JP2902156B2 - 撮像センサ - Google Patents

撮像センサ

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JP2902156B2
JP2902156B2 JP3140241A JP14024191A JP2902156B2 JP 2902156 B2 JP2902156 B2 JP 2902156B2 JP 3140241 A JP3140241 A JP 3140241A JP 14024191 A JP14024191 A JP 14024191A JP 2902156 B2 JP2902156 B2 JP 2902156B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は撮像センサに関し、特に
撮像センサの内部でリセットパルスを発生するリセット
パルス発振器内蔵型撮像センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の撮像センサは、図4にその一例を
部分的に示すように、水平転送パルス入力端子30、4
0、出力ゲート50、リセットゲート60、電源(電圧
Vdd)及びMOSFET10〜13と出力電圧端子7
0等から構成されている。
【0003】以下上記の通り構成された従来の撮像セン
サの動作を説明すれば下記の通りである。
【0004】受光して励起されたホトダイオード(図示
せず)の電子が、水平パルス入力端子30、40に印加
される水平転送パルスによって、水平転送チャネル80
を通じてフローティング拡散部位90に伝達されて、そ
の電位を変化させる。この電位の変化は、更にMOSF
ET10〜13から成る2段ソースホロワの入力ゲート
の電位変化をもたらし、その結果、電荷の量に依存する
出力電圧の変化が出力電圧端子70に生ずる。このと
き、水平転送チャネルを通じて伝達されてくる各電荷群
は、リセットドレインの電位と同じ電位であったフロー
ティング拡散部位90の電位を変化させるが、次の電荷
群が伝達される前に、リセットゲート60に加えられる
リセットパルスによって、再びフローティング拡散部位
90の電位はリセットドレインと同じ電位になる。この
ような動作が継続反復され、一定なリセットドレインの
電位と、電荷によって変化した電位との差異を読みとっ
て映像信号に変換される。このとき、リセットゲート6
0に加えられるリセットパルスは撮像センサの外部から
供給される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように動作する従来の撮像センサによって、高画質テレ
ビジョン(HDTV)等の高画質画像を作るためには、
多数の画素が必要であり、各画素から発生した電荷を探
知するためには、垂直・水平転送パルスのみでなく、リ
セットパルスも高周波数となる。このような高周波数の
パルスが外部から供給されると、寄生静電容量増加によ
る寄生振動の問題が生じ、リセット動作が十分に行われ
なくなる不具合が発生しやすい。
【0006】本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ために、リセットパルスを外部から供給する代りに内部
で発生させる撮像センサ、すなわち、リセットパルス発
振器内蔵型撮像センサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的は、水平転送パ
ルスを使用して、撮像センサの内部でリセットパルスを
発生することによって達成される。さらに、より具体的
には、水平転送パルスと、この水平転送パルスと逆位相
の水平転送パルスを一定時間(Δt)遅延したパルスと
を受け、論理積(AND)したうえで、基準電圧のリセ
ットパルスを出力するMOSFETを撮像センサの内部
に含めて構成することによって達成される。
【0008】
【作用】水平転送パルスを利用して、撮像センサの内部
でリセットパルスを生成するので、高周波数においても
作動が可能となる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1により説明す
る。
【0010】図1において、水平転送パルスの入力端子
30を、抵抗25を経て一端が接地されたコンデンサ2
6の他端に接続した後、MOSFET15のゲートに接
続する。このMOSFET15のドレインを、更にMO
SFET14のソース及びゲートに接続すると同時にM
OSFET17のゲートに接続する。このMOSFET
17のドレインを、更にMOSFET16のソース及び
ゲートに接続すると同時にMOSFET19のゲートに
接続する。このMOSFET19のソースを、ゲートに
水平転送パルス40が印加されるMOSFET20のド
レインに接続し、MOSFET19のドレインを、更に
MOSFET18のソース及びゲートに接続すると同時
にMOSFET22のゲートに接続する。
【0011】このMOSFET22のドレインを、更に
MOSFET21のソース及びゲートに接続すると同時
に、MOSFET23のゲートに接続する。このMOS
FET23のソースを、出力電圧端子70に接続すると
同時にゲートとソースが接地されたMOSFET24の
ドレインに接続する。
【0012】MOSFET14,16,18,21,2
3の各ドレインには電源電圧Vddを印加し、MOSF
ET15,17,20,22の各ソースは接地する。
【0013】上記の全体構成のロジックは図2に示すと
おりであり、電子結合素子(CCD)の駆動に用いられ
る水平転送パルス40と、この水平転送パルス40と周
期が同じで逆位相の水平転送パルス30を一定時間(Δ
t)遅延したパルスとが、アンドゲート100を経て所
望の周波数のリセットパルスとして出力端子70に出力
される。
【0014】図3は、図1の回路の信号波形図である。
【0015】上記実施例の回路動作を、図1〜図3を使
用して説明すれば、以下のとおりである。
【0016】図1において、水平転送パルス30(図3
の30)は、a点であらかじめ定めた時間幅だけ遅延さ
れ(図3のa)、b点で逆相になり(図3のb)、c点
で再度逆相になり(図3のc)、MOSFET18、1
9によってd点で水平転送パルス40とのナンド(NA
ND)が求められ(図3のd)、得られたパルスは更に
e点で逆相になって振幅0(V)〜Vdd(V)の波形
(図3のe)となり、最終的に、リセットゲート入力に
適合した基準電圧電位レベルVrefに整合された出力
波形70(図3の70)が得られる。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、水平転送パルスを利用
して、撮像センサの内部でリセットパルスが生成される
ので、高周波数においても作動が可能となる。更に、パ
ルスピンの使用を減少できるので、装置全体の信頼性が
向上し、また、製造原価も節減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるリセットパルス発振器
内蔵型撮像センサの回路図である。
【図2】図1の回路のロジック図である。
【図3】図1各部のパルス出力波形図である。
【図4】従来の撮像センサの断面図及び回路図である。
【符号の説明】
10〜24…MOSFET、 25…抵抗、 26…コンデンサ、 30、40…水平転送パルス入力端子または水平転送パ
ルス、 50…出力ゲート、 60…リセットゲート、 70…出力電圧端子または出力電圧、 100…アンドゲート、 Vdd…電源電圧、 Vref…基準電圧、 Vss…接 地。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】水平転送パルスを使用して撮像センサの内
    部でリセットパルスを発生するリセットパルス発振器を
    有し、該リセットパルス発振器は上記撮像センサのリセ
    ット端子に単独に付加されるものであることを特徴とす
    るリセットパルス発振器内蔵型撮像センサ。
  2. 【請求項2】水平転送パルスと、この水平転送パルスと
    逆位相の水平転送パルスを一定時間(Δt)遅延したパ
    ルスとを受け、論理積したうえで、基準電圧のリセット
    パルスを出力するMOSFETを撮像センサの内部に含
    めて構成することを特徴とする請求項1記載のリセット
    パルス発振器内蔵型撮像センサ。
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