JPH05502261A - フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) - Google Patents
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)Info
- Publication number
- JPH05502261A JPH05502261A JP91501781A JP50178191A JPH05502261A JP H05502261 A JPH05502261 A JP H05502261A JP 91501781 A JP91501781 A JP 91501781A JP 50178191 A JP50178191 A JP 50178191A JP H05502261 A JPH05502261 A JP H05502261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tables
- formulas
- chemical formulas
- mathematical
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- -1 poly(naphthyl ether) Polymers 0.000 title claims description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- ARNKHYQYAZLEEP-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-1-yloxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 ARNKHYQYAZLEEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropropane Chemical compound CCCF JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Substances [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 1-bromonaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=CC=CC2=C1 DLKQHBOKULLWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluoro-6-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)benzene Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LERDAFCBKALCKT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluoro-6-(2,3,4-trifluorophenyl)benzene Chemical group FC1=C(F)C(F)=CC=C1C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LERDAFCBKALCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXFNFWSJNXPYRI-UHFFFAOYSA-N 1-(2,3,5,6-tetrafluoro-4-naphthalen-1-yloxyphenoxy)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC3=C(F)C(F)=C(OC=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C(F)=C3F)=CC=CC2=C1 FXFNFWSJNXPYRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCVOGSZTONGSQY-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trichloroanisole Chemical compound COC1=C(Cl)C=C(Cl)C=C1Cl WCVOGSZTONGSQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 1
