JP2861423B2 - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

Info

Publication number
JP2861423B2
JP2861423B2 JP2018491A JP2018491A JP2861423B2 JP 2861423 B2 JP2861423 B2 JP 2861423B2 JP 2018491 A JP2018491 A JP 2018491A JP 2018491 A JP2018491 A JP 2018491A JP 2861423 B2 JP2861423 B2 JP 2861423B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
bonding wire
detection
detected
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2018491A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0541435A (ja
Inventor
宙夫 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP2018491A priority Critical patent/JP2861423B2/ja
Publication of JPH0541435A publication Critical patent/JPH0541435A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2861423B2 publication Critical patent/JP2861423B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01043—Technetium [Tc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の検査方法
に関し、特に、ボンディングワイヤのルーズコンタクト
検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における半導体装置のボンディング
ワイヤのルーズコンタクト検出方法としては、図５に示
すように、半導体装置を通電状態にしておき、半導体装
置に機械的衝撃を加えて、その時の通電波形の乱れを観
察する方法、あるいは図６に示すように、トランジスタ
半導体装置において、エミッタＥ−ベースＢ間の順電圧
成分ＶF(E-B)の変化を利用する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おける半導体装置を通電状態にしておき、半導体装置に
機械的衝撃を加えて、その時の通電波形の乱れを観察す
る前者の方法では、半導体チップとボンディングワイヤ
が樹脂によってコ−ティングされている場合等では実際
にボンディングワイヤがルーズコンタクトになっていて
も検出することができない。又、波形のちらつきは官能
検査であるために判定が困難であり、時間がかかる。
【０００４】また、エミッタベース順電圧ＶF(E-B)の変
化を利用する後者の方法では、上記のようにコーティン
グされていても検出は可能であるが、立ち上がり電圧、
抵抗分の両方のばらつきにより検出感度が落ちる。又、
検出電流値ＩF をどの位にするか決定するのが難しい。
すなわち、同じ１つの半導体装置についても、ボンディ
ングワイヤのルーズコンタクトによって変化するＩF レ
ベルは一定でない。ルーズコンタクトであるのに検出電
流値ＩFは変化してないポイントに検出電流値ＩF を設
定していた為に、検出できない可能性がある。又、半導
体チップの製造プロセスが違えば、ボンディングワイヤ
のルーズコンタクトを検出できるＩF レベルは、違って
くるので製品ごとに検出電流値ＩF を設定する必要があ
るという課題がある。
【０００５】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした半導体装置
の新規な検査方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のボンディングワイヤのル
ーズコンタクト検出方法は、半導体チップとボンディン
グワイヤが樹脂によってコーティングされていても検出
が可能であり、しかも容易にルーズコンタクトを検出で
きるように、電流電圧特性の抵抗成分の変動を利用する
ものであり、具体的には、前記半導体装置をトランジス
タ半導体装置として２ポイントの検出電流値を設定し、
そのときの各エミッタベース順電圧の差をとって判定基
準とすることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明をその好ましい各実施例につい
て図面を参照しながら具体的に説明する。本発明をトラ
ンジスタ半導体装置に適用した場合について以下に説明
する。
【０００８】図３は本発明に関する電流電圧特性の抵抗
成分設定を示す図である。
【０００９】図３において、検出電流値ＩF1とＩF2をＩ
F1《ＩF2となるように設定し、その時エミッタベース順
電圧ＶF(E-B)を求め（ＩF1の時のＶF(E-B)をＶF(E-B)1
としＩF2の時のＶF(E-B)をＶF(E-B)2 とする）、その差
｜ＶF(E-B)1 −ＶF(E-B)2 ｜をΔＶF(E-B)とする。すな
わち傾きが抵抗成分となる。これの変動を利用してボン
ディングワイヤのコンタクト不具合を検出する。
【００１０】図１は本発明に係る検出方法の第１の実施
例を示すフローチャートである。
【００１１】図１を参照するに、検出方法としては、ボ
ンディングワイヤのコンタクト不具合判定基準を、たと
えば、
【数１】（ΔＶF(E-B)の平均値）＋２．２×（標準偏差
値）＝［ΔＶF(E-B)] と設定し、［ΔＶF(E-B)] 以上のΔＶF(E-B)値を示す半
導体装置について、ボンディングワイヤのコンタクト不
具合品と判定する。
【００１２】表１は、数１の判定基準を適用した場合の
結果を示した表である。ボンディングワイヤのコンタク
ト不具合品は、すべて、数１の判定基準により検出され
ていることがわかる。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【００１５】図２は本発明に係る検出方法の第２の実施
例を示すフローチヤートである。
【００１６】図２を参照するに、検査条件として、外囲
器の温度を高温にして測定を実施した場合である。
【００１７】図４は外囲器の温度を常温（Ｔｃ＝２５
℃）の場合と高温（Ｔｃ＝１００℃）の場合で比較した
検出電流差ΔＶF(E-B)を示す図である。高温にすること
によりボンディングワイヤのコンタクト良品もボンディ
ングワイヤのコンタクト不具合品ともΔＶF(E-B)値は高
くなるが、高くなる割合がボンディングワイヤのコンタ
クト不具合品の方が大きいことがわかる。よって高温に
することにより、常温の場合よりも検出感度が向上する
という効果が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電流電圧特性の抵抗成分すなわちΔＶF(E-B)のモニタを
利用しているので、半導体チップとボンディングワイヤ
が樹脂によってコーティングされていても、ボンディン
グワイヤのルーズコンタクトを検出することが可能とな
る。
【００１９】また、本発明によれば、立上がり電圧、抵
抗分のうち、立ち上がり電圧のばらつきを消去すること
ができ、検出感度が向上する。
【００２０】さらにまた、本発明によれば、検出電流Ｉ
F の設定について２ポイント設定していること、しかも
その２ポイントの設定においてＩF1《ＩF2と設定してい
ることより、ルーズコンタクトである場合には、検出電
流値ＩF1とＩF2の両方が変化してないということはあり
えないので、ルーズコンタクトであるのに検出できない
という事はない。また本発明では、規格を数値であらわ
すことができ、自動測定が可能であるので、時間がかか
らず容易に判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る検出方法の第１の実施例を示すフ
ローチャートである。
【図２】本発明に係る検出方法の第２の実施例を示すフ
ローチャートである。
【図３】本発明に関する電流電圧特性の抵抗成分設定を
示す図である。
【図４】外囲器の温度を常温（Ｔｃ＝２５℃）の場合と
高温（Ｔｃ＝１００℃）の場合で比較した検出電流差Δ
ＶF(E-B)を示す図である。
【図５】従来の検出方法を示すフローチャートである。
【図６】従来の別の検出方法を示すフローチャートであ
る。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップ上の電極部と該半導体チッ
    プを取りかこむ外囲器より外部へ引き出されたリード部
    とが金属ワイヤにより接続された半導体装置において、
    該半導体チップ上の電極部と該金属ワイヤの接触不具合
    及び該リード部と該金属ワイヤの接触不具合を、温度変
    化をさせることなく電流電圧特性の２ポイントにおける
    測定値を用いた抵抗成分の変動を利用し、第１の検出電
    流値ＩＦ１と第２の検出電流値ＩＦ２とをＩＦ１＜＜Ｉ
    Ｆ２の関係に設定し、そのときの各検出電流値における
    順電圧の差を求めて検出することを特徴とする半導体装
    置の検査方法。
  2. 【請求項２】 前記半導体装置をトランジスタ半導体装
    置として２ポイントの検出電流値を設定し、そのときの
    各エミッタベース順電圧の差をとって判定基準とするこ
    とを更に特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査
    方法。
  3. 【請求項３】 前記検査の検査条件として、前記外囲器
    を高温にして測定を実施することを更に特徴とする請求
    項２に記載の半導体装置の検査方法。
JP2018491A 1991-02-13 1991-02-13 半導体装置の検査方法 Expired - Lifetime JP2861423B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018491A JP2861423B2 (ja) 1991-02-13 1991-02-13 半導体装置の検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018491A JP2861423B2 (ja) 1991-02-13 1991-02-13 半導体装置の検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0541435A JPH0541435A (ja) 1993-02-19
JP2861423B2 true JP2861423B2 (ja) 1999-02-24

Family

ID=12020092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018491A Expired - Lifetime JP2861423B2 (ja) 1991-02-13 1991-02-13 半導体装置の検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2861423B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114113961A (zh) * 2021-11-05 2022-03-01 珠海市大鹏电子科技有限公司 一种光电耦合器的筛选方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5366177A (en) * 1976-11-25 1978-06-13 Mitsubishi Electric Corp Current supply temperature change testing apparatus
JPS5839021A (ja) * 1981-08-31 1983-03-07 Nec Home Electronics Ltd 半導体装置の検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0541435A (ja) 1993-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6538462B1 (en) Method for measuring stress induced leakage current and gate dielectric integrity using corona discharge
US5804975A (en) Detecting breakdown in dielectric layers
CN100353515C (zh) 晶片金属互连线可靠性在线测试方法
JP2861423B2 (ja) 半導体装置の検査方法
Roussel et al. Accurate and robust noise-based trigger algorithm for soft breakdown detection in ultra thin oxides
WO2006036494A2 (en) Method and apparatus for determining concentration of defects and/or impurities in a semiconductor wafer
JP2006013532A (ja) 半導体ウエハの誘電層のソフトブレークダウンを検出する装置及び方法
JPS649731B2 (ja)
JP2002156402A (ja) 半導体素子の特性検査方法及び装置
JP2584093B2 (ja) 絶縁膜の信頼性評価方法
JP3019564B2 (ja) 絶縁膜の評価方法
JPH09251059A (ja) 自己診断機能を有する半導体集積回路装置
JPH0129062B2 (ja)
JPH05343492A (ja) 導電性パターンの検査モニター方法
RU2117956C1 (ru) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗГИБА ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА ψs В МДП-СТРУКТУРЕ
JPS58123472A (ja) 半導体特性測定装置
JPS6266174A (ja) ダイオ−ドの逆方向特性検査方法
SU368670A1 (ru) Способ оценки эмиссионной активности катода в прямонакальных электронных лампах
JPH09162254A (ja) 金属配線の信頼性試験方法及び試験回路
JPS63195580A (ja) 半導体素子の試験方法
JPH08278292A (ja) シリコンウェーハの検査方法
JPS61155873A (ja) 半導体素子の測定装置
JPS61132882A (ja) 絶縁破壊耐量評価方法とその装置
JPH0643194A (ja) エレクトロマイグレ−ション検出方法
JPH06249912A (ja) Ｍｉｓ型半導体装置の良否判別法