JP2900862B2 - Phase change optical disk - Google Patents

Phase change optical disk

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JP2900862B2
JP2900862B2 JP7299731A JP29973195A JP2900862B2 JP 2900862 B2 JP2900862 B2 JP 2900862B2 JP 7299731 A JP7299731 A JP 7299731A JP 29973195 A JP29973195 A JP 29973195A JP 2900862 B2 JP2900862 B2 JP 2900862B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は書換え型光学式情報
記録再生装置等に使用される光学式情報記録再生媒体に
関し、特にレーザ光の照射による昇温、冷却の熱履歴の
違いにより結晶と非晶質間の構造変化ならびに光学的性
質が変化する光学式情報記録再生媒体、即ち相変化型光
ディスクに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording / reproducing medium used for a rewritable optical information recording / reproducing apparatus and the like. The present invention relates to an optical information recording / reproducing medium in which a structural change between crystalline materials and optical properties change, that is, a phase change optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク記録方式は
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が始まっている。
光ディスクはコンパクトディスクやレーザディスクとし
て知られている再生専用型、ユーザ自身で記録できる追
記型、およびユーザ側で繰返し記録消去ができる書換え
型に分類される。追記型、書換え型の光ディスクはコン
ピュータの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルと
して使用されようとしている。
2. Description of the Related Art An optical disk recording system using a laser beam is capable of large-capacity recording and non-contact high-speed access.
Optical disks are classified into a read-only type, which is known as a compact disk or a laser disk, a write-once type, which can be recorded by the user himself, and a rewritable type, which can repeatedly record and erase on the user side. Write-once and rewritable optical disks are about to be used as an external memory of a computer or as a document / image file.

【0003】書換え型光ディスクには、記録膜の相変化
を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向
の変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、相
変化型光ディスクは外部磁場が不要で、かつ、オーバラ
イトが容易にできることから、今後、書換え型光ディス
クの主流になることが期待されている。
[0003] As rewritable optical disks, there are a phase change optical disk utilizing a phase change of a recording film and a magneto-optical disk utilizing a change in the magnetization direction of a perpendicular magnetization film. Of these, the phase-change optical disk does not require an external magnetic field and can be easily overwritten, so that it is expected that the rewritable optical disk will become the mainstream in the future.

【0004】従来よりレーザ光照射により結晶ー非晶質
間の相変化を起こす記録膜を用いた書換え可能な、いわ
ゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光デ
ィスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワーの
レーザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇
させることにより、結晶ー非晶質間の相変化を起こさせ
て記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワーのレー
ザ光によって反射光強度差として読み取ることにより再
生を行っている。
A rewritable, so-called phase-change type optical disk using a recording film which causes a phase change between crystal and amorphous by irradiation with a laser beam has been conventionally known. A phase-change optical disk irradiates a high-power laser beam spot according to the information to be recorded on the recording film, and locally raises the recording film temperature to cause a phase change between crystal and amorphous. Recording is performed, and reproduction is performed by reading a change in the optical constant accompanying the change as reflected light intensity difference with a low power laser beam.

【0005】例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜を
用いた相変化型光ディスクでは、ディスクを回転させ、
ディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射し、記録
膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通過した
後、急冷することにより、その部分を非晶質状態とし記
録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温度以上、融
点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させるため
に十分な時間保持し、記録膜を結晶化させる。このため
の方法としては、レーザ光進行方向に長い長円レーザ光
を照射する方法が知られている。既に記録したデータを
消去しながら新しい情報を記録する2ビームによる疑似
的なオーバライトを行う場合には、消去用の長円レーザ
光を記録用円形レーザ光に先行させて照射するように配
置する。
For example, in a phase change optical disk using a recording film having a relatively slow crystallization time, the disk is rotated,
The recording film formed on the disk is irradiated with laser light to raise the temperature of the recording film to a temperature equal to or higher than the melting point, and after the laser light passes, is rapidly cooled, thereby recording the portion in an amorphous state. At the time of erasing, the recording film is crystallized by maintaining the recording film temperature in a crystallization-possible temperature range from the crystallization temperature to the melting point and lower than the crystallization temperature for a period sufficient for crystallization to proceed. As a method for this, there is known a method of irradiating a long oval laser beam in a laser beam traveling direction. In the case of performing pseudo overwriting by two beams for recording new information while erasing already recorded data, the erasing elliptical laser light is arranged to be irradiated prior to the recording circular laser light. .

【0006】一方、高速結晶化が可能な情報記録膜を用
いたディスクでは、円形に集光した1本のレーザ光を使
う。従来より知られている方法は、レーザ光のパワーを
2つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるい
は非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上
に上昇させることが可能なパワーのレーザ光を記録膜に
照射することにより、そのほとんどの部分は冷却時に非
晶質状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、
融点以下の温度に達するようなパワーのレーザ光が照射
された部分は結晶状態になる。
On the other hand, a disc using an information recording film capable of high-speed crystallization uses a single laser beam focused in a circular shape. Conventionally known methods perform crystallization or amorphization by changing the power of laser light between two levels. That is, by irradiating the recording film with laser light having a power capable of raising the temperature of the recording film to a temperature equal to or higher than the melting point, most of the recording film becomes amorphous upon cooling, while the recording film temperature is crystallized. Above temperature,
A portion irradiated with a laser beam having a power to reach a temperature equal to or lower than the melting point is in a crystalline state.

【0007】相変化型光ディスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSbTe
系、AgInSbTe系、InSe系、InTe系、A
sTeGe系、TeOxーGeSn系、TeSeSn
系、SbSeBi系、BiSeGe系、などが用いられ
るが、いずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸
着法、スパッタリング法などの成膜法で成膜される。成
膜直後の記録膜の状態は一種の非晶質状態であり、この
記録膜に記録を行って非晶質の記録部を形成するため
に、記録膜全体を結晶質にしておく初期化処理が行われ
る。記録はこの結晶化された状態の中に非晶質部分を形
成することにより達成される。
[0007] The recording film of the phase change type optical disk is made of a chalcogenide-based material such as GeSbTe-based or InSbTe-based.
System, AgInSbTe system, InSe system, InTe system, A
sTeGe system, TeOx-GeSn system, TeSeSn
A system, a SbSeBi system, a BiSeGe system, or the like is used, and all are formed by a film forming method such as a resistance heating vacuum evaporation method, an electron beam vacuum evaporation method, and a sputtering method. The state of the recording film immediately after film formation is a kind of amorphous state, and in order to perform recording on this recording film and form an amorphous recording portion, an initialization process for making the entire recording film crystalline. Is performed. Recording is achieved by forming amorphous portions in this crystallized state.

【0008】従来、相変化型光ディスクにおいて、高密
度記録を行う手法として、記録マークのエッジに情報を
記録するマークエッジ記録方式が提案されている。マー
クエッジ記録に適したディスク構成として、既に透過型
の反射膜、特にSi反射膜を用いたディスク構成が提案
されている(例えば、特開平2ー218834、特開平
6ー230671、特開平6ー253326)。
Conventionally, as a technique for performing high-density recording on a phase-change optical disk, a mark edge recording method for recording information at the edge of a recording mark has been proposed. As a disk configuration suitable for mark edge recording, a disk configuration using a transmission-type reflective film, particularly a Si reflective film, has already been proposed (for example, JP-A-2-218834, JP-A-6-230671, JP-A-6-230671). 253326).

【0009】Si反射膜構成では、Si反射膜上に保護
用として紫外線硬化樹脂(UV樹脂)が塗布される。あ
るいは、Si反射膜上の誘電体干渉層上に、保護用とし
て、UV樹脂が塗布される。しかしながら、UV樹脂は
Siあるいは誘電体材料に対しては付着力が弱く、この
ため、直接UV樹脂を塗布した構成では、耐候性や繰返
しオーバライト耐性の点で、特性が不十分であるという
課題があった。この保護樹脂は、相変化型光ディスクの
オーバライト時における各薄膜の機械的変形あるいは熱
変形を最小に抑える役割をはたしており、相変化型光デ
ィスクの信頼性を確保するには非常に重要である。
In the configuration of the Si reflection film, an ultraviolet curing resin (UV resin) is applied on the Si reflection film for protection. Alternatively, a UV resin is applied on the dielectric interference layer on the Si reflection film for protection. However, UV resin has a weak adhesive force to Si or a dielectric material, and therefore, a configuration in which UV resin is directly applied has insufficient characteristics in terms of weather resistance and repeated overwrite resistance. was there. The protective resin plays a role of minimizing mechanical deformation or thermal deformation of each thin film at the time of overwriting of the phase change optical disk, and is very important for ensuring the reliability of the phase change optical disk.

【0010】従来用いられていたこの種の相変化型光デ
ィスクは、一般に図3および図4にて示す構成のものが
採用されていた。図3は従来の相変化型光ディスクの構
成を示す模式的断面図、図4は干渉膜を設けた従来の相
変化型光ディスクの構成を示す模式的断面図である。図
3および図4において符号31、41で示されるものは
基板、32、42は下地保護膜、33、43は相変化記
録膜、34、44は上部保護膜、35、45は透過性反
射膜、37、47は保護樹脂、48は干渉膜である。
Conventionally, this type of phase change type optical disk generally has a configuration shown in FIGS. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional phase change optical disk, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional phase change optical disk provided with an interference film. 3 and 4, reference numerals 31 and 41 denote substrates, 32 and 42 are base protective films, 33 and 43 are phase change recording films, 34 and 44 are upper protective films, and 35 and 45 are transmissive reflective films. , 37 and 47 are protective resins, and 48 is an interference film.

【0011】従来の相変化型光ディスクの効果を試験す
るために、図3と同様の構成となるように、基板31上
に下地保護膜32、相変化記録膜33、上部保護膜3
4、透過性反射膜35、保護樹脂37を順次形成した。
基板31には、直径130mmのポリカーボネート基板
(板厚1.2mm、トラックピッチ1.2μm)を用い
た。この基板31上に、順次、スパッタ法により、ZnS-
SiO2から成る下地保護膜32(260nm厚)、Ge2Sb2
Te5 から成る相変化記録膜33(15nm厚)、ZnS-Si
O2から成る上部保護膜34(20nm厚)、Si透過性
反射膜35(20nm厚)を形成した。そして、紫外線
硬化樹脂(大日本インキ製、SD301、10μm厚)
を保護樹脂37としてスピンコートにより形成した。
In order to test the effect of the conventional phase change type optical disk, a base protective film 32, a phase change recording film 33, and an upper protective film 3 are formed on a substrate 31 so as to have the same configuration as that of FIG.
4. The transparent reflective film 35 and the protective resin 37 were sequentially formed.
As the substrate 31, a polycarbonate substrate having a diameter of 130 mm (plate thickness 1.2 mm, track pitch 1.2 μm) was used. On this substrate 31, ZnS-
Under protective film 32 (260 nm thick) made of SiO 2 , Ge 2 Sb 2
Phase change recording film 33 made of Te 5 (15 nm thick), ZnS-Si
An upper protective film 34 (20 nm thick) made of O 2 and a Si permeable reflective film 35 (20 nm thick) were formed. And ultraviolet curing resin (manufactured by Dainippon Ink, SD301, 10 μm thickness)
Was formed as a protective resin 37 by spin coating.

【0012】続いて、効果を確認するために、90℃9
0%R.H.(相対湿度)の高温高湿環境中での加速試
験を試みた。1000時間までの試験において、部分的
に紫外線硬化樹脂である保護樹脂37の剥がれが観察さ
れた。
Subsequently, at 90 ° C., 9 to confirm the effect.
0% R. H. (Relative humidity) accelerated test in a high temperature and high humidity environment. In the test up to 1000 hours, the peeling of the protective resin 37 which is an ultraviolet curable resin was partially observed.

【0013】次に、干渉膜を設けた従来の相変化型光デ
ィスクの効果を試験するために、図4と同様の構成とな
るように、基板41上に下地保護膜42、相変化記録膜
43、上部保護膜44、透過性反射膜45、干渉膜4
8、保護樹脂47を順次形成した。基板41には、直径
130mmのポリカーボネート基板(板厚1.2mm、
トラックピッチ1.2μm)を用いた。この基板41上
に、順次、スパッタ法により、ZnS-SiO2から成る下地保
護膜42(260nm厚)、Ge2Sb2Te5 から成る相変化
記録膜43(15nm厚)、ZnS-SiO2から成る上部保護
膜44(20nm厚)、Si透過性反射膜45(20n
m厚)、ZnS-SiO2から成る干渉膜48(120nm厚)
を形成した。そして、紫外線硬化樹脂(大日本インキ
製、SD301、10μm厚)を保護樹脂47としてス
ピンコートにより形成した。
Next, in order to test the effect of the conventional phase-change type optical disk provided with an interference film, an underlayer protective film 42 and a phase-change recording film 43 are formed on a substrate 41 so as to have the same configuration as that shown in FIG. , Upper protective film 44, transmissive reflective film 45, interference film 4
8. A protective resin 47 was sequentially formed. As the substrate 41, a polycarbonate substrate having a diameter of 130 mm (plate thickness 1.2 mm,
Track pitch 1.2 μm). On this substrate 41, sequentially by sputtering, base protective film 42 (260 nm thick) made of ZnS-SiO 2, a phase change recording film 43 (15 nm thick) made of Ge 2 Sb 2 Te 5, a ZnS-SiO 2 Upper protective film 44 (20 nm thick), and a Si permeable reflective film 45 (20 n
interference film 48 (120 nm thick) made of ZnS-SiO 2
Was formed. Then, a UV-curable resin (manufactured by Dainippon Ink, SD301, 10 μm thick) was formed as a protective resin 47 by spin coating.

【0014】続いて、効果を確認するために、90℃9
0%R.H.(相対湿度)の高温高湿環境中での加速試
験を試みた。1000時間までの試験において、図3と
同様の構成の従来の相変化型光ディスクの効果の試験と
よく似た現象、即ち、部分的に紫外線硬化樹脂である保
護樹脂47の剥がれが観察された。
Subsequently, at 90 ° C. 9
0% R. H. (Relative humidity) accelerated test in a high temperature and high humidity environment. In the test up to 1000 hours, a phenomenon very similar to the effect test of the conventional phase-change optical disk having the same configuration as that of FIG. 3, that is, the peeling of the protective resin 47, which is an ultraviolet curable resin, was partially observed.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、保護
樹脂と相変化記録特性に関わる機能性薄膜間の付着力を
強化することが、相変化型光ディスクの信頼性の観点か
ら非常に重要な課題である。
As described above, it is very important from the viewpoint of the reliability of a phase change optical disc to enhance the adhesion between the protective resin and the functional thin film relating to the phase change recording characteristics. It is an issue.

【0016】本発明の目的は、保護樹脂の付着力を強化
する層を設けて、所望のオーバライト記録特性を持ちつ
つ、耐候性、繰返し耐性を改善した相変化型光ディスク
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a phase-change type optical disk having a layer for enhancing the adhesion of a protective resin and having improved weather resistance and repetition resistance while having desired overwrite recording characteristics. .

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の相変化型光ディ
スクは、レ−ザ光照射により結晶と非晶質間の可逆的な
相状態変化を起こす情報記録膜の前記相状態変化によっ
て、情報の記録再生消去が行われる相変化型光ディスク
において、少なくとも、Siからなる透過性反射膜と、
保護樹脂と、前記透過性反射膜と前記保護樹脂との間に
あり金属合金極薄膜からなる付着強化層とが配設されて
いることを特徴とする。
According to the phase change type optical disk of the present invention, information is recorded by the phase change of the information recording film which causes a reversible phase change between a crystal and an amorphous by irradiation of laser light. In a phase change optical disc on which recording / reproduction is performed, at least a transparent reflective film made of Si;
Protective resin, between the transparent reflective film and the protective resin
There is an adhesion strengthening layer consisting of a metal alloy ultra-thin film
And said that you are.

【0018】[0018]

【0019】また、付着強化層がAlを主たる成分とす
る金属合金極薄膜であってもよい。さらに、基板上に、
下地保護膜、相変化記録膜、上部保護膜、透過性反射
膜、付着強化層、保護樹脂が順次形成されていてもよ
い。
The adhesion strengthening layer may be a metal alloy ultra-thin film containing Al as a main component. Furthermore, on the substrate,
An underlayer protective film, a phase change recording film, an upper protective film, a transmissive reflective film, an adhesion reinforcing layer, and a protective resin may be sequentially formed.

【0020】本発明では、相変化型光ディスクの構成を
工夫することによって、即ち、保護樹脂と機能性薄膜間
に付着強化層として金属合金極薄膜を形成することによ
って、保護樹脂と機能性薄膜間の付着力を強化するもの
である。金属と紫外線硬化樹脂に代表される保護樹脂間
の付着力は非常に強固であることを見出し、発明に至っ
たものである。従来、透過性反射膜として、例えばSi
を使用した場合、保護樹脂はこのSi反射膜上に形成さ
れることになるが、Siと保護樹脂の付着力はそれほど
強固ではなく、本発明にかかる付着強化層形成により、
多大な効果が期待できる。
In the present invention, the structure between the protective resin and the functional thin film is improved by devising the structure of the phase change type optical disk, that is, by forming a metal alloy ultra-thin film as an adhesion reinforcing layer between the protective resin and the functional thin film. Is to enhance the adhesive force of the rubber. The inventors have found that the adhesive force between a metal and a protective resin typified by an ultraviolet curable resin is very strong, and have arrived at the invention. Conventionally, as a transparent reflection film, for example, Si
When the protective resin is used, the protective resin is formed on the Si reflective film, but the adhesive force between Si and the protective resin is not so strong, and by the formation of the adhesion reinforcing layer according to the present invention,
A great effect can be expected.

【0021】また、基板上に、下地保護膜、相変化記録
膜、上部保護膜、透過性反射膜、干渉膜、付着強化層、
保護樹脂が順次形成されていてもよい。
Further, on the substrate, a base protective film, a phase change recording film, an upper protective film, a transmissive reflective film, an interference film, an adhesion reinforcing layer,
The protective resin may be sequentially formed.

【0022】光学的な干渉を利用して性能を改善するた
めに、透過性反射膜上に干渉膜を設けた構成において
も、干渉膜として誘電体薄膜が使用される場合には、S
iの場合と同様、付着力強化が要求されるため、干渉膜
と保護樹脂間に付着強化層を設けたものである。付着強
化層は金属合金極薄膜であり、光学的には透明あるいは
半透明を呈するため、付着強化層を形成してもディスク
本来の光学特性に与える影響はほとんどなく好都合であ
るという利点を有する。また、極薄膜のため記録感度低
下等の熱的悪影響もない。なお、金属合金極薄膜として
は10nm以下の厚さが特に望ましい。
In a configuration in which an interference film is provided on a transmissive reflection film in order to improve performance by utilizing optical interference, even when a dielectric thin film is used as the interference film, S
As in the case of i, since the adhesion is required to be enhanced, an adhesion reinforcing layer is provided between the interference film and the protective resin. Since the adhesion reinforcing layer is an extremely thin metal alloy and is optically transparent or translucent, there is an advantage that even if the adhesion reinforcing layer is formed, there is almost no influence on the original optical characteristics of the disc, which is advantageous. Further, there is no thermal adverse effect such as a decrease in recording sensitivity due to the extremely thin film. The thickness of the metal alloy ultra-thin film is particularly preferably 10 nm or less.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施
の形態の相変化型光ディスクの構成を示す模式的断面
図、図2は第2の実施の形態の干渉膜を設けた相変化型
光ディスクの構成を示す模式的断面図である。図1およ
び図2において符号1、21で示されるものは基板、
2、22は下地保護膜、3、23は相変化記録膜、4、
24は上部保護膜、5、25は透過性反射膜、6、26
は付着強化層、7、27は保護樹脂、28は干渉膜であ
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a phase change optical disk according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a phase change optical disk provided with an interference film according to a second embodiment. FIG. In FIGS. 1 and 2, reference numerals 1 and 21 denote substrates.
Reference numerals 2 and 22 denote a base protective film, and reference numerals 3 and 23 denote phase change recording films.
24 is an upper protective film, 5 and 25 are transmissive reflective films, 6, 26
Is an adhesion reinforcing layer, 7 and 27 are protective resins, and 28 is an interference film.

【0024】図1に示すように、本発明の第1の実施の
形態の相変化型光ディスクは基板1上に下地保護膜2、
相変化記録膜3、上部保護膜4、透過性反射膜5、付着
強化層6、保護樹脂7が順次形成されたものである。基
板1には円盤状のガラスもしくはプラスチックが用いら
れる。下地保護膜2と上部保護膜4にはSiO2 、S
34、AlN、TiO2 、ZnSなどの材料あるいは
それらの混合物が用いられる。相変化記録膜3としては
カルコゲナイド系材料であるGeSbTe系、InSb
Te系、AgInSbTe系、InSe系、InTe
系、AsTeGe系、TeOxーGeSn系、TeSe
Sn系、SbSeBi系、BiSeGe系、などが用い
られる。透過性反射膜5としては、高屈折率のSi、G
eなどが使用できる。付着強化層6には、金属合金極薄
膜を使用する。例えば、Al、Au、Ag、Cr、C
u、Ni、Co、Ta、Ti、Pt、Pdなどが使用で
きる。この付着強化層6としては、望ましくはAlまた
はAl合金極薄膜であり、Al合金極薄膜は、例えば、
AlーTi、AlーSi、AlーTa、AlーCu、A
lーNi、AlーCo、AlーCrなどが使用できる。
保護樹脂7としては一般的に紫外線で硬化する紫外線硬
化樹脂を用いる。
As shown in FIG. 1, a phase-change optical disk according to a first embodiment of the present invention has a
The phase change recording film 3, the upper protective film 4, the transmissive reflective film 5, the adhesion reinforcing layer 6, and the protective resin 7 are sequentially formed. The substrate 1 is made of disk-shaped glass or plastic. The lower protective film 2 and the upper protective film 4 are made of SiO 2 , S
A material such as i 3 N 4 , AlN, TiO 2 , ZnS or a mixture thereof is used. The phase change recording film 3 may be a chalcogenide-based material such as GeSbTe-based or InSb-based.
Te-based, AgInSbTe-based, InSe-based, InTe
System, AsTeGe system, TeOx-GeSn system, TeSe
Sn-based, SbSeBi-based, BiSeGe-based, and the like are used. As the transmissive reflection film 5, Si, G having a high refractive index is used.
e can be used. An extremely thin metal alloy is used for the adhesion strengthening layer 6. For example, Al, Au, Ag, Cr, C
u, Ni, Co, Ta, Ti, Pt, Pd and the like can be used. The adhesion strengthening layer 6 is desirably an Al or Al alloy ultra-thin film.
Al-Ti, Al-Si, Al-Ta, Al-Cu, A
1-Ni, Al-Co, Al-Cr and the like can be used.
As the protective resin 7, an ultraviolet curable resin that is generally cured by ultraviolet light is used.

【0025】本発明の第1の実施の形態の相変化型光デ
ィスクの効果を試験するために、図1と同様の構成とな
るように、基板1上に下地保護膜2、相変化記録膜3、
上部保護膜4、透過性反射膜5、付着強化層6、保護樹
脂7を順次形成した。基板1には、直径130mmのポ
リカーボネート基板(板厚1.2mm、トラックピッチ
1.2μm)を用いた。この基板1上に、順次、スパッ
タ法により、ZnS-SiO2から成る下地保護膜2(260n
m厚)、Ge2Sb2Te5 から成る相変化記録膜3(15nm
厚)、ZnS-SiO2 から成る上部保護膜4(20nm
厚)、Si透過性反射膜5(20nm厚)、AlーTi
(Ti、1.0wt%)から成る付着強化層6(2nm
厚)を形成した。そして、紫外線硬化樹脂(大日本イン
キ製、SD301、10μm厚)を保護樹脂7としてス
ピンコートにより形成した。
In order to test the effect of the phase change type optical disk according to the first embodiment of the present invention, a base protective film 2 and a phase change recording film 3 are formed on a substrate 1 so as to have the same configuration as that of FIG. ,
An upper protective film 4, a transmissive reflective film 5, an adhesion reinforcing layer 6, and a protective resin 7 were sequentially formed. As the substrate 1, a polycarbonate substrate having a diameter of 130 mm (plate thickness 1.2 mm, track pitch 1.2 μm) was used. On this substrate 1, successively, by sputtering, a base protective film 2 made of ZnS-SiO 2 (260n
m), phase change recording film 3 (15 nm) made of Ge 2 Sb 2 Te 5
Upper protective film 4 (20 nm thick) made of ZnS-SiO 2
Thickness), Si transparent reflection film 5 (20 nm thickness), Al-Ti
(Ti, 1.0 wt%)
Thickness). Then, an ultraviolet curable resin (SD301, 10 μm thick, manufactured by Dainippon Ink) was formed as a protective resin 7 by spin coating.

【0026】続いて、本発明の効果を確認するために、
90℃90%R.H.(相対湿度)の高温高湿環境中で
の加速試験を試みた。1000時間までの試験におい
て、目視観察、ならびにビットエラーレートレベルでの
評価を行ったが、全く異常は見られなかった。
Next, in order to confirm the effects of the present invention,
90 ° C 90% R. H. (Relative humidity) accelerated test in a high temperature and high humidity environment. In the test up to 1000 hours, visual observation and evaluation at the bit error rate level were performed, but no abnormality was found.

【0027】次に、図2に示すように、本発明の第2の
実施の形態の干渉膜を設けた相変化型光ディスクは基板
21上に下地保護膜22、相変化記録膜23、上部保護
膜24、透過性反射膜25、干渉膜28、付着強化層2
6、保護樹脂27が順次形成されたものである。基板2
1には円盤状のガラスもしくはプラスチックが用いられ
る。下地保護膜22と上部保護膜24にはSiO2
Si34、AlN、TiO2 、ZnSなどの材料あるい
はそれらの混合物が用いられる。相変化記録膜23とし
てはカルコゲナイド系材料であるGeSbTe系、In
SbTe系、AgInSbTe系、InSe系、InT
e系、AsTeGe系、TeOxーGeSn系、TeS
eSn系、SbSeBi系、BiSeGe系、などが用
いられる。透過性反射膜25としては、高屈折率のS
i、Geなどが使用できる。付着強化層26には、金属
合金極薄膜を使用する。例えば、Al、Au、Ag、C
r、Cu、Ni、Co、Ta、Ti、Pt、Pdなどが
使用できる。この付着強化層26としては、望ましくは
AlまたはAl合金極薄膜であり、Al合金極薄膜は、
例えば、AlーTi、AlーSi、AlーTa、Alー
Cu、AlーNi、AlーCo、AlーCrなどが使用
できる。保護樹脂27としては一般的に紫外線で硬化す
る紫外線硬化樹脂を用いる。干渉膜28には、透明性の
誘電体材料が用いられ、透過性反射膜25とは光学定数
が異なるものが望ましい。例えば、SiO、Si、G
e、MgF2、Al23、In23、ZrO2などが使用
できる。この干渉膜28の付与により再生信号レベルの
増強など、性能改善を図ることができる。
Next, as shown in FIG. 2, a phase change type optical disc provided with an interference film according to a second embodiment of the present invention has a base protection film 22, a phase change recording film 23, an upper protection film on a substrate 21. Film 24, transmissive reflection film 25, interference film 28, adhesion reinforcing layer 2
6. The protective resin 27 is sequentially formed. Substrate 2
1 is a disc-shaped glass or plastic. SiO 2 is used for the base protective film 22 and the upper protective film 24.
A material such as Si 3 N 4 , AlN, TiO 2 , ZnS or a mixture thereof is used. As the phase change recording film 23, a chalcogenide-based material such as GeSbTe-based
SbTe system, AgInSbTe system, InSe system, InT
e system, AsTeGe system, TeOx-GeSn system, TeS
eSn system, SbSeBi system, BiSeGe system, etc. are used. As the transmissive reflective film 25, a high refractive index S
i, Ge, etc. can be used. For the adhesion strengthening layer 26, a metal alloy ultra-thin film is used. For example, Al, Au, Ag, C
r, Cu, Ni, Co, Ta, Ti, Pt, Pd and the like can be used. The adhesion strengthening layer 26 is desirably an Al or Al alloy ultra-thin film.
For example, Al-Ti, Al-Si, Al-Ta, Al-Cu, Al-Ni, Al-Co, Al-Cr and the like can be used. As the protective resin 27, an ultraviolet curable resin that is generally cured by ultraviolet light is used. The interference film 28 is preferably made of a transparent dielectric material and has a different optical constant from the transmissive reflection film 25. For example, SiO, Si, G
e, MgF 2 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , ZrO 2 and the like can be used. By providing the interference film 28, performance can be improved such as enhancement of the reproduction signal level.

【0028】本発明の第2の実施の形態の干渉膜を設け
た相変化型光ディスクの効果を試験するために、図2と
同様の構成となるように、基板21上に下地保護膜2
2、相変化記録膜23、上部保護膜24、透過性反射膜
25、干渉膜28、保護樹脂27を順次形成した。基板
21には、直径130mmのポリカーボネート基板(板
厚1.2mm、トラックピッチ1.2μm)を用いた。
この基板21上に、順次、スパッタ法により、ZnS-SiO2
から成る下地保護膜22(260nm厚)、Ge2Sb2Te5
から成る相変化記録膜23(15nm厚)、ZnS-SiO2
ら成る上部保護膜24(20nm厚)、Si透過性反射
膜25(20nm厚)、ZnS-SiO2から成る干渉膜28
(120nm厚)、AlーTi(Ti、1.0wt%)
から成る付着強化層26(2nm厚)を形成した。そし
て、紫外線硬化樹脂(大日本インキ製、SD301、1
0μm厚)を保護樹脂27としてスピンコートにより形
成した。
In order to test the effect of the phase change type optical disk provided with the interference film according to the second embodiment of the present invention, the undercoat protection film 2 is formed on the substrate 21 so as to have the same configuration as that of FIG.
2. A phase change recording film 23, an upper protective film 24, a transmissive reflective film 25, an interference film 28, and a protective resin 27 were sequentially formed. As the substrate 21, a polycarbonate substrate having a diameter of 130 mm (plate thickness 1.2 mm, track pitch 1.2 μm) was used.
On this substrate 21, ZnS—SiO 2 was sequentially formed by sputtering.
Base protective film 22 (260 nm thick) made of Ge 2 Sb 2 Te 5
Phase change recording film 23 (15 nm thick) made of ZnS, upper protective film 24 (20 nm thick) made of ZnS-SiO 2 , Si transparent reflective film 25 (20 nm thick), interference film 28 made of ZnS-SiO 2
(120 nm thick), Al-Ti (Ti, 1.0 wt%)
An adhesion strengthening layer 26 (2 nm thick) was formed. Then, an ultraviolet-curing resin (manufactured by Dainippon Ink, SD301, 1
(Thickness: 0 μm) as a protective resin 27 by spin coating.

【0029】続いて、本発明の効果を確認するために、
90℃90%R.H.(相対湿度)の高温高湿環境中で
の加速試験を試みた。1000時間までの試験におい
て、目視観察、ならびにビットエラーレートレベルでの
評価を行ったが、全く異常は見られなかった。
Next, in order to confirm the effects of the present invention,
90 ° C 90% R. H. (Relative humidity) accelerated test in a high temperature and high humidity environment. In the test up to 1000 hours, visual observation and evaluation at the bit error rate level were performed, but no abnormality was found.

【0030】なお、本発明の実施の形態は上述の構成に
ついて説明したが、本発明は、上述の構成に限定される
ものではなく、幅広く相変化型光ディスクの付着力を強
化する目的で使用される付着強化層に適用されることは
言うまでもない。
Although the embodiment of the present invention has been described with reference to the above-described configuration, the present invention is not limited to the above-described configuration, and is used for the purpose of broadly enhancing the adhesive force of a phase change optical disk. It is needless to say that the present invention is applied to an adhesion reinforcing layer.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、相変化
型光ディスクの信頼性を確保するために、保護樹脂と機
能性薄膜間の付着力を強化する付着強化層が設けられて
おり、付着強化層は光学的には透明あるいは半透明な金
属合金極薄膜であるので、光学特性に与える影響もほと
んどなく熱的悪影響もないので、所望のオーバライト記
録特性を持ちつつ、耐候性、繰返し耐性を改善できると
いう優れた効果がある。
As described above, according to the present invention, in order to ensure the reliability of the phase change type optical disk, the adhesion reinforcing layer for enhancing the adhesion between the protective resin and the functional thin film is provided. Since the reinforcing layer is an optically transparent or translucent metal alloy ultra-thin film, it has almost no effect on optical characteristics and no thermal adverse effect, so it has desired overwrite recording characteristics, weather resistance, and repetition resistance. There is an excellent effect that can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の相変化型光ディス
クの構成を示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a phase-change optical disc according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態の干渉膜を設けた相
変化型光ディスクの構成を示す模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a phase-change optical disc provided with an interference film according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の相変化型光ディスクの構成を示す模式的
断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional phase change optical disc.

【図4】干渉膜を設けた従来の相変化型光ディスクの構
成を示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional phase-change optical disc provided with an interference film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、21、31、41 基板 2、22、32、42 下地保護膜 3、23、33、43 相変化記録膜 4、24、34、44 上部保護膜 5、25、35、45 透過性反射膜 6、26 付着強化層 7、27、37、47 保護樹脂 28、48 干渉膜 1, 21, 31, 41 Substrate 2, 22, 32, 42 Underlayer protective film 3, 23, 33, 43 Phase change recording film 4, 24, 34, 44 Upper protective film 5, 25, 35, 45 Transmissive reflective film 6, 26 adhesion strengthening layer 7, 27, 37, 47 protective resin 28, 48 interference film

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】レ−ザ光照射により結晶と非晶質間の可逆
的な相状態変化を起こす情報記録膜の前記相状態変化に
よって、情報の記録再生消去が行われる相変化型光ディ
スクにおいて、少なくとも、Siからなる透過性反射膜
と、保護樹脂と、前記透過性反射膜と前記保護樹脂との
間にあり金属合金極薄膜からなる付着強化層とが配設さ
れていることを特徴とする相変化型光ディスク。
1. A phase change type optical disk in which information is recorded / reproduced / erased by the phase change of an information recording film which causes a reversible phase change between a crystal and an amorphous by irradiation with laser light. At least a transparent reflective film made of Si, a protective resin, and an adhesion reinforcing layer between the transparent reflective film and the protective resin and made of a metal alloy ultrathin film are provided. Phase change optical disk.
【請求項2】請求項1記載の相変化型光ディスクにおい
て、前記付着強化層がAlを主たる成分とする合金極薄
膜であることを特徴とする相変化型光ディスク。
2. The phase-change type optical disk according to claim 1, wherein said adhesion strengthening layer is a very thin alloy containing Al as a main component.
【請求項3】レ−ザ光照射により結晶と非晶質間の可逆
的な相状態変化を起こす情報記録膜の前記相状態変化に
よって、情報の記録再生消去が行われる相変化型光ディ
スクにおいて、基板上に、下地保護膜、相変化記録膜、
上部保護膜、Siからなる透過性反射膜、金属合金極薄
膜からなる付着強化層、保護樹脂が順次形成されている
ことを特徴とする相変化型光ディスク。
3. A phase-change optical disk in which information is recorded, reproduced, and erased by the phase change of an information recording film which causes a reversible phase change between a crystal and an amorphous by irradiation with laser light. On the substrate, a base protective film, a phase change recording film,
Upper protective film, permeable reflective film made of Si, ultra-thin metal alloy
A phase-change type optical disk characterized in that an adhesion reinforcing layer made of a film and a protective resin are sequentially formed.
【請求項4】レ−ザ光照射により結晶と非晶質間の可逆
的な相状態変化を起こす情報記録膜の前記相状態変化に
よって、情報の記録再生消去が行われる相変化型光ディ
スクにおいて、基板上に、下地保護膜、相変化記録膜、
上部保護膜、Siからなる透過性反射膜、干渉膜、金属
合金極薄膜からなる付着強化層、保護樹脂が順次形成さ
れていることを特徴とする相変化型光ディスク。
4. A phase-change optical disc in which information is recorded, reproduced, and erased by the phase change of an information recording film which causes a reversible phase change between a crystal and an amorphous by irradiation with laser light. On the substrate, a base protective film, a phase change recording film,
Upper protective film, transparent reflective film made of Si, interference film, metal
A phase-change type optical disk characterized in that an adhesion strengthening layer composed of an extremely thin alloy film and a protective resin are sequentially formed.
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