JP2850551B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

内燃機関の排気浄化装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、排気系にゼオライト系
NOx 還元触媒を備えた内燃機関の排気浄化装置に関
し、とくに、NOx の浄化とHCエミッションの低減と
を両立させた内燃機関の排気浄化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】燃費の向上、CO2 の低減を同時に達成
するために、希薄燃焼可能な内燃機関が一部実用化され
ている。三元触媒は空燃比がストイキ近傍での燃焼の排
気中のNOx 、HC、COを同時に浄化するのに有効で
あるが、希薄燃焼の酸素過剰雰囲気すなわち酸化雰囲気
中ではNOx をほとんど還元できない。特開平1−13
9145号公報は、空燃比リーンの燃焼の排気中のNO
x を効果的に還元して浄化できる触媒として、銅等の遷
移金属をイオン交換してゼオライトに担持せしめたCu
−ゼオライト触媒を開示しており、またその下流に三元
触媒を配置することを開示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Cu−ゼオラ
イト触媒は、約600°C以上にするとCuが溶出する
ので、耐熱温度が低く、約800°C以上にもなる排気
系上流部に配置すると熱劣化が激しくなって耐久性が悪
化する。Cu−ゼオライト触媒を排気系の下流部に配置
すると、さらにそれより下流の三元触媒が活性温度に達
せず、HC(炭化水素)エミッションが増大してしま
う。また、三元触媒とCu−ゼオライト触媒の配設順序
を逆にして、三元触媒を排気系上流部に、Cu−ゼオラ
イト触媒を排気系下流部に配設すると、三元触媒がHC
をH2 OとCO2 に酸化してしまうために、Cu−ゼオ
ライト触媒がNOx還元反応上必要とするHCがCu−
ゼオライト触媒に流入しなくなるという問題が生じる。
すなわち、従来技術においては、Cu−ゼオライト触媒
の熱的耐久性の向上とHCエミッションの低減とが両立
し得なかった。
【0004】本発明は、排気系にゼオライト系NOx 還
元触媒と三元触媒とを備えた内燃機関の排気浄化装置に
おいて、ゼオライト系NOx 還元触媒の熱的耐久性の向
上と三元触媒によるHCエミッションの低減とを両立さ
せることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、次の手段を
備えた、本発明に係る内燃機関の排気浄化装置によって
達成される。希薄燃焼可能な内燃機関、前記内燃機関の
排気系に設けられた三元触媒、前記三元触媒より下流側
の内燃機関の排気系に設けられ、遷移金属あるいは貴金
属を担持せしめたゼオライトからなり、酸化雰囲気中、
HC存在下で、NOxを還元する触媒(以下、リーンN
Ox 触媒という)前記三元触媒より上流の排気系部分
を前記三元触媒をバイパスして前記三元触媒より下流で
かつ前記リーンNOx 触媒より上流の排気系部分に接続
するバイパス通路、および 排気を前記バイパス通路に導
くかまたは前記三元触媒に導くかを制御する制御弁。
【0006】
【作用】三元触媒の下流にリーンNOx 触媒を配置する
という配設順序にしたので、三元触媒を排気系の高温部
で暖機性の良い部分に配設でき、かつリーンNOx 触媒
を排気系の低温部に配設できる。したがって、三元触媒
によりHCエミッションが低減され、リーンNOx 触媒
の触媒床温がその耐熱温度(約600°C)以下に保た
れて耐久性が向上する。また、バイパス通路を介して三
元触媒上流の未燃HCを含んだ排気ガスがリーンNOx
触媒に供給されるので、リーンNOx 触媒のNOx 還元
作用が低下することもない
【0007】
【実施例】本発明の実施例を3例説明する。実施例
排気バイパス量が制御弁により可変とされる場合で、図
−図に示してある。実施例は排気バイパス量が制
御されるもう一つの例で、図および図に示してあ
る。実施例は排気バイパス量がON−OFF制御され
る場合で、図および図に示してある。
【0008】まず、全ての実施例に共通な構成を、たと
