JP2888636B2 - フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) - Google Patents
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)Info
- Publication number
- JP2888636B2 JP2888636B2 JP3501781A JP50178190A JP2888636B2 JP 2888636 B2 JP2888636 B2 JP 2888636B2 JP 3501781 A JP3501781 A JP 3501781A JP 50178190 A JP50178190 A JP 50178190A JP 2888636 B2 JP2888636 B2 JP 2888636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- naphthyl ether
- fluorinated poly
- poly
- repeating unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- ARNKHYQYAZLEEP-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-1-yloxynaphthalene Chemical class C1=CC=C2C(OC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 ARNKHYQYAZLEEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- -1 poly(naphthyl ether) Polymers 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Substances [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluoro-6-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)benzene Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 1-bromonaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=CC=CC2=C1 DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 2
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXFNFWSJNXPYRI-UHFFFAOYSA-N 1-(2,3,5,6-tetrafluoro-4-naphthalen-1-yloxyphenoxy)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC3=C(F)C(F)=C(OC=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C(F)=C3F)=CC=CC2=C1 FXFNFWSJNXPYRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDFXUFZDMPZLNV-UHFFFAOYSA-N 1-[2,3,5,6-tetrafluoro-4-(2,3,5,6-tetrafluoro-4-naphthalen-1-yloxyphenyl)phenoxy]naphthalene Chemical group C1=CC=C2C(OC3=C(F)C(F)=C(C(=C3F)F)C=3C(F)=C(C(=C(F)C=3F)OC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)F)=CC=CC2=C1 ZDFXUFZDMPZLNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCOKHFWOPAVRLW-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-naphthalen-1-yloxyphenyl)propan-2-yl]phenoxy]naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC3=CC=C(C=C3)C(C=3C=CC(OC=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=CC=3)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=CC=CC2=C1 RCOKHFWOPAVRLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000003733 fiber-reinforced composite Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 235000019000 fluorine Nutrition 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-IDEBNGHGSA-N nitrobenzene Chemical group [O-][N+](=O)[13C]1=[13CH][13CH]=[13CH][13CH]=[13CH]1 LQNUZADURLCDLV-IDEBNGHGSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 235000020004 porter Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/22—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material
- B01J20/26—Synthetic macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07K—PEPTIDES
- C07K14/00—Peptides having more than 20 amino acids; Gastrins; Somatostatins; Melanotropins; Derivatives thereof
- C07K14/435—Peptides having more than 20 amino acids; Gastrins; Somatostatins; Melanotropins; Derivatives thereof from animals; from humans
- C07K14/76—Albumins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/543—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor with an insoluble carrier for immobilising immunochemicals
- G01N33/544—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor with an insoluble carrier for immobilising immunochemicals the carrier being organic
- G01N33/545—Synthetic resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
- H01B3/427—Polyethers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/034—Organic insulating material consisting of one material containing halogen
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31533—Of polythioether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31656—With metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31667—Next to addition polymer from unsaturated monomers, or aldehyde or ketone condensation product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
- Y10T428/31692—Next to addition polymer from unsaturated monomers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Hematology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Genetics & Genomics (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Zoology (AREA)
