JP2861966B2 - Semiconductor device - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ペレットが
リードフレーム上にマウント材により固着された樹脂封
止型の半導体装置に関し、特に消費電力が大きなパワー
デバイス半導体装置に用いて好適な半導体装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor pellet is fixed on a lead frame by a mounting material, and more particularly to a semiconductor device suitable for use in a power device semiconductor device having large power consumption. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、マウント材を用いて半導体ペレッ
トをリードフレーム上に固着した樹脂封止型の半導体装
置が知られている。特に消費電力が大きなパワーデバイ
ス半導体装置においては、応用上、半導体ペレットで消
費される電力が大きく、その結果、半導体ペレットに加
わる熱的ストレスが極めて大きくなるために、半導体装
置の熱ストレス耐量の向上が必至となっている。2. Description of the Related Art Conventionally, a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor pellet is fixed on a lead frame using a mounting material is known. In particular, in power devices that consume large amounts of power, the power consumed by the semiconductor pellets is large in application, and as a result, the thermal stress applied to the semiconductor pellets becomes extremely large. Is inevitable.
【０００３】この熱ストレス耐量を向上させる方法とし
ては、次に挙げる様な方法が提案されている。まず、第
１の方法は、例えば、特開平３―５０４６５９に開示さ
れているように、リードフレームの表面を、活性酸化剤
により、そのリードフレームのアニーリング温度より低
い温度において酸化させ、このリードフレームと封入す
る樹脂との密着性を向上させる方法である。前記活性酸
化剤としては、Ｈ2Ｏ2を１０〜３０％含む水溶液等が好
適に用いられる。As a method for improving the thermal stress resistance, the following methods have been proposed. First, a first method is to oxidize the surface of a lead frame with an active oxidizing agent at a temperature lower than the annealing temperature of the lead frame, as disclosed in, for example, JP-A-3-504659. This is a method for improving the adhesiveness between the resin and the resin to be sealed. As the active oxidant, the aqueous solution or the like containing the H 2 O 2 10~30% is preferably used.
【０００４】この方法は、リードフレーム表面に酸化膜
を形成することにより、この酸化膜と封入樹脂との界面
の接合力を強化しており、リードフレームと樹脂との密
着力は、酸化膜とリードフレーム素材との界面の接合力
により決定される。In this method, an oxide film is formed on the surface of a lead frame to enhance the bonding force at the interface between the oxide film and the encapsulating resin. It is determined by the bonding strength of the interface with the lead frame material.
【０００５】また、第２の方法は、例えば、特開昭６１
―１０７７５１に開示されているように、基板上の金属
メッキ層の半導体ペレット固着予定部分を囲む部分の表
面を、半田との濡れ性が悪くなるよう変質処理し、半田
材の広がりを防止して封入する樹脂との密着性を向上さ
せる方法である。前記変質処理としては、金属メッキ層
上を選択的に加熱酸化処理、塩酸系処理液による薬液処
理等がある。A second method is disclosed in, for example,
As disclosed in JP-A-107751, the surface of the portion of the metal plating layer on the substrate that surrounds the portion where the semiconductor pellet is to be fixed is subjected to alteration treatment so that the wettability with solder is deteriorated, thereby preventing the spread of the solder material. This is a method for improving the adhesion to the resin to be sealed. Examples of the alteration treatment include selective heat oxidation treatment on the metal plating layer, chemical treatment with a hydrochloric acid-based treatment liquid, and the like.
【０００６】この方法も、半導体搭載エリア外周のリー
ドフレーム表面を強制的に酸化させ、マウント材の広が
りを押さえるとともに、封入樹脂と酸化膜との界面の接
合力を強化したもので、リードフレームと樹脂との密着
力は、酸化膜とリードフレーム素材との界面の接合力に
より決定される。This method also forcibly oxidizes the surface of the lead frame on the outer periphery of the semiconductor mounting area, suppresses the spread of the mounting material, and strengthens the bonding force at the interface between the sealing resin and the oxide film. The adhesion to the resin is determined by the bonding force at the interface between the oxide film and the lead frame material.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した第
１の方法では、リードフレームの表面を活性酸化剤によ
り酸化させて活性度を上げているために、樹脂封入前に
活性酸化処理を施す必要がある。この場合、搭載される
半導体ペレットは、活性酸化剤からの保護が必要とな
る。また、この方法は、リードフレーム表面に酸化膜を
形成しているので、この酸化膜と樹脂との界面の接合力
は強化されるものの、リードフレームと樹脂との密着力
は、酸化膜とリードフレーム素材との界面の接合力によ
り決定されてしまうという問題点がある。In the first method described above, since the surface of the lead frame is oxidized with an active oxidizing agent to increase the activity, it is necessary to perform an active oxidation treatment before sealing the resin. There is. In this case, the mounted semiconductor pellet needs to be protected from an active oxidant. In this method, since an oxide film is formed on the surface of the lead frame, the bonding force at the interface between the oxide film and the resin is strengthened, but the adhesion between the lead frame and the resin is reduced by the oxide film and the lead. There is a problem that it is determined by the bonding strength of the interface with the frame material.
【０００８】また、第２の方法においても、上述した第
１の方法と同様、封入樹脂と酸化膜との界面の接合力は
強化されるものの、リードフレームと樹脂との密着力
は、酸化膜とリードフレーム素材との界面の接合力によ
り決定されてしまうという問題点がある。In the second method, as in the first method, the bonding strength at the interface between the sealing resin and the oxide film is enhanced, but the adhesion between the lead frame and the resin is reduced by the oxide film. There is a problem that it is determined by the bonding force at the interface between the lead frame material and the lead frame material.
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、リードフレームと樹脂との密着性を向上さ
せることができ、特にパワーデバイス半導体装置におい
て問題となる熱的ストレスによる半導体ペレットの角部
に加わる応力に対抗する密着力を生じさせることによ
り、半導体ペレットの繰り返し発熱動作によるリードフ
レームと樹脂との剥離及び半導体ペレットに加わる機械
的ストレスを低減させることができ、したがって、信頼
性を向上させることができる半導体装置を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and can improve the adhesiveness between a lead frame and a resin. Particularly, a semiconductor pellet caused by thermal stress which is a problem in a power device semiconductor device is provided. By generating an adhesive force that opposes the stress applied to the corners of the semiconductor chip, the peeling of the lead frame from the resin due to the repetitive heating operation of the semiconductor pellet and the mechanical stress applied to the semiconductor pellet can be reduced. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of improving the performance.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な半導体装置を採用した。すなわ
ち、請求項１記載の半導体装置は、半導体ペレットがリ
ードフレーム上にマウント材により固着され、前記半導
体ペレットを含む要部が樹脂封止されたもので、少なく
とも前記半導体ペレットの４隅近傍のリードフレームの
表面および前記半導体ペレットの４隅近傍のマウント材
の表面を、ブラスト処理により粗面としたものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following semiconductor device. That is, in the semiconductor device according to claim 1, the semiconductor pellet is fixed on a lead frame by a mount material, and a main part including the semiconductor pellet is sealed with a resin. Mounting material near the surface of the frame and four corners of the semiconductor pellet
The surface of the, in which a rough surface by blast treatment.
【００１１】この半導体装置では、リードフレーム表面
の半導体搭載面の、特に剥離が発生し易い半導体ペレッ
トの４隅近傍を、ブラスト処理により粗面としたことに
より、この４隅近傍のリードフレーム表面が適度に荒ら
され、熱的ストレスによる半導体ペレットの角部に加わ
る応力に対抗する密着力が生じ、このリードフレームと
樹脂との密着力が高まる。これにより、リードフレーム
と樹脂との剥離が抑制され、半導体ペレット端部への応
力集中が緩和される。In this semiconductor device, the semiconductor mounting surface of the lead frame surface, particularly, the vicinity of the four corners of the semiconductor pellet where peeling is likely to occur is roughened by blasting, so that the lead frame surface near the four corners is roughened. The lead frame is moderately roughened, and an adhesion force against a stress applied to a corner portion of the semiconductor pellet due to a thermal stress is generated, and the adhesion force between the lead frame and the resin is increased. As a result, the separation between the lead frame and the resin is suppressed, and the concentration of stress on the edge of the semiconductor pellet is reduced.
【００１２】これにより、半導体ペレットと樹脂との間
に生じる横方向のスライド力及び、この半導体ペレット
とリードフレームとの間に働く曲げ応力が軽減され、半
導体ペレットの繰り返し発熱動作によるリードフレーム
と樹脂との剥離及び半導体ペレットに加わる機械的スト
レスが低減される。As a result, the lateral sliding force generated between the semiconductor pellet and the resin and the bending stress acting between the semiconductor pellet and the lead frame are reduced, and the lead frame and the resin are repeatedly heated by the semiconductor pellet. And the mechanical stress applied to the semiconductor pellets is reduced.
【００１３】さらに、この半導体装置では、半導体ペレ
ット外周部にはみ出したマウント材の表面を、ブラスト
処理により粗面としたことにより、このマウント材の表
面は前記リードフレームの表面と同程度に荒らされ、こ
のリードフレームと樹脂との密着力が均一化される。 Further, in this semiconductor device, the surface of the mount material protruding from the outer periphery of the semiconductor pellet is made rough by blasting, so that the surface of the mount material is roughened to the same extent as the surface of the lead frame. Thus, the adhesion between the lead frame and the resin is made uniform.
【００１４】請求項２記載の半導体装置は、前記ブラス
ト処理に、３０〜１００μｍの粒径の微粒子を用いたも
のである。この半導体装置では、３０〜１００μｍの粒
径の微粒子を用いることにより、ブラスト処理が施され
たリードフレームの表面の粗さが均一化する。したがっ
て、このリードフレームと樹脂との密着力がさらに均一
化される。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device, fine particles having a particle diameter of 30 to 100 μm are used for the blasting. In this semiconductor device, by using fine particles having a particle size of 30 to 100 μm, the surface roughness of the blasted lead frame is made uniform. Therefore, the adhesion between the lead frame and the resin is further uniformed.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
に基づき説明する。図１はパワーデバイス半導体装置を
示す透視図、図２は同縦断面図であり、図において、符
号１はＣｕ等の電気的・熱的伝導性の良好な金属製のリ
ードフレーム、２はＳｉからなる半導体ペレット、３は
半導体ペレット２をリードフレーム１の中央部上に固着
させるＰｂ−Ｓｎ系の低融点半田またはＡｇペースト等
からなるマウント材、４は半導体ペレット２を含む要部
を封止するエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂である。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a power device semiconductor device, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the power device semiconductor device. In the figure, reference numeral 1 denotes a lead frame made of a metal having good electrical and thermal conductivity such as Cu, and 2 denotes Si. 3 is a mounting material made of a Pb-Sn-based low melting point solder or Ag paste for fixing the semiconductor pellet 2 on the central portion of the lead frame 1, and 4 is a main part including the semiconductor pellet 2. Thermosetting resin such as epoxy resin.
【００１６】マウント材３は、半導体ペレット２外周部
より４〜５ｍｍはみ出した状態でリードフレーム１上に
広がっている。これは、熱圧着方式を用いているため
に、半導体ペレット２固着時に溶融したマウント材３が
半導体ペレット２の外周部に広がるためである。この半
導体ペレット２及びマウント材３の４隅近傍のリードフ
レーム１の表面は、ブラスト処理により凹凸状に荒らさ
れた粗面５とされている。The mounting material 3 is spread on the lead frame 1 in a state of protruding from the outer periphery of the semiconductor pellet 2 by 4 to 5 mm. This is because the mounting material 3 melted at the time of fixing the semiconductor pellet 2 spreads to the outer peripheral portion of the semiconductor pellet 2 because the thermocompression bonding method is used. The surface of the lead frame 1 near the four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3 is a rough surface 5 which is roughened by blasting.
【００１７】この粗面５は、半導体ペレット２をリード
フレーム１上にマウント材３により固着させた後に、半
導体ペレット２及びマウント材３の４隅近傍に、３０〜
１００μｍの粒径のＳｉＣ微粒子をエアーで吹き付け、
この４隅近傍を凹凸状態に荒らすというブラスト処理を
施すことにより形成される。マウント材３の４隅近傍の
表面は、リードフレーム１の４隅近傍の表面と同程度に
荒らされて粗面とされる。After the semiconductor pellet 2 is fixed on the lead frame 1 by the mounting material 3, the rough surface 5 is formed in the vicinity of four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3 by 30 to 30 mm.
Spraying SiC fine particles with a particle size of 100 μm with air,
It is formed by performing a blast process of roughening the vicinity of the four corners into an uneven state. The surface near the four corners of the mounting material 3 is roughened to the same degree as the surface near the four corners of the lead frame 1 to be a rough surface.
【００１８】この半導体装置では、半導体ペレット２及
びマウント材３の４隅近傍に粗面５が形成された後に樹
脂４により封止される。この封止時に、この粗面５に樹
脂４を加圧充填すると、樹脂４が硬化することにより、
この樹脂４とリードフレーム１とが機械的に密着し、大
きな密着力が得られる。In this semiconductor device, after the rough surface 5 is formed near the four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3, the semiconductor device 2 is sealed with the resin 4. At the time of this sealing, when the resin 4 is pressurized and filled into the rough surface 5, the resin 4 is cured,
The resin 4 and the lead frame 1 are in close mechanical contact with each other, and a large adhesive force is obtained.
【００１９】この粗面５は、半導体ペレット２及びマウ
ント材３の４隅近傍に形成されているために、半導体ペ
レット２の中心部から距離的に最も離れた角部の樹脂４
とリードフレーム１との間の密着力が向上する。したが
って、熱的ストレスが加わった場合においても、樹脂４
とリードフレーム１との間の剥離が抑制される。Since the rough surface 5 is formed in the vicinity of the four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3, the resin 4 at the corner farthest from the center of the semiconductor pellet 2.
The adhesion between the lead frame 1 and the lead frame 1 is improved. Therefore, even when thermal stress is applied, the resin 4
The separation between the lead frame 1 and the lead frame 1 is suppressed.
【００２０】図３は、この半導体装置を繰り返し発熱動
作させた場合の形状変化を示す図である。繰り返し発熱
動作試験は、日本工業規格（ＪＩＳ）等でパワーサイク
ル試験として規定されているもので、パワーデバイス半
導体装置の寿命試験の１つである。ここでは、ＯＮ、Ｏ
ＦＦの時間をそれぞれ５分とし、ＴｊMAXとＴｊMINとの
差ＴｊMAX―ＴｊMINを１２５℃と設定した。図３中上図
はＴｊMINの状態を、また下図はＴｊMAXの状態をそれぞ
れ示している。FIG. 3 is a diagram showing a shape change when the semiconductor device is repeatedly operated to generate heat. The repetitive heating operation test is specified as a power cycle test in Japanese Industrial Standards (JIS) and the like, and is one of life tests of a power device semiconductor device. Here, ON, O
The time of each FF was set to 5 minutes, and the difference TjMAX−TjMIN between TjMAX and TjMIN was set to 125 ° C. In FIG. 3, the upper diagram shows the state of TjMIN, and the lower diagram shows the state of TjMAX.
【００２１】この繰り返し発熱動作試験では、半導体装
置に図３中上図及び下図に示す形状変化が加わる。従来
では、樹脂４とリードフレーム１界面との間に応力が発
生し、この応力により樹脂４とリードフレーム１が剥離
し、半導体ペレット２の端部に応力が集中し寿命が低下
する、という問題点があった。In this repetitive heating operation test, the semiconductor device undergoes a shape change shown in the upper and lower views in FIG. Conventionally, stress is generated between the resin 4 and the interface of the lead frame 1, and the resin 4 and the lead frame 1 are separated by this stress, stress is concentrated on the end of the semiconductor pellet 2 and the life is shortened. There was a point.
【００２２】本実施形態の場合、樹脂４とリードフレー
ム１界面との間に生じる応力による剥離の発生が抑制さ
れ、図４に示すように、リードフレーム１端で応力が最
大となり、半導体ペレット２端に加わる応力は、従来の
剥離時の２／７に抑制される。以上により、半導体装置
の寿命を向上させることが可能になった。In the case of the present embodiment, the occurrence of peeling due to the stress generated between the resin 4 and the interface of the lead frame 1 is suppressed, and as shown in FIG. The stress applied to the end is suppressed to 2/7 of the conventional peeling. As described above, the life of the semiconductor device can be improved.
【００２３】以上説明した様に、本実施形態の半導体装
置によれば、半導体ペレット２及びマウント材３の４隅
近傍のリードフレーム１の表面を、ブラスト処理により
凹凸状に荒らされた粗面５としたので、リードフレーム
１と樹脂４との密着力を向上させかつ均一化させること
ができる。As described above, according to the semiconductor device of the present embodiment, the surface of the lead frame 1 near the four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3 is roughened into a rough surface 5 by blasting. Therefore, the adhesion between the lead frame 1 and the resin 4 can be improved and made uniform.
【００２４】また、粗面５は、３０〜１００μｍの粒径
のＳｉＣ微粒子を、半導体ペレット２及びマウント材３
の４隅近傍に吹き付けることにより形成されるので、ブ
ラスト処理が施された表面の粗さを均一化することがで
き、リードフレーム１と樹脂４との密着力をさらに均一
化させることができる。The rough surface 5 is made of a semiconductor pellet 2 and a mounting material 3 made of SiC fine particles having a particle size of 30 to 100 μm.
Are formed by spraying near the four corners, the roughness of the blasted surface can be made uniform, and the adhesion between the lead frame 1 and the resin 4 can be made more uniform.
【００２５】図５はパワーデバイス半導体装置の他の実
施形態を示す透視図であり、上述した半導体装置と異な
る点は、半導体ペレット２の外周を略円形に囲むように
ブラスト処理を施し、半導体ペレット２及びマウント材
３の４隅近傍及び半導体ペレット２の４辺近傍のリード
フレーム１の表面を凹凸状に荒らされた粗面１１とした
点である。FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the power device semiconductor device. The difference from the above-described semiconductor device is that blasting is performed so as to surround the outer periphery of the semiconductor pellet 2 in a substantially circular shape. 2 and the surface of the lead frame 1 near the four corners of the mounting material 3 and near the four sides of the semiconductor pellet 2 is a rough surface 11 which is roughened in an uneven manner.
【００２６】この半導体装置では、半導体ペレット２及
びマウント材３の４隅近傍のリードフレーム１の表面に
ブラスト処理が重点的に施され、かつこの半導体ペレッ
ト２の４辺近傍にも同様にブラスト処理が施されて粗面
１１とされているので、樹脂４とリードフレーム１界面
の密着力を得る面積が拡大するとともに、均一な応力分
散を図ることができ、密着力をさらに向上させることが
できる。In this semiconductor device, the surface of the lead frame 1 near the four corners of the semiconductor pellet 2 and the mounting material 3 is intensively subjected to blasting, and the blasting is similarly performed near the four sides of the semiconductor pellet 2. Is applied to form the rough surface 11, so that the area for obtaining the adhesive force between the resin 4 and the interface of the lead frame 1 is enlarged, uniform stress distribution can be achieved, and the adhesive force can be further improved. .
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の半導体装置によれば、少なくとも前記半導体ペレッ
トの４隅近傍のリードフレームの表面を、ブラスト処理
により粗面としたので、このリードフレームと樹脂との
密着力を高めることができ、リードフレームと樹脂との
剥離を抑制し、半導体ペレット端部への応力集中を緩和
することができる。As described above, according to the semiconductor device of the first aspect of the present invention, at least the surface of the lead frame near the four corners of the semiconductor pellet is roughened by blasting. The adhesion between the lead frame and the resin can be increased, the separation between the lead frame and the resin can be suppressed, and the concentration of stress on the edge of the semiconductor pellet can be reduced.
【００２８】したがって、半導体ペレットと樹脂との間
に生じる横方向のスライド力及び、この半導体ペレット
とリードフレームとの間に働く曲げ応力を軽減させると
ともに、半導体ペレットの繰り返し発熱動作によるリー
ドフレームと樹脂との剥離及び半導体ペレットに加わる
機械的ストレスを低減させることができ、繰り返し発熱
動作による寿命を伸ばすことができる。これにより、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。Therefore, the lateral sliding force generated between the semiconductor pellet and the resin and the bending stress acting between the semiconductor pellet and the lead frame are reduced, and the lead frame and the resin are repeatedly heated by the semiconductor pellet. And mechanical stress applied to the semiconductor pellets can be reduced, and the life due to repeated heat generation operation can be extended. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００２９】さらに、少なくとも半導体ペレットの４隅
近傍のマウント材の表面を、ブラスト処理により粗面と
したので、このリードフレームと樹脂との密着力を均一
化させることができる。 Furthermore, since the surface of the mounting material at least near the four corners of the semiconductor pellet is roughened by blasting, the adhesion between the lead frame and the resin can be made uniform.
【００３０】請求項２記載の半導体装置によれば、前記
ブラスト処理に、３０〜１００μｍの粒径の微粒子を用
いたので、ブラスト処理が施された表面の粗さを均一化
することができ、リードフレームと樹脂との密着力をさ
らに均一化させることができる。According to the semiconductor device according to claim 2, said blasting, because using the fine particle size of 30 to 100 [mu] m, it is possible to equalize the surface roughness of blast processing has been performed, The adhesion between the lead frame and the resin can be made more uniform.
【図１】 本発明の一実施形態のパワーデバイス半導体
装置を示す透視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a power device semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の一実施形態のパワーデバイス半導体
装置を示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a power device semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の一実施形態のパワーデバイス半導体
装置の動作を示す横断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the operation of the power device semiconductor device according to the embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の一実施形態のパワーデバイス半導体
装置の応力データを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing stress data of a power device semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の他の実施形態のパワーデバイス半導
体装置を示す透視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a power device semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
１ リードフレーム ２ 半導体ペレット ３ マウント材 ４ 樹脂 ５ 粗面 １１ 粗面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Semiconductor pellet 3 Mounting material 4 Resin 5 Rough surface 11 Rough surface
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/48 H01L 23/50Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/48 H01L 23/50
Claims (2)
ウント材により固着され、前記半導体ペレットを含む要
部が樹脂封止された半導体装置において、少なくとも、
前記半導体ペレットの４隅近傍のリードフレームの表面
および前記半導体ペレットの４隅近傍のマウント材の表
面を、ブラスト処理により粗面としたことを特徴とする
半導体装置。In a semiconductor device, a semiconductor pellet is fixed on a lead frame by a mounting material, and a main part including the semiconductor pellet is resin-sealed.
Lead frame surface near four corners of the semiconductor pellet
And table of mounting materials near four corners of the semiconductor pellet
The semiconductor device, wherein a surface was roughened by blasting.
の粒径の微粒子を用いてなされたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。2. The blasting process is performed in a range of 30 to 100 μm.
Claims made using fine particles having a particle size of
Item 2. The semiconductor device according to item 1 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25961696A JP2861966B2 (en) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25961696A JP2861966B2 (en) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107195A JPH10107195A (en) | 1998-04-24 |
| JP2861966B2 true JP2861966B2 (en) | 1999-02-24 |
Family
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