えば図1−図4を参照して説明する。図1において、2
は希薄燃焼可能な内燃機関で、その排気系4の上流側部
分の高温(約600°C以上)となる部分に三元触媒6
が配置されており、その下流の低温(約600°C以
下、ただし300°C以上)となる部分にリーンNOx
触媒8が設けられている。約600°C以上となる部分
に三元触媒6を配置するのは、三元触媒6が活性化して
CO、HCを浄化し空燃比がストイキ近傍の時にはNO
x も浄化できるようにするためである。また、リーンN
Ox 触媒8を600°Cから300°Cの範囲の近傍に
設けるのは、600°C以上ではリーンNOx 触媒8の
熱劣化が激しくなること、およびリーンNOx 触媒8の
NOx 浄化率が300°C−550°Cの温度範囲にお
いてピークとなるからである。また、三元触媒6、その
下流にリーンNOx 触媒8の配置順序としたのは、三元
触媒6を高温部分に、リーンNOx 触媒8を低温部分に
配設できるようにするためである。
【0009】上流の三元触媒6をスタート触媒として用
いる場合、すなわち触媒の暖機性をよくするために小型
の触媒とする場合には、定常走行時のHCエミッション
低減能力をさらに増加するために、リーンNOx 触媒8
の下流に、さらに三元触媒10(図に図示してある)
または酸化触媒を設けてもよい。ただし、下流に設ける
三元触媒10は低温でも良好なHC、CO低減能力のあ
るもの、すなわち低温型のものを用いることが必要であ
る。
【0010】排気系4に対して、三元触媒6をバイパス
するバイパス通路12が設けられる。このバイパス通路
12は、三元触媒6より上流の排気系部分を、三元触媒
6をバイパスして、三元触媒6より下流でかつリーンN
Ox 触媒8より上流側の排気系部分に接続する。リーン
NOx 触媒8におけるNOx 還元メカニズムは、排気中
のHCが一部、部分酸化することによって生成された活
性種とNOx との反応であると推定される。したがっ
て、NOx の浄化にはHCが必要であり、排気中のHC
量が多い程NOx 浄化率は高くなる。三元触媒6をリー
ンNOx 触媒8より上流側に設けると、三元触媒6は空
燃比リーン域においてもHCをH2 OとCO2 に酸化し
てしまうので、リーンNOx 触媒8に流入する排気中の
HCが極めて少なくなり、リーンNOx 触媒8において
必要とされるHCが不足する。NOx の主成分はNO
で、NOの還元にはNOとほぼ同量のHCが必要である
が、三元触媒6による酸化によって、リーンNOx 触媒
8に流入するHCが不足する。バイパス通路12を設け
る理由は、三元触媒6より上流の、未燃HCをまだ多量
に含んでいる排気を、そのままリーンNOx 触媒8に導
いて、HC不足を解消するためである。
【0011】内燃機関2の運転を制御するために種種の
センサ、制御弁が設けられ、制御弁は電子制御装置(E
CU)14によって制御される。センサ類としては、吸
入空気量Qを検出するエアフローメータ16、スロット
ル弁の開度を検出するスロットル開度センサ18、吸気
圧力を検出する吸気圧力センサ20、気筒の燃焼圧を検
出する燃焼圧センサ22、シリンダブロックやシリンダ
ヘッドを流れるエンジン冷却水の温度THWを検出する
水温センサ24、クランク角を検出するクランク角セン
サ26、基準クランク角を検出する基準クランク角セン
サ28、排気中のNOx 濃度を検出するNOx センサ3
0、排気中のHC濃度を検出するHCセンサ32、排気
温を検出する排気温センサ34等がある。そして、これ
らのセンサ出力はECU14に入力される。ECU14
の出力に従って、EGR弁36の開度は制御される。E
GR(排気再循環)量が多くなると、NOx は減少し、
燃焼も悪くなって未燃HCが増えるため三元触媒上流で
の排気中のHCが増える。
【0012】ECU14は、マイクロコンピュータから
なり、インプットインターフェイス、アウトプットイン
ターフェイス、アナログ信号をディジタル信号に変換し
てインプットインターフェイスに入力するアナログ/デ
ィジタル変換器、読出し専用記憶部のリードオンリメモ
リ(ROM)、一時記憶用のランダムアクセスメモリ
(RAM)、演算を実行するセントラルプロセッサユニ
ット(CPU)を有する。センサの出力は、ディジタル
信号の場合はインプットインターフェイスに、アナログ
信号の場合はアナログ/ディジタル変換器を介してイン
プットインターフェイスに入力され、アウトプットイン
ターフェイスからのECU出力は、各種の弁のアクチュ
エータに出力される。
【0013】作用はつぎの通りである。排気系4の下流
側にリーンNOx 触媒8を配置できるので、リーンNO
x 触媒8の床温をリーンNOx 触媒8の耐熱温度以下に
できる。また、三元触媒6を上流側に配置するので、三
元触媒6の床温を高温に維持でき、三元触媒6のHC、
CO、NOx の浄化率も向上する。さらに、バイパス通
路12によって未燃HCを含んだ排気ガスをリーンNO
x 触媒8に供給できるので、リーンNOx 触媒8のNO
x 還元作用が低下することもない。この結果、リーンN
Ox 触媒8の耐久性とHCのエミッション低減とが両立
する。
【0014】つぎに、各実施例に特有な構成とその作用
を説明する。実施例では、図に示すように、バイパ
ス通路12に開度可変の制御弁40が設けられている。
制御弁40はECU14の出力に従って制御される。E
CU14のROMは、図−図のルーチン、マップを
格納しており、CPUはこれらを読出して演算を実行
し、制御弁40の開閉を制御する。
【0015】図のルーチンは、一定時間毎、たとえば
50ミリsec毎に割込まれる。ステップ102で、エ
ンジン冷却水温THW(水温センサ24の出力)が40
°C以下か否かによって、機関が暖機中か否かを判定す
る。暖機中なら空燃比はリッチでかつリーンNOx 触媒
8の触媒床温度も活性化温度以下であり、かつ排気中の
NOx 量も少ない状態にあるから、リーンNOx 触媒8
にNOx 還元作用をさせる必要がない状態である。した
がって、ステップ108に進んで、制御弁40の開度V
Aを0とする処理を実行してリターンする。この時は排
気の全量が三元触媒6側に流れ、三元触媒6が速やかに
暖機、活性化されて、空燃比がストイキ近傍で、NOx
、HC、COが効果的に浄化される。
【0016】ステップ102で暖機中でないと判定され
ると、ステップ104に進み、機関負荷Q/N(エアフ
ローメータ16の出力Qとクランク角センサ26からの
エンジン回転数Nから演算される)と、機関回転速度N
E(クランク角センサ26からのエンジン回転数Nから
演算される)に基づいて、図のQ/N対NEマップか
ら制御弁開度VAを読出す。次いでステップ106に進
んで、VAを出力し、制御弁開度をVAにする処理を実
行し、次いでリターンする。
【0017】図はQ/N対NE座標上で与えられた設
定空燃比マップを示している。図と図から、制御弁
開度VAは次のように設定されている。高負荷時は空燃
比はストイキよりリッチとしてあり、このときは排気は
酸化雰囲気中ではないからリーンNOx 触媒8は働かな
いので、排気をバイパスさせてHCを供給しても意味が
ないので、制御弁開度VAを全閉とし、排気の全量を三
元触媒6に流すようにする。低負荷低速回転時は、設定
空燃比がストイキよりリーン域内のリッチ側にあり、N
Ox が多量に排出される領域であるから、最もHCが不
足する領域のため、制御弁開度VAを全閉として、排気
の全量をバイパス通路12側に流して、多量のHCをリ
ーンNOx 触媒8に供給する。低負荷かつ中、高速回転
時は、設定空燃比ガリーンでリーンNOx 触媒8が働く
領域であり、排出NOx 量が余り多くない領域のため、
制御弁開度VAを半開とする。この時は、排気の半分が
三元触媒6に通されてCO、HCが低減され、残りの半
分がバイパス通路12を流れて適量のHCをリーンNO
x 触媒8に供給するために、NOx 浄化率も向上する。
かくの如くにして、最適なHCエミッションの低減と最
適なNOx 浄化とが行われ、両者は両立する。
【0018】実施例では、図に示すように、リーン
NOx 触媒8の下流に、低温型三元触媒10が設けられ
ている。上流側の三元触媒6はエンジン始動時に早急に
働くスタート触媒とされ、熱容量を小にするために小型
とされ、必要に応じて(暖機用)ヒータを具備する。バ
イパス通路12には、必要に応じて、バイパス通路12
をリーンNOx 触媒8の下流でかつ低温型三元触媒10
の上流に接続する分岐バイパス通路42が設けられる。
分岐バイパス通路42は、リーンNOx 触媒8の入りガ
ス温度がリーンNOx 触媒8の許容温度(約600°
C)以上になる場合に、リーンNOx 触媒8をバイパス
して排気を流す通路である。バイパス通路12と分岐バ
イパス通路42との分岐部には、バイパスバルブ44が
設けられ、排気の流れを切替えることができるようにな
っている。バイパスバルブ44はECU14の指令によ
って作動する。
【0019】上流側三元触媒6をバイパスするバイパス
通路12には、熱交換器46が設けられ、バイパス通路
12を通ってリーンNOx 触媒46に流入する排気温を
制御する。熱交換器46によって回収された熱エネルギ
は、車両の冷暖房、電気エネルギとして利用することも
可能である。
【0020】実施例において、制御弁40の開閉は、
のルーチンにしたがって行われる。図のルーチン
はECU14のROMに記憶されており、CPUに読出
されて演算が実行される。図のルーチンは一定時間毎
に、たとえば50ミリsec毎に割込まれる。ステップ
202で水温センサ24の出力THWを読込み、ステッ
プ204で暖機後か否か、すなわちTHWが40°C以
上か否かを判定する。
【0021】暖機後であれば、三元触媒6は既に活性化
されていて、リーンNOx 触媒8によるNOx 浄化が必
要となる場合があるので、制御弁40の開度を最適に制
御するために、ステップ206へ進む。ステップ206
で、HCセンサ32の出力VHCとNOx センサ30の
出力VNOx を読込む。次いでステップ208に進み、
HC/NOx を演算し、ステップ210で、制御弁40
の目標開度f(HC/NOx )を求める。NOx は通常
NOの型で存在し、NOを浄化するのにNOとほぼ同量
のHCが必要とされる。したがって、ステップ208で
HC/NOx が1より小だと目標開度fは大の値をと
り、HC/NOx が1より大だと目標開度fは小の値を
とる。ステップ210で目標開度fが定まると、ステッ
プ214に進んで、制御弁40の開度を、目標開度fに
する処理を実行し、次いでリターンする。
【0022】ステップ204でTHWが40°Cより小
で、暖機中と判定されると、ステップ212に進んで、
制御弁40の目標開度を0とおいて、ステップ214に
進んで制御弁40を全閉とし、排気を全量三元触媒6に
流す。暖機中は空燃比リッチのためリーンNOx 触媒8
のNOx 還元能力はなく、この状態でリーンNOx 触媒
8にHCを供給しても意味がない。また、暖機中は空燃
比リッチのため排気中のHCも多く、HCエミッション
低減のため三元触媒6に排気を流す必要がある。また、
三元触媒6を早期に暖機するためにも、排気を全量三元
触媒6に流す方がよい。かくして、暖機時のHCエミッ
ション低減と、暖機後のリーンNOx 触媒8によるNO
x 浄化率の向上とが達成され、両者が両立する。
【0023】実施例では、図に示すように、バイパ
スがON−OFFされる。図のシステムは実施例
そのまま適用される。図のルーチンには、一定時間毎
に、たとえば50ミリsec毎に割込まれる。ステップ
302で暖機後か否か、すなわちエンジン冷却水温TH
Wが40°C以上か否かが判定される。暖機後であれ
ば、実施例で説明したと同様に、ステップ306でH
C濃度VHC、NOx 濃度VNOx を読込み、ステップ
308でHC/NOx を演算し、ステップ310でHC
/NOがα(ただし、αは1に近いが1より若干大きな
値)か否かを判定する。HC/NOがαより小だと、H
Cが不足するとみなして、ステップ312で制御弁40
を全開(VA=100%)としてバイパスONにし、排
気の全量をバイパス通路12に流して多量のHCをリー
ンNOx 触媒8に供給する。ステップ304で暖機中の
場合、およびステップ310でHC/NOがα以上の場
合はHCを供給しても意味がないかまたはHCが足りた
状態とみなして、ステップ314に進み、制御弁40を
全閉(VA=0%)としてバイパスOFFにし、排気の
全量を三元触媒6に流してHCエミッションを低減させ
る。図にαと制御弁40の