- 229910021593 Copper(I) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical class Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N O-demethyl-aloesaponarin I Natural products O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=C(O)C(C(O)=O)=C2C MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- BMRUOURRLCCWHB-UHFFFAOYSA-M copper(i) fluoride Chemical compound [Cu]F BMRUOURRLCCWHB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Natural products C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003733 fiber-reinforced composite Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-IDEBNGHGSA-N nitrobenzene Chemical group [O-][N+](=O)[13C]1=[13CH][13CH]=[13CH][13CH]=[13CH]1 LQNUZADURLCDLV-IDEBNGHGSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Pyrane Compounds (AREA)
- Polyethers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)
技術分野
本発明は新規なフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)、硬化組成物およびそれを含
む多層電子回路物品並びにその製法に関するものである。
発明の背景
ポリマーフィルムおよび被膜はしばしば電子工業で用いられ、特に絶縁物やパシ
ベーション層として多層集積回路デバイスに使用される。誘電率εの低いポリマ
ーが望ましい。ポリマーで絶縁される要素が高回路密度で作用するように設計さ
れ、また高速度でシグナル拡散の少ないように作動する可能性があるからである
。多層集積回路物品の性能へのεの影響については次の文献に論述されている。
「超小型電子技術パッケイジングハンドブック」、チュブラ(Tummala)
ら編、687−692ページ、ファン・ノーストランド・ラインホルト(van
No5trand Re1nhold)社刊:ワタリ(Watari)らのア
メリカ合衆国特許第4.744.007号(1988);ブッデ(B udde
)らのアメリカ合衆国特許第4.732.843号(1988)。
ポリイミドは多くの電子技術用途に対してよく使われる絶縁材料であるが、それ
はその優れた機械的および熱的性質と、薄いフィルムや被膜に出来る加工性の故
である。しかしポリイミドはかなり高いεを示し、これが、湿度の高い環境で湿
気を吸い易い(3−4%まで)傾向とともに、ポリイミドの利用の限界を成して
いる。水分の吸収はεを高め、その結果、性能を低下させる。ある市販のポリイ
ミドは相対湿度0%(%RH)でεが約3.2であるが、60%RHではεは約
38に上がる。デントン(Denton)らが、ジェイーエレクトロニツク・マ
テル(J、Electronic Mater、)、l 4(2)、119(1
985)に述べた工うに、ポリイミドの吸湿性は絶縁体の導電性の増加、付着性
の喪失、あるいは腐食によってもまた、その性能を悪化させることがある。さら
に、ポリイミドの中には加水分解や溶剤の攻撃に弱いものがある(しばしば溶剤
に触れさせた時のひびや割れ目で明らかにになる)。
メーサ−(Mercer)のアメリカ合衆国特許第4,835,197号(19
89)では、ポリイミドの溶剤抵抗性を向上させるために、アセチレン、マレイ
ミドあるいはビニル末端硬化剤を用いて硬化させることが提案されている。しか
し、そのようにして硬化させたポリイミドはなお比較的高いポリイミドの誘電率
と、湿気を吸収する傾向を保持している。
上述の理由から、優れた高温に対する性質、際立った加水分解と溶剤に対する抵
抗性、低い誘電率および低い吸湿性を持つポリマーの開発が望ましいのである。
本発明のポリマーはこれらの目標を達成するものである。
本発明は、式:
C式中、Yは (CF2)、、
mは1〜4の整数で、XはS、Co、SO2,O,P(CaHs)またはC(O
H)Hである。コ
で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)(FP
NE)を提供する。好ましい態様では、FPNEはビスアセチレン架橋剤によっ
て架橋されている。
本発明は(a)基体、(b)基体表面上の絶縁性材料から成る複数の層、および
(c)隣り合った絶縁性材料層の間に置かれた導電性材料から成る少なくとも1
つの層を有して成る多層電子回路物品をも提供する。この絶縁性材料はFPNE
より成る。
図面の簡単な説明
図1はFPNEの薄膜のεを測定するための装置を模式的に示図2はFPNEと
既知のポリマーについて、εに及ぼす%RHの影響を比較したものである。
好ましい実施例の説明
FPNEは次の単量体を重合させることによって調製することが出来る:
[式中、Yは(CF 2)、、、
mは1〜4の整数、Xは5SCo、SO2,0、P(ICalj)またはC(C
)H)Hである。]。
FPNEは本質的に前記の繰り返し単位の内の1種だけより成る単独重合体であ
ってよい。また前記の繰り返し単位の2種あるいはそれ以上より成る共重合体で
もあってよい。さらにまた、FPNE繰り返し単位と、それと異なった種類の繰
り返し単位を組み合わせた共重合体でもあってよいが、この場合は、FPNE繰
り返し単位が好ましくは少なくとも60モル%、より好ましくは少なくとも80
モル%含まれるものとする。ブルックフィールド粘度計を用いてジエチルベンゼ
ン中、固形分20%で測定した時、FPNEは好ましくは少なくとも500cp
、より好ましくは1ooocpの粘度を持つ。
単量体は触媒の存在下でカップリング(脱水素)反応によって重合される。好ま
しい触媒は塩化第二鉄と塩化第二銅である。好ましい溶剤はニトロベンゼンで、
この物質はカップリング反応において酸化剤としても作用する。ニトロベンゼン
と他の、不活性な溶剤との混合物も用いることが出来る。典型的には、重合は、
単量体1モルに対して少なくとも2モル(好ましくは3モル)という過剰の触媒
の存在下で、約25℃で16〜24時間かけて行われる。そのような反応はバー
セフ(P ercec)らのアメリカ合衆国特許第4,806,617号(19
89)に詳細に記載されており、その開示内容は本明細書に組み込む。
単量体は2当量の1−ハロナフタレンと1当量のジオールHO−Y−OHを縮合
させて合成される。例えば、1−ブロモナフタレンと、ビスフェノールFとして
も知られる4、 4’ −(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノールの
縮合である。あるいは、2当量の1−ナフトールを、例えばヘキサフルオロベン
ゼンのような二ハロゲン化物Z−Y−Z (式中、2はハロゲンである)と縮合
させてもよい。z−y−zがヘキサフルオロベンゼンやデカフルオロビフェニル
のようなポリフッ素化芳香族化合物である場合、一般的に2個のフッ素だけが置
換され、上記の化合物の場合それぞれ1.4−位と4.4′−位である。
FPNEは種々の架橋剤によって架橋することが出来る。好ましい架橋剤はビス
−アセチレン末端化合物またはオリゴマーで、例えば次式のようなものである。
二の最後に示した架橋剤はサーミド(Thermid)LR−600の商標で知
られるもので、ナショナル・スターチ(National S tarch)社
から購入することが出来る。これら以外のビス−アセチレン架橋剤はメーサ−(
Mereer)のアメリカ合衆国特許第4.835.197号(1989)に開
示されており、その開示内容は本明細書中に組み込む。
ビス−アセチレン化合物で架橋させる場合、FPNEと架橋剤は好ましい割合で
はビス−アセチレン化合物の約5〜約50重量%、より好ましくは約10〜約2
5重量%で混合し、180〜400℃、好ましくは250〜350℃の温度で3
0分〜3時間加熱する(複雑な、あるいは段階的加熱スケジュールが用いられる
)。または放射線硬化を行ってよい。混合は通常のどの技術によってもなし得る
:例えば二本ロール機、ブラベンダー(B rabender)もしくはバンバ
リー(B anbury)密閉ミキサ一または二軸押出機が用いられる。
架橋剤と混合したFPNEのフィルムや被膜は溶剤からの沈殿、溶液注型などに
よっても調製出来る。好ましい方法は溶液混合した後、基体にスピンコーティン
グして薄いフィルムあるいは被膜を作り、次いで硬化させることである。
FPNEフィルムの誘電率εへの湿度の影響は次のようにして測定出来る。まず
、乾燥空気中のεを、誘電率既知の媒体を含む平行板コンデンサー試験セル中に
フィルムを置き、フィルムを挿入した後の静電容量(キャパシタンス)の変化を
測定することによってめる。適当なセルは金めっきしたコンデンサー電極を有し
、電極は直径1インチで、約50μの間隔で離れているものである。電極は絶縁
された真ちゅうのチャンバーに配置されて、接地と電磁干渉よりの保護が図られ
ている。FPNEフィルムは10〜30μの厚さで、約1.5 x 1.5イン
チの方形のものが用いられる。測定は2種の異なった媒体、乾燥空気とへブタン
を用いて行う。εは次の式から計算される:
[式中、C1はへブタンの静電容量、C2はへブタン中でのフィルムの静電容量
、C3は乾燥空気中でのフィルムの静電容量、そしてC4は乾燥空気の静電容量
である。]。乾燥空気を既知の%RHを持つ湿った空気と置き換えると、FPN
Eのεの変化は%RHの関数として定量出来る。湿った空気中におけるフィルム
の誘電率ε゛は次の式によって計算出来る:
c式中、ε、C3およびC4は前記と同意義であり、C6は湿った空気中でのフ
ィルムの静電容量である。]。εは典型的には、0.20.40および60%R
Hで測定する。測定はフィルムを約1日貨いて平衡化させた後に行う。この方法
は迅速でフィルムの厚さに影響されない測定方法である。フィルムと溶剤の双方
が大気中の水分を吸い込んで測定結果を不安定にすることがあるので、測定装置
は乾燥窒素を充たしたグローブバッグか乾燥箱の中に置くことが望ましい。
図1は上記の測定に適した装置を模式的に示したものである。空気の導入は乾燥
室1を通して行われ、空気は2つの質量流量制御器2と3に分流される(例えば
、フルスケールの流量で2L/分のポーター・シリーズ(Porter 5er
ies) 200 F制御器)。制御器3で調節される分枝を通って流れる空気
は水室4によって加湿される。
2つの分校からの空気は乱流室5中で再混合され、そこから平行板誘電セル6へ
導入される。セル6の静電容量は感知器7(例えば、ジエンラド(GenRad
)1688 LCディジブリッジ(D igi−Bridge))によって測定
される。空気の相対湿度は露点湿度計8(例えば、ジェネラル・イースタン・シ
ステム(General EasternSystem)IlooDP)によっ
て測定する。セル6は先に記載したタイプのものである。
FPNEフィルムのεはまた別の方法によっても測定することが出来るが、これ
はフィルムの厚さの測定が必要になるので余り好都合ではない。そのような方法
は先に引用したデントン(Denton)らの文献および、スト−クレー(S
toakley)らのサンペ・キュー(SAMPE Q、)、1989年、10
月号、3−6ページに記載されている。
FPNEは、希望する形状によるが、通常の方法で成形物品に加工することが出
来る。フィルムや被膜は押出し、噴霧、スピン塗布あるいはキャスティングによ
って作られ、溶液加工法が好ましい。
繊維は溶融紡糸あるいは同様の技術によって作ることが出来る。溶液加工法にお
ける好ましい溶剤はトルエン、キシレン、ジエチルベンゼンのような芳香族炭化
水素およびクロロホルム、メチレンクロリドのような塩素化溶剤などである。他
の形状が注入、加圧、注流または吹込成型などの方法で作られる。
添加物は特定の目的とする性質を向上させあるいは与えるために用いることが出
来るが、高分子化合物の技術では通常のように、安定剤、難燃剤、色素、可塑剤
、界面活性剤などを包含する。相溶性あるいは非相溶性の高分子物質を混合して
希望の性質を得ることも出来る。
FPNEは接着剤、被膜(特にアルファ粒子バリヤ、表面保護および機械的保護
のための半導体被膜)および繊維強化複合材に対するマトリックス樹脂として有
用である。それらは特に電子システムにおける多層物品の調製に有用である。そ
のような物品は例えばシリコン、ガラスあるいはセラミックの基体と、その表面
に付着した少なくとも1層のFPNE (硬化されていることが望ましい)を有
して成るものである。一般的には複数の層が次々と付着され、硬化される。導電
性の素材の多数の層のひとつを2つの隣り合うFPNE層の間に組み込むことも
出来る。導電性の層は一般的にFPNE層との同時延伸性を示さず、典型的に複
数の導電経路を形成する。
導電性層は好ましくは金属からできているが、半導体材料を含んで成ってもよい
。
FPNEは60%RHの空気のような湿度の高い環境においてさえ、優れて高い
温度性能(Tgが200℃以上)、加水分解に対する抵抗性、低い吸湿性(50
℃で16時間水と接触させた時に、一般に1%以下、しばしば12%以下)およ
び低い誘電率(一般に3.5以下、しばしば3以下)を示す。
多層物品は基体をFPNEで(架橋剤とともに)溶液から、好ましくはスピン塗
布法によって、コーティングすることで調製できる。
溶剤を蒸発させ、用いられている架橋剤に適した高温で高分子物質を硬化させる
。典型的には被膜の厚さは約5〜約40ミクロンである。導電性層はFPNE層
の上に、例えばスパッタリング法によって、所望伝導経路を作るように適当にマ
スクした領域を用いて作られる。次いで、次のFPNE層が同様にして作られる
。このような操作を、所望の多層物品が製作されるまで繰り返す。多層物品は集
積回路におけるバッケイジング相互連結装置として用いることができる。
本発明の実施は以下の実施例を参照することによってさらに理解することが出来
るが、これらの実施例は説明のために提供されるもので、本発明を制限するもの
ではない。
実施例1
本実施例は単量体の2.2−ビス(4−(1−ナフトキシ)フェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン(6FNE)の調製を記載するものである。窒素導入管、温度計
、オーバーヘッド撹拌機および冷却管を備えた500mLの三日丸底フラスコに
、4.4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフェノール(24,5g、
0.0729モル)、1−ブロモナフタレン(31,0g、0.150モル)、
炭酸カリウム(21,9g、0.162モル) 、=+つ化銅(I)(0,8g
) とN、N−ジメチルアセトアミド(DMAc、375mL)を仕込んだ。反
応混合物は窒素ガスを用いて10分間パージし、窒素気流下、約150℃で5日
間撹拌下に加熱した。混合物を室温に冷却し、濾過した。約250mLのDMA
cを減圧下、蒸去した。混合物を250mLのトルエン/ヘキサン(80/′2
0)中に加え、20%の水酸化ナトリウム(2x 150mL)と蒸留水(2x
150mL)で2回洗浄した。トルエン/ヘキサン層を硫酸マグネシウムを用い
て乾燥し、濾過後、減圧下で濃縮して褐色の油状物(38,4g)を得た。これ
は−夜室温に放置すると部分的に結晶化した。この生成物を50150工タノー
ル/メタノール混合液に懸濁し、濾過して灰白色の結晶性固体(m、p、:94
−95℃)を得た。収量は34.2g (79,8%)であった。6FNHの構
造はH−1およびC−C−13NとGC/MS (m−/e=588)によって
確認した。
実施例2
本実施例は6FNEの重合を記載するものである。100mLの丸底フラスコを
窒素ガスを用いてパージし、6FNE (3,6g。
0.0061モル)とニトロベンゼン(25mL、3人の分子篩で乾燥)を仕込
んだ。無水の塩化第二鉄(2,96g、0.0183モル)を15分かかって少
しずつ加えた。反応混合物を窒素気流下に室温で4時間撹拌し51次いで高速で
撹拌中のメタノール中に注いでポリマーを沈殿させた。高分子化合物を瀘集し、
熱メタノール(2x70mL)で2回洗浄した。ポリ(6FNE)は繰り返し単
位・を持ち、淡黄褐色の粉末として得られた(収量3.2g、89%)。
このポリマーは熱可星性の物質で、660’F(349℃)で薄いフィルムに加
圧成型することが出来た。そのTgはDSCによれば247℃であった。このポ
リマーはトルエン、1−メチル−2−ピロリドン(NMP)およびテトラヒドロ
フラン(THF)に可溶であった。このポリマーの薄いフィルムは50℃の水に
16時間浸した後に0.15%の体積吸湿率を示した。
実施例3
単量体の4.4゛−ビス(1−ナフトキシ)オクタフルオロビフェニル(8FN
E)を以下の方法によって調製した。100mLの丸底フラスコにデカフルオロ
ビフェニル(3、Olg、0.0090モル)、1−ナフトール(2,60g、
0.0181モル)、炭酸カリウム(2,95g、0.0218モル)とDMA
c (40g)を仕込んだ。混合物を撹拌下に140℃で2時間加熱し、次いで
室温に冷却した後、濾過し、トルエン(100mL)中に注いだ。トルエン溶液
を5%水酸化ナトリウム(50mL)で洗い、次いで脱イオン水(2x100m
L)で2回洗った。硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過した後、ロータリー
エバポレーターを用いて濃縮して赤色の固体を得た。この固体をDMAc/水か
ら再結晶し、濾過して乾燥すると8FNEを得た(収量3.9g、78.8%:
融点189−191℃;GC/MSm″7e582)。
実施例4
6FNHの代わりに8FNE (3,4g、0.0061モル)を用。
いて、実施例2の方法によって8FNEを重合させた。ポリ(8FNE)は灰白
色の粉末として得られた(収量3.1g、90%)。その繰り返し単位は次のよ
うである。
ポリ(8FNE)は1240 cm−’ (C−0−C) i:赤外11吸1c
2を示し、DSCによるTgは281℃であった。
実施例5
単量体の1.4−ビス(1−ナフトキシ)テトラフルオロベンゼン(4FNE)
を次のようにして調製した。マグネティックスクーラーを備えた100mL丸底
フラスコにヘキサフルオロベンゼン(3,53g、0.0190モル)、1−ナ
フトールおよびDMAc(50mL)を仕込んだ。固体を溶解した後、炭酸カリ
ウム(6,50g。
0、048モル)を加え、混合物を約140℃で2時間加熱した。
混合物を室温にまで冷却し、濾過した後、トルエン(150mL)中に注いだ。
トルエン溶液を水(2x150mL)で2回洗い、ロータリーエバポレーターを
用いて濃縮すると灰白色の粉末(7,91g)を得た。GCでこの粉末を分析す
ると異性体の混合物であることが分かった(オルト2%、メタ8%、)くう90
%)。この粉末をN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)と水の混合液力)ら
再結晶すると所望するバラだけの4FNEが得られた;GC/MS(m”5FN
Hの代わりに4FNE (2,65g、0.0061モル)を用いて、4FNE
を実施例2の方法で重合させた。ポIJ(4FNE)は淡黄褐色の粉末として得
られた(収量2.3g、87%)。これ(よ次の繰り返し単位を持っていた:
ポリ(4FNE)は1240 cm” (C−0−C) +:赤外線吸収を示し
た。その固有粘度はTHF中25℃でQ、39dL/gであった。それは可融性
で660°F(349℃口ニおl、Xて薄L)フィルムに圧縮成型することが出
来た。
実施例7
6FNEと8FNEのコポリマーを次のようにして合成した。6FNE (1,
1g、0.0019モル)と8FNE (1,10g、0゜002モル)の混合
物を、実施例2の方法に従って共重合させ、単離した。コポリマーはDSCによ
って276℃のTgを示し、THF中25℃で0.34の固有粘度を示した。こ
のものは可融性であり、700°F(371℃)で薄いフィルムに圧縮成型した
。フィルムは16時間50℃の水に浸した後に0.1%の体積吸湿率を示した。
実施例8
この比較例では、フッ素化ポリイミド(FPI)を調製し、吸湿性についてFP
NEと比較する。100mLの丸底フラスコに4゜4゛−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ビフェニル(3,35g、0゜009モル)とNMP(17g)を仕込
んだ。室温で窒素気流下に45分間撹拌した後、NMP (14mL)中の2.
2°−ビス(3゜4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロブロバンニ無水物
(4゜00g、0.009モル)の溶液を10分間をかけて撹拌しな力(ら滴下
した。室温でさらに24時間撹拌を続けた後、粘稠な液体力(得られた(240
0cps)。この溶液を4x4インチ(10,16x10.16cm)のガラス
基体上に2000rpmでスピンコーティングし、100℃で30分間、次いで
200℃で20分間、さら1こ350℃で30分間乾燥すると、次の繰り返し単
位を持つフ・ノ素化ポリイミドの、こはく色のフィルムが得られた:このフィル
ムは16時間50℃の水に浸した後、体積吸湿率0゜85%を示した。
実施例9
これも比較例で、市販のポリイミド(PIQ−13、日立製)の吸湿性をFPN
Eの吸湿性と比較したものである。
(PIO−131
PIQ−13のポリ(アミド酸)前駆体の試料を実施例8に記載したように、ガ
ラス基体上に塗布し、乾燥させると、こはく色のフィルムが得られた。このフィ
ルムは50℃の水の中に16時間浸した後、体積吸湿率255%を示した。図1
はPIQ−13およびポリ(5FNE)の誘電率を相対湿度(%RH)の関数と
して比較したものである。
ポリ(6FNE)と実施例7のコポリ(6FNE−8FNE)の性質を実施例8
および9のポリイミドの性質と比較したのが表1である。結果が示すように、本
発明のポリマーは優れた電気的性質を持っている。即ち、低い誘電率、相対湿度
(%RH)を関数とした誘電率の変化の少なさ、水にさらした時の低い吸湿性を
持っている。
これらのすべては電子回路保護およびパッヶインング応用において有利な性質と
なるものである。
本実施例は溶剤耐性を向上させるためのポリ(6FNE)の架橋を説明するもの
である。
次式のアセチレン末端のジイミド:
を次のようにして調製した。100mLの丸底フラスコに3−アミ/)エニh7
−t:fレン(2,OOg、0.017モル) とDMAC(50mL)を入れ
、次いで4.4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(フタル酸無水物
)を加えた。混合物を室温で1時間撹拌し、次いで150℃で3時間加熱した。
次にこの混合物を室温に戻し、水(125mL)に注いだ。得られた固体の沈殿
を濾集し、50150の水/エタノール混合液で洗い、乾燥すると上記のジアセ
チレン/イミドが淡黄褐色の固体として得られ、これをそれ以上精製することな
しに用いた。
ポリ(6FNE)(4,0g)と上記のジアセチレンジイミド(1゜0g)のジ
エチルベンゼン(20rnL)溶液をセラミックの基体上にスピンコーティング
し、次の段階スケジュールで加熱した100℃で20分、180℃で20分、そ
して400℃で30分。
硬化したポリ(6FNE)の均一な被膜が得られ、これはジエチルベンゼンに不
溶であった。この被膜は溶剤応力亀裂に抵抗性があった。即ち、その被膜の上に
ポリ(6FNE)の第2の層をスピンコーティングで作っても割れ目を生じなか
った。架橋していないポリ(6FNE)のフィルムではジエチルベンゼンで割れ
目が生じる。
実施例11
本実施例はアセチレン末端エーテル・
によるポリ(6FNE)の架橋を説明するものである。
4.4゛−ンアセチレンジフェニルエーテル(DADPA)を次のようにして調
製した。250mLの丸底フラスコに4.4°−ジブロモフェニルエーテル(2
5g、0.076モル)、ンクロロビス(トリフェニルフォスフイン)パラジウ
ム(0,2g)、トリフェニルフォスフイン(0,4g)、ヨウ化鋼(I)(0
,1g)、2−メチル−3−ブチン−2−オール(20g、0.24モル)、ト
リエチルアミン(100mL)およびピリジン(25mL)を仕込んだ。反応混
合 。
物を窒素ガスを用いてパージし、約80℃で20時間加熱した(窒素気流中)。
混合物を室温に冷却し、濾過して反応中に生成した臭化水素塩を除いた。混合液
を真空で濃縮して黄色の油状物を得、これは放置すると結晶化した。この固体を
トルエン/ヘキサンから再結晶し、乾燥してDADPEのジアセトンアダクト前
駆体・を白色の結晶性固体として得た(14.7g);融点133−134℃、
GC/MS m’″/e334゜このジアセトンアダクト前駆体(5,50g、
0.0165モル)を250mLの丸底フラスコにトルエン(100mL)およ
び水酸化カリウムの10%メタノール溶液(50mL)とともに入れた。
混合物を加熱して還流させ、約40mLの溶剤を留去した。次に混合液をもう2
時間還流下に加熱した。溶液を室温に冷却し、セライトを用いて濾過し、水(5
0mL)で洗い、真空で濃縮した。残渣をヘキサン(50mL)に再溶解し、ア
ルミナを用いて濾過し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過、濃縮して再び
DADPEを白色の結晶性固体として得た(3.10g、融点71−73℃)。
ジエチルベンゼン(10mL)中のDADPE (0,5g)およびポリ(5F
NE)(2,0g)溶液の一部(2mL)をガラス基体上にスピンコーティング
し、実施例10に記載したスケジュールに従って硬化させ透明なフィルムを得た
。このフィルムはジエチルベンゼンに触れさせても割れ目を生じなかった。
誘電率
要 約 書
式
[式中、Yは(CF z)−1
mは1〜4の整数、XはS S、 CO、S O2、O,P(C6H,)また:
まC(OH)Hである。コ
で示される繰り返し単位を有して成るフ・ソ素化ポリ(ナフチルエーテル)。こ
のようなポリマーは、特にその架橋形態にお(Xて、多層集積回路物品用の低誘
電率の低吸湿性の絶縁体として有用である。
国際謹審磐牛
国際調査報告
PCT/US 90107196
Claims (18)
- 1.式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Yは(CF2)m、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、 化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼mは1〜4 の整数、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)またはC(OH)Hである 。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。
- 2.架橋されている請求項1記載のフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。
- 3.ビス−アセチレン架橋剤によって架橋されている請求項1記載のフッ素化ポ リ(ナフチルエーテル)。
- 4.式: ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物からなる群から選ばれたビス−アセチレン架橋剤によって架橋 されている請求項1記載のフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)。
- 5.Yが式: ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼または▲ 数式、化学式、表等があります▼.で示される請求項1または4記載のフッ素化 ポリ(ナフチルエーテル)。
- 6.式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載のフッ素化ポリ(ナフチル エーテル)。
- 7.式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載のフッ素化ポリ(ナフチル エーテル)。
- 8.式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰り返し単位を持つ請求項1または4記載のフッ素化ポリ(ナフチル エーテル)。
- 9.式: ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰り返し単位を持つコポリマーである請求項1または4記載のフッ素 化ポリ(ナフチルエーテル)。
- 10.(a)基体、(b)基体表面上の絶縁性材料から成る複数の層、および( c)隣り合う絶縁性材料層の間に配置されている導電性の材料から成る少なくと も1つの層を有して成る多層電子回路物品であって、 絶縁性材料が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Yは(CF2)m、 ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、 化学式、表等があります▼および▲数式、化学式、表等があります▼mは1〜4 の整数で、XはS、CO、SO2、O、P(C6H5)またはC(OH)Hであ る。] で示される繰り返し単位を有して成るフッ素化ポリ(ナフチルエーテル)を含ん で成る物品。
- 11.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が架橋されている請求項10記載の多 層物品。
- 12.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)がビス−アセチレン架橋剤によって架 橋されている請求項10記載の多層電子回路物品。
- 13.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が式:▲数式、化学式、表等がありま す▼ ▲数式、化学式、表等があります▼および▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物から成る群から選ばれたビス−アセチレン架橋剤によって架橋 されている請求項10記載の多層電子回路物品。
- 14.フッ素化ポリ (ナフチルエーテル)におけるYが式:▲数式、化学式、表等があります▼▲数 式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼で示さ れる請求項10または13記載の多層物品。
- 15.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が式:▲数式、化学式、表等がありま す▼ で示される繰り返し単位を有して成る請求項10または13記載の多層電子回路 物品。
- 16.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が式:▲数式、化学式、表等がありま す▼ で示される繰り返し単位を有して成る請求項10または13記載の多層物品。
- 17.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が式:▲数式、化学式、表等がありま す▼ で示される繰り返し単位を有して成る請求項10または13記載の多層物品。
- 18.フッ素化ポリ(ナフチルエーテル)が式:▲数式、化学式、表等がありま す▼および▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰り返し単位を有して成るコポリマーである請求項10または13記 載の多層物品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US447,771 | 1989-12-08 | ||
US07/447,771 US5108840A (en) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | Multilayer electronic circuit article having a poly(naphthyl ether) dielectric |
PCT/US1990/007196 WO1991009070A1 (en) | 1989-12-08 | 1990-12-07 | Fluorinated poly(naphthyl ethers) |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05502261A true JPH05502261A (ja) | 1993-04-22 |
Family
ID=26781842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP91501781A Withdrawn JPH05502261A (ja) | 1989-12-08 | 1990-12-07 | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05502261A (ja) |
-
1990
- 1990-12-07 JP JP91501781A patent/JPH05502261A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4835197A (en) | Aromatic polymer compositions | |
JP2888636B2 (ja) | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) | |
US5204416A (en) | Crosslinked fluorinated poly(arylene ether) | |
US5114780A (en) | Electronic articles containing a fluorinated poly(arylene ether) dielectric | |
JP3245166B2 (ja) | 硬質棒状ポリマー | |
US5089593A (en) | Polyimide containing 4,4'-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)-biphenyl moieties | |
US5243023A (en) | Polyimides containing amide and perfluoroisopropylidene connecting groups | |
US5047487A (en) | Compositions of poly(imides) having phenylindane diamines and/or dianhydride moieties in the poly(imide) backbone | |
US4837300A (en) | Copolyimide with a combination of flexibilizing groups | |
JPH05502257A (ja) | 架橋用フッ素化ポリマー組成物 | |
EP0489085A4 (en) | Rigid-rod polymers | |
KR20010089172A (ko) | 밀착 촉진제 및 자체 하도성 수지 조성물과 이로부터제조되는 제품 | |
CA2008031A1 (en) | Curable epoxy resin compositions of matter containing a thermoplastic which has phenolic end groups | |
US5145936A (en) | Fluorinated poly (naphthyl ether) | |
CA2080832C (en) | Fluorinated poly(arylene ethers) | |
JPH03200839A (ja) | 少なくとも1個のフッ素含有結合基を有する新規のポリアミド‐ポリアミド‐ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾール‐ポリアミド‐ポリイミド重合体 | |
US4920005A (en) | Aromatic polymer compositions | |
EP0207981A4 (en) | POLY (IMIDES) COMPOSITIONS HAVING PHENYLINDANE DIAMINES AND / OR DIANHYDRIDE HALVES IN THE POLY (IMIDE) SPINE. | |
EP0393638B1 (en) | Thermosetting resin compostion and thermosetting dry film | |
EP0209546B1 (en) | Aromatic polymer compositions | |
JPH05503112A (ja) | フッ素化ポリ(アリーレンエーテル)誘電体を含んでなる電子物品 | |
JPH05502261A (ja) | フッ素化ポリ(ナフチルエーテル) | |
DE68923155T2 (de) | Polyimidsiloxane, Verfahren zu deren Herstellung und deren Anwendung. | |
US5212259A (en) | Miscible blends of imide containing polymers with poly(aryl sulfones) | |
US5247050A (en) | Fluorinated quinoline polymers and the corresponding fluorinated monomers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |