JP2867504B2 - Output buffer circuit - Google Patents
Output buffer circuitInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は出力バッファ回路に関し、特にデジタルIC等
の出力バッファ回路に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an output buffer circuit, and more particularly to an output buffer circuit such as a digital IC.
従来、この種の出力バッファ回路は、高レベル供給側
のP型のMOSトランジスタと低レベル供給側のN型のMOS
トランジスタとを備えたインバータにより構成され、用
途に応じてCMOS出力レベル,TTL出力レベルの仕様に製造
分類されていた。Conventionally, this type of output buffer circuit has a P-type MOS transistor on the high level supply side and an N-type MOS transistor on the low level supply side.
It was composed of an inverter with transistors and was manufactured and classified into CMOS output level and TTL output level specifications according to the application.
上述した従来の出力バッファ回路は、P型及びN型の
MOSトランジスタを備えたインバータにより構成されて
いるので、ファクションテストにおいて、特にCMOS出力
レベルを供給するタイプで、複数出力の連続的なレベル
切換え動作があった場合に、出力の振幅が大きいため、
出力端子の付加容量の充放電による電源線,接地線の変
動が大きく、誤動作を起しやすいという欠点があった。The above-described conventional output buffer circuit includes P-type and N-type output buffer circuits.
Because it is composed of inverters with MOS transistors, in the function test, especially in the type that supplies CMOS output levels, if there is a continuous level switching operation of multiple outputs, the output amplitude is large,
There has been a drawback that the power supply line and the ground line fluctuate greatly due to charging and discharging of the additional capacitance of the output terminal, and a malfunction is likely to occur.
本発明の目的は、ファクションテストを、誤動作がな
く安定して行うことができる出力バッファ回路を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide an output buffer circuit capable of performing a function test stably without malfunction.
本発明の出力バッファ回路は、切換制御信号が第1及
び第2のレベルのとき入力信号のレベルい応じたレベル
の第1の信号を出力し、前記切換制御信号が第1のレベ
ルのとき第1の信号と同一レベルとなり第2のレベルの
とき非能動レベルとなる第2の信号を出力し、前記切換
制御信号が第1のレベルのとき非能動レベルとなり第2
のレベルのとき前記第1の信号を反転したレベルとなる
第3の信号を出力する制御回路と、ソースを第1の電源
供給端子と接続したドレインを出力端子と接続して前記
第1の信号によりオン・オフする一導電型の第1のMOS
トランジスタ、及びソースを第2の電源供給端子と接続
しドレインを前記出力端子と接続して前記切換制御信号
が第1のレベルのときは前記第2の信号によりオン・オ
フし第2のレベルのときは前記第2の信号によりオフと
なる逆導電型の第2のMOSトランジスタを備えたインバ
ータと、ソースを前記出力端子と接続しドレインを前記
第2の電源供給端子と接続して前記切換制御信号が第1
のレベルのときは前記第3の信号によりオフとなり第2
のレベルのときは前記第3の信号によりオン・オフする
一導電型の第3のMOSトランジスタとを有している。The output buffer circuit according to the present invention outputs a first signal having a level corresponding to the level of the input signal when the switching control signal is at the first and second levels, and outputs the first signal when the switching control signal is at the first level. A second signal which becomes the same level as the signal No. 1 and becomes an inactive level when it is at the second level, and becomes inactive when the switching control signal is at the first level.
And a control circuit for outputting a third signal having a level obtained by inverting the first signal at the level of the first signal, and connecting the source to the first power supply terminal and connecting the drain to the output terminal to output the first signal. One conductivity type first MOS that is turned on / off by
A transistor and a source are connected to a second power supply terminal, and a drain is connected to the output terminal. When the switching control signal is at a first level, the switching control signal is turned on / off by the second signal to turn on and off at a second level. An inverter provided with a second MOS transistor of a reverse conductivity type that is turned off by the second signal, and a source connected to the output terminal and a drain connected to the second power supply terminal. The signal is first
Is turned off by the third signal,
And a third MOS transistor of one conductivity type which is turned on / off by the third signal when the level is at the level of.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
この実施例は、インバータI1及びゲート回路G1,G2を
備え、切換制御信号SWCが低レベル及び高レベルのとき
入力信号INのレベルと同一のレベルの第1の信号V1を出
力し、切換制御信号SWCが低レベルのとき第1の信号V1
と同一レベルとなり高レベルのとき高レベルとなる第2
の辛抱V2を出力し、切換制御信号SWCが低レベルのとき
低レベルとなり高レベルのとき第1の信号V1を反転した
レベルとなる第3の信号V3を出力する制御回路1と、ソ
ースを第1の電源供給端子の接地端子と接続しドレイン
を出力端子T0と接続して第1の信号V1によりオン・オフ
するN型の第1のMOSトランジスタMT1、及びソースを第
2の電源供給端子(電源電圧VCC)と接続しドレインを
出力端子T0と接続して切換制御信号SWCが低レベルのと
きは第2の信号V2によりオン・オフし高レベルのときは
第2の信号V2によりオフとなるP型の第2のMOSトラン
ジスタMT2を備えたインバータ2と、ソースを出力端子T
0と接続しドレインを第2の電源供給端子(VCC)と接続
して切換制御信号SWCが低レベルのときは第3の信号V3
によりオフとなり高レベルのときは第3の信号V3により
オン・オフするN型の第3のMOSトランジスタMT3とを有
する構成となっている。This embodiment includes an inverter I 1 and the gate circuit G 1, G 2, the switching control signal SWC outputs a first signal V 1 of the low and high same level as the level of the input signal IN when the , When the switching control signal SWC is at a low level, the first signal V 1
The same level as the second and the high level when the level is high
Outputs of patience V 2, the control circuit 1 switching control signal SWC to output a third signal V 3 to a low level low level and the high level inverted level of the first signal V 1 when the time, the first MOS transistor MT 1 of N-type which is turned on and off in response to the first signal V 1 and connecting the drain to the output terminal T 0 is connected to the ground terminal of the source the first power supply terminal, and a source first is when the second power supply terminal (power supply voltage V CC) and connected to the switch control signal SWC connects the drain to the output terminal T 0 is low when the high-level to turn on and off by the second signal V 2 an inverter 2 having a second MOS transistor MT 2 P-type as the second off by the signal V 2, the output of the source terminal T
0 and the drain is connected to the second power supply terminal (V CC ). When the switching control signal SWC is at a low level, the third signal V 3
Has a configuration and a third MOS transistor MT 3 of N-type which is turned on and off in response to the third signal V 3 is at high level turns off the.
このような構成とすることにより、切換制御信号SWC
が低レベルの通常動作時には第3のMOSトランジスタMT3
はオフとなり、インバータ2により通常の論理振幅出力
信号OUTが出力される。With such a configuration, the switching control signal SWC
During normal operation at a low level, the third MOS transistor MT 3
Is turned off, and the inverter 2 outputs the normal logical amplitude output signal OUT.
また、切換制御信号SWCが高レベルのフォンクション
テストのときには、第2のMOSトランジスタMT2がオフと
なり、第1のMOSトランジスタMT1と第3のトランジスタ
MT3とによりインバータが構成され、この場合、第3の
トランジスタMT3のゲート・ソース電圧分だけ出力信号O
UTの論理振幅が小さくなるので、出力端子T0の付加容量
により生ずる充放電のレベルを小さくでき、誤動作の発
生を防止することができる。Moreover, switching to the time control signal SWC is high von transfection test, the second MOS transistor MT 2 is turned off, the first MOS transistor MT 1 and the third transistor
MT 3 and inverter is constituted by, in this case, only the third gate-source voltage of the transistor MT 3 in the output signal O
Since the logical amplitude of the UT is reduced, it is possible to reduce the level of charge and discharge caused by additional capacitance of the output terminal T 0, it is possible to prevent the occurrence of malfunction.
第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
この実施例は、入力制御信号IOCが低レベルのとき出
力を高インピーダンス状態とする機能を付加したもので
ある。また、入力信号INのレベルと出力信号OUTのレベ
ルとは非反転型となっている。このほか基本動作は第1
の実施例と同様である。In this embodiment, a function is added to set the output to a high impedance state when the input control signal IOC is at a low level. The level of the input signal IN and the level of the output signal OUT are non-inverted. In addition, the basic operation is the first
This is the same as the embodiment.
以上説明したように本発明は、第1及び第2のMOSト
ランジスタで形成されたCMOS型のインバータの第2のMO
Sトランジスタと並列に第1のMOSトランジスタと同一導
電型の第3のMOSトランジスタを設け、通常動作時には
第3のMOSトランジスタをオフとして第1及び第2のMOS
トランジスタでインバータを形成し、ファンクションテ
スト時には第2のMOSトランジスタをオフとして第1及
び第3のMOSトランジスタでインバータを形成する構成
とすることにより、ファンクションテスト時、出力信号
の論理振幅を第3のMOSトランジスタにより小さくする
ことができるので、出力端子の付加容量による充放電の
レベルを小さくすることができ、従って誤動作を防止し
て安定にファンクションテストを行うことができる効果
がある。As described above, the present invention relates to the second MO of the CMOS inverter formed by the first and second MOS transistors.
A third MOS transistor of the same conductivity type as the first MOS transistor is provided in parallel with the S transistor. During normal operation, the third MOS transistor is turned off and the first and second MOS transistors are turned off.
An inverter is formed by transistors, and the second MOS transistor is turned off during the function test and the inverter is formed by the first and third MOS transistors. Since the size can be reduced by the MOS transistor, the level of charge / discharge due to the additional capacitance of the output terminal can be reduced, so that there is an effect that malfunction can be prevented and a function test can be stably performed.
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の第1及び第2の実
施例を示す回路図である。 1,1A……制御回路、2……インバータ、G1〜G6……ゲー
ト回路、I1,I2……インバータ、MT1〜MT3……MOSトラン
ジスタ。FIG. 1 and FIG. 2 are circuit diagrams showing first and second embodiments of the present invention, respectively. 1, 1 A ...... control circuit, 2 ...... inverter, G 1 ~G 6 ...... gate circuit, I 1, I 2 ...... inverter, MT 1 to MT 3 ...... MOS transistor.
Claims (1)
き入力信号のレベルに応じたレベルの第1の信号を出力
し、前記切換制御信号が第1のレベルのとき第1の信号
と同一レベルとなり第2のレベルのとき非能動レベルと
なる第2の信号を出力し、前記切換制御信号が第1のレ
ベルのとき非能動レベルとなり第2のレベルのとき前記
第1の信号を反転したレベルとなる第3の信号を出力す
る制御回路と、ソースを第1の電源供給端子と接続しド
レインを出力端子と接続して前記第1の信号によりオン
・オフする一導型の第1のMOSトランジスタ、及びソー
スを第2の電源供給端子と接続しドレインを前記出力端
子と接続して前記切換制御信号が第1のレベルのときは
前記第2の信号によりオン・オフし第2のレベルのとき
は前記第2の信号によりオフとなる逆導電型の第2のMO
Sトランジスタを備えたインバータと、ソースを前記出
力端子と接続しドレインを前記第2の電源供給端子と接
続して前記切換制御信号が第1のレベルのときは前記第
3の信号によりオフとなり第2のレベルのときは前記第
3の信号によりオン・オフする一導電型の第3のMOSト
ランジスタとを有することを特徴とする出力バッファ回
路。1. A first signal having a level corresponding to the level of an input signal is output when the switching control signal is at a first and second level, and a first signal is output when the switching control signal is at a first level. And outputs a second signal which becomes the inactive level when the switching control signal is at the first level and becomes inactive when the switching control signal is at the second level. A control circuit for outputting a third signal having an inverted level; a first conductive type of connecting a source to a first power supply terminal, connecting a drain to an output terminal, and turning on / off by the first signal; One MOS transistor and a source are connected to a second power supply terminal and a drain is connected to the output terminal. When the switching control signal is at a first level, the switching control signal is turned on / off by the second signal and the second control signal is turned on and off. At the level of the second signal The second MO opposite conductivity type which becomes Riofu
An inverter having an S transistor; a source connected to the output terminal; a drain connected to the second power supply terminal; and when the switching control signal is at the first level, the switching is turned off by the third signal. An output buffer circuit having a one-conductivity-type third MOS transistor which is turned on / off by the third signal when the level is 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1315791A JP2867504B2 (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Output buffer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1315791A JP2867504B2 (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Output buffer circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03175384A JPH03175384A (en) | 1991-07-30 |
JP2867504B2 true JP2867504B2 (en) | 1999-03-08 |
Family
ID=18069599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1315791A Expired - Lifetime JP2867504B2 (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Output buffer circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2867504B2 (en) |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP1315791A patent/JP2867504B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03175384A (en) | 1991-07-30 |
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