JP2866505B2 - 液晶表示体駆動回路 - Google Patents

液晶表示体駆動回路

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JP2866505B2 JP3198111A JP19811191A JP2866505B2 JP 2866505 B2 JP2866505 B2 JP 2866505B2 JP 3198111 A JP3198111 A JP 3198111A JP 19811191 A JP19811191 A JP 19811191A JP 2866505 B2 JP2866505 B2 JP 2866505B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示体をダイナ
ミック駆動する液晶表示体駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、例えばドットマトリクスタイプ
の液晶表示体を駆動する液晶表示体駆動回路は、クロス
トークを防止するとともに、選択点と非選択点との電圧
比を大きくするためにバイアス電圧を印加し、電圧平均
化法によって液晶表示体を駆動する。
【0003】図3に従来の液晶表示体駆動回路の例を示
す。図3において10は液晶表示体駆動回路、11は液
晶表示体駆動回路10に対し電源電圧VD を与える電源
(電池)、12は駆動される液晶表示体である。液晶表
示体駆動回路10内において1は所定の複数種の電圧レ
ベルを発生する電圧発生回路である。タイミング信号発
生回路4は、液晶表示体に対する印加電圧の極性をフレ
ーム周期で反転させるために必要なフレーム信号Sと、
この例では64本のコモン信号の発生タイミングを定め
るコモンタイミング信号h1〜h64を発生する。電圧
発生回路1は、電源端VD と接地間に接続された抵抗R
1〜R4からなるブリーダ抵抗回路とpチャンネルMO
SトランジスタP1とnチャンネルMOSトランジスタ
N1からなり、バイアス電圧を与えるための電圧VA
M ,VB を発生する。ブリーダ抵抗回路はR1=R
4,R2=R3,R1/R2=7に設定されている。い
ま、フレーム信号Sが“L”レベルのときP1がオン、
N1がオフするため、VA =VD ,V M=(8/9)V
D ,VB =(7/9)VD となる。フレーム信号Sが
“H”レベルのとき、P1がオフ、N1がオンするた
め、VA =(2/9)VD ,VM =(1/9)VD ,V
B =0(接地電位)となる。コモン信号発生回路2はV
D ,VM および接地電位を入力電源として、コモンタイ
ミング信号h1〜h64とフレーム信号Sとからコモン
信号H1〜H64を発生する。セグメント信号発生回路
3は電圧発生回路3から出力されるVA ,VB を入力電
源として、フレーム信号Sと外部から入力される表示信
号s1〜s98とからセグメント信号S1〜S98を発
生する。
【0004】図3に示したコモン信号発生回路2とセグ
メント信号発生回路3から出力され、選択画素に印加さ
れるコモン信号およびセグメント信号の波形例を図4に
示す。図3に示した電圧発生回路1のブリーダ抵抗回路
を構成する抵抗の比率は、R1:R2:R3:R4=
7:1:1:7であるため、液晶表示体の各画素には、
非選択時においてVA −VM またはVM −VB の電圧に
相当する(1/9)VD のバイアス電圧が印加される。
ところで、表示のコントラストを高めるためには、選択
画素と非選択画素に印加される実効値電圧の比を大きく
する必要がある。
【0005】その比が最大になるのは、バイアス電圧V
と電源電圧VD との間に次式の関係が満足されたときで
ある。
【0006】
【数1】
【0007】ここでNはデューティ比の逆数すなわちコ
モン信号の数である。図3に示した例ではN=64であ
るため、1/9バイアスが最適値となり、電圧発生回路
1内のブリーダ抵抗の抵抗比を前記のように設定してい
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記デュー
ティ比とバイアス電圧比との関係は、液晶表示体の選択
画素(点灯画素)に印加される電圧の実効値が、液晶表
示体のしきい値Vthを超える値となることが前提であ
る。例えば電源として用いる電池の起電圧が低下すれ
ば、電圧発生回路に印加される電圧も低下し、これに伴
い液晶表示体の印加電圧も低下する。選択画素に印加さ
れる電圧の実効値が前記Vthの近傍になれば、表示の
コントラストは極端に低下し、情報表示としての用を成
さない。従来は電源電圧の変動および視角に対する表示
コントラストの変動を抑えるために、液晶表示体駆動回
路の印加電圧を定電圧化し、また電圧発生回路内のブリ
ーダ抵抗に可変抵抗を直列接続して、マニュアル調整に
よって液晶表示体への印加電圧を調整するようにしてい
た。しかし、このような液晶表示体駆動回路は、電池電
圧に十分な余裕がある場合に有効であって、その起電圧
が低下して寿命に達しつつある状態では効果がなかっ
た。
【0009】この発明の目的は、電源電圧の低下時に、
ある程度までは液晶表示体の選択画素に印加される実効
値電圧を必要値に維持して、広範囲にわたる電源電圧の
下で液晶表示体を駆動できるようにした、液晶表示体駆
動回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明は、電源電圧低
下時に、液晶表示体に印加されるバイアス電圧を大きく
して、選択画素に印加される電圧の実効値がしきい値電
圧Vthより十分上回るようにしたものである。
【0011】すなわち、この発明は、複数の直列抵抗か
らなるブリーダ抵抗回路を含み、複数レベルの電圧信号
を発生する電圧発生回路と、液晶表示体に印加電圧を印
加するタイミングを決定するためのフレーム信号を発生
させるタイミング信号発生回路と、前記複数レベルの電
圧信号から前記フレーム信号の周期にしたがってコモン
信号を発生するコモン信号発生回路と、前記複数レベル
の電圧信号と表示信号から前記フレーム信号の周期にし
たがってセグメント信号を発生するセグメント信号発生
回路とを備え、コモン信号とセグメント信号とで形成さ
れる電圧を液晶表示体に印加する液晶表示体駆動回路に
おいて、液晶表示体駆動回路に対する供給電源電圧また
は電池電圧が一定電圧未満に低下したことを検出する電
圧低下検出回路を設けるとともに、非選択時に液晶表示
体に印加するバイアス電圧と選択時に液晶表示体に印加
する電圧との比であるバイアス量を切り換えるバイアス
量切換用抵抗とバイアス量切換用スイッチ素子、および
前記電圧低下検出回路の検出出力により前記バイアス量
切換用スイッチ素子を制御してバイアス量を大きくする
バイアス量切換制御回路を、前記電圧発生回路に設け
さらに、バイアス電圧を発生させるための切換スイッチ
素子を前記ブリーダ抵抗回路とバイアス量切換抵抗とを
直列した回路端に接続するように設け、 前記タイミング
信号発生回路からのフレーム信号を前記切換スイッチ素
子に入力してバイアス電圧を発生させることを特徴とす
る。
【0012】
【作用】この発明の液晶表示体駆動回路では、電圧低下
検出回路が、液晶表示体駆動回路に対する供給電源電圧
または電池電圧が一定電圧未満に低下したことを検出す
る。一方、電圧発生回路には、非選択時に液晶表示体に
印加するバイアス電圧と選択時に液晶表示体に印加する
電圧との比であるバイアス量を切り換えるバイアス量切
換用抵抗とバイアス量切換スイッチ素子およびバイアス
量切換制御回路が設けられていて、バイアス量切換制御
回路は、電圧低下検出回路の検出出力信号によりバイア
ス量切換用スイッチ素子を制御してバイアス量を大きく
する。このように液晶表示体駆動回路に対する供給電源
電圧または電池電圧が一定電圧未満に低下したとき、点
灯画素に印加される電圧が低下するのを補償するために
バイアス電圧を大きくする。このことにより、液晶表示
体の非選択画素に対する実効値電圧が増大するが、選択
画素に印加される実効値電圧も増大ししきい値電圧V
thを越える値となって選択画素が確実に点灯すること
になる。さらに、バイアス電圧を発生させるための切換
スイッチ素子を前記ブリーダ抵抗回路とバイアス量切換
抵抗とを直列した回路端に接続するように設けているた
め、供給電源電圧が一定値未満に低下した場合、通常状
態に比べて必ずバイアス量が大きくなり、また、同じ電
源電圧に対して液晶表示体に印加される実効値電圧は増
大するが、供給電源電圧が一定値未満に低下してからも
広範囲にわたって液晶表示体に対する印加電圧が適正値
に維持される。
【0013】
【実施例】この発明の実施である液晶表示体駆動回路の
構成を図1に示す。図1において液晶表示体駆動回路1
0は電圧発生回路1、コモン信号発生回路2、セグメン
ト信号発生回路3、タイミング信号発生回路4および電
圧低下検出回路5から構成している。電圧発生回路1に
おいてR12,R11,R2,R3,R41,R42は
ブリーダ抵抗回路を構成し、pチャンネルMOSトラン
ジスタP1をR12とR11の両端間に接続し、pチャ
ンネルMOSトランジスタP2をR12に並列接続して
いる。また、nチャンネルMOSトランジスタN1をR
41とR42の両端間に接続し、nチャンネルMOSト
ランジスタN2をR42に並列接続している。図1に示
した電圧発生回路1内のブリーダ抵抗回路の各抵抗は、
R11=R41,R12=R42,R2=R3,R11
/R2=5,R12/R2=2と設定している。従って
R12:R11:R2:R3:R41:R42=2:
5:1:1:5:2の関係にある。P1,N1のゲート
には、それぞれタイミング信号発生回路4から出力され
るフレーム信号Sを供給し、N2のゲートには電圧低下
検出回路5の出力信号を供給し、P2のゲートにはノッ
トゲート(インバータ)I1を介して電圧低下検出回路
5の出力信号の反転信号を供給している。上記電圧発生
回路1において、R12,R42がこの発明に係るバイ
アス量切換用抵抗、P2,N2がこの発明に係るバイア
ス量切換用スイッチ素子、I1がこの発明に係るバイア
ス量切換制御回路に対応する。電圧低下検出回路5は液
晶表示体駆動回路に対する供給電源電圧VD の低下を検
出する回路からなり、一定電圧未満に低下したとき出力
を“H”レベルとする。コモン信号発生回路2、セグメ
ント信号発生回路3およびタイミング信号発生回路4の
構成および作用は図3に示した従来のものと同様であ
る。すなわち、タイミング信号発生回路4はコモン信号
タイミング信号h1〜h64をコモン信号発生回路2へ
供給し、フレーム信号Sを電圧発生回路1、コモン信号
発生回路2およびセグメント信号発生回路3へ供給す
る。コモン信号発生回路2はVD と接地電位および電圧
発生回路1から出力されるVM を入力電源として、コモ
ンタイミング信号h1〜h64およびフレーム信号Sに
基づいてコモン信号H1〜H64を発生する。セグメン
ト信号発生回路3は電圧発生回路1から出力される
A ,VB を入力電源として、フレーム信号Sおよび外
部から供給される表示信号s1〜s64に基づいてセグ
メント信号S1〜S98を発生する。
【0014】いま、液晶表示体駆動回路に対する供給電
源電圧VD が一定値以上であれば、電圧低下検出回路5
の出力信号は“L”レベルとなって、P2,N2は共に
オフ状態である。このとき、R12+R11をR1,R
41+R42をR4で表せば、図3に示した場合と同様
にR1:R2:R3:R4=7:1:1:7となる。
【0015】従ってフレーム信号Sが“L”レベルであ
るとき、P1がオン、N1がオフ状態となって、VA
D ,VM =(8/9)VD ,VB =(7/9)VD
なる。
【0016】Sが“H”レベルのときは、P1がオフ、
N1がオン状態となるため、VA =(2/9)VD ,V
M =(1/9)VD ,VB =接地電位となる。このとき
に液晶表示体の選択画像に印加される電圧波形は図2
(A)に示すようになる。この例は図4に示したものと
同一であり、バイアス電圧は(1/9)VD となる。
【0017】図1に示した液晶表示体駆動回路に対する
供給電源電圧VD が一定値未満に低下したなら、電圧低
下検出回路5の出力信号は“H”レベルとなる。これに
よりP2,N2が共にオン状態となり、R12,R42
はそれぞれ短絡される。フレーム信号Sが“L”レベル
のとき、P1がオン、N1がオフ状態であるため、VA
=VD ,VM =(6/7)VD ,VB =(5/7)VD
となる。フレーム信号Sが“H”レベルのとき、P1が
オフ、N1がオン状態となって、VA =(2/7)
D ,VM =(1/7)VD,VB =接地電位となる。
このときの液晶表示体の選択画素に印加される電圧波形
は図2(B)のようになる。このようにバイアス電圧は
(1/7)VD となり、(A)に示した場合よりバイア
ス量が大きくなる。
【0018】図2に示した(A)の1/9バイアス時に
おける選択画素に印加される実効値電圧VONは次式で求
められる。
【0019】
【数2】
【0020】また、図2(B)に示した1/7バイアス
時の選択画素に印加される実効値電圧VON’は次式で求
められる。
【0021】
【数3】
【0022】このように同じ電源電圧に対して液晶表示
体に印加される実効値電圧は増大する。この1/7バイ
アスが印加されるのは電源電圧が低下したときであるか
ら、電源電圧が一定電圧未満に低下してからも広範囲に
わたって液晶表示体に対する印加電圧を必要値に維持す
ることができる。
【0023】なお、実施例では1/64デューティで1
/9バイアスを1/7バイアスに切り換える例について
示したが、他のデューティ比および他のバイアス比にお
いても同様に適用することができ、電圧低下時のバイア
ス比の切り換えも液晶表示体の特性および電源の特性に
応じて任意に定めることができる。
【0024】また、実施例では液晶表示体駆動回路に対
する供給電源電圧の低下を検出するようにしたが、例え
ば電池電圧を昇圧して液晶表示体駆動回路に電源電圧を
供給するような場合には、直接電池電圧の低下を検出す
るようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】この発明によれば、電源電圧の低下時に
おいても、液晶表示体に印加する実効値電圧を必要値に
維持することができ、広範囲にわたる電源電圧の下で液
晶表示体を用いることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例である液晶表示体駆動回路の
構成図である。
【図2】液晶表示体の選択画素に対する印加電圧の波形
図であり、(A)は電圧非低下時の波形、(B)は電圧
低下時の波形である。
【図3】従来の液晶表示体駆動回路の構成図である。
【図4】図3に示す液晶表示体駆動回路による液晶表示
体の選択画素に対する印加電圧の波形図である。
【符号の説明】 1 電圧発生回路 10 液晶表示体駆動回路

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の直列抵抗からなるブリーダ抵抗回路
    を含み、複数レベルの電圧信号を発生する電圧発生回路
    と、液晶表示体に印加電圧を印加するタイミングを決定する
    ためのフレーム信号を発生させるタイミング信号発生回
    路と、 前記複数レベルの電圧信号から前記フレーム信号の周期
    にしたがってコモン信号を発生するコモン信号発生回路
    と、 前記複数レベルの電圧信号と表示信号から前記フレーム
    信号の周期にしたがってセグメント信号を発生するセグ
    メント信号発生回路とを備え、コモン信号とセグメント
    信号とで形成される電圧を液晶表示体に印加する液晶表
    示体駆動回路において、 液晶表示体駆動回路に対する供給電源電圧または電池電
    圧が一定電圧未満に低下したことを検出する電圧低下検
    出回路を設けるとともに、 非選択時に液晶表示体に印加するバイアス電圧と選択時
    に液晶表示体に印加する電圧との比であるバイアス量を
    切り換えるバイアス量切換用抵抗とバイアス量切換用ス
    イッチ素子、および前記電圧低下検出回路の検出出力に
    より前記バイアス量切換用スイッチ素子を制御してバイ
    アス量を大きくするバイアス量切換制御回路を、前記電
    圧発生回路に設け さらに、バイアス電圧を発生させるための切換スイッチ
    素子を前記ブリーダ抵抗回路とバイアス量切換抵抗とを
    直列した回路端に接続するように設け、 前記タイミング信号発生回路からのフレーム信号を前記
    切換スイッチ素子に入力してバイアス電圧を発生させる
    ことを特徴とする液晶表示体駆動回路。
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