- Gastroenterology & Hepatology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Proteomics, Peptides & Aminoacids (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は新規なフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)、
硬化組成物およびそれを含む多層電子回路物品並びにそ
の製法に関するものである。
硬化組成物およびそれを含む多層電子回路物品並びにそ
の製法に関するものである。
発明の背景 ポリマーフィルムおよび被膜はしばしば電子工業で用
いられ、特に絶縁物やパシベーション層として多層集積
回路デバイスに使用される。誘電率εの低いポリマーが
望ましい。ポリマーで絶縁される要素が高回路密度で作
用するように設計され、また高速度でシグナル拡散の少
ないように作動する可能性があるからである。多層集積
回路物品の性能へのεの影響については次の文献に論述
されている。「超小型電子技術パッケイジングハンドブ
ック」、チュマラ(Tummala)ら編、687−692ページ、
ファン・ノーストラント・ラインホルト(van Nostrand
Reinhold)社刊;ワタリ(Watari)らのアメリカ合衆
国特許第4,744,007号(1988);ブッデ(Budde)らのア
メリカ合衆国特許第4,732,843号(1988)。
いられ、特に絶縁物やパシベーション層として多層集積
回路デバイスに使用される。誘電率εの低いポリマーが
望ましい。ポリマーで絶縁される要素が高回路密度で作
用するように設計され、また高速度でシグナル拡散の少
ないように作動する可能性があるからである。多層集積
回路物品の性能へのεの影響については次の文献に論述
されている。「超小型電子技術パッケイジングハンドブ
ック」、チュマラ(Tummala)ら編、687−692ページ、
ファン・ノーストラント・ラインホルト(van Nostrand
Reinhold)社刊;ワタリ(Watari)らのアメリカ合衆
国特許第4,744,007号(1988);ブッデ(Budde)らのア
メリカ合衆国特許第4,732,843号(1988)。
ポリイミドは多くの電子技術用途に対してよく使われ
る絶縁材料であるが、それはその優れた機械的および熱
的性質と、薄いフィルムや被膜に出来る加工性の故であ
る。しかしポリイミドはかなり高いεを示し、これが、
湿度の高い環境で湿気を吸い易い(3−4%まで)傾向
とともに、ポリイミドの利用の限界を成している。水分
の吸収はεを高め、その結果、性能を低下させる。ある
市販のポリイミドは相対湿度0%(%RH)でεが約3.2
であるが、60%RHではεは約3.8に上がる。デントン(D
enton)らが、ジェイ・エレクトロニック・マテル(J.E
lectronic Mater.),14(2),119(1985)に述べたよ
うに、ポリイミドの吸湿性は絶縁体の導電性の増加、付
着性の喪失、あるいは腐食によってもまた、その性能を
悪化させることがある。さらに、ポリイミドの中には加
水分解や溶剤の攻撃に弱いものがある(しばしば溶剤に
触れさせた時のひびや割れ目で明らかにになる)。
る絶縁材料であるが、それはその優れた機械的および熱
的性質と、薄いフィルムや被膜に出来る加工性の故であ
る。しかしポリイミドはかなり高いεを示し、これが、
湿度の高い環境で湿気を吸い易い(3−4%まで)傾向
とともに、ポリイミドの利用の限界を成している。水分
の吸収はεを高め、その結果、性能を低下させる。ある
市販のポリイミドは相対湿度0%(%RH)でεが約3.2
であるが、60%RHではεは約3.8に上がる。デントン(D
enton)らが、ジェイ・エレクトロニック・マテル(J.E
lectronic Mater.),14(2),119(1985)に述べたよ
うに、ポリイミドの吸湿性は絶縁体の導電性の増加、付
着性の喪失、あるいは腐食によってもまた、その性能を
悪化させることがある。さらに、ポリイミドの中には加
水分解や溶剤の攻撃に弱いものがある(しばしば溶剤に
触れさせた時のひびや割れ目で明らかにになる)。
メーサー(Mercer)のアメリカ合衆国特許第4,835,19
7号(1989)では、ポリイミドの溶剤抵抗性を向上させ
るために、アセチレン、マレイミドあるいはビニル末端
硬化剤を用いて硬化させることが提案されている。しか
し、そのようにして硬化させたポリイミドはなお比較的
高いポリイミドの誘電率と、湿気を吸収する傾向を保持
している。
7号(1989)では、ポリイミドの溶剤抵抗性を向上させ
るために、アセチレン、マレイミドあるいはビニル末端
硬化剤を用いて硬化させることが提案されている。しか
し、そのようにして硬化させたポリイミドはなお比較的
高いポリイミドの誘電率と、湿気を吸収する傾向を保持
している。
上述の理由から、優れた高温に対する性質、際立った
加水分解と溶剤に対する抵抗性、低い誘電率および低い
吸湿性を持つポリマーの開発が望ましいのである。本発
明のポリマーはこれらの目標を達成するものである。
加水分解と溶剤に対する抵抗性、低い誘電率および低い
吸湿性を持つポリマーの開発が望ましいのである。本発
明のポリマーはこれらの目標を達成するものである。
発明の説明 本発明は、式: [式中、Yは(CF2)m、 mは1〜4の整数で、XはS,CO,SO2,O,P(C6H5)または
C(OH)Hである。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナ
フチルエーテル)(FPNE)を提供する。好ましい態様で
は、FPNEはビスアセチレン架橋剤によって架橋されてい
る。
C(OH)Hである。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナ
フチルエーテル)(FPNE)を提供する。好ましい態様で
は、FPNEはビスアセチレン架橋剤によって架橋されてい
る。
本発明は(a)基体、(b)基体表面上の絶縁性材料
から成る複数の層、および(c)隣り合った絶縁性材料
層の間に置かれた導電性材料から成る少なくとも1つの
層を有して成る多層電子回路物品をも提供する;この絶
縁性材料はFPNEより成る。
から成る複数の層、および(c)隣り合った絶縁性材料
層の間に置かれた導電性材料から成る少なくとも1つの
層を有して成る多層電子回路物品をも提供する;この絶
縁性材料はFPNEより成る。
図面の簡単な説明 図1はFPNEの薄膜のεを測定するための装置を模式的
に示す。
に示す。
図2はFPNEと既知のポリマーについて、εに及ぼす%
RHの影響を比較したものである。
RHの影響を比較したものである。
好ましい実施例の説明 FPNEは次の単量体を重合させることによって調製する
ことが出来る: [式中、Yは(CF2)m、 mは1〜4の整数、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)
またはC(OH)Hである。]。
ことが出来る: [式中、Yは(CF2)m、 mは1〜4の整数、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)
またはC(OH)Hである。]。
FPNEは本質的に前記の繰り返し単位の内の1種だけよ
り成る単独重合体であってよい。また前記の繰り返し単
位の2種あるいはそれ以上より成る共重合体でもあって
よい。さらにまた、FPNE繰り返し単位と、それと異なっ
た種類の繰り返し単位を組み合わせた共重合体でもあっ
てもよいが、この場合は、FPNE繰り返し単位が好ましく
は少なくとも60モル%、より好ましくは少なくとも80モ
ル%含まれるものとする。ブルックフィールド粘度計を
用いてジエチルベンゼン中、固形分20%で測定した時、
FPNEは好ましくは少なくとも500cp、より好ましくは100
0cpの粘度を持つ。
り成る単独重合体であってよい。また前記の繰り返し単
位の2種あるいはそれ以上より成る共重合体でもあって
よい。さらにまた、FPNE繰り返し単位と、それと異なっ
た種類の繰り返し単位を組み合わせた共重合体でもあっ
てもよいが、この場合は、FPNE繰り返し単位が好ましく
は少なくとも60モル%、より好ましくは少なくとも80モ
ル%含まれるものとする。ブルックフィールド粘度計を
用いてジエチルベンゼン中、固形分20%で測定した時、
FPNEは好ましくは少なくとも500cp、より好ましくは100
0cpの粘度を持つ。
単量体は触媒の存在下でカップリング(脱水素)反応
によって重合される。好ましい触媒は塩化第二鉄と塩化
第二銅である。好ましい溶剤はニトロベンゼンで、この
物質はカップリング反応において酸化剤としても作用す
る。ニトロベンゼンと他の、不活性な溶剤との混合物も
用いることが出来る。典型的には、重合は、単量体1モ
ルに対して少なくとも2モル(好ましくは3モル)とい
う過剰の触媒の存在下で、約25℃で16〜24時間かけて行
われる。そのような反応パーセク(Percec)らのアメリ
