ2 ５０
ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈５００ｐｐｍＰＨ3 ４０ＳＣＣＭを
導入し、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒで８７５ガウスの磁束
密度中で、２．４５ＧＨｚ、３００Ｗのマイクロ波によ
りガスの分解を５分間行ない、Ｎ型多結晶シリコンカー
バイト層８０２ｂ（膜厚３００Å）を堆積した。
３００℃にセットして、Ｈ2 希釈１０％ＳｉＨ4 １０Ｓ
ＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＣＨ4 １０ＳＣＣＭ，Ｈ2 ５０
ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈５００ｐｐｍＰＨ3 ４０ＳＣＣＭを
導入し、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒで８７５ガウスの磁束
密度中で、２．４５ＧＨｚ、３００Ｗのマイクロ波によ
りガスの分解を５分間行ない、Ｎ型多結晶シリコンカー
バイト層８０２ｂ（膜厚３００Å）を堆積した。
【００５３】続いて容量結合型ＣＶＤ装置で基板温度を
３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈
１０％ＰＨ3 ２４ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入
し、ガス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃ
ｍ2 で１６分４０秒間放電を行ない、第１のホールのブ
ロッキング層たるＮ型多結晶シリコン層８０２ａ（膜厚
３００Å）を堆積し、ホールのブロッキング層を完成し
た。
３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈
１０％ＰＨ3 ２４ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入
し、ガス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃ
ｍ2 で１６分４０秒間放電を行ない、第１のホールのブ
ロッキング層たるＮ型多結晶シリコン層８０２ａ（膜厚
３００Å）を堆積し、ホールのブロッキング層を完成し
た。
【００５４】次に同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板温
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ３０ＳＣＣＭ，Ｈ
2 ３０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件
で高周波０．２Ｗ／ｃｍ2 で７５分間放電を行ない、光
吸収層８０３（膜厚８０００Å）を堆積した。
度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ３０ＳＣＣＭ，Ｈ
2 ３０ＳＣＣＭを導入し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒの条件
で高周波０．２Ｗ／ｃｍ2 で７５分間放電を行ない、光
吸収層８０３（膜厚８０００Å）を堆積した。
【００５５】さらに同じく容量結合型ＣＶＤ装置で基板
温度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｂ
2 Ｈ6 １２ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガ
ス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で
１６分４０秒放電を行ない、第１の電子のブロッキング
層たるＰ型多結晶シリコン層８０４ａ（膜厚３００Å）
を堆積した。
温度を３００℃にセットして、ＳｉＨ4 ６ＳＣＣＭ，Ｂ
2 Ｈ6 １２ＳＣＣＭ，Ｈ2 ４５０ＳＣＣＭを導入し、ガ
ス圧２．０Ｔｏｒｒの条件で高周波０．５Ｗ／ｃｍ2 で
１６分４０秒放電を行ない、第１の電子のブロッキング
層たるＰ型多結晶シリコン層８０４ａ（膜厚３００Å）
を堆積した。
【００５６】続いて、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置で基板温度を
３００℃にセットして、Ｈ2 希釈１０％ＳｉＨ4 １０Ｓ
ＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＣＨ4 １０ＳＣＣＭ，Ｈ2 ５０
ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈５００ｐｐｍＢ2 Ｈ6 ４０ＳＣＣＭ
を導入し、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒで８７５ガウスの磁
束密度中で、２．４５ＧＨｚ、３００Ｗのマイクロ波に
よりガスの分解を行ない、Ｐ型多結晶シリコンカーバイ
ト層８０４ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、電子のブロッ
キング層を形成した。
３００℃にセットして、Ｈ2 希釈１０％ＳｉＨ4 １０Ｓ
ＣＣＭ，Ｈ2 希釈１０％ＣＨ4 １０ＳＣＣＭ，Ｈ2 ５０
ＳＣＣＭ，Ｈ2 希釈５００ｐｐｍＢ2 Ｈ6 ４０ＳＣＣＭ
を導入し、ガス圧１．０ｍＴｏｒｒで８７５ガウスの磁
束密度中で、２．４５ＧＨｚ、３００Ｗのマイクロ波に
よりガスの分解を行ない、Ｐ型多結晶シリコンカーバイ
ト層８０４ｂ（膜厚３００Å）を堆積し、電子のブロッ
キング層を形成した。
【００５７】ことあと、スパッタ法によりＩＴＯを７０
０Å堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、所望の形状にエッチングし、上部透明電極８０５を
形成した。
０Å堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、所望の形状にエッチングし、上部透明電極８０５を
形成した。
【００５８】続いて通常のホトリソグラフィ工程によ
り、半導体層８０４ａ，８０４ｂ，８０３，８０２ａ，
８０２ｂを所望の形状にエッチングし、半導体層のアイ
ソレーションを行なった。
り、半導体層８０４ａ，８０４ｂ，８０３，８０２ａ，
８０２ｂを所望の形状にエッチングし、半導体層のアイ
ソレーションを行なった。
【００５９】次に、容量結合型ＣＶＤ装置で、基板温度
を３００℃にして、水素希釈１０％ＳｉＨ4 ガスを１０
０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ガスを１００ＳＣＣＭの流量で、ガ
ス圧を０．４Ｔｏｒｒに調節して高周波電力０．０１Ｗ
／ｃｍ2 で１時間放電し、３０００ÅのＳｉＮx 膜によ
る保護層８０６を形成した。続いて通常のホトリソグラ
フィ工程により、ＳｉＮx 層８０６を所望の形状にエッ
チングし、上部電極及び下部電極取り出し用のコンタク
トホールを形成した。
を３００℃にして、水素希釈１０％ＳｉＨ4 ガスを１０
０ＳＣＣＭ，ＮＨ3 ガスを１００ＳＣＣＭの流量で、ガ
ス圧を０．４Ｔｏｒｒに調節して高周波電力０．０１Ｗ
／ｃｍ2 で１時間放電し、３０００ÅのＳｉＮx 膜によ
る保護層８０６を形成した。続いて通常のホトリソグラ
フィ工程により、ＳｉＮx 層８０６を所望の形状にエッ
チングし、上部電極及び下部電極取り出し用のコンタク
トホールを形成した。
【００６０】このあとスパッタ法によりＡｌを１．０μ
ｍ堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、上部電極の引き出し用配線
電極８０７を形成する事により素子を作成した。
ｍ堆積し、続いて通常のホトリソグラフィ工程により、
所望の形状にエッチングし、上部電極の引き出し用配線
電極８０７を形成する事により素子を作成した。
【００６１】上記の様にして作成されたフォトダイオー
ドについて評価したところ次の様な結果を得た。 （１）５Ｖの逆バイアス印加時に暗電流は３×１０-12
Ａ／ｃｍ2 程度に抑えられた。 （２）波長５６０ｎｍの光の感度が量子効率としてみる
と、９３％まで保たれる。 （３）第１フィールド目の残像は０．５％程度に抑えら
れた。
ドについて評価したところ次の様な結果を得た。 （１）５Ｖの逆バイアス印加時に暗電流は３×１０-12
Ａ／ｃｍ2 程度に抑えられた。 （２）波長５６０ｎｍの光の感度が量子効率としてみる
と、９３％まで保たれる。 （３）第１フィールド目の残像は０．５％程度に抑えら
れた。
【００６２】なお、以上説明した実施例においては、Ｐ
型半導体層及びＮ型半導体層の両方を、Ｉ層と同じ材料
で多結晶構造をもつ第１の半導体層と、Ｉ層の構成元素
と禁止帯幅拡大元素とからなる多結晶又は非晶質構造を
もつ第２の半導体層との二層で構成したが、本発明はＰ
型半導体層またはＮ型半導体層のいずれか一方の半導体
層を前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とからな
る二層構成としても、本発明の効果を得ることができ
る。
型半導体層及びＮ型半導体層の両方を、Ｉ層と同じ材料
で多結晶構造をもつ第１の半導体層と、Ｉ層の構成元素
と禁止帯幅拡大元素とからなる多結晶又は非晶質構造を
もつ第２の半導体層との二層で構成したが、本発明はＰ
型半導体層またはＮ型半導体層のいずれか一方の半導体
層を前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とからな
る二層構成としても、本発明の効果を得ることができ
る。
【００６３】図５は本発明のフォトダイオードの第１実
施例のＰ型半導体層のみを二層構成とした場合の構成図
である。なお、図４と同一構成部材については同一符号
を付して説明を省略する。
施例のＰ型半導体層のみを二層構成とした場合の構成図
である。なお、図４と同一構成部材については同一符号
を付して説明を省略する。
【００６４】第１実施例を示す図２のＢ−Ｂ’線断面図
である図４と比較すると、図５に示すように、図４のＮ
型非晶質シリコンナイトライド層４０２ｂ、Ｎ型多結晶
シリコン層４０２ａの二層構成は、Ｎ型多結晶シリコン
層４０２の一層構成となっており、Ｐ型半導体層のみが
二層構成で、Ｎ型半導体層は一層構成となっている。
である図４と比較すると、図５に示すように、図４のＮ
型非晶質シリコンナイトライド層４０２ｂ、Ｎ型多結晶
シリコン層４０２ａの二層構成は、Ｎ型多結晶シリコン
層４０２の一層構成となっており、Ｐ型半導体層のみが
二層構成で、Ｎ型半導体層は一層構成となっている。
【００６５】また、本発明は暗電流特性、光感度、残像
特性を同時に改善する効果が得られる、前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層とを備えた構成であれば、三
層以上の層構成であってもよい。例えば、第１の半導体
層（ナロウギャップ層）と第２の半導体層（ワイドギャ
ップ層）との間に傾斜バンドギャップ層を挟み、キャリ
アの出入りを円滑にする構成としてもよい。
特性を同時に改善する効果が得られる、前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層とを備えた構成であれば、三
層以上の層構成であってもよい。例えば、第１の半導体
層（ナロウギャップ層）と第２の半導体層（ワイドギャ
ップ層）との間に傾斜バンドギャップ層を挟み、キャリ
アの出入りを円滑にする構成としてもよい。
【００６６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のフォト
ダイオードによれば、非晶質半導体層をＩ層とするＰＩ
Ｎ又はＮＩＰ型フォトダイオードの、暗電流特性、光感
度、残像特性を同時に著しく改善することができる。
ダイオードによれば、非晶質半導体層をＩ層とするＰＩ
Ｎ又はＮＩＰ型フォトダイオードの、暗電流特性、光感
度、残像特性を同時に著しく改善することができる。
【図１】本発明のフォトダイオードの一実施態様例の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】本発明のフォトダイオードの第１実施例を示す
概略的平面図である。
概略的平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】上記第１実施例においてＰ型半導体層のみを二
層構成とした場合の構成図である。
層構成とした場合の構成図である。
【図６】上記第１実施例のフォトダイオードのＩ−Ｖ特
性図である。
性図である。
【図７】上記第１実施例のフォトダイオードの分光感度
特性図である。
特性図である。
【図８】上記第１実施例のフォトダイオードの残像特性
図である。
図である。
【図９】本発明のフォトダイオードの第２実施例を示す
概略的平面図である。
概略的平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’線断面図である。
【図１１】図９のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１２】従来のＰＩＮフォトダイオードの改善例の暗
電流の違いを示す特性図である。
電流の違いを示す特性図である。
【図１３】分光感度特性の違いを示す特性図である。
【図１４】従来のフォトダイオードの残像特性の違いを
示す特性図である。
示す特性図である。
１０ 基体 １１ 第１の電極 １２ Ｎ型半導体層 １４ Ｐ型半導体層 １２ａ，１４ａ 第１の半導体層 １２ｂ，１４ｂ 第２の半導体層 １３ Ｉ層 １５ 透明電極 １６ 半導体層 ４００，８００ ガラス基板 ４０１，８０１ 下部電極 ４０２ａ，８０２ａ Ｎ型多結晶シリコン層 ４０２ｂ Ｎ型シリコンナイトライド層 ８０２ｂ Ｎ型多結晶シリコンカーバイト層 ４０３，８０３ 光吸収層 ４０４ａ，８０４ａ Ｐ型多結晶シリコン層 ４０４ｂ Ｐ型非晶質シリコンカーバイト層 ８０４ｂ Ｐ型多結晶シリコンカーバイト層 ４０５，８０５ 上部透明電極 ４０６，８０６ 保護層 ４０７，８０７ 引き出し用配線電極
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｉ層が非晶質半導体層よりなるＰＩＮ型
又はＮＩＰ型のフォトダイオードにおいて、周期律表第III族または第Ｖ族原子を含有する Ｐ型半導
体層及び／又はＮ型半導体層が、少なくともＩ層と同じ
材料で３０〜３００Åの粒径を有する多結晶構造をもつ
第１の半導体層と、Ｉ層の構成元素と禁制帯幅拡大元素
として炭素原子、窒素原子及び酸素原子の内少なくとも
一種を有する多結晶又は非晶質構造をもつ第２の半導体
層との二層から構成され、前記第１の半導体層が前記Ｉ
層に隣接して配置されたことを特徴とするフォトダイオ
ード。 - 【請求項２】 前記Ｉ層が、水素化非晶質シリコンであ
る請求項１記載のフォトダイオード。 - 【請求項３】 前記第１の半導体層の膜厚ｄが、次式で
決められる請求項１記載のフォトダイオード。 【数１】 （式中、ｄｉは非晶質半導体Ｉ層の膜厚、εは第１の半
導体層の誘電率、Ｎは第１の半導体層の不純物濃度、Ｖ
Rはフォトダイオードに印加する最大電圧、φBはＰＩＮ
接合のビルトインポテンシャル、ｑは単位電荷量を示
す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265439A JP2904370B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3265439A JP2904370B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | フォトダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582825A JPH0582825A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2904370B2 true JP2904370B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=17417169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3265439A Expired - Fee Related JP2904370B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | フォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904370B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5641779B2 (ja) | 2010-05-18 | 2014-12-17 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
| JP6540780B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-07-10 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3265439A patent/JP2904370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582825A (ja) | 1993-04-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |