JP2869508B2 - 磁場制御による走査プローブ顕微鏡 - Google Patents
磁場制御による走査プローブ顕微鏡Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、原子間力顕微鏡に
おいて試料−探針先端間の力を任意の値に制御する走査
プロ−ブ顕微鏡に関するものである。このような技術
は、材料組織観察、マイクロ素子その他の分野で利用し
得る。
おいて試料−探針先端間の力を任意の値に制御する走査
プロ−ブ顕微鏡に関するものである。このような技術
は、材料組織観察、マイクロ素子その他の分野で利用し
得る。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体表面を原子オーダーの分解能
で観察できる装置として原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）が開
発されている。以下、図１を参照しながらＡＦＭ及びＡ
ＦＭを使った観察方法を説明する。ＡＦＭでは、微小な
力を検出するために、探針を有する長さ１００μｍ程度
のカンチレバーが用いられる。試料６を探針８に近づけ
ると、探針８と試料６との間に働く原子間力（ファンデ
アワールス力）によってカンチレバー２が試料６に引き
寄せられる方向に撓みが生じる。さらに試料６を探針８
に近づけるとカンチレバー２が急激に大きく撓み、ジャ
ンプして探針８と試料６が接触する。その後、さらに探
針８と試料６が強く接触すると先程と逆方向にカンチレ
バーが撓む。この撓み量を制御信号発生回路２７にフィ
ードバックして撓み量を一定に保つように制御信号発生
回路２７を通して圧電体駆動装置１５によりＺ方向の圧
電体１３を制御しながら試料表面に沿って走査する。走
査は圧電体駆動装置１５とＸ、Ｙ方向の圧電体１１、１
２とによって行われる。前記フィードバックにおける制
御量が試料表面の凹凸に相当し、この制御量をコンピュ
ータ２８等によって画像化すれば、ＡＦＭ像を得ること
ができる。カンチレバーの撓み量は微小変位測定機構４
によって測定される。微小変位測定機構４には、光て
こ、レーザ干渉、トンネル電流等の方式が用いられる。
で観察できる装置として原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）が開
発されている。以下、図１を参照しながらＡＦＭ及びＡ
ＦＭを使った観察方法を説明する。ＡＦＭでは、微小な
力を検出するために、探針を有する長さ１００μｍ程度
のカンチレバーが用いられる。試料６を探針８に近づけ
ると、探針８と試料６との間に働く原子間力（ファンデ
アワールス力）によってカンチレバー２が試料６に引き
寄せられる方向に撓みが生じる。さらに試料６を探針８
に近づけるとカンチレバー２が急激に大きく撓み、ジャ
ンプして探針８と試料６が接触する。その後、さらに探
針８と試料６が強く接触すると先程と逆方向にカンチレ
バーが撓む。この撓み量を制御信号発生回路２７にフィ
ードバックして撓み量を一定に保つように制御信号発生
回路２７を通して圧電体駆動装置１５によりＺ方向の圧
電体１３を制御しながら試料表面に沿って走査する。走
査は圧電体駆動装置１５とＸ、Ｙ方向の圧電体１１、１
２とによって行われる。前記フィードバックにおける制
御量が試料表面の凹凸に相当し、この制御量をコンピュ
ータ２８等によって画像化すれば、ＡＦＭ像を得ること
ができる。カンチレバーの撓み量は微小変位測定機構４
によって測定される。微小変位測定機構４には、光て
こ、レーザ干渉、トンネル電流等の方式が用いられる。
【０００３】ＡＦＭの分解能は探針８の先端曲率半径と
先端角とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上す
る。しかしこのＡＦＭでは、圧電体駆動装置１５により
Ｚ方向の圧電体１３を制御しながら探針−試料間に力を
加えるため接触してはじめて力が発生し、非接触での動
作は不可能である。
先端角とに依存し、これらが小さいほど分解能は向上す
る。しかしこのＡＦＭでは、圧電体駆動装置１５により
Ｚ方向の圧電体１３を制御しながら探針−試料間に力を
加えるため接触してはじめて力が発生し、非接触での動
作は不可能である。
【０００４】このために開発された ｎｏｎｃｏｎｔａ
ｃｔ ｍａｄｅ ＡＦＭは、真空中では特定の材料で原
子像が見えているが、大気中は探針−試料間のギャップ
が１０ｎｍ以上有り、この距離が２次元分解能を下げて
いる。
ｃｔ ｍａｄｅ ＡＦＭは、真空中では特定の材料で原
子像が見えているが、大気中は探針−試料間のギャップ
が１０ｎｍ以上有り、この距離が２次元分解能を下げて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】試料を探針に近づける
と、探針と試料との間に働く原子間力によってカンチレ
バーが試料に引き寄せられる方向に撓み、さらに試料を
探針に近づけるとカンチレバーが急激に大きく撓み、ジ
ャンプして探針と試料が接触する。このため探針と試料
のこの領域での非接触動作は不可能であったことは前述
の通りである。
と、探針と試料との間に働く原子間力によってカンチレ
バーが試料に引き寄せられる方向に撓み、さらに試料を
探針に近づけるとカンチレバーが急激に大きく撓み、ジ
ャンプして探針と試料が接触する。このため探針と試料
のこの領域での非接触動作は不可能であったことは前述
の通りである。
【０００６】この分野では、英国オックスフォード大学
のＪ．Ｂ．Ｐｅｔｈｉｃａ助教授他が磁場制御機構であ
るコイルをカンチレバー上部に設置しているが、これで
は、装置が大型化する傾向となる。また、現在市販のＡ
ＦＭ装置に組み込むことも難しい。本発明は、前記従来
の課題を解決するため、試料と探針が接触しないように
カンチレバーに具備した磁性体を中空である位置制御機
構内に設置した磁場制御機構で制御することにより、市
販の装置を大掛かりに設計変更する必要なしに、探針−
試料間をコントロールし非接触の状態を保つことができ
る走査プローブ顕微鏡、あるいは試料に対して該カンチ
レバーと相反する位置に磁場制御機構を設置すること
で、光てこ（市販の装置によく用いられている光学計測
方式）を遮ることなく探針−試料間をコントロールし非
接触の状態を保つことのできる走査プローブ顕微鏡を提
供することを目的とする。
のＪ．Ｂ．Ｐｅｔｈｉｃａ助教授他が磁場制御機構であ
るコイルをカンチレバー上部に設置しているが、これで
は、装置が大型化する傾向となる。また、現在市販のＡ
ＦＭ装置に組み込むことも難しい。本発明は、前記従来
の課題を解決するため、試料と探針が接触しないように
カンチレバーに具備した磁性体を中空である位置制御機
構内に設置した磁場制御機構で制御することにより、市
販の装置を大掛かりに設計変更する必要なしに、探針−
試料間をコントロールし非接触の状態を保つことができ
る走査プローブ顕微鏡、あるいは試料に対して該カンチ
レバーと相反する位置に磁場制御機構を設置すること
で、光てこ（市販の装置によく用いられている光学計測
方式）を遮ることなく探針−試料間をコントロールし非
接触の状態を保つことのできる走査プローブ顕微鏡を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係わる走査プローブ顕微鏡は、磁性部材を
有する探針付きカンチレバーと、試料が設置され前記試
料の位置を制御する位置制御機構と、前記カンチレバー
に照射されたレーザー光の反射光を検出して前記カンチ
レバーの撓み量を計測する微小変位計測機構と、金属コ
ア付きコイルを有し前記磁性部材と前記試料との間の力
を制御する磁場制御装置を有し、前記磁場制御装置が前
記位置制御機構内の中空部に設置されていることを特徴
としている。
め、本発明に係わる走査プローブ顕微鏡は、磁性部材を
有する探針付きカンチレバーと、試料が設置され前記試
料の位置を制御する位置制御機構と、前記カンチレバー
に照射されたレーザー光の反射光を検出して前記カンチ
レバーの撓み量を計測する微小変位計測機構と、金属コ
ア付きコイルを有し前記磁性部材と前記試料との間の力
を制御する磁場制御装置を有し、前記磁場制御装置が前
記位置制御機構内の中空部に設置されていることを特徴
としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を一実施の
形態を示す図面について説明する。
形態を示す図面について説明する。
【０００９】図１及び２は、本発明に係わる磁場制御に
よる走査型プローブ顕微鏡の一実施の形態を示す概略図
である。図１及び図２において、１は走査型プローブ顕
微鏡である。走査型プローブ顕微鏡１はカンチレバー２
と、試料６の位置を制御するための位置制御機構３と、
前記カンチレバー２の撓み量を計測するための微小変位
計測機構４と、磁場制御装置５を備えている。カンチレ
バー２には磁性部材７が取り付けられている。磁場制御
装置５は磁性部材７と試料６との間の力を制御するため
のものである。磁性部材７としては磁性体や平面インダ
クタで構成する。カンチレバー２の先端下面には探針８
が取り付けられている。
よる走査型プローブ顕微鏡の一実施の形態を示す概略図
である。図１及び図２において、１は走査型プローブ顕
微鏡である。走査型プローブ顕微鏡１はカンチレバー２
と、試料６の位置を制御するための位置制御機構３と、
前記カンチレバー２の撓み量を計測するための微小変位
計測機構４と、磁場制御装置５を備えている。カンチレ
バー２には磁性部材７が取り付けられている。磁場制御
装置５は磁性部材７と試料６との間の力を制御するため
のものである。磁性部材７としては磁性体や平面インダ
クタで構成する。カンチレバー２の先端下面には探針８
が取り付けられている。
【００１０】試料６は、Ｘ、Ｙ、Ｚの３方向の圧電体１
１、１２、１３で形成された位置制御機構３上に設置さ
れる。位置制御機構３としては円筒型の位置制御機構を
使用し、該円筒型の位置制御機構３の中空部に磁場制御
装置５を構成する鉄心コア付きコイル１４を試料６と接
触しない範囲で設置する。試料６の水平面内の走査は、
圧電体駆動装置１５によって発生した電圧をＸ、Ｙ方向
の圧電体１１、１２に印加することにより行う。微小変
位計測機構４は一例として出力５ｍＷの半導体レーザー
１６及び２分割フォトダイオード１７を有する。半導体
レーザー１６はカンチレバー２にレーザー光を照射し、
２分割フォトダイオード１７はその反射光を検出するた
めのものであり光てこを構成している。そして、この光
てこによってカンチレバー２の変位（撓み）を測定し、
カンチレバー２のバネ定数から換算される力を検出する
ことにより、試料６と探針８との間に働く力を検出する
ことができる。
１、１２、１３で形成された位置制御機構３上に設置さ
れる。位置制御機構３としては円筒型の位置制御機構を
使用し、該円筒型の位置制御機構３の中空部に磁場制御
装置５を構成する鉄心コア付きコイル１４を試料６と接
触しない範囲で設置する。試料６の水平面内の走査は、
圧電体駆動装置１５によって発生した電圧をＸ、Ｙ方向
の圧電体１１、１２に印加することにより行う。微小変
位計測機構４は一例として出力５ｍＷの半導体レーザー
１６及び２分割フォトダイオード１７を有する。半導体
レーザー１６はカンチレバー２にレーザー光を照射し、
２分割フォトダイオード１７はその反射光を検出するた
めのものであり光てこを構成している。そして、この光
てこによってカンチレバー２の変位（撓み）を測定し、
カンチレバー２のバネ定数から換算される力を検出する
ことにより、試料６と探針８との間に働く力を検出する
ことができる。
【００１１】このように構成された走査型プローブ顕微
鏡において、試料の観察は次のようになされる。試料６
を探針８に近づけると、探針８と試料６との間に働く原
子間力によってカンチレバー２が試料６に引き寄せられ
る方向に撓みが生じる。さらに試料を探針に近づけると
カンチレバー５が急激に大きく撓み、ジャンプして探針
８と試料６が接触しようとする。この瞬間に位置制御機
構３内の磁場制御装置５より磁場を発生し、カンチレバ
ー２上の磁性部材７である磁性体もしくは平面インダク
タ２２（図５参照）との間に反発力を発生し、この反発
力によってカンチレバー２を制御し探針８と試料６とを
引き離すことができ非接触の動作を行うことができる。
その後、さらに試料に探針を近づけようとすると先程と
逆方向にカンチレバー２が撓む。この撓み量を一定に保
つように、撓み量を制御信号発生回路２７にフィードバ
ックしながら制御信号発生回路２７を通して圧電体駆動
装置１５によりＺ方向の圧電体１３を制御しながら試料
６表面に沿って走査する。走査は圧電体駆動装置１５と
Ｘ、Ｙ方向の圧電体１１、１２とによって行われる。前
記フィ−ドバックにおける制御量が試料表面の凹凸に相
当し、この制御量をコンピュータ２８等によって画像化
すれば、ＡＦＭ像を得ることができる。カンチレバー２
の撓み量は微小変位計測機構４によって測定される。微
小変位測定機構４には、光てこ、レーザ干渉、トンネル
電流等の方式が用いられる。符号３１は半導体レーザー
１６から出射されるレーザー光をカンチレバー２の上に
集光するためのレンズである。試料６とカンチレバー２
との距離は、制御信号発生回路２７と圧電体駆動装置１
５とを用い、制御電圧をＺ方向の圧電体１３に印加する
ことによって行う。このように試料６の各点で磁場制御
装置５より発生する磁場の大きさをプロットすると各点
での試料６と探針８との原子間力を観測することができ
る。また同時に探針８と試料６間に１Ｖの電圧差を保
ち、試料の各点でのトンネル電流像をマッピングするこ
ともできる。
鏡において、試料の観察は次のようになされる。試料６
を探針８に近づけると、探針８と試料６との間に働く原
子間力によってカンチレバー２が試料６に引き寄せられ
る方向に撓みが生じる。さらに試料を探針に近づけると
カンチレバー５が急激に大きく撓み、ジャンプして探針
８と試料６が接触しようとする。この瞬間に位置制御機
構３内の磁場制御装置５より磁場を発生し、カンチレバ
ー２上の磁性部材７である磁性体もしくは平面インダク
タ２２（図５参照）との間に反発力を発生し、この反発
力によってカンチレバー２を制御し探針８と試料６とを
引き離すことができ非接触の動作を行うことができる。
その後、さらに試料に探針を近づけようとすると先程と
逆方向にカンチレバー２が撓む。この撓み量を一定に保
つように、撓み量を制御信号発生回路２７にフィードバ
ックしながら制御信号発生回路２７を通して圧電体駆動
装置１５によりＺ方向の圧電体１３を制御しながら試料
６表面に沿って走査する。走査は圧電体駆動装置１５と
Ｘ、Ｙ方向の圧電体１１、１２とによって行われる。前
記フィ−ドバックにおける制御量が試料表面の凹凸に相
当し、この制御量をコンピュータ２８等によって画像化
すれば、ＡＦＭ像を得ることができる。カンチレバー２
の撓み量は微小変位計測機構４によって測定される。微
小変位測定機構４には、光てこ、レーザ干渉、トンネル
電流等の方式が用いられる。符号３１は半導体レーザー
１６から出射されるレーザー光をカンチレバー２の上に
集光するためのレンズである。試料６とカンチレバー２
との距離は、制御信号発生回路２７と圧電体駆動装置１
５とを用い、制御電圧をＺ方向の圧電体１３に印加する
ことによって行う。このように試料６の各点で磁場制御
装置５より発生する磁場の大きさをプロットすると各点
での試料６と探針８との原子間力を観測することができ
る。また同時に探針８と試料６間に１Ｖの電圧差を保
ち、試料の各点でのトンネル電流像をマッピングするこ
ともできる。
【００１２】また、図３に示すように試料６−探針８先
端間の力を任意の値に制御するための磁場制御装置５が
間隙１８をもつ閉ループで作られたコイル２１であり、
該間隙１８内にピエゾ抵抗カンチレバーと試料を設置し
た場合も同様の結果が得られる。この場合はより強力な
磁場を発生することができるためカンチレバーのバネ定
数が１０Ｎ／ｍ以上のものでも５００ｎｍ探針を動かす
ことができる。
端間の力を任意の値に制御するための磁場制御装置５が
間隙１８をもつ閉ループで作られたコイル２１であり、
該間隙１８内にピエゾ抵抗カンチレバーと試料を設置し
た場合も同様の結果が得られる。この場合はより強力な
磁場を発生することができるためカンチレバーのバネ定
数が１０Ｎ／ｍ以上のものでも５００ｎｍ探針を動かす
ことができる。
【００１３】さらにまた、図４及び図５に示すように磁
性部材７として平面インダク２２を使用してもよい。こ
の場合は平面インダク２２を有する探針付きカンチレバ
ー２の撓みを制御し、試料６−探針８先端間の距離を任
意の値に制御するための磁場制御装置５を試料６の下部
にある円筒型の位置制御機構３内に設置し、磁場制御装
置５より発生する直流磁場を１ガウスに設定し試料６と
探針８を近づける。試料６をカンチレバー２に徐々に近
づけていくと、試料６と探針８が１０ｎｍの距離でカン
チレバー２が急激に大きく撓み、探針８と試料６が接触
するため、カンチレバー先端に有する平面インダクタ２
２より２０ガウスの直流磁場を発生してカンチレバー２
先端を制御し探針８を試料６と１ｎｍ引き離すことがで
きる。平面インダクタ２２の構成図を図５に示す。平面
インダクタ２２は磁性薄膜２３、絶縁フィルム２４、平
面コイル２５を重ねて有し、中央部にスルーホール２６
を形成している。
性部材７として平面インダク２２を使用してもよい。こ
の場合は平面インダク２２を有する探針付きカンチレバ
ー２の撓みを制御し、試料６−探針８先端間の距離を任
意の値に制御するための磁場制御装置５を試料６の下部
にある円筒型の位置制御機構３内に設置し、磁場制御装
置５より発生する直流磁場を１ガウスに設定し試料６と
探針８を近づける。試料６をカンチレバー２に徐々に近
づけていくと、試料６と探針８が１０ｎｍの距離でカン
チレバー２が急激に大きく撓み、探針８と試料６が接触
するため、カンチレバー先端に有する平面インダクタ２
２より２０ガウスの直流磁場を発生してカンチレバー２
先端を制御し探針８を試料６と１ｎｍ引き離すことがで
きる。平面インダクタ２２の構成図を図５に示す。平面
インダクタ２２は磁性薄膜２３、絶縁フィルム２４、平
面コイル２５を重ねて有し、中央部にスルーホール２６
を形成している。
【００１４】前記の通りカレンチレバー２に取り付ける
磁性部材７としては磁性体の代わりに磁場を発生させる
平面インダクタでも良く、該磁場制御装置５がコイルで
あり、該磁場制御装置５が試料及び試料台と直接接触し
ない方が望ましい。また、該磁場制御装置が間隙をもつ
環状の磁気コアを有し、該間隙内にカンチレバーと試料
を設置することにより強力な磁場を発生させることがで
きる。この場合、カンチレバーが圧電体、圧電体薄膜、
キャパシタンスセンサーあるいはピエゾ抵抗のいずれか
で構成されていると装置をより小さくすることができ
る。
磁性部材７としては磁性体の代わりに磁場を発生させる
平面インダクタでも良く、該磁場制御装置５がコイルで
あり、該磁場制御装置５が試料及び試料台と直接接触し
ない方が望ましい。また、該磁場制御装置が間隙をもつ
環状の磁気コアを有し、該間隙内にカンチレバーと試料
を設置することにより強力な磁場を発生させることがで
きる。この場合、カンチレバーが圧電体、圧電体薄膜、
キャパシタンスセンサーあるいはピエゾ抵抗のいずれか
で構成されていると装置をより小さくすることができ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係わる磁場制御による走査型プ
ローブ顕微鏡によれば、試料表面の１点で、試料と探針
がある距離でカンチレバーが急激に大きく撓み、探針と
試料が接触する瞬間に位置制御機構内の磁場制御装置等
より磁場を発生し、カンチレバーに有する磁性体、もし
くは平面インダクタの磁場を利用してカンチレバーを制
御し試料と探針との間の作用する力を任意に制御するこ
とができるため、探針を試料と引き離すことができ非接
触の動作を行うことができかつ高分解能の観察をするこ
とができ、またも装置も小型にすることができる。
ローブ顕微鏡によれば、試料表面の１点で、試料と探針
がある距離でカンチレバーが急激に大きく撓み、探針と
試料が接触する瞬間に位置制御機構内の磁場制御装置等
より磁場を発生し、カンチレバーに有する磁性体、もし
くは平面インダクタの磁場を利用してカンチレバーを制
御し試料と探針との間の作用する力を任意に制御するこ
とができるため、探針を試料と引き離すことができ非接
触の動作を行うことができかつ高分解能の観察をするこ
とができ、またも装置も小型にすることができる。
【図１】本発明に係わる磁場制御による走査プローブ顕
微鏡の斜視構成説明図
微鏡の斜視構成説明図
【図２】本発明に係わる磁場制御による走査プローブ顕
微鏡部分断面構成説明図
微鏡部分断面構成説明図
【図３】本発明の他の実施の態様の磁場制御による走査
プローブ顕微鏡の構成説明図
プローブ顕微鏡の構成説明図
【図４】カンチレバ−の拡大斜視説明図
【図５】平面インダクタの拡大斜視構成説明図
１ 磁場制御による走査プローブ顕微鏡 ２ カンチレバー ３ 位置制御機構 ４ 微小変位計測機構 ５ 磁場制御装置 ６ 試料 ７ 磁性部材 ８ 探針 １１ Ｘ方向の圧電体 １２ Ｙ方向の圧電体 １３ Ｚ方向の圧電体 １５ 圧電体駆動装置 １６ 半導体レーザー １７ ２分割フォトダイオード １９ コンピュータ ２３ 磁性箔 ２４ 絶縁フィルム ２５ 平面コイル ２６ スルーホール ２７ 制御信号発生回路 ２８ コンピュータ ３１ レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 伸一 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技 術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 スージー ジャービス 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技 術院 産業技術融合領域研究所内 審査官 門田 宏 (56)参考文献 特開 平６−273155（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−258017（ＪＰ，Ａ) 1995年（平成７年）春季 第42回応用 物理学関係連合講演会予稿集第２分冊, （1995．３．28），（社）応用物理学 会，ｐ．481 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 37/00 G01B 21/30 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性部材を有する探針付きカンチレバー
と、試料が設置され前記試料の位置を制御する位置制御
機構と、前記カンチレバーに照射されたレーザー光の反
射光を検出して前記カンチレバーの撓み量を計測する微
小変位計測機構と、金属コア付きコイルを有し前記磁性
部材と前記試料との間の力を制御する磁場制御装置を有
し、前記磁場制御装置が前記位置制御機構内の中空部に
設置されていることを特徴とする磁場制御による走査プ
ローブ顕微鏡。 - 【請求項２】 前記磁性部材は磁性体であることを特徴
とする請求項１記載の磁場制御による走査プローブ顕微
鏡。 - 【請求項３】 前記磁性部材は平面インダクタであるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁場制御による走査プロ
ーブ顕微鏡。 - 【請求項４】 前記カンチレバーが圧電体、圧電性薄
膜、キャパシタンスセンサーあるいはピエゾ抵抗を含む
ことを特徴とする請求項１記載の磁場制御による走査プ
ローブ顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34490395A JP2869508B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 磁場制御による走査プローブ顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34490395A JP2869508B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 磁場制御による走査プローブ顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159682A JPH09159682A (ja) | 1997-06-20 |
| JP2869508B2 true JP2869508B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=18372889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34490395A Expired - Lifetime JP2869508B2 (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 磁場制御による走査プローブ顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869508B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3235786B2 (ja) | 1998-06-30 | 2001-12-04 | 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 | 走査プローブの力制御方法 |
| JP3989704B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2007-10-10 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡 |
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| KR101311789B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2013-09-25 | 고려대학교 산학협력단 | 진동 프로브 시스템 |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP34490395A patent/JP2869508B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９５年（平成７年）春季 第４２回応用物理学関係連合講演会予稿集第２分冊，（１９９５．３．２８），（社）応用物理学会，ｐ．４８１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09159682A (ja) | 1997-06-20 |
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