カ合衆国特許第4,806,617号(1989)に詳細に記載され
ており、その開示内容は本明細書に組み込む。
によって重合される。好ましい触媒は塩化第二鉄と塩化
第二銅である。好ましい溶剤はニトロベンゼンで、この
物質はカップリング反応において酸化剤としても作用す
る。ニトロベンゼンと他の、不活性な溶剤との混合物も
用いることが出来る。典型的には、重合は、単量体1モ
ルに対して少なくとも2モル(好ましくは3モル)とい
う過剰の触媒の存在下で、約25℃で16〜24時間かけて行
われる。そのような反応パーセク(Percec)らのアメリ
カ合衆国特許第4,806,617号(1989)に詳細に記載され
ており、その開示内容は本明細書に組み込む。
単量体は2当量の1−ハロナフタレンと1当量のジオ
ールHO−Y−OHを縮合させて合成される。例えば、1−
ブロモナフタレンと、ビスフェノールFとしても知られ
る4,4′−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェ
ノールの縮合である。あるいは、2当量の1−ナフトー
ルを、例えばヘキサフルオロベンゼンのような二ハロゲ
ン化物Z−Y−Z(式中、Zはハロゲンである)と縮合
させてもよい。Z−Y−Zがヘキサフルオロベンゼンや
デカフルオロビフェニルのようなポリフッ素化芳香族化
合物である場合、一般的に2個のフッ素だけが置換さ
れ、上記の化合物の場合それぞれ1,4−位と4,4′−位で
ある。
ールHO−Y−OHを縮合させて合成される。例えば、1−
ブロモナフタレンと、ビスフェノールFとしても知られ
る4,4′−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェ
ノールの縮合である。あるいは、2当量の1−ナフトー
ルを、例えばヘキサフルオロベンゼンのような二ハロゲ
ン化物Z−Y−Z(式中、Zはハロゲンである)と縮合
させてもよい。Z−Y−Zがヘキサフルオロベンゼンや
デカフルオロビフェニルのようなポリフッ素化芳香族化
合物である場合、一般的に2個のフッ素だけが置換さ
れ、上記の化合物の場合それぞれ1,4−位と4,4′−位で
ある。
FPNEは種々の架橋剤によって架橋することが出来る。
好ましい架橋剤はビス−アセチレン末端化合物またはオ
リゴマーで、例えば次式のようなものである。
好ましい架橋剤はビス−アセチレン末端化合物またはオ
リゴマーで、例えば次式のようなものである。
この最後に示した架橋剤はサーミド(Thermid)LR−6
00の商標で知られるもので、ナショナル・スターチ(Na
tional Starch)社から購入することが出来る。これら
以外のビス−アセチレン架橋剤はメーサー(Mercer)の
アメリカ合衆国特許第4,835,197号(1989)に開示され
ており、その開示内容は本明細書中に組み込む。
00の商標で知られるもので、ナショナル・スターチ(Na
tional Starch)社から購入することが出来る。これら
以外のビス−アセチレン架橋剤はメーサー(Mercer)の
アメリカ合衆国特許第4,835,197号(1989)に開示され
ており、その開示内容は本明細書中に組み込む。
ビス−アセチレン化合物で架橋させる場合、FPNEと架
橋剤は好ましい割合ではビス−アセチレン化合物の約5
〜約50重量%、より好ましくは約10〜約25重量%で混合
し、180〜400℃、好ましくは250〜350℃の温度で30分〜
3時間加熱する(複雑な、あるいは段階的加熱スケジュ
ールが用いられる)。または放射線硬化を行ってよい。
混合は通常のどの技術によってもなし得る;例えば二本
ロール機、ブラベンダー(Brabender)もしくはバンバ
リー(Banbury)密閉ミキサーまたは二軸押出機が用い
られる。架橋剤と混合したFPNEのフィルムや被膜は溶剤
からの沈殿、溶液注型などによっても調製出来る。好ま
しい方法は溶液混合した後、基体にスピンコーティング
して薄いフィルムあるいは被膜を作り、次いで硬化させ
ることである。
橋剤は好ましい割合ではビス−アセチレン化合物の約5
〜約50重量%、より好ましくは約10〜約25重量%で混合
し、180〜400℃、好ましくは250〜350℃の温度で30分〜
3時間加熱する(複雑な、あるいは段階的加熱スケジュ
ールが用いられる)。または放射線硬化を行ってよい。
混合は通常のどの技術によってもなし得る;例えば二本
ロール機、ブラベンダー(Brabender)もしくはバンバ
リー(Banbury)密閉ミキサーまたは二軸押出機が用い
られる。架橋剤と混合したFPNEのフィルムや被膜は溶剤
からの沈殿、溶液注型などによっても調製出来る。好ま
しい方法は溶液混合した後、基体にスピンコーティング
して薄いフィルムあるいは被膜を作り、次いで硬化させ
ることである。
FPNEフィルムの誘電率εへの湿度の影響は次のように
して測定出来る。まず、乾燥空気中のεを、誘電率既知
の媒体を含む平行板コンデンサー試験セル中にフィルム
を置き、フィルムを挿入した後の静電容量(キャパシタ
ンス)の変化を測定することによって求める。適当なセ
ルは金めっきしたコンデンサー電極を有し、電極は直径
1インチで、約50μの間隔で離れているものである。電
極は絶縁された真ちゅうのチャンバーに配置されて、接
地と電磁干渉よりの保護が図られている。FPNEフィルム
は10〜30μの厚さで、約1.5x1.5インチの方形のものが
用いられる。測定は2種の異なった媒体、乾燥空気とヘ
プタンを用いて行う。εは次の式から計算される: [式中、C1はヘプタンの静電容量、C2はヘプタン中での
フィルムの静電容量、C3は乾燥空気中でのフィルムの静
電容量、そしてC4は乾燥空気の静電容量である。]。乾
燥空気を既知の%RHを持つ湿った空気と置き換えると、
FPNEのεの変化は%RHの関数として定量出来る。湿った
空気中におけるフィルムの誘電率ε′は次の式によって
計算出来る: [式中、ε、C3およびC4は前記と同意義であり、C5は湿
った空気中でのフィルムの静電容量である。]。εは典
型的には、0、20、40および60%RHで測定する。測定は
フィルムを約1日置いて平衡化させた後に行う。この方
法は迅速でフィルムの厚さに影響されない測定方法であ
る。フィルムと溶剤の双方が大気中の水分を吸い込んで
測定結果を不安定にすることがあるので、測定装置は乾
燥窒素を充たしたグローブバッグが乾燥箱の中に置くこ
とが望ましい。
して測定出来る。まず、乾燥空気中のεを、誘電率既知
の媒体を含む平行板コンデンサー試験セル中にフィルム
を置き、フィルムを挿入した後の静電容量(キャパシタ
ンス)の変化を測定することによって求める。適当なセ
ルは金めっきしたコンデンサー電極を有し、電極は直径
1インチで、約50μの間隔で離れているものである。電
極は絶縁された真ちゅうのチャンバーに配置されて、接
地と電磁干渉よりの保護が図られている。FPNEフィルム
は10〜30μの厚さで、約1.5x1.5インチの方形のものが
用いられる。測定は2種の異なった媒体、乾燥空気とヘ
プタンを用いて行う。εは次の式から計算される: [式中、C1はヘプタンの静電容量、C2はヘプタン中での
フィルムの静電容量、C3は乾燥空気中でのフィルムの静
電容量、そしてC4は乾燥空気の静電容量である。]。乾
燥空気を既知の%RHを持つ湿った空気と置き換えると、
FPNEのεの変化は%RHの関数として定量出来る。湿った
空気中におけるフィルムの誘電率ε′は次の式によって
計算出来る: [式中、ε、C3およびC4は前記と同意義であり、C5は湿
った空気中でのフィルムの静電容量である。]。εは典
型的には、0、20、40および60%RHで測定する。測定は
フィルムを約1日置いて平衡化させた後に行う。この方
法は迅速でフィルムの厚さに影響されない測定方法であ
る。フィルムと溶剤の双方が大気中の水分を吸い込んで
測定結果を不安定にすることがあるので、測定装置は乾
燥窒素を充たしたグローブバッグが乾燥箱の中に置くこ
とが望ましい。
図1は上記の測定に適した装置を模式的に示したもの
である。空気の導入は乾燥室1を通して行われ、空気は
2つの質量流量制御器2と3に分流される(例えば、フ
ルスケールの流量で2L/分のポーター・シリーズ(Porte
r Series)200F制御器)。制御器3で調節される分枝を
通って流れる空気は水室4によって加湿される。2つの
分枝からの空気は乱流室5中で再混合され、そこから平
行板誘電セル6へ導入される。セル6の静電容量は感知
器7(例えば、ジェンラド(GenRad)1688LCディジブリ
ッジ(Dgi−Bridge))によって測定される。空気の相
対湿度は露点湿度計8(例えば、ジェネラ・イースタン
・システム(General Eastern System)1100DP)によっ
て測定する。セル6は先に記載したタイプのものであ
る。
である。空気の導入は乾燥室1を通して行われ、空気は
2つの質量流量制御器2と3に分流される(例えば、フ
ルスケールの流量で2L/分のポーター・シリーズ(Porte
r Series)200F制御器)。制御器3で調節される分枝を
通って流れる空気は水室4によって加湿される。2つの
分枝からの空気は乱流室5中で再混合され、そこから平
行板誘電セル6へ導入される。セル6の静電容量は感知
器7(例えば、ジェンラド(GenRad)1688LCディジブリ
ッジ(Dgi−Bridge))によって測定される。空気の相
