JP2860262B2 - 施釉磁器の焼成方法 - Google Patents
施釉磁器の焼成方法Info
- Publication number
- JP2860262B2 JP2860262B2 JP7069334A JP6933495A JP2860262B2 JP 2860262 B2 JP2860262 B2 JP 2860262B2 JP 7069334 A JP7069334 A JP 7069334A JP 6933495 A JP6933495 A JP 6933495A JP 2860262 B2 JP2860262 B2 JP 2860262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- glaze
- firing
- porcelain
- melting start
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、懸垂碍子のような施釉
磁器の焼成方法に関するものである。
磁器の焼成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在普通に使用されている碍子用磁器の
表面に磁器用の釉薬が施釉された施釉磁器を酸化炎下で
焼成する場合、1000℃以上の温度領域における昇温速度
を30℃/hr 以下とした場合には、まず磁器素地の焼結が
進行して緻密化し、その後さらに高温において釉薬が溶
融するので、表面に滑らかな釉薬層を持つ施釉磁器を得
ることができる。
表面に磁器用の釉薬が施釉された施釉磁器を酸化炎下で
焼成する場合、1000℃以上の温度領域における昇温速度
を30℃/hr 以下とした場合には、まず磁器素地の焼結が
進行して緻密化し、その後さらに高温において釉薬が溶
融するので、表面に滑らかな釉薬層を持つ施釉磁器を得
ることができる。
【０００３】ところが1000℃以上の温度領域における昇
温速度を30℃/hr よりも大きくすると、まず釉薬の溶融
が開始した後に磁器素地の焼結が始まる。その結果、磁
器素地の焼結に伴って生ずるガスが溶融した釉薬層の内
部に滞留し、釉薬層が発泡状態となって碍子の電気的特
性や機械的特性に悪影響を及ぼす。このため、従来は10
00℃までは例えば400 ℃/hr という大きい昇温速度で昇
温することができるものの、1000℃以上の温度領域では
30℃/hr 以下のゆるやかな昇温速度で昇温する必要があ
り、焼成完了までに長時間を要するという問題があっ
た。
温速度を30℃/hr よりも大きくすると、まず釉薬の溶融
が開始した後に磁器素地の焼結が始まる。その結果、磁
器素地の焼結に伴って生ずるガスが溶融した釉薬層の内
部に滞留し、釉薬層が発泡状態となって碍子の電気的特
性や機械的特性に悪影響を及ぼす。このため、従来は10
00℃までは例えば400 ℃/hr という大きい昇温速度で昇
温することができるものの、1000℃以上の温度領域では
30℃/hr 以下のゆるやかな昇温速度で昇温する必要があ
り、焼成完了までに長時間を要するという問題があっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
の問題点を解決し、釉薬を発泡させることなく従来より
も短時間で焼成を完了させることができる施釉磁器の焼
成方法を提供するためになされたものである。
の問題点を解決し、釉薬を発泡させることなく従来より
も短時間で焼成を完了させることができる施釉磁器の焼
成方法を提供するためになされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明は、施釉磁器を酸化炎下で急速焼成
する際に、炉内温度が釉薬の溶融開始温度〜釉薬の溶融
開始温度−50℃の温度領域に達したとき、一時的に昇温
を停止するか昇温速度を極度に低下させて磁器素地を焼
結させ、その後更に急速に昇温して釉薬を溶融させるこ
とを特徴とするものである。
めになされた本発明は、施釉磁器を酸化炎下で急速焼成
する際に、炉内温度が釉薬の溶融開始温度〜釉薬の溶融
開始温度−50℃の温度領域に達したとき、一時的に昇温
を停止するか昇温速度を極度に低下させて磁器素地を焼
結させ、その後更に急速に昇温して釉薬を溶融させるこ
とを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、炉内温度が釉薬の溶融開始温
度〜釉薬の溶融開始温度−50℃の温度領域に達したとき
に一時的に昇温を停止するか昇温速度を極度に低下させ
て磁器素地の焼結を先行させ、その後に急速に昇温して
釉薬を溶融させるため、焼結が完了した緻密な磁器表面
に釉薬層を形成することができる。従って釉薬の発泡に
よる製品特性の悪化を防止することができる。また、上
記の温度域を除いては昇温速度を大きく取ることができ
るので、全体の焼成時間を短縮することができる。
度〜釉薬の溶融開始温度−50℃の温度領域に達したとき
に一時的に昇温を停止するか昇温速度を極度に低下させ
て磁器素地の焼結を先行させ、その後に急速に昇温して
釉薬を溶融させるため、焼結が完了した緻密な磁器表面
に釉薬層を形成することができる。従って釉薬の発泡に
よる製品特性の悪化を防止することができる。また、上
記の温度域を除いては昇温速度を大きく取ることができ
るので、全体の焼成時間を短縮することができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明を実施例によって更に詳細に説
明する。図１は本発明の第１の実施例の焼成ヒートカー
ブを示すもので、この例では釉薬の溶融開始温度は1200
℃であり、最高焼成温度は1250℃である。まず、室温か
ら1000℃までは400 ℃/hr の大きい昇温速度で炉内温度
を上昇させ、この温度で１時間保持する。ここまでは従
来の焼成ヒートカーブと同様である。
明する。図１は本発明の第１の実施例の焼成ヒートカー
ブを示すもので、この例では釉薬の溶融開始温度は1200
℃であり、最高焼成温度は1250℃である。まず、室温か
ら1000℃までは400 ℃/hr の大きい昇温速度で炉内温度
を上昇させ、この温度で１時間保持する。ここまでは従
来の焼成ヒートカーブと同様である。
【０００８】しかし従来は1000℃から1250℃までを30℃
/hr 以下の小さい昇温速度で昇温していたのに対して、
本実施例では釉薬の溶融開始温度よりも20℃低い1180℃
まで、300 ℃/hr という従来の10倍以上の昇温速度で昇
温し、1180℃に達したらその温度で昇温を停止し１時間
保持する。すると釉薬の溶融が開始しないままで磁器素
地の焼結が進行し、緻密な表面が形成される。なお、こ
の段階で製品を炉外へ取り出して観察すると、磁器表面
の開気孔率及び吸水率が０％であることが確認できる。
/hr 以下の小さい昇温速度で昇温していたのに対して、
本実施例では釉薬の溶融開始温度よりも20℃低い1180℃
まで、300 ℃/hr という従来の10倍以上の昇温速度で昇
温し、1180℃に達したらその温度で昇温を停止し１時間
保持する。すると釉薬の溶融が開始しないままで磁器素
地の焼結が進行し、緻密な表面が形成される。なお、こ
の段階で製品を炉外へ取り出して観察すると、磁器表面
の開気孔率及び吸水率が０％であることが確認できる。
【０００９】このようにして磁器素地の焼結を進行させ
た後、再び200 ℃/hr の昇温速度で最高焼成温度の1250
℃まで昇温し、１時間保持する。その結果、釉薬は溶融
して磁器表面に釉薬層を形成するが、磁器表面の焼結は
前段階において完了しているために釉薬層に気泡が生ず
ることはなく、そのまま冷却すれば表面に滑らかな釉薬
層を持つ施釉磁器を得ることができる。このようにし
て、従来よりもはるかに短時間で焼成を完了させること
ができる。
た後、再び200 ℃/hr の昇温速度で最高焼成温度の1250
℃まで昇温し、１時間保持する。その結果、釉薬は溶融
して磁器表面に釉薬層を形成するが、磁器表面の焼結は
前段階において完了しているために釉薬層に気泡が生ず
ることはなく、そのまま冷却すれば表面に滑らかな釉薬
層を持つ施釉磁器を得ることができる。このようにし
て、従来よりもはるかに短時間で焼成を完了させること
ができる。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の焼成ヒート
カーブを示すもので、この例では釉薬の溶融開始温度よ
りも30℃低い1170℃まで300 ℃/hr で昇温させた後、急
速に昇温速度を落として30℃/hr とする。そして１時間
をかけて釉薬の溶融開始温度である1200℃まで昇温し、
この間に磁器素地の焼結を進行させる。このように、第
１の実施例では釉薬の溶融開始温度〜釉薬の溶融開始温
度−50℃の温度領域において昇温を停止して磁器素地の
焼結を進行させたのに対して、第２の実施例ではこの温
度領域において昇温速度を極度に低下させて磁器素地の
焼結を進行させる点が相違するが、その他の点は第１の
実施例と同様である。
カーブを示すもので、この例では釉薬の溶融開始温度よ
りも30℃低い1170℃まで300 ℃/hr で昇温させた後、急
速に昇温速度を落として30℃/hr とする。そして１時間
をかけて釉薬の溶融開始温度である1200℃まで昇温し、
この間に磁器素地の焼結を進行させる。このように、第
１の実施例では釉薬の溶融開始温度〜釉薬の溶融開始温
度−50℃の温度領域において昇温を停止して磁器素地の
焼結を進行させたのに対して、第２の実施例ではこの温
度領域において昇温速度を極度に低下させて磁器素地の
焼結を進行させる点が相違するが、その他の点は第１の
実施例と同様である。
【００１１】このように、本発明では釉薬の溶融開始温
度〜釉薬の溶融開始温度−50℃の温度領域において一時
的に昇温を停止するか昇温速度を極度に低下させて磁器
素地を焼結させるのであるが、その温度が釉薬の溶融開
始温度よりも50℃以上低温であると、好ましい結果が得
られない。以下にその理由を説明する。
度〜釉薬の溶融開始温度−50℃の温度領域において一時
的に昇温を停止するか昇温速度を極度に低下させて磁器
素地を焼結させるのであるが、その温度が釉薬の溶融開
始温度よりも50℃以上低温であると、好ましい結果が得
られない。以下にその理由を説明する。
【００１２】図３は第１の実施例の焼成ヒートカーブを
Ａとし、従来の焼成ヒートカーブをＣとして示したもの
である。従来の焼成ヒートカーブＣでは1000℃のａ点か
ら30℃/hr 以下の速度で1250℃まで昇温するため、焼成
時間は長くなる。これに対して第１の実施例の焼成ヒー
トカーブＡでは、ａ−ｇ−ｈという経路を辿るため、焼
成時間を短縮することができる。ここで四角形ａｇｈｂ
の面積や三角形ａｉｄの面積を熱面積と呼び、磁器素地
の焼結を進行させるためにはこの熱面積がある値を越え
ることが必要である。従って、最も経済的な焼成ヒート
カーブを選択すれば、四角形ａｇｈｂの面積＝三角形ａ
ｉｄの面積となる。
Ａとし、従来の焼成ヒートカーブをＣとして示したもの
である。従来の焼成ヒートカーブＣでは1000℃のａ点か
ら30℃/hr 以下の速度で1250℃まで昇温するため、焼成
時間は長くなる。これに対して第１の実施例の焼成ヒー
トカーブＡでは、ａ−ｇ−ｈという経路を辿るため、焼
成時間を短縮することができる。ここで四角形ａｇｈｂ
の面積や三角形ａｉｄの面積を熱面積と呼び、磁器素地
の焼結を進行させるためにはこの熱面積がある値を越え
ることが必要である。従って、最も経済的な焼成ヒート
カーブを選択すれば、四角形ａｇｈｂの面積＝三角形ａ
ｉｄの面積となる。
【００１３】そこで、一時的に昇温を停止させる温度を
釉薬の溶融開始温度よりも50℃以上低温とした焼成ヒー
トカーブＢの場合、その熱面積を四角形ａｇｈｂの面積
や三角形ａｉｄの面積と等しくするためには、四角形ａ
ｅｆｃとして示すように保持時間を長く取る必要があ
る。このために、あまり低温で昇温を停止させた場合に
は保持時間が長くなり、全体としての焼成時間を短縮す
る効果が失われることとなるのである。
釉薬の溶融開始温度よりも50℃以上低温とした焼成ヒー
トカーブＢの場合、その熱面積を四角形ａｇｈｂの面積
や三角形ａｉｄの面積と等しくするためには、四角形ａ
ｅｆｃとして示すように保持時間を長く取る必要があ
る。このために、あまり低温で昇温を停止させた場合に
は保持時間が長くなり、全体としての焼成時間を短縮す
る効果が失われることとなるのである。
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の施釉磁
器の焼成方法によれば、表面に滑らかな釉薬層を持つ施
釉磁器を従来よりもはるかに短い焼成時間で得ることが
できる。このため、本発明は懸垂碍子等を酸化炎下で急
速焼成するに適したものであり、焼成時間の短縮のみな
らず、焼成炉の短縮や省エネルギを図ることもできる大
きい利点がある。
器の焼成方法によれば、表面に滑らかな釉薬層を持つ施
釉磁器を従来よりもはるかに短い焼成時間で得ることが
できる。このため、本発明は懸垂碍子等を酸化炎下で急
速焼成するに適したものであり、焼成時間の短縮のみな
らず、焼成炉の短縮や省エネルギを図ることもできる大
きい利点がある。
【図１】本発明の第１の実施例の焼成ヒートカーブを示
すグラフである。
すグラフである。
【図２】本発明の第２の実施例の焼成ヒートカーブを示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】熱面積の概念を説明する各種の焼成ヒートカー
ブのグラフである。
ブのグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 施釉磁器を酸化炎下で急速焼成する際
に、炉内温度が釉薬の溶融開始温度〜釉薬の溶融開始温
度−50℃の温度領域に達したとき、一時的に昇温を停止
するか昇温速度を極度に低下させて磁器素地を焼結さ
せ、その後更に急速に昇温して釉薬を溶融させることを
特徴とする施釉磁器の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7069334A JP2860262B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 施釉磁器の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7069334A JP2860262B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 施釉磁器の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08259307A JPH08259307A (ja) | 1996-10-08 |
| JP2860262B2 true JP2860262B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=13399558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7069334A Expired - Fee Related JP2860262B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 施釉磁器の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860262B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101525249B (zh) * | 2009-03-04 | 2011-09-14 | 景德镇环球实业有限公司 | 一种中温青花瓷的制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114188107A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-03-15 | 醴陵市东方电瓷电器有限公司 | 一种具有彩色釉装饰的针式瓷绝缘子及其制备方法 |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP7069334A patent/JP2860262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101525249B (zh) * | 2009-03-04 | 2011-09-14 | 景德镇环球实业有限公司 | 一种中温青花瓷的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08259307A (ja) | 1996-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07165485A (ja) | 多結晶質セラミック物体から単結晶物体への固相転化法 | |
| AU3170297A (en) | Open-cell expanded ceramic with a high level of strength, and process for the production thereof | |
| JP2860262B2 (ja) | 施釉磁器の焼成方法 | |
| JPS6120336A (ja) | シリコン表面上に酸化物層を成長させる方法 | |
| JPS5913470B2 (ja) | 珪石レンガの製造方法 | |
| FI881590A0 (fi) | Foerfarande foer framstaellning av formar av poroes kiselnitrid foer pressgjutning. | |
| EP1417156A2 (en) | Method of preventing warpage of gel plates during sintering | |
| KR920009706A (ko) | Mn-Zn 페라이트의 제조방법 | |
| JP4056669B2 (ja) | 断熱材及びその製造方法 | |
| KR970001608A (ko) | 다결정 실리콘막 형성방법 | |
| US3088832A (en) | Alumina base ceramic | |
| JPS6217853B2 (ja) | ||
| JPH0785435B2 (ja) | 電気発熱体 | |
| JP2652425B2 (ja) | 圧電セラミツクスの製造方法 | |
| US3209435A (en) | Positive temperature coefficient bead thermistor | |
| JPH07155545A (ja) | 脱臭装置の製造方法 | |
| JPH0751473B2 (ja) | 単結晶製造用カーボンルツボ | |
| JP3331716B2 (ja) | 正特性半導体素子の製造方法 | |
| JP3152677B2 (ja) | 耐熱衝撃特性を有するルツボ | |
| US5756042A (en) | Process for producing non-oxidic ceramic having a defined thermal conductivity | |
| FR2348261A1 (fr) | Composition utilisable en acierie et son procede de preparation | |
| SU1162770A1 (ru) | Способ получени вакуумплотной алюмооксидной керамики "лидар | |
| JP2757031B2 (ja) | ムライト質焼結体の製造方法 | |
| JPH0121604B2 (ja) | ||
| JPS5988385A (ja) | セラミツク強化加工法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981120 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091204 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091204 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101204 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111204 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |