JP2884083B1 - 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス - Google Patents

金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

Info

Publication number
JP2884083B1
JP2884083B1 JP7714098A JP7714098A JP2884083B1 JP 2884083 B1 JP2884083 B1 JP 2884083B1 JP 7714098 A JP7714098 A JP 7714098A JP 7714098 A JP7714098 A JP 7714098A JP 2884083 B1 JP2884083 B1 JP 2884083B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
metal layer
semiconductor
epitaxially grown
epitaxial growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7714098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11274561A (ja
Inventor
正友 角谷
護 吉本
俊郎 福家
Original Assignee
静岡大学長
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 静岡大学長 filed Critical 静岡大学長
Priority to JP7714098A priority Critical patent/JP2884083B1/ja
Priority to US09/275,453 priority patent/US6239005B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2884083B1 publication Critical patent/JP2884083B1/ja
Publication of JPH11274561A publication Critical patent/JPH11274561A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18375—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on metal reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Abstract

【要約】 【課題】 絶縁性基板上に形成した金属層上に単結晶構
造の半導体層を直接形成できる金属層上に単結晶の半導
体層を形成する方法を提供する。 【解決手段】 本発明による金属層上に単結晶の半導体
層を形成する方法においては、層形成されるべき表面を
有する絶縁性基板上に金属層を形成し、この金属層（１
１）上に単結晶構造の半導体層を形成するに当たり、単
結晶の結晶構造を有する絶縁性基板（１０）上に、エピ
タキシャル成長した金属層（１１）を形成し、この金属
層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造
を有する半導体層（１２）を形成することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板上に金
属−半導体の層構造体を形成する方法及びこの方法によ
り製造した光放出半導体デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）をベース材料と
する青色半導体レーザの実用化が強く要請されている。
図１は従来の窒化ガリウムをベース材料と半導体レーザ
の構造を示す線図である。窒化ガリウムは単結晶のウエ
ハを製造することができないため、基板材料としてサフ
ァイア基板１が用いられ、このサファイア基板１上に窒
化ガリウムのバッファ層２が形成され、このバッファ層
２上に例えば３μｍの厚い厚さのｎ型の窒化ガリウムの
第１のクラッド層３が形成されている。そして、このク
ラッド層３上に活性層４が形成され、活性層上にｐ型の
第２のクラッド層５が形成され、この第２のクラッド層
上にｐ−電極６が形成されている。ｎ−電極を形成する
ため、パターニング処理を行って第１のクラッド層３の
側部が部分的に除去され、第１のクラッド層３の側部に
ｎ−電極７が形成されている。
【０００３】この半導体レーザの電流通路は、ｎ−電極
７、第１のクラッド層３、活性層４、第２のクラッド層
５及びｐ−電極６に沿って形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザは、第１のクラッド層の側部にｎ−電極が形成さ
れた構造とされているため、ｎ−電極から供給されたキ
ャリアは第１のクラッド層を横方向に沿って走行して活
性層に供給される。このため、第１のクラッド層の電気
抵抗が大きくなり、この結果消費電力が大きくなるばか
りでなく、動作電圧も高くなる不都合が生じている。
【０００５】さらに、ｎ−電極を形成するためにパター
ニング等の種々の処理が必要となるため、製造工程が複
雑になる欠点もあった。
【０００６】一方、これらの欠点は、絶縁性の基板上に
電極を構成する金属層を形成し、この金属層上に半導体
材料の単結晶層が直接形成できれば全て解消することが
できる。すなわち、サファイア基板上に電極を構成する
金属層を直接形成し、この金属層上に窒化ガリウムの単
結晶層が形成できれば、電極から供給されたキャリアは
薄い厚さのクラッド層を経て活性層内に供給されるの
で、クラッド層の電気抵抗を大幅に減少させることがで
きる。
【０００７】また、太陽電池や光センサのように、絶縁
性基板上に種々の半導体材料層を形成することにより半
導体デバイス又はデバイスアレイが形成される場合に
も、絶縁性基板上に形成した金属層上に半導体材料の単
結晶層が直接形成できれば、デバイスの効率及び製造工
程を大幅に改善することができる。
【０００８】従って、本発明の目的は、絶縁性基板上に
形成した金属層上に単結晶構造の半導体層を直接又は薄
いバッファ層を介して形成できる金属層上に単結晶の半
導体層を形成する方法を提供することにある。
【０００９】さらに、本発明の別の目的は、消費電力が
少なく且つ動作電圧が一層低い光放出半導体デバイスを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による金属層上に
エピタキシャル成長した半導体層を形成する方法は、層
形成されるべき表面を有する絶縁性基板上に金属層を形
成し、この金属層上にエピタキシャル成長した半導体層
を形成するに当たり、単結晶の結晶構造を有する絶縁性
基板上に、エピタキシャル成長した金属層を形成し、こ
の金属層上に、エピタキシャル成長法によりエピタキシ
ャル成長した半導体層を形成することを特徴とする。
【００１１】本発明者が金属−半導体層構造について種
々の実験及び解析を行った結果、単結晶構造の絶縁性基
板を特定の結晶面を層形成すべき面とし、この特定の面
上に金属膜を特定の結晶軸方向に堆積させることにより
エピタキシャル成長した金属層が形成できることが判明
した。そして、このエピタキシャル成長した金属層上
に、エピタキシャル成長法により半導体層を成長させれ
ば、エピタキシャル成長した単結晶の半導体層が形成で
きることも判明した。本発明はこのような実験及び解析
結果に基づくものであり、絶縁性の単結晶基板上にエピ
タキシャル成長した金属層を形成し、この金属層上にエ
ピタキシャル成長法により単結晶の半導体層を形成す
る。この単結晶半導体層の形成方法を利用することによ
り、金属層上に単結晶の半導体層を直接形成できるの
で、絶縁性基板上に電極を構成する金属層を形成し、こ
の金属層上に半導体層構造を形成することにより半導体
デバイスが完成する用途に極めて有益である。特に、電
極を構成する金属層上に単結晶半導体層が直接又は薄い
バッファ層を介して形成できるので、窒化ガリウムのよ
うにウェハが得られない半導体材料をベース材料とする
半導体デバイスの製造に極めて有益である。尚、本発明
は、半導体レーザやＬＥＤのような光放出半導体デバイ
スだけでなく、太陽電池や光センサのように絶縁性基板
上に金属層及び半導体層を積層することにより構成され
る種々の半導体デバイスにも適用することができる。半
導体層をエピタキシャル成長させる方法として、有機金
属気相成長法、液層エピタキシャル成長法、気相エピタ
キシャル成長法、分子線エピタキシャル成長法等の種々
のエピタキシャル成長法を用いることができる。
【００１２】本発明による金属層上にエピタキシャル成
長した半導体層を形成する方法の好適実施例は、絶縁性
基板をサファイア基板で構成し、このサファイア基板の
層形成されるべき面をｃ面とし、このサファイア基板の
ｃ面上に白金の層を（１１１）方向に形成し、形成され
た白金層上にIII 族の窒化物半導体材料層をエピタキシ
ャル成長法により形成することを特徴とする。本発明者
が、サファイア基板について種々の解析を行った結果、
サファイア基板のｃ面上にスパッタリング処理により白
金の層を（１１１）方向に堆積することにより全体とし
て結晶方位が一様な単結晶の金属膜が形成できることが
判明した。この理由として、スパッタリング処理は比較
的膜厚の制御がし易いため、白金の原子又は分子が下地
のサファイア基板又は白金層の安定なサイトを見つけて
ゆっくりと堆積するからであると考えられる。このよう
な観点より、白金の堆積方法として液相エピタキシィー
のような一層平衡で熱的に安定な状態でエピタキシャル
成長が行われる堆積方法も利用することができる。この
ような認識に基づき、本発明の好適実施例では絶縁性基
板としてサファイア基板を用い、このサファイア基板の
ｃ面上にスパッタリング処理により白金層を（１１１）
方向に堆積する。
【００１３】本発明による方法の好適実施例は、スパッ
タリング工程において、サファイア基板を４００℃〜７
００℃の温度範囲に維持しながら白金層をエピタキシャ
ル成長させることを特徴とする。本発明者がスパッタリ
ング処理について種々の実験を行った結果、４００℃か
ら７００℃の温度範囲に基板を維持しながらスパッタリ
ングを行った場合、良好にエピタキシャル成長した白金
層が形成できることを見出した。特に、サファイア基板
をほぼ５００℃に維持しながらスパッタリングを行うこ
とにより、結晶方位のバラツキの少ない良好な白金のエ
ピタキシャル層を形成することができることが判明し
た。尚、スパッタリング処理として、Ｄ．Ｃ．スパッタ
リング、マグネトロンスパッタリング、リアクティブス
パッタリング等の種々のスパッタリング処理を用いるこ
とができる。
【００１４】本発明による方法の好適実施例は、白金の
エピタキシャル層を成長した後、不活性ガス雰囲気下に
おいて６００〜９００℃の温度範囲でアニール処理を行
い、その後半導体層をエピタキシャル成長させることを
特徴とする。このアニール処理を行うことにより、エピ
タキシャル成長した白金層の表面を一層平坦化すること
ができる。この平坦化処理を行ってから半導体層をエピ
タキシャル成長させることにより、下地の白金層と上側
の半導体層との間で合金化することを防止できる利点も
考えられる。このアニール処理の温度範囲として、９０
０℃を超える温度でアニール処理すると一旦堆積した白
金が脱着するおそれがある。一方、６００℃以下の温度
では十分な平坦化を行うことができない。従って、アニ
ール処理の温度は６００〜９００℃の範囲が好ましい。
【００１５】本発明による方法の好適実施例は、半導体
層のエピタキシャル成長工程を、低温エピタキシャル成
長工程と高温エピタキシャル成長工程との２段階により
行うことを特徴とする。金属層上に半導体層をエピタキ
シャル成長させる場合、下側の金属と半導体とが合金化
するおそれがある。このような場合、半導体層のエピタ
キシャル成長を低温エピタキシャルと高温エピタキシャ
ルの２段階に分けて行うことにより、合金化が生ずるの
を有効に防止できることが考えられる。この２段階エピ
タキシャル成長工程において、低温エピタキシャル成長
工程中において基板をほぼ６００℃維持し、高温エピタ
キシャル成長工程において基板をほぼ１０００℃に維持
することが好ましい。このように温度設定することによ
り、合金化を有効に防止することができる。
【００１６】下側の白金層と上側の窒化ガリウム層との
間で合金化が生ずるのを防止する観点より、これらの層
間にバッファ層を介在させることも有益である。このバ
ッファ層として、例えば５００℃〜８００℃の比較的低
温度で堆積した窒化ガリウムや窒化アルミニウム層を用
いることができる。このバッファ層の材料としては、下
側の白金層と合金化しにくく、しかも上側に堆積される
窒化ガリウムと格子定数差が小さい材料が好ましい。
【００１７】本発明による光放出半導体デバイスは、層
形成されるべき表面を有する単結晶構造の絶縁性基板
と、この絶縁性基板上にエピタキシャル成長形成され、
第１の電極を構成する第１の金属層と、この第１の金属
層上にエピタキシャル成長法により形成した第１導電型
の第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に形成
した活性層と、この活性層上に形成され、前記第１導電
型とは反対の第２導電型の第２のクラッド層と、この第
２クラッド層上に形成した第２の電極とを具えることを
特徴とする。本発明の半導体レーザは、絶縁性基板上に
第１の電極を構成する金属層が形成され、この金属層上
にレーザダイオードを構成する半導体層が順次形成され
ているので、電極から活性層に供給されるキャリアの走
行距離が一層短くでき、この結果消費電力が少なく且つ
動作電圧が一層低い半導体レーザ及び発光ダイオード
（ＬＥＤ）を実現することができる。
【００１８】本発明による半導体レーザの好適実施例
は、絶縁性基板をサファイア基板で構成し、前記第１の
金属層をサファイア基板のｃ面上に（１１１）方向の結
晶方位に沿って形成した白金層とし、前記第１及び第２
のクラッド層を有機金属気相成長法により堆積した窒化
ガリウム層で構成したことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】図２は本発明による金属層上に単
結晶の半導体層を形成する方法を説明するための線図的
断面図である。本例では、窒化ガリウムをベース材料と
する半導体レーザを製造するための層構造を形成する場
合について説明する。絶縁性基板として単結晶構造を有
するサファイア基板１０を用いる。このサファイア基板
１０は層構造体を形成すべき表面１０ａを有し、この表
面１０ａ上に金属層及び半導体層を順次形成する。本例
では、層構造を形成すべき表面１０ａとしてｃ面を用い
る。尚、サファイア基板１０の層形成すべき面１０ａ
は、通常の鏡面研磨した表面でもよく、或いは高温アニ
ール処理により超平坦化処理をした表面でもよく、いず
れの表面でも上側に金属層をエピタキシャル成長させる
ことができる。
【００２０】このサファイア基板のｃ面上に、電極を構
成する金属層１１を堆積する。本例では、スパッタリン
グ処理により白金を（１１１）方向に沿って堆積し、結
晶方位の揃った白金層１１を形成する。この白金層１１
の厚さは、例えば１００〜１０００オングストロームす
ることができる。この白金層の堆積方法として、スパッ
タリング以外の方法としてＬＰＥ（液層エピタキシャ
ル）のような結晶方位の揃った金属層を堆積できる種々
の堆積方法を用いることができる。尚、金属層１１はオ
ーミック電極を構成するため、上側に形成される半導体
層の材料の仕事関数を考慮して適切なオーミック電極が
形成できるように材料を選択する必要がある。
【００２１】次に、必要に応じて、不活性ガスの雰囲気
下において高温アニール処理を行って白金層１１の表面
を平坦化処理を行う。このアニール処理により、上側に
成長される半導体と白金との間で合金化が生じにくくす
る作用が期待できる。尚、このアニール処理の温度とし
て６００〜９００℃の温度範囲で行うことができる。
【００２２】次に、白金層１１上に窒化ガリウム層１２
を有機金属気相エピタキシャル成長法により形成する。
この窒化ガリウム１２は、エピタキシャル成長時の温度
及び成長条件を最初から終了時まで一定に維持しながら
１段階で行うことができ、或いはエピタキシャル成長温
度を低温エピタキシャル成長と高温エピタキシャル成長
の２段階に分けて行うこともできる。或いは、低温から
高温度まで温度を時間的に連続して変化させるように、
エピタキシャル成長条件を時間的に連続して変えながら
エピタキシャル成長させることもできる。
【００２３】本例では、低温エピタキシャル成長と高温
エピタキシャル成長の２段階で行い、低温エピタキシャ
ル成長により形成した半導体層をバッファ層１２ａとし
て利用する。このバッファ層１２ａは、下地の金属層と
上側の半導体層との間の格子定数の差が大きい場合に格
子定数の差を緩和するために有用である。また、このバ
ッファ層１２ａは、下側の白金層１１と上側の窒化ガリ
ウム層１２との間で合金化が生ずるのを防止する有用な
作用も果たすことができる。
【００２４】本例では、バッファ層１２ａとしてＧａＮ
層を用いる。このバッファ層の成長条件一例を以下に示
す。原料ガスとしてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を
用いた。 ＴＭＧａの供給量：２．８６×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ ＴＭＧａの流量：１．３ｃｃｍ Ｈ2 （ＭＯ）流量：５００ｃｃｍ Ｈ2 （ＮＨ3 ）流量：５００〜１２５０ｃｃｍ ＮＨ3 の供給量：１．１２〜４．４６×１０-2ｍｏｌ／
ｍｉｎ ＮＨ3 の流量：２５０〜１０００ｃｃｍ Ｖ／III 比：４０００〜１５０００ 基板温度：６００℃
【００２５】尚、バッファ層１２ａとしてＧａＮ層以外
の層としてＡｌＮ層を用いることができ、このＡｌＮバ
ッファ層のエピタキシャル成長条件の一例を以下に示
す。尚、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａｌ）を用いた。 ＴＭＡｌの供給量：２．４５〜４．９×１０-6ｍｏｌ／
ｍｉｎ ＴＭＡｌの流量：５〜１０ｃｃｍ Ｈ2 （ＭＯ）流量：５００ｃｃｍ Ｈ2 （ＮＨ3 ）流量：１４３０〜５００ｃｃｍ ＮＨ3 の供給量：０．３１〜４．４６×１０-2ｍｏｌ／
ｍｉｎ ＮＨ3 の流量：７０〜１０００ｃｃｍ Ｖ／III 比：１１００〜１８０００ 基板温度：５００〜８００℃
【００２６】次に、同一の有機金属気相エピタキシャル
成長装置を用いてデバイスの有用な構成層となる窒化ガ
リウム層１２をエピタキシャル成長させる。この窒化ガ
リウム層１２のエピタキシャル成長条件の一例を以下に
示す。 ＴＭＧａの供給量：２．８６×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ ＴＭＧａの流量：１．３ｃｃｍ Ｈ2 （ＭＯ）流量：５００ｃｃｍ Ｈ2 （ＮＨ3 ）流量：７５０ｃｃｍ ＮＨ3 の供給量：３．３５×１０-2ｍｏｌ／ｍｉｎ ＮＨ3 の流量：７５０ｃｃｍ Ｖ／III 比：１２０００ 基板温度：１０４０℃
【００２７】次に、必要に応じて例えば９００℃程度の
温度でアニール処理を行い、窒化ガリウム層１２の表面
を平坦化することができる。この平坦化処理は、窒化ガ
リウム層１２の表面に凹凸が生じた場合に特に有用であ
る。
【００２８】次に、上述した製造方法に基づき実際にサ
ンプルを作成し、単結晶の窒化ガリウム層が白金層上に
直接堆積できるかについて確認実験を行った。サンプル
の製造条件は以下の通りである。 （１）絶縁性基板 材料：サファイア、 層形成すべき面：ｃ面 （２）白金層 厚さ：１００ｎｍ 結晶方位： （１１１）方向 形成方法：ＤＣスパッタリング（Ａｒガス：２０ｓｃｃ
ｍ、圧力：１ｍＴｏｒｒ） （３）窒化ガリウム層 窒化ガリウム層の形成に際し、低温エピタキシャル成長
と高温エピタキシャル成長の２段階で行い、低温エピタ
キシャル成長層をバッファ層とした。 （低温エピタキシャル成長層） 厚さ：２０ｎｍ ＴＭＧａの供給量：２．８６×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ ＴＭＧａの流量：１．３ｃｃｍ Ｈ2 （ＭＯ）流量：５００ｃｃｍ Ｈ2 （ＮＨ3 ）流量：１２５０ｃｃｍ ＮＨ3 の供給量：１．１２〜４．４６×１０-2ｍｏｌ／
ｍｉｎ ＮＨ3 の流量：２５０ｃｃｍ Ｖ／III 比：４０００〜１５０００ 基板温度：６００℃ （高温エピタキシャル成長層） 厚さ：１．２μｍ ＴＭＧａの供給量：２．８６×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ ＴＭＧａの流量：１．３ｃｃｍ Ｈ2 （ＭＯ）流量：５００ｃｃｍ Ｈ2 （ＮＨ3 ）流量：７５０ｃｃｍ ＮＨ3 の供給量：３．３５×１０-2ｍｏｌ／ｍｉｎ ＮＨ3 の流量：７５０ｃｃｍ Ｖ／III 比：１２０００ 基板温度：１０４０℃ 成長時間：６０分
【００２９】上述した条件で作成したサンプルについて
Ｘ線回折法により回折パターンを観測した。この回折パ
ターンを図３に示す。図３から明かなように、サファイ
アのｃ面及び白金の（１１１）面に対応した回折ピーク
に加えて、ｃ軸方向に成長した窒化ガリウムのピークだ
けが観測された。また、銅から発生する２個のＸ線（Ｃ
ｕ（銅）Ｋα1 及びＫα2 ）に対する回折ピークの分離
がＧａＮ（０００４）面からの回折について見られた。
このＸ線回折の実験結果から、サファイア基板上にエピ
タキシャル成長した白金層及び窒化ガリウム層が形成さ
れているのが確認された。
【００３０】さらに、上記サンプルについて電子線回折
パターンの測定を行った。撮影した電子線回折像の写真
を忠実に図面とし再現したものを図４に示す。（１１−
２０）入射電子線に対してストリーク状の回折パターン
が明瞭に観測された。この電子線回折の結果からも白金
層上に窒化ガリウム層の単結晶膜が形成されていること
が確認された。
【００３１】次に、本発明により作成した金属−半導体
層構造を有する窒化ガリウムをベース材料とする半導体
レーザについて説明にする。絶縁性基板としてサファイ
ア基板２０を用いる。このサファイア基板２０のｃ面上
に第１の電極を構成する白金層２１を形成する。この白
金層２１はエピタキシャル成長により形成し、その厚さ
は５００〜２０００Åとする。白金層２１上に、有機金
属気相エピタキシャル成長法により半導体レーザを構成
する層構造体を順次積層形成する。初めに、トリメチル
ガリウムを原料ガスとしてＧａＮのバッファ層２２を成
長形成する。このバッファ層２２の厚さは、例えば１０
０〜５００Åとすることができる。バッファ層２２上に
ｐ形のクラッド層となるｐ−ＧａＮ層２３をエピタキシ
ャル成長させる。このｐ−ＧａＮ層２３はＭｇをドーパ
ントとし、その不純物濃度は２×１０20原子／ｃｍとす
る。また、その厚さは０．２〜０．５μｍとする。この
ｐ−ＧａＮ層２３上にｐ形の組成変調層２４を形成す
る。本例では、組成変調層２４は、ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ：Ｍｇ、ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ、及びｐ−Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 Ｎ：Ｍｇの３層で構成する。このｐ形の組成変調
層２４上に活性層２５を形成する。この活性層２５は、
例えばＩｎＧａＮの多重量子井戸構造で構成することが
できる。
【００３２】活性層２５上にｎ形の組成変調層２６を形
成する。このｎ形の組成変調層２６はＳｉをドーパント
とし、ｎ−Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ：Ｓｉ、ｎ−Ａｌ0.07Ｇ
ａ0. 93Ｎ：Ｓｉ、ｎ−ＧａＮ：Ｓｉの３層で構成する。
次に、ｎ形の組成変調層２６上にｎ形のＧａＮ層２７を
形成する。このＧａＮ層２７は、その厚さは０．２〜
０．５μｍとし、不純物濃度は例えば２×１０19原子／
ｃｍ2 とする。さらに、ｎ形のＧａＮ層２７上にｐ−電
極を構成する第２の電極２８を形成する。この第２の電
極２８は、Ｎｉ層とＡｕ層とで構成することができる。
【００３３】図６は本発明による金属層上に単結晶の半
導体層を形成する方法により製造される面発光形のレー
ザの構成を示す線図的断面図である。面発光形のレーザ
は既に実用化されているため、本発明と関連する部分に
ついて説明することにする。サファイア基板３０上に白
金層３１を形成する。この白金層３１は電極として及び
反射鏡として機能する。この白金層３１上にｐ形ＧａＮ
の第１のクラッド層３２をエピタキシャル成長法により
形成する。この第１のクラッド層３２上に活性領域３３
を形成する。この活性領域３３上にｎ形のＧａＮの第２
のクラッド層３４を形成する。この第２のクラッド層の
活性層と対応する部分に第２の反射鏡３５を形成し、こ
の第２の反射鏡のまわりにＮｉ層とＡｕ層とから構成さ
れる第２の電極を形成する。この面発光レーザ素子にお
いても、基板上に形成した白金層上に直接半導体層を形
成できるので、この白金層を電極及び反射鏡の両方とし
て機能させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＧａＮをベース材料とする半導体レーザ
の構成を示す線図的断面図である。
【図２】本発明による金属層上に単結晶の半導体層を形
成する方法を説明するための金属−半導体層構造を示す
線図的断面図である。
【図３】本発明による方法により作成したサンプルのＸ
線回折パターンを示すグラフである。
【図４】本発明による方法により作成したサンプルの電
子線回折パターンを示すグラフである。
【図５】本発明による方法を用いて作成した半導体レー
ザの一例の構成を示す線図的断面図である。
【図６】本発明による方法を用いて作成した面発光レー
ザ素子の一例の構成を示す線図的断面図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ 白金層 １２ 窒化ガリウム層 １２ａ バッファ層 ２０ サファイア基板 ２１ 白金層 ２２ バッファ層 ２３ 第１のクラッド層 ２４ 第１の組成変調層 ２５ 活性層 ２６ 第２の組成変調層 ２７ 第２のクラッド層 ２８ 第２の電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−125298（ＪＰ，Ａ) 応用物理学会関係連合講演会講演予稿 集，Ｖｏｌ．45ｔｈ，Ｎｏ．１，ＰＡＧ Ｅ．299，1998 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00 H01L 21/203

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 層形成されるべき表面を有する絶縁性基
    板上に金属層を形成し、この金属層上にエピタキシャル
    成長した半導体層を形成するに当たり、 単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板上に、エピタキシ
    ャル成長した金属層を形成し、この金属層上に、エピタ
    キシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する半導体
    層を形成することを特徴とする金属層上にエピタキシャ
    ル成長した半導体層を形成する方法。
  2. 【請求項２】 前記絶縁性基板をサファイア基板で構成
    し、このサファイア基板の層形成されるべき面をｃ面と
    し、このサファイア基板のｃ面上に白金の層を（１１
    １）方向に堆積し、形成された白金層上にIII 族の窒化
    物半導体材料層をエピタキシャル成長法により形成する
    ことを特徴とする請求項１に記載の金属層上にエピタキ
    シャル成長した半導体層を形成する方法。
  3. 【請求項３】 前記白金層をスパッタリング処理により
    堆積することを特徴とする請求項２に記載の金属層上に
    エピタキシャル成長した半導体層を形成する方法。
  4. 【請求項４】 前記スパッタリング工程において、サフ
    ァイア基板を４００℃〜７００℃の温度範囲に維持しな
    がら白金層をエピタキシャル成長させることを特徴とす
    る請求項３に記載の金属層上にエピタキシャル成長した
    半導体層を形成する方法。
  5. 【請求項５】 前記基板の温度をほぼ５００℃としたこ
    とを特徴とする請求項４に記載の金属層上にエピタキシ
    ャル成長した半導体層を形成する方法。
  6. 【請求項６】 前記白金のエピタキシャル層を成長した
    後、不活性ガス雰囲気下において６００〜９００℃の温
    度範囲でアニール処理を行い、その後半導体層をエピタ
    キシャル成長させることを特徴とする請求項２に記載の
    金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する
    方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体層のエピタキシャル成長工程
    を、低温エピタキシャル成長工程と高温エピタキシャル
    成長工程との２段階により行うことを特徴とする請求項
    ２に記載の金属層上にエピタキシャル成長した半導体層
    を形成する方法。
  8. 【請求項８】 前記低温エピタキシャル成長工程中にお
    いて基板をほぼ６００℃維持し、高温エピタキシャル成
    長工程において基板をほぼ１０００℃に維持することを
    特徴とする請求項７に記載の金属層上にエピタキシャル
    成長した単結晶の半導体層を形成する方法。
  9. 【請求項９】 前記窒化物半導体材料を窒化ガリウムと
    し、有機金属気相成長法により単結晶の窒化ガリウム層
    を形成することを特徴とする請求項２に記載の金属層上
    に単結晶の半導体層を形成する方法。
  10. 【請求項１０】 層形成されるべき表面を有する絶縁性
    基板上に金属層を形成し、この金属層上にエピタキシャ
    ル成長した半導体層を形成するに当たり、 層形成すべき面としてｃ面を有するサファイア基板を用
    意し、このサファイア基板のｃ面上に、スパッタリング
    処理により白金層を（１１１）方向に堆積し、堆積した
    白金層上にエピタキシャル成長法により窒化ガリウム層
    を堆積することを特徴とすることを特徴とする金属層上
    にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法。
  11. 【請求項１１】 前記窒化ガリウム層を堆積する際、前
    記基板を第１の温度に維持しながら第１の窒化ガリウム
    層を形成し、その後基板を前記第１の温度よりも高い第
    ２の温度に維持しながら前記第１の窒化ガリウム層より
    も厚い第２の窒化ガリウム層を堆積することを特徴とす
    る請求項１０に記載の金属層上に単結晶の半導体層を形
    成する方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１の温度をほぼ６００℃とし、
    前記第２の温度をほぼ１０００℃としたことを特徴とす
    る請求項１１に記載の金属層上にエピタキシャル成長し
    た半導体層を形成する方法。
  13. 【請求項１３】 層形成されるべき表面を有する絶縁性
    基板上に金属層を形成し、この金属層上にエピタキシャ
    ル成長した半導体層を形成するに当たり、 層形成すべき面としてｃ面を有するサファイア基板を用
    意し、このサファイア基板のｃ面上に、スパッタリング
    処理により白金層を（１１１）方向に堆積し、堆積した
    白金層上にエピタキシャル成長法により窒化アルミニウ
    ムのバッファ層を形成し、このバッファ層上にエピタキ
    シャル成長法により窒化ガリウム層を堆積することを特
    徴とする金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を
    形成する方法。
  14. 【請求項１４】 層形成されるべき表面を有する単結晶
    構造の絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成され、単
    結晶構造を有し第１の電極を構成する第１の金属層と、
    この第１の金属層上にエピタキシャル成長法により形成
    した第１導電型の第１のクラッド層と、この第１のクラ
    ッド層上に形成した活性層と、この活性層上に形成さ
    れ、前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２のクラ
    ッド層と、この第２クラッド層上に形成した第２の電極
    とを具えることを特徴とする光放出半導体デバイス。
  15. 【請求項１５】 前記絶縁性基板をサファイア基板で構
    成し、このサファイア基板の層形成されるべき面をｃ面
    とし、前記第１の金属層を、スパッタリング処理により
    サファイア基板のｃ面上に（１１１）方向に形成した白
    金層とし、前記第１及び第２のクラッド層を有機金属気
    相成長法により堆積した窒化ガリウム層で構成したこと
    を特徴とする請求項１４に記載の光放出半導体デバイ
    ス。
  16. 【請求項１６】 前記第１の金属層と第１のクラッド層
    との間に窒化ガリウム又は窒化アルミニウムのバッファ
    層が介在することを特徴とする請求項１５に記載の光放
    出半導体デバイス。
JP7714098A 1998-03-25 1998-03-25 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス Expired - Lifetime JP2884083B1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7714098A JP2884083B1 (ja) 1998-03-25 1998-03-25 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス
US09/275,453 US6239005B1 (en) 1998-03-25 1999-03-24 Method of forming epitaxially grown semiconductor layer on metal layer and light emitting semiconductor device comprising said semiconductor layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7714098A JP2884083B1 (ja) 1998-03-25 1998-03-25 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2884083B1 true JP2884083B1 (ja) 1999-04-19
JPH11274561A JPH11274561A (ja) 1999-10-08

Family

ID=13625509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7714098A Expired - Lifetime JP2884083B1 (ja) 1998-03-25 1998-03-25 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6239005B1 (ja)
JP (1) JP2884083B1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222771A (ja) * 2000-11-21 2002-08-09 Ngk Insulators Ltd Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法、ｉｉｉ族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
JP4616491B2 (ja) * 2001-03-21 2011-01-19 星和電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3631724B2 (ja) * 2001-03-27 2005-03-23 日本電気株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法
DE102004010377A1 (de) * 2004-03-03 2005-09-22 Schott Ag Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile, ihre Verwendung, sowie damit erhaltene Bauteile
JPWO2006111804A1 (ja) * 2005-03-28 2008-11-20 財団法人神奈川科学技術アカデミー 半導体製造方法及び半導体装置
JP2007059850A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Ngk Insulators Ltd Ｉｉｉ族窒化物成膜用基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置
US7915624B2 (en) 2006-08-06 2011-03-29 Lightwave Photonics, Inc. III-nitride light-emitting devices with one or more resonance reflectors and reflective engineered growth templates for such devices, and methods
CN101523603B (zh) * 2006-08-06 2013-11-06 光波光电技术公司 具有一个或多个谐振反射器的ⅲ族氮化物发光器件以及用于该器件的反射工程化生长模板和方法
KR100831843B1 (ko) * 2006-11-07 2008-05-22 주식회사 실트론 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자
JP5849215B2 (ja) 2010-06-21 2016-01-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 紫外半導体発光素子
WO2013138676A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Robbie Jorgenson Materials, structures, and methods for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices
TWI506815B (zh) * 2012-04-05 2015-11-01 Formosa Epitaxy Inc Method and structure of increasing the concentration of epitaxial layer
KR20170040269A (ko) 2014-08-01 2017-04-12 더 거번먼트 오브 더 유나이티드 스테이츠 오브 아메리카 에즈 레프리젠티드 바이 더 세크러테리 오브 더 네이비 화합물 반도체 장치를 위한 에피택셜 금속성 전이 금속 질화물 레이어
US10263144B2 (en) 2015-10-16 2019-04-16 Robbie J. Jorgenson System and method for light-emitting devices on lattice-matched metal substrates
WO2017205815A2 (en) 2016-05-26 2017-11-30 Robbie Jorgenson Group iiia nitride growth system and method
CN116235305A (zh) * 2020-11-25 2023-06-06 日亚化学工业株式会社 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP3813740B2 (ja) * 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
応用物理学会関係連合講演会講演予稿集，Ｖｏｌ．４５ｔｈ，Ｎｏ．１，ＰＡＧＥ．２９９，１９９８

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11274561A (ja) 1999-10-08
US6239005B1 (en) 2001-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6441403B1 (en) Semiconductor device with roughened surface increasing external quantum efficiency
JP2884083B1 (ja) 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス
US6020602A (en) GaN based optoelectronic device and method for manufacturing the same
JP4119501B2 (ja) 半導体発光素子
US6541799B2 (en) Group-III nitride semiconductor light-emitting diode
JP2007157853A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2000286449A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
JP3233139B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US7795118B2 (en) Gallium nitride based compound semiconductor device including compliant substrate and method for manufacturing the same
JPH10294490A (ja) ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体、その製造方法および青色発光素子
JPH10247744A (ja) 半導体発光素子およびその製法
EP0825652B1 (en) Ohmic electrode and method of forming the same
JP3143040B2 (ja) エピタキシャルウエハおよびその製造方法
JP3335974B2 (ja) 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP4329166B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体光デバイス
US20140225153A1 (en) P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon
JPH10289877A (ja) 化合物半導体の形成方法及び半導体装置
JP2001119065A (ja) ｐ型窒化物半導体及びその製造方法
JPH05243613A (ja) 発光素子およびその製造方法
JP2995186B1 (ja) 半導体発光素子
JP2003188414A (ja) 半導体発光素子の製造方法
US20070069226A1 (en) Fabrication method of nitride semiconductor light emitting device and nitride semiconductor light emitting device thereby
JPH1065214A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP2001015803A (ja) ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JP3711966B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体層の気相成長方法及びｉｉｉ族窒化物半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990105

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term