対湿度は露点湿度計8(例えば、ジェネラ・イースタン
・システム(General Eastern System)1100DP)によっ
て測定する。セル6は先に記載したタイプのものであ
る。
FPNEフィルムのεはまた別の方法によっても測定する
ことが出来るが、これはフィルムの厚さの測定が必要に
なるので余り好都合ではない。そのような方法は先に引
用したデントン(Denton)らの文献および、ストークレ
ー(Stoakley)らのサンペ・キュー(SAMPE Q.),1989
年、10月号、3−6ページに記載されている。
ことが出来るが、これはフィルムの厚さの測定が必要に
なるので余り好都合ではない。そのような方法は先に引
用したデントン(Denton)らの文献および、ストークレ
ー(Stoakley)らのサンペ・キュー(SAMPE Q.),1989
年、10月号、3−6ページに記載されている。
FPNEは、希望する形状によるが、通常の方法で成形物
品に加工することが出来る。フィルムや被膜は押出し、
噴霧、スピン塗布あるいはキャスティングによって作ら
れ、溶液加工法が好ましい。遷移は溶融紡糸あるいは同
様の技術によって作ることが出来る。溶液加工法におけ
る好ましい溶剤はトルエン、キシレン、ジエチルベンゼ
ンのような芳香族炭化水素およびクロロホルム、メチレ
ンクロリドのような塩素化溶剤などである。他の形状が
注入、加圧、注流または吹込成型などの方法で作られ
る。
品に加工することが出来る。フィルムや被膜は押出し、
噴霧、スピン塗布あるいはキャスティングによって作ら
れ、溶液加工法が好ましい。遷移は溶融紡糸あるいは同
様の技術によって作ることが出来る。溶液加工法におけ
る好ましい溶剤はトルエン、キシレン、ジエチルベンゼ
ンのような芳香族炭化水素およびクロロホルム、メチレ
ンクロリドのような塩素化溶剤などである。他の形状が
注入、加圧、注流または吹込成型などの方法で作られ
る。
添加物は特定の目的とする性質を向上させあるいは与
えるために用いることが出来るが、高分子化合物の技術
では通常のように、安定剤、難燃剤、色素、可塑剤、界
面活性剤などを包含する。相溶性あるいは非相溶性の高
分子物質を混合して希望の性質を得ることも出来る。
えるために用いることが出来るが、高分子化合物の技術
では通常のように、安定剤、難燃剤、色素、可塑剤、界
面活性剤などを包含する。相溶性あるいは非相溶性の高
分子物質を混合して希望の性質を得ることも出来る。
FPNEは接着剤、被膜(特にアルファ粒子バリヤ、表面
保護および機械的保護のための半導体被膜)および繊維
強化複合材に対するマトリックス樹脂として有用であ
る。それらは特に電子システムにおける多層物品の調製
に有用である。そのような物品は例えばシリコン、ガラ
スあるいはセラミックの基体と、その表面に付着した少
なくとも1層のFPNE(硬化されていることが望ましい)
を有して成るものである。一般的には複数の層が次々と
付着され、硬化される。導電性の素材の多数の層のひと
つを2つの隣り合うFPNE層の間に組み込むことも出来
る。導電性の層は一般的にFPNE層との同時延伸性を示さ
ず、典型的に複数の導電経路を形成する。導電性層は好
ましくは金属からできているが、半導体材料を含んで成
ってもよい。
保護および機械的保護のための半導体被膜)および繊維
強化複合材に対するマトリックス樹脂として有用であ
る。それらは特に電子システムにおける多層物品の調製
に有用である。そのような物品は例えばシリコン、ガラ
スあるいはセラミックの基体と、その表面に付着した少
なくとも1層のFPNE(硬化されていることが望ましい)
を有して成るものである。一般的には複数の層が次々と
付着され、硬化される。導電性の素材の多数の層のひと
つを2つの隣り合うFPNE層の間に組み込むことも出来
る。導電性の層は一般的にFPNE層との同時延伸性を示さ
ず、典型的に複数の導電経路を形成する。導電性層は好
ましくは金属からできているが、半導体材料を含んで成
ってもよい。
FPNEは60%RHの空気のような湿度の高い環境において
さえ、優れて高い温度性能(Tgが200℃以上)、加水分
解に対する抵抗性、低い吸湿性(50℃で16時間水と接触
させた時に、一般に1%以下、しばしば0.2%以下)お
よび低い誘電率(一般に3.5以下、しばしば3以下)を
示す。
さえ、優れて高い温度性能(Tgが200℃以上)、加水分
解に対する抵抗性、低い吸湿性(50℃で16時間水と接触
させた時に、一般に1%以下、しばしば0.2%以下)お
よび低い誘電率(一般に3.5以下、しばしば3以下)を
示す。
多層物品は基体をFPNEで(架橋剤とともに)溶液か
ら、好ましくはスピン塗布法によって、コーティングす
ることで調製できる。溶剤を蒸発させ、用いられている
架橋剤に適した高温で高分子物質を硬化させる。典型的
には被膜の厚さは約5〜約40ミクロンである。導電性層
はFPNE層の上に、例えばスパッタリング法によって、所
望伝導経路を作るように適当にマスクした領域を用いて
作られる。次いで、次のFPNE層が同様にして作られる。
このような操作を、所望の多層物品が製作されるまで繰
り返す。多層物品は集積回路におけるパッケイジング相
互連結装置として用いることができる。
ら、好ましくはスピン塗布法によって、コーティングす
ることで調製できる。溶剤を蒸発させ、用いられている
架橋剤に適した高温で高分子物質を硬化させる。典型的
には被膜の厚さは約5〜約40ミクロンである。導電性層
はFPNE層の上に、例えばスパッタリング法によって、所
望伝導経路を作るように適当にマスクした領域を用いて
作られる。次いで、次のFPNE層が同様にして作られる。
このような操作を、所望の多層物品が製作されるまで繰
り返す。多層物品は集積回路におけるパッケイジング相
互連結装置として用いることができる。
本発明の実施は以下の実施例を参照することによって
さらに理解することが出来るが、これらの実施例は説明
のために提供されるもので、本発明を制限するものでは
ない。
さらに理解することが出来るが、これらの実施例は説明
のために提供されるもので、本発明を制限するものでは
ない。
実施例1 本実施例は単量体の2,2−ビス(4−(1−ナフトキ
シ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FNE)の調製
を記載するものである。窒素導入管、温度計、オーバー
ヘッド撹拌機および冷却管を備えた500mLの三口丸底フ
ラスコに、4,4′−(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)ジフェノール(24.5g,0.0729モル)、1−ブロモナ
フタレン(31.0g,0.150モル)、炭酸カリウム(21.9g,
0.162モル)、ヨウ化銅(I)(0.8g)とN,N−ジメチル
アセトアミド(DMAc,375mL)を仕込んだ。反応混合物は
窒素ガスを用いて10分間パージし、窒素気流下、約150
℃で5日間撹拌下に加熱した。混合物を室温に冷却し、
濾過した。約250mLのDMAcを減圧下、蒸去した。混合物
を250mLのトルエン/ヘキサン(80/20)中に加え、20%
の水酸化ナトリウム(2x150mL)と蒸留水(2x150mL)で
2回洗浄した。トルエン/ヘキサン層を硫酸マグネシウ
ムを用いて乾燥し、濾過後、減圧下で濃縮して褐色の油
状物(38.4g)を得た。これは一夜室温に放置すると部
分的に結晶化した。この生成物を50/50エタノール/メ
タノール混合液に懸濁し、濾過して灰白色の結晶性固体
(m.p.:94−95℃)を得た。収量は34.2g(79.8%)であ
った。6FNEの構造はH−1およびC−13NMRとGC/MS(m+
/e=588)によって確認した。
シ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FNE)の調製
を記載するものである。窒素導入管、温度計、オーバー
ヘッド撹拌機および冷却管を備えた500mLの三口丸底フ
ラスコに、4,4′−(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)ジフェノール(24.5g,0.0729モル)、1−ブロモナ
フタレン(31.0g,0.150モル)、炭酸カリウム(21.9g,
0.162モル)、ヨウ化銅(I)(0.8g)とN,N−ジメチル
アセトアミド(DMAc,375mL)を仕込んだ。反応混合物は
窒素ガスを用いて10分間パージし、窒素気流下、約150
℃で5日間撹拌下に加熱した。混合物を室温に冷却し、
濾過した。約250mLのDMAcを減圧下、蒸去した。混合物
を250mLのトルエン/ヘキサン(80/20)中に加え、20%
の水酸化ナトリウム(2x150mL)と蒸留水(2x150mL)で
2回洗浄した。トルエン/ヘキサン層を硫酸マグネシウ
ムを用いて乾燥し、濾過後、減圧下で濃縮して褐色の油
状物(38.4g)を得た。これは一夜室温に放置すると部
分的に結晶化した。この生成物を50/50エタノール/メ
タノール混合液に懸濁し、濾過して灰白色の結晶性固体
(m.p.:94−95℃)を得た。収量は34.2g(79.8%)であ
った。6FNEの構造はH−1およびC−13NMRとGC/MS(m+
/e=588)によって確認した。
実施例2 本実施例は6FNEの重合を記載するものである。100mL
の丸底フラスコを窒素ガスを用いてパージし、6FNE(3.
6g,0.0061モル)とニトロベンゼン(25mL,3Åの分子篩
で乾燥)仕込んだ。無水の塩化第二鉄(2.96g,0.0183モ
ル)を15分かかって少しずつ加えた。反応混合物を窒素
気流下に室温で4時間撹拌し、次いで高速で撹拌中のメ
タノール中に注いでポリマーを沈殿させた。高分子化合
物を濾集し、熱メタノール(2x70mL)で2回洗浄した。
ポリ(6FNE)は繰り返し単位: を持ち、淡黄褐色の粉末として得られた(収量3.2g,89
%)。このポリマーは熱可塑性の物質で、660゜F(349
℃)で薄いフィルムに加圧成型することが出来た。その
TgはDSCによれば247℃であった。このポリマーはトルエ
ン、1−メチル−2−ピロリドン(NMP)およびテトラ
ヒドロフラン(THF)に可溶であった。このポリマーの
薄いフィルムは50℃の水に16時間浸した後に0.15%の体
積吸湿率を示した。
の丸底フラスコを窒素ガスを用いてパージし、6FNE(3.
6g,0.0061モル)とニトロベンゼン(25mL,3Åの分子篩
で乾燥)仕込んだ。無水の塩化第二鉄(2.96g,0.0183モ
ル)を15分かかって少しずつ加えた。反応混合物を窒素
気流下に室温で4時間撹拌し、次いで高速で撹拌中のメ
タノール中に注いでポリマーを沈殿させた。高分子化合
物を濾集し、熱メタノール(2x70mL)で2回洗浄した。
ポリ(6FNE)は繰り返し単位: を持ち、淡黄褐色の粉末として得られた(収量3.2g,89
%)。このポリマーは熱可塑性の物質で、660゜F(349
℃)で薄いフィルムに加圧成型することが出来た。その
TgはDSCによれば247℃であった。このポリマーはトルエ
ン、1−メチル−2−ピロリドン(NMP)およびテトラ
ヒドロフラン(THF)に可溶であった。このポリマーの
薄いフィルムは50℃の水に16時間浸した後に0.15%の体
積吸湿率を示した。
実施例3 単量体の4,4′−ビス(1−ナフトキシ)オクタフル
オロビフェニル(FNE)を以下の方法によって調製し
た。100mLの丸底フラスコにデカフルオロビフェニル
(3.01g,0.0090モル)、1−ナフトール(2.60g,0.0181
モル)、炭酸カリウム(2.95g,0.0218モル)とDMAc(40
g)を仕込んだ。混合物を撹拌下に140℃で2時間加熱
し、次いで室温に冷却した後、濾過し、トルエン(100m
L)中に注いだ。トルエン溶液を5%水酸化ナトリウム
(50mL)で洗い、次いで脱イオン水(2x100mL)で2回
洗った。硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過した
後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮して赤色の
固体を得た。この固体をDMAc/水から再結晶し、濾過し
て乾燥すると8FNEを得た(収量3.9g,78.8%;融点189−
191℃;GC/MS m+/e582)。
オロビフェニル(FNE)を以下の方法によって調製し
た。100mLの丸底フラスコにデカフルオロビフェニル
(3.01g,0.0090モル)、1−ナフトール(2.60g,0.0181
モル)、炭酸カリウム(2.95g,0.0218モル)とDMAc(40
g)を仕込んだ。混合物を撹拌下に140℃で2時間加熱
し、次いで室温に冷却した後、濾過し、トルエン(100m
L)中に注いだ。トルエン溶液を5%水酸化ナトリウム
(50mL)で洗い、次いで脱イオン水(2x100mL)で2回
洗った。硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過した
後、ロータリーエバポレーターを用いて濃縮して赤色の
固体を得た。この固体をDMAc/水から再結晶し、濾過し
て乾燥すると8FNEを得た(収量3.9g,78.8%;融点189−
191℃;GC/MS m+/e582)。
実施例4 6FNEの代わりに8FNE(3.4g,0.0061モル)を用いて、
実施例2の方法によって8FNEを重合させた。ポリ(8FN
E)は灰白色の粉末として得られた(収量3.1g,90%)。
その繰り返し単位は次のようである。
実施例2の方法によって8FNEを重合させた。ポリ(8FN
E)は灰白色の粉末として得られた(収量3.1g,90%)。
その繰り返し単位は次のようである。
ポリ(8FNE)は1240cm-1(C−O−C)に赤外線吸収
を示し、DSCによるTgは281℃であった。
を示し、DSCによるTgは281℃であった。
実施例5 単量体の1,4−ビス(1−ナフトキシ)テトラフルオ
ロベンゼン(4FNE)を次のようにして調製した。マグネ
ティックスターラーを備えた100mL丸底フラスコにヘキ
サフルオロベンゼン(3.53g,0.0190モル)、1−ナフト
ールおよびDMAc(50mL)を仕込んだ。固体を溶解した
後、炭酸カリウム(6.50g,0.048モル)を加え、混合物
を約140℃で2時間加熱した。混合物を室温にまで冷却
し、濾過した後、トルエン(150mL)中に注いだ。トル
エン溶液を水(2x150mL)で2回洗い、ロータリーエバ
ポレーターを用いて濃縮すると灰白色の粉末(7.91g)
を得た。GCでこの粉末を分析すると異性体の混合物であ
ることが分かった(オルト2%、メタ8%、パラ90
%)。この粉末をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)と
水の混合液から再結晶すると所望するパラだけの4FNEが
得られた;GC/MS(m+/e434)。
ロベンゼン(4FNE)を次のようにして調製した。マグネ
ティックスターラーを備えた100mL丸底フラスコにヘキ
サフルオロベンゼン(3.53g,0.0190モル)、1−ナフト
ールおよびDMAc(50mL)を仕込んだ。固体を溶解した
後、炭酸カリウム(6.50g,0.048モル)を加え、混合物
を約140℃で2時間加熱した。混合物を室温にまで冷却
し、濾過した後、トルエン(150mL)中に注いだ。トル
エン溶液を水(2x150mL)で2回洗い、ロータリーエバ
ポレーターを用いて濃縮すると灰白色の粉末(7.91g)
を得た。GCでこの粉末を分析すると異性体の混合物であ
ることが分かった(オルト2%、メタ8%、パラ90
%)。この粉末をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)と
水の混合液から再結晶すると所望するパラだけの4FNEが
得られた;GC/MS(m+/e434)。
実施例6 6FNEの代わりに4FNE(2.65g,0.0061モル)を用いて、
4FNEを実施例2の方法で重合させた。ポリ(4FNE)は淡
黄褐色の粉末として得られた(収量2.3g,87%)。これ
は次の繰り返し単位を持っていた: ポリ(4FNE)は1240cm-1(C−O−C)に赤外線吸収
を示した。その固有粘度はTHF中25℃で0.39dL/gであっ
た。それは可融性で660゜F(349℃)において薄いフィ
ルムに圧縮成型することが出来た。
4FNEを実施例2の方法で重合させた。ポリ(4FNE)は淡
黄褐色の粉末として得られた(収量2.3g,87%)。これ
は次の繰り返し単位を持っていた: ポリ(4FNE)は1240cm-1(C−O−C)に赤外線吸収
を示した。その固有粘度はTHF中25℃で0.39dL/gであっ
た。それは可融性で660゜F(349℃)において薄いフィ
ルムに圧縮成型することが出来た。
実施例7 6FNEと8FNEのコポリマーを次のようにして合成した。
6FNE(1.1g,0.0019モル)と8FNE(1.10g,0.002モル)の
混合物を、実施例2の方法に従って共重合させ、単離し
た。コポリマーはDSCによって276℃のTgを示し、THF中2
5℃で0.34の固有粘度を示した。このものは可融性であ
り、700゜F(371℃)で薄いフィルムに圧縮成型した。
フィルムは16時間50℃の水に浸した後に0.1%の体積吸
湿率を示した。
6FNE(1.1g,0.0019モル)と8FNE(1.10g,0.002モル)の
混合物を、実施例2の方法に従って共重合させ、単離し
た。コポリマーはDSCによって276℃のTgを示し、THF中2
5℃で0.34の固有粘度を示した。このものは可融性であ
り、700゜F(371℃)で薄いフィルムに圧縮成型した。
フィルムは16時間50℃の水に浸した後に0.1%の体積吸
湿率を示した。
実施例8 この比較例では、フッ素化ポリイミド(FPI)を調製
し、吸湿性についてFPNEと比較する。100mLの丸底フラ
スコに4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル(3.35g,0.009モル)とNMP(17g)を仕込んだ。室温
で窒素気流下に45分間撹拌した後、NMP(14mL)中の2,
2′−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物(4.00g,0.009モル)の溶液を10分
間をかけて撹拌しながら滴下した。室温でさらに24時間
撹拌を続けた後、粘稠な液体が得られた(2400cps)。
この溶液を4x4インチ(10.16x10.16cm)のガラス基体上
に2000rpmでスピンコーティングし、100℃で30分間、次
いで200℃で20分間、さらに350℃で30分間乾燥すると、
次の繰り返し単位を持つフッ素化ポリイミドの、こはく
色のフィルムが得られた: このフィルムは16時間50℃の水に浸した後、体積吸湿
率0.85%を示した。
し、吸湿性についてFPNEと比較する。100mLの丸底フラ
スコに4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル(3.35g,0.009モル)とNMP(17g)を仕込んだ。室温
で窒素気流下に45分間撹拌した後、NMP(14mL)中の2,
2′−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物(4.00g,0.009モル)の溶液を10分
間をかけて撹拌しながら滴下した。室温でさらに24時間
撹拌を続けた後、粘稠な液体が得られた(2400cps)。
この溶液を4x4インチ(10.16x10.16cm)のガラス基体上
に2000rpmでスピンコーティングし、100℃で30分間、次
いで200℃で20分間、さらに350℃で30分間乾燥すると、
次の繰り返し単位を持つフッ素化ポリイミドの、こはく
色のフィルムが得られた: このフィルムは16時間50℃の水に浸した後、体積吸湿
率0.85%を示した。
実施例9 これも比較例で、市販のポリイミド(PIQ−13、日立
製)の吸湿性をFPNEの吸湿性と比較したものである。
製)の吸湿性をFPNEの吸湿性と比較したものである。
PIQ−13のポリ(アミド酸)前駆体の試料を実施例8
に記載したように、ガラス基体上に塗布し、乾燥させる
と、こはく色のフィルムが得られた。このフィルムは50
℃の水の中に16時間浸した後、体積吸湿率2.55%を示し
た。図1はPIQ−13およびポリ(6FNE)の誘電率を相対
湿度(%RH)の関数として比較したものである。
に記載したように、ガラス基体上に塗布し、乾燥させる
と、こはく色のフィルムが得られた。このフィルムは50
℃の水の中に16時間浸した後、体積吸湿率2.55%を示し
た。図1はPIQ−13およびポリ(6FNE)の誘電率を相対
湿度(%RH)の関数として比較したものである。
ポリ(6FNE)と実施例7のコポリ(6FNE−8FNE)の性
質を実施例8および9のポリイミドの性質と比較したの
が表1である。結果が示すように、本発明のポリマーは
優れた電気的性質を持っている。即ち、低い誘電率、相
対湿度(%RH)を関数とした誘電率の変化の少なさ、水
にさらした時の低い吸湿性を持っている。これらのすべ
ては電子回路保護およびパッケイジング応用において有
利な性質となるものである。
質を実施例8および9のポリイミドの性質と比較したの
が表1である。結果が示すように、本発明のポリマーは
優れた電気的性質を持っている。即ち、低い誘電率、相
対湿度(%RH)を関数とした誘電率の変化の少なさ、水
にさらした時の低い吸湿性を持っている。これらのすべ
ては電子回路保護およびパッケイジング応用において有
利な性質となるものである。
実施例10 本実施例は溶剤耐性を向上させるためのポリ(6FNE)
の架橋を説明するものである。
の架橋を説明するものである。
次式のアセチレン末端のジイミド: を次のようにして調製した。100mLの丸底フラスコに3
−アミノフェニルアセチレン(2.00g,0.017モル)とDMA
c(50mL)を入れ、次いで4,4′−(ヘキサフルオロイソ
プロピリデン)ビス(フタル酸無水物)を加えた。混合
物を室温で1時間撹拌し、次いで150℃で3時間加熱し
た。次にこの混合物を室温に戻し、水(125mL)に注い
だ。得られた固体の沈殿を濾集し、50/50の水/エタノ
ール混合液で洗い、乾燥すると上記のジアセチレンジイ
ミドが淡黄褐色の固体として得られ、これをそれ以上精
製することなしに用いた。
−アミノフェニルアセチレン(2.00g,0.017モル)とDMA
c(50mL)を入れ、次いで4,4′−(ヘキサフルオロイソ
プロピリデン)ビス(フタル酸無水物)を加えた。混合
物を室温で1時間撹拌し、次いで150℃で3時間加熱し
た。次にこの混合物を室温に戻し、水(125mL)に注い
だ。得られた固体の沈殿を濾集し、50/50の水/エタノ
ール混合液で洗い、乾燥すると上記のジアセチレンジイ
ミドが淡黄褐色の固体として得られ、これをそれ以上精
製することなしに用いた。
ポリ(6FNE)(4.0g)と上記のジアセチレンジイミド
(1.0g)のジエチルベンゼン(20mL)溶液をセラミック
の基体上にスピンコーティングし、次の段階スケジュー
ルで加熱した: 100℃で20分、180℃で20分、そして400℃で30分。硬
化したポリ(6FNE)の均一な被膜が得られ、これはジエ
チルベンゼンに不溶であった。この被膜は溶剤応力亀裂
に抵抗性があった。即ち、その被膜の上にポリ(6FNE)
の第2の層をスピンコーティングで作っても割れ目を生
じなかった。架橋していないポリ(6FNE)のフィルムで
はジエチルベンゼンで割れ目が生じる。
(1.0g)のジエチルベンゼン(20mL)溶液をセラミック
の基体上にスピンコーティングし、次の段階スケジュー
ルで加熱した: 100℃で20分、180℃で20分、そして400℃で30分。硬
化したポリ(6FNE)の均一な被膜が得られ、これはジエ
チルベンゼンに不溶であった。この被膜は溶剤応力亀裂
に抵抗性があった。即ち、その被膜の上にポリ(6FNE)
の第2の層をスピンコーティングで作っても割れ目を生
じなかった。架橋していないポリ(6FNE)のフィルムで
はジエチルベンゼンで割れ目が生じる。
実施例11 本実施例はアセチレン末端エーテル: によるポリ(6FNE)の架橋を説明するものである。
4,4′−ジアセチレンジフェニルエーテル(DADPA)を
次のようにして調製した。250mLの丸底フラスコに4,4′
−ジブロモフェニルエーテル(25g,0.076モル)、ジク
ロロビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0.
2g)、トリフェニルフォスフィン(0.4g)、ヨウ化銅
(I)(0.1g)、2−メチル−3−ブチン−2−オール
(20g,0.24モル)、トリエチルアミン(100mL)および
ピリジン(25mL)を仕込んだ。反応混合物を窒素ガスを
用いてパージし、約80℃で20時間加熱した(窒素気流
中)。混合物を室温に冷却し、濾過して反応中に生成し
た臭化水素塩を除いた。混合液を真空で濃縮して黄色の
油状物を得、これは放置すると結晶化した。この固体を
トルエン/ヘキサンから再結晶し、乾燥してDADPEのジ
アセトンアダクト前駆体: を白色の結晶性固体として得た(14.7g);融点133−13
4℃、GC/MS m+/e334。
次のようにして調製した。250mLの丸底フラスコに4,4′
−ジブロモフェニルエーテル(25g,0.076モル)、ジク
ロロビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0.
2g)、トリフェニルフォスフィン(0.4g)、ヨウ化銅
(I)(0.1g)、2−メチル−3−ブチン−2−オール
(20g,0.24モル)、トリエチルアミン(100mL)および
ピリジン(25mL)を仕込んだ。反応混合物を窒素ガスを
用いてパージし、約80℃で20時間加熱した(窒素気流
中)。混合物を室温に冷却し、濾過して反応中に生成し
た臭化水素塩を除いた。混合液を真空で濃縮して黄色の
油状物を得、これは放置すると結晶化した。この固体を
トルエン/ヘキサンから再結晶し、乾燥してDADPEのジ
アセトンアダクト前駆体: を白色の結晶性固体として得た(14.7g);融点133−13
4℃、GC/MS m+/e334。
このジアセトンアダクト前駆体(5.50g,0.0165モル)
を250mLの丸底フラスコにトルエン(100mL)および水酸
化カリウムの10%メタノール溶液(50mL)とともに入れ
た。混合物を加熱して還流させ、約40mLの溶剤を留去し
た。次に混合液をもう2時間還流下に加熱した。溶液を
室温に冷却し、セライトを用いて濾過し、水(50mL)で
洗い、真空で濃縮した。残渣をヘキサン(50mL)に再溶
解し、アルミナを用いて濾過し、硫酸マグネシウムを用
いて乾燥し、濾過、濃縮して再びDADPEを白色の結晶性
固体として得た(3.10g,融点71−73℃)。
を250mLの丸底フラスコにトルエン(100mL)および水酸
化カリウムの10%メタノール溶液(50mL)とともに入れ
た。混合物を加熱して還流させ、約40mLの溶剤を留去し
た。次に混合液をもう2時間還流下に加熱した。溶液を
室温に冷却し、セライトを用いて濾過し、水(50mL)で
洗い、真空で濃縮した。残渣をヘキサン(50mL)に再溶
解し、アルミナを用いて濾過し、硫酸マグネシウムを用
いて乾燥し、濾過、濃縮して再びDADPEを白色の結晶性
固体として得た(3.10g,融点71−73℃)。
ジエチルベンゼン(10mL)中のDADPE(0.5g)および
ポリ(6FNE)(2.0g)溶液の一部(2mL)をガラス基体
上にスピンコーティングし、実施例10に記載したスケジ
ュールに従って硬化させ透明なフィルムを得た。このフ
ィルムはジエチルベンゼンに触れさせても割れ目を生じ
なかった。
ポリ(6FNE)(2.0g)溶液の一部(2mL)をガラス基体
上にスピンコーティングし、実施例10に記載したスケジ
ュールに従って硬化させ透明なフィルムを得た。このフ
ィルムはジエチルベンゼンに触れさせても割れ目を生じ
なかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C08G 61/00 - 61/12 C08G 65/00 - 65/48 B32B 27/00 H01B 3/42 CA(STN)
Claims (11)
- 【請求項1】式: [式中、Yは(CF2)m、 mは1〜4の整数、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)
またはC(OH)Hである。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナ
フチルエーテル)。 - 【請求項2】架橋されている請求項1記載のフッ素化ポ
リ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項3】ビス−アセチレン架橋剤によって架橋され
ている請求項1記載のフッ素化ポリ(ナフチルエーテ
ル)。 - 【請求項4】式: で示される化合物からなる群から選ばれたビス−アセチ
レン架橋剤によって架橋されている請求項1記載のフッ
素化ポリ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項5】Yが式: で示される請求項1または4記載のフッ素化ポリ(ナフ
チルエーテル)。 - 【請求項6】式: で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載の
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項7】式: で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載の
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項8】式: で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載の
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項9】式: で示される繰り返し単位を持つコポリマーである請求項
1または4記載のフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。 - 【請求項10】(a)基体、(b)基体表面上の複数の
絶縁性材料層、および(c)隣り合う絶縁性材料層の間
に配置されている少なくとも1つの導電性材料層を有し
て成る多層電子回路物品であって、 絶縁性材料が式: [式中、Yは(CF2)m、 mは1〜4の整数、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)
またはC(OH)Hである。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナ
フチルエーテル)を含んで成る物品。 - 【請求項11】フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が架
橋されている請求項10記載の多層物品。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8900221.6 | 1989-01-06 | ||
US447,771 | 1989-12-08 | ||
US07/447,771 US5108840A (en) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | Multilayer electronic circuit article having a poly(naphthyl ether) dielectric |
PCT/US1990/007196 WO1991009070A1 (en) | 1989-12-08 | 1990-12-07 | Fluorinated poly(naphthyl ethers) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04501436A JPH04501436A (ja) | 1992-03-12 |
JP2888636B2 true JP2888636B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=23777682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3501781A Expired - Lifetime JP2888636B2 (ja) | 1989-12-08 | 1990-12-07 | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5108840A (ja) |
EP (1) | EP0504288B1 (ja) |
JP (1) | JP2888636B2 (ja) |
AT (1) | ATE167499T1 (ja) |
CA (1) | CA2068326C (ja) |
DE (1) | DE69032431T2 (ja) |
WO (1) | WO1991009070A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5161085A (en) * | 1991-02-21 | 1992-11-03 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Moisture sensitive element and method of manufacturing the same |
US5250667A (en) * | 1992-09-09 | 1993-10-05 | Raychem Corporation | 1-[(hydroxyphenoxy)phenylene]triazenes, polymers crosslinked therewith, and methods therefor |
US5235044A (en) * | 1992-09-09 | 1993-08-10 | Raychem Corporation | Compounds having oxadiazole and triazene moieties, crosslinkable polymers therefrom, and methods therefor |
US5959157A (en) * | 1995-06-26 | 1999-09-28 | Alliedsignal, Inc. | Process for making hydroxy-substituted ethynylated biphenyl compounds |
US5986045A (en) | 1995-06-26 | 1999-11-16 | Alliedsignal Inc. | Poly(arylene ether) compositions and the method for their manufacture |
US5658994A (en) * | 1995-07-13 | 1997-08-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nonfunctionalized poly(arylene ether) dielectrics |
US5874516A (en) * | 1995-07-13 | 1999-02-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Nonfunctionalized poly(arylene ethers) |
TW200418898A (en) * | 2003-03-17 | 2004-10-01 | Idemitsu Kosan Co | Aromatic ring polymer and low-dielectric material |
WO2010074625A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Nexam Chemical Ab | Acetylenic aromatic polyether |
EP2909253B1 (en) | 2012-10-22 | 2021-11-10 | Delsper LP | Cross-linked organic polymer compositions |
WO2014117110A1 (en) | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Greene, Tweed Technologies, Inc. | Anti-extrusion compositions for sealing and wear components |
WO2014145834A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Delsper LP | Cross-linked organic polymers for use as elastomers |
CN103755534B (zh) * | 2014-01-21 | 2016-09-07 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含双三氟甲基苯和联萘结构单元的低介电常数聚合物 |
KR102233775B1 (ko) | 2016-07-13 | 2021-03-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자, 및 이를 포함하는 전해질과 리튬 전지 |
CN108855012B (zh) * | 2018-07-19 | 2020-10-13 | 吉林大学 | 一种聚芳醚类共价有机骨架材料及其制备方法 |
JP7308168B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
JP7308167B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1365394A (en) * | 1971-05-21 | 1974-09-04 | Ici Ltd | Aromatic polyethers |
US4835197A (en) * | 1985-01-04 | 1989-05-30 | Raychem Corporation | Aromatic polymer compositions |
US4806617A (en) * | 1987-03-13 | 1989-02-21 | The B.F. Goodrich Company | Poly(dinaphthyl arylene ether) and preparation thereof |
US4827054A (en) * | 1987-07-31 | 1989-05-02 | Hughes Aircraft Company | Method for synthesizing 2,2-bis(4-fluorophenyl)-hexafluoropropane and method for using same to synthesize poly(arylethers) and poly (arylthioethers) |
-
1989
- 1989-12-08 US US07/447,771 patent/US5108840A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-07 WO PCT/US1990/007196 patent/WO1991009070A1/en active IP Right Grant
- 1990-12-07 JP JP3501781A patent/JP2888636B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-07 EP EP91901396A patent/EP0504288B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-07 AT AT91901396T patent/ATE167499T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-12-07 DE DE69032431T patent/DE69032431T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-07 CA CA002068326A patent/CA2068326C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0504288B1 (en) | 1998-06-17 |
DE69032431D1 (de) | 1998-07-23 |
US5108840A (en) | 1992-04-28 |
DE69032431T2 (de) | 1998-11-19 |
CA2068326C (en) | 2002-02-05 |
ATE167499T1 (de) | 1998-07-15 |
CA2068326A1 (en) | 1991-06-09 |
JPH04501436A (ja) | 1992-03-12 |
WO1991009070A1 (en) | 1991-06-27 |
EP0504288A1 (en) | 1992-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2888636B2 (ja) | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) | |
US5204416A (en) | Crosslinked fluorinated poly(arylene ether) | |
JP3064011B2 (ja) | 架橋用フッ素化ポリマー組成物 | |
US4835197A (en) | Aromatic polymer compositions | |
US5179188A (en) | Crosslinkable fluorinated aromatic ether composition | |
US5114780A (en) | Electronic articles containing a fluorinated poly(arylene ether) dielectric | |
JP5270758B2 (ja) | パー(フェニルエチニル)アレーン誘導体を含有するポリマー組成物 | |
US5047487A (en) | Compositions of poly(imides) having phenylindane diamines and/or dianhydride moieties in the poly(imide) backbone | |
US5145936A (en) | Fluorinated poly (naphthyl ether) | |
EP0524930B1 (en) | Fluorinated poly(arylene ethers) | |
JP3061194B2 (ja) | フッ素化ポリ(アリーレンエーテル)誘電体を含んでなる電子物品 | |
US4920005A (en) | Aromatic polymer compositions | |
EP0207981A4 (en) | POLY (IMIDES) COMPOSITIONS HAVING PHENYLINDANE DIAMINES AND / OR DIANHYDRIDE HALVES IN THE POLY (IMIDE) SPINE. | |
EP0209546B1 (en) | Aromatic polymer compositions | |
US5270453A (en) | Aromatic bistriazene compounds | |
US5247050A (en) | Fluorinated quinoline polymers and the corresponding fluorinated monomers | |
JPH05502261A (ja) | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) | |
KR100607300B1 (ko) | 연성금속박막 적층필름의 제조방법 | |
US5344981A (en) | Fluorinated monomers useful for preparing fluorinated polyquinoline polymers | |
EP0543950B1 (en) | Fluorinated quinoline polymers and the corresponding fluorinated monomers | |
JP2748989B2 (ja) | 溶融成形用ポリイミド共重合体およびその製造方法 | |
JP3001112B2 (ja) | 新規なビストリアゼン化合物およびそれで架橋されるポリマー組成物 | |
JPH03501135A (ja) | 複合材用新熱硬化性樹脂としてのスチレン停止多官能性オリゴマーフェニール | |
JP2000169580A (ja) | 絶縁材料 |