JP2897241B2 - 磁性モールド体 - Google Patents
磁性モールド体Info
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- JP2897241B2 JP2897241B2 JP1047905A JP4790589A JP2897241B2 JP 2897241 B2 JP2897241 B2 JP 2897241B2 JP 1047905 A JP1047905 A JP 1047905A JP 4790589 A JP4790589 A JP 4790589A JP 2897241 B2 JP2897241 B2 JP 2897241B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性モールド体、例えばコイル、もしくは
トランジスタ，半導体集積回路のような半導体チップ等
の電子部品、あるいはラジオ，テレビジョン受像機，ス
ピーカ等の各種機器の被覆封止体，ケース，キャビネッ
ト等に用いられる磁性モールド体に係わる。
トランジスタ，半導体集積回路のような半導体チップ等
の電子部品、あるいはラジオ，テレビジョン受像機，ス
ピーカ等の各種機器の被覆封止体，ケース，キャビネッ
ト等に用いられる磁性モールド体に係わる。
本発明は、磁性モールド体に係わり、モールド樹脂
に、60〜75容量％の割合をもって軟磁性粉が混合され、
その軟磁性粉は、Ni系フェライト及びMg系フェライトの
うちの１種以上と、Mn系フェライト及び金属磁性粉のう
ちの１種以上とが1:1〜9.5:0.5の容量比をもって混合さ
れてなり、所要の電気的信頼性を保持しつつ静電シール
ド効果を得ることができる磁性モールド体を提供するも
のである。
に、60〜75容量％の割合をもって軟磁性粉が混合され、
その軟磁性粉は、Ni系フェライト及びMg系フェライトの
うちの１種以上と、Mn系フェライト及び金属磁性粉のう
ちの１種以上とが1:1〜9.5:0.5の容量比をもって混合さ
れてなり、所要の電気的信頼性を保持しつつ静電シール
ド効果を得ることができる磁性モールド体を提供するも
のである。
コイル、もしくはトランジスタ、或いは半導体集積回
路のような半導体チップ等の電子部品、またはラジオ，
テレビジョン受像機，スピーカ等の各種部品，機器にお
ける封止体，ケース，キャビネット等においては、電流
リークを防止する安全性，動作の安定性，信頼性等の上
で電気的に所要の絶縁性を保持しつつ静電シールド効果
が得られる程度の高抵抗導電性を示し、しかも例えば電
磁シールド効果、ないしは閉磁路構成等をとることが除
まれる。
路のような半導体チップ等の電子部品、またはラジオ，
テレビジョン受像機，スピーカ等の各種部品，機器にお
ける封止体，ケース，キャビネット等においては、電流
リークを防止する安全性，動作の安定性，信頼性等の上
で電気的に所要の絶縁性を保持しつつ静電シールド効果
が得られる程度の高抵抗導電性を示し、しかも例えば電
磁シールド効果、ないしは閉磁路構成等をとることが除
まれる。
一方、上述した各種電子部品，機器等における封止
体，ケース，キャビネット等としてポッティング，射出
成型等による樹脂モールド体がしばしば用いられる。
体，ケース，キャビネット等としてポッティング，射出
成型等による樹脂モールド体がしばしば用いられる。
この場合、樹脂単独では静電シールド効果も電磁シー
ルド効果も得られないことから樹脂に軟磁性フェライト
いわゆるソフトフェライト粉末を添加することが考えら
れる。ところが、未だにこのソフトフェライトの添加に
よって閉磁路ないしは電磁シールド効果を保持する程度
の磁性を有し、しかも静電シールド効果をも保持し得る
程度の比抵抗を示す磁性モールド体の提供がなされてい
ない。
ルド効果も得られないことから樹脂に軟磁性フェライト
いわゆるソフトフェライト粉末を添加することが考えら
れる。ところが、未だにこのソフトフェライトの添加に
よって閉磁路ないしは電磁シールド効果を保持する程度
の磁性を有し、しかも静電シールド効果をも保持し得る
程度の比抵抗を示す磁性モールド体の提供がなされてい
ない。
上述したように、磁性モールド体において、その電気
的特性の安全性，動作の安定性，信頼性等を保持して静
電シールド効果を得ることができる磁性モールド体が得
られていないという課題の解決をはかるものである。
的特性の安全性，動作の安定性，信頼性等を保持して静
電シールド効果を得ることができる磁性モールド体が得
られていないという課題の解決をはかるものである。
本発明においては、モールド樹脂に60〜75容量％の割
合をもって軟磁性粉が混合され、この軟磁性粉がNi系フ
ェライト及びMg系フェライトのうちの１種以上と、Mn系
フェライト及び金属磁性粉のうちの１種以上とが1:1〜
9.5:0.5なる容量比をもって混合された構成として実効
透磁率μが２以上の軟磁性を有し、比抵抗ρが２×104
〜107Ω・cmの磁性モールド体を構成する。
合をもって軟磁性粉が混合され、この軟磁性粉がNi系フ
ェライト及びMg系フェライトのうちの１種以上と、Mn系
フェライト及び金属磁性粉のうちの１種以上とが1:1〜
9.5:0.5なる容量比をもって混合された構成として実効
透磁率μが２以上の軟磁性を有し、比抵抗ρが２×104
〜107Ω・cmの磁性モールド体を構成する。
上述の本発明構成によれば、磁性すなわち実効透磁率
μが２以上で軟磁性を呈し、しかもその比抵抗ρが２×
104〜107Ω・cmとするものであり、この比抵抗範囲にお
いては静電シールド効果ないしは閉磁路効果が得られ
た。すなわち、例えば磁性モールドコイルにおける磁性
モールド体あるいは電子部品の封止体等に用いられて、
その端子間リークの問題、あるいは他部の配線，部品，
機器等との電気的漏洩ないしは短絡等による信頼性の低
下，動作の不安定性等を招来することがなく、しかも静
電シールド効果が得られることが確められた。
μが２以上で軟磁性を呈し、しかもその比抵抗ρが２×
104〜107Ω・cmとするものであり、この比抵抗範囲にお
いては静電シールド効果ないしは閉磁路効果が得られ
た。すなわち、例えば磁性モールドコイルにおける磁性
モールド体あるいは電子部品の封止体等に用いられて、
その端子間リークの問題、あるいは他部の配線，部品，
機器等との電気的漏洩ないしは短絡等による信頼性の低
下，動作の不安定性等を招来することがなく、しかも静
電シールド効果が得られることが確められた。
因みに、Mnソフトフェライトあるいはパーマロイ，セ
ンダスト等の金属磁性材の初透磁率μ０は、3000〜1000
0にも及ぶものではあるが、これを樹脂中に添加して例
えば磁性モールド体としての特性を保持し得るようにす
る場合、それ自体の比抵抗は20〜100Ω・cm程度である
ことから充分高い比抵抗を得ることができず、また例え
ばNiソフトフェライトあるいはMg系フェライト等におい
てはその初透磁率μ０が低過ぎて、これらをそれぞれ単
独に樹脂に添加しても所要の磁性（実効透磁率）を得る
ことができないものであるに比し、上述した本発明の混
合比によれば、実効透磁率を静電シールドないしは閉磁
路効果を得る程度以上例えば17程度以上を保持しつつ静
電シールド効果を得ることができるものである。
ンダスト等の金属磁性材の初透磁率μ０は、3000〜1000
0にも及ぶものではあるが、これを樹脂中に添加して例
えば磁性モールド体としての特性を保持し得るようにす
る場合、それ自体の比抵抗は20〜100Ω・cm程度である
ことから充分高い比抵抗を得ることができず、また例え
ばNiソフトフェライトあるいはMg系フェライト等におい
てはその初透磁率μ０が低過ぎて、これらをそれぞれ単
独に樹脂に添加しても所要の磁性（実効透磁率）を得る
ことができないものであるに比し、上述した本発明の混
合比によれば、実効透磁率を静電シールドないしは閉磁
路効果を得る程度以上例えば17程度以上を保持しつつ静
電シールド効果を得ることができるものである。
本発明による磁性モールド体について、さらに詳細に
説明する。まず、磁性モールド体中にコイルが埋設され
た磁性モールドコイルに適用する磁性モールド体につい
ての実施例を図面を参照して説明する。
説明する。まず、磁性モールド体中にコイルが埋設され
た磁性モールドコイルに適用する磁性モールド体につい
ての実施例を図面を参照して説明する。
実施例１ Ni−Zn系フェライトの原材料、すなわちFe2O3,NiO,Zn
O粉末と、Mn−Zn系フェライトの原材料Fe2O3,MnO,ZnO粉
末のフェライト原料粉を例えば空気中で800℃仮焼す
る。その後、酸素雰囲気中で1200℃，空気中で1000℃の
本焼成を行う。その後、これを数μｍ〜数10μｍを中心
粒径とする程度の粒径に粉砕し、これを樹脂と混練し、
ペレタイジングし、このようにして磁性樹脂モールドペ
レットを用意する。一方、図面に示すように絶縁被覆例
えばエナメルが塗布された導線、例えば銅線を巻回した
円筒状コイル（１）を用意し、その両端末リード（1a）
及び（1b）を、例えば同一方向に導出し、その先端の絶
縁層すなわちエナメルを剥離し、この両端子ピンに半田
ディップを行って半田処理をなし、これを成形金型のキ
ャビティ内の所定位置に配置し、上述した磁性樹脂ペレ
ットを溶融射出して磁性モールド体（２）中にコイル
（１）が埋設されたすなわち、コイル（１）の内外に磁
性樹脂が充填された磁性モールドコイルを作製した。こ
の場合、Ni−Zn系ソフトフェライト自体のバルク状態で
の比抵抗は１×107Ω・cm、Mn−Zn系フェライトのバル
ク状態での比抵抗は50Ω・cmでこれらフェライト粉の粒
径は10〜30μｍに選定した。このようにしてそれぞれ樹
脂として、ポリプロピレンを用い、フェライト粉の全量
と樹脂との配合比を70:30容量％としてそれぞれMn−Zn:
Ni−Znの混合比を90:10（容量比）とした試料１の比抵
抗は20KΩ・cm,70:30とした試料２の比抵抗は50KΩ・c
m,50:50とした試料３の比抵抗は220KΩ・cmとなった。
そしてこれら試料１〜３の実効透磁率μは、17〜20程度
になった。
O粉末と、Mn−Zn系フェライトの原材料Fe2O3,MnO,ZnO粉
末のフェライト原料粉を例えば空気中で800℃仮焼す
る。その後、酸素雰囲気中で1200℃，空気中で1000℃の
本焼成を行う。その後、これを数μｍ〜数10μｍを中心
粒径とする程度の粒径に粉砕し、これを樹脂と混練し、
ペレタイジングし、このようにして磁性樹脂モールドペ
レットを用意する。一方、図面に示すように絶縁被覆例
えばエナメルが塗布された導線、例えば銅線を巻回した
円筒状コイル（１）を用意し、その両端末リード（1a）
及び（1b）を、例えば同一方向に導出し、その先端の絶
縁層すなわちエナメルを剥離し、この両端子ピンに半田
ディップを行って半田処理をなし、これを成形金型のキ
ャビティ内の所定位置に配置し、上述した磁性樹脂ペレ
ットを溶融射出して磁性モールド体（２）中にコイル
（１）が埋設されたすなわち、コイル（１）の内外に磁
性樹脂が充填された磁性モールドコイルを作製した。こ
の場合、Ni−Zn系ソフトフェライト自体のバルク状態で
の比抵抗は１×107Ω・cm、Mn−Zn系フェライトのバル
ク状態での比抵抗は50Ω・cmでこれらフェライト粉の粒
径は10〜30μｍに選定した。このようにしてそれぞれ樹
脂として、ポリプロピレンを用い、フェライト粉の全量
と樹脂との配合比を70:30容量％としてそれぞれMn−Zn:
Ni−Znの混合比を90:10（容量比）とした試料１の比抵
抗は20KΩ・cm,70:30とした試料２の比抵抗は50KΩ・c
m,50:50とした試料３の比抵抗は220KΩ・cmとなった。
そしてこれら試料１〜３の実効透磁率μは、17〜20程度
になった。
したがって、このようにして得た磁性モールドコイル
は、磁性を有するモールド体（２）中にコイル（１）が
埋設されたことによって、すなわちコイル（１）の内外
に渡って磁性モールド体（２）による閉磁路構成がとら
れることになると共に外部への磁束の漏れが回避された
電磁シールド効果が得られる。また、その比抵抗は、２
×104Ω・cm以上のそれぞれ比較的高抵抗の導電性を呈
することによって端子ピン間の漏洩の問題はなく、動作
の安定性，信頼性がはかられた上で静電シールド効果も
得られる。
は、磁性を有するモールド体（２）中にコイル（１）が
埋設されたことによって、すなわちコイル（１）の内外
に渡って磁性モールド体（２）による閉磁路構成がとら
れることになると共に外部への磁束の漏れが回避された
電磁シールド効果が得られる。また、その比抵抗は、２
×104Ω・cm以上のそれぞれ比較的高抵抗の導電性を呈
することによって端子ピン間の漏洩の問題はなく、動作
の安定性，信頼性がはかられた上で静電シールド効果も
得られる。
尚、上述した例においては、Ni−Zn系フェライトとMn
−Zn系フェライトの混合によって磁性樹脂モールド体
（２）を得るようにした場合であるが、Ni−Zn系フェラ
イトに変えてMg−Zn系フェライトを用いることができ、
いずれの場合においてもそのNi系もしくはMg系フェライ
トとMn系フェライトとの混合比は1:1〜4:1において、ま
たこれら磁性粉の割合をモールド樹脂全体の60〜75容量
％の範囲に選定するとき磁性モールド体としての機能、
すなわち磁気的及び機械的特性を保持しつつ、比抵抗ρ
を105〜107Ω・cmに選定することができた。さらに、ま
たMn系フェライトに代えて金属磁性粉例えばパーマロ
イ、あるいはセンダストを用いることができ、この場合
においてそのNi系もしくはMg系フェライトとこの金属磁
性粉との混合比は1:1〜9.5:0.5（容量比）に選定して、
その樹脂に対する磁性粉の混合比をモールド樹脂全体の
60〜75容量％の範囲とするとき、同様に比抵抗ρが105
〜107Ω・cmの範囲に選定し得た。
−Zn系フェライトの混合によって磁性樹脂モールド体
（２）を得るようにした場合であるが、Ni−Zn系フェラ
イトに変えてMg−Zn系フェライトを用いることができ、
いずれの場合においてもそのNi系もしくはMg系フェライ
トとMn系フェライトとの混合比は1:1〜4:1において、ま
たこれら磁性粉の割合をモールド樹脂全体の60〜75容量
％の範囲に選定するとき磁性モールド体としての機能、
すなわち磁気的及び機械的特性を保持しつつ、比抵抗ρ
を105〜107Ω・cmに選定することができた。さらに、ま
たMn系フェライトに代えて金属磁性粉例えばパーマロ
イ、あるいはセンダストを用いることができ、この場合
においてそのNi系もしくはMg系フェライトとこの金属磁
性粉との混合比は1:1〜9.5:0.5（容量比）に選定して、
その樹脂に対する磁性粉の混合比をモールド樹脂全体の
60〜75容量％の範囲とするとき、同様に比抵抗ρが105
〜107Ω・cmの範囲に選定し得た。
尚、磁性体と混合するモールド樹脂は、ポリプロピレ
ンに限られず、例えばポリエチレン，ポリスチレン，エ
チレン酢酸ビニル共重合体，エチレンエチルアクリレー
ト,6−ナイロン,6,6−ナイロン,6,10−ナイロン,11−ナ
イロン,12−ナイロン，ホットメルト用ポリアミド、ポ
リエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレー
ト，ポリフエニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂，ポ
リエチレンワックス，パラフィンワックス等のワック
ス，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ジアリルフタレー
ト樹脂等を用い得る。
ンに限られず、例えばポリエチレン，ポリスチレン，エ
チレン酢酸ビニル共重合体，エチレンエチルアクリレー
ト,6−ナイロン,6,6−ナイロン,6,10−ナイロン,11−ナ
イロン,12−ナイロン，ホットメルト用ポリアミド、ポ
リエチレンテレフタレート，ポリブチレンテレフタレー
ト，ポリフエニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂，ポ
リエチレンワックス，パラフィンワックス等のワック
ス，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ジアリルフタレー
ト樹脂等を用い得る。
尚、上述した例においては、本発明を磁性モールドコ
イルに適用した場合であるが、トランジスタ，半導体集
積回路等の半導体チップの封止体あるいはその他各種の
電子部品の封止体，ケース，電子機器のケース，キャビ
ネット等に本発明による磁性モールド体を適用すること
ができる。
イルに適用した場合であるが、トランジスタ，半導体集
積回路等の半導体チップの封止体あるいはその他各種の
電子部品の封止体，ケース，電子機器のケース，キャビ
ネット等に本発明による磁性モールド体を適用すること
ができる。
上述したように本発明によれば、特定された磁性材の
混合と混合比をもって樹脂に添加した磁性モールド体に
よって軟磁性を呈し、しかも静電シールド効果をも保持
することができ、各種磁性モールド体として用いて信頼
性の高い安定した特性の電子部品ないしは各種電子機器
等を構成することができ、実用上その利益は大である。
混合と混合比をもって樹脂に添加した磁性モールド体に
よって軟磁性を呈し、しかも静電シールド効果をも保持
することができ、各種磁性モールド体として用いて信頼
性の高い安定した特性の電子部品ないしは各種電子機器
等を構成することができ、実用上その利益は大である。
図は本発明による磁性モールド体を適用する１部品の一
例の断面図である。 （１）はコイル、（２）は磁性モールド体である。
例の断面図である。 （１）はコイル、（２）は磁性モールド体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−81355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−219249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−188192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−93146（ＪＰ，Ａ) 特公 昭56−51520（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 9/00 H01F 17/04
Claims (1)
- 【請求項１】モールド樹脂に、60〜75容量％の割合をも
って軟磁性粉が混合され、上記軟磁性粉は、Ni系フェラ
イト及びMg系フェライトのうちの１種以上と、Mn系フェ
ライト及び金属磁性粉のうちの１種以上とが、1:1〜9.
5:0.5なる容量比をもって混合され、 実効透磁率μが２以上で、比抵抗ρが２×104〜107Ω・
cmとされたことを特徴とする磁性モールド体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047905A JP2897241B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁性モールド体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047905A JP2897241B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁性モールド体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226799A JPH02226799A (ja) | 1990-09-10 |
| JP2897241B2 true JP2897241B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=12788400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1047905A Expired - Fee Related JP2897241B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁性モールド体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897241B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350284A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型コイル素子 |
| US6063303A (en) * | 1996-08-21 | 2000-05-16 | Tdk Corporation | Magnetic powder and magnetic molded article |
| JP4684461B2 (ja) | 2000-04-28 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | 磁性素子の製造方法 |
| JP6296148B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-03-20 | 株式会社村田製作所 | インダクタ装置、インダクタアレイおよび多層基板、ならびにインダクタ装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5193146A (ja) * | 1975-02-13 | 1976-08-16 | ||
| JPS5651520A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Production of low-temperature-service steel casting |
| JPS58188192A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | 住友電気工業株式会社 | 電波吸収体組成物 |
| JPS58219249A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-20 | Showa Denko Kk | 塩素化ポリエチレン組成物 |
| JPS5981355A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-11 | Showa Denko Kk | 塩素化ポリエチレン組成物 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1047905A patent/JP2897241B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02226799A (ja) | 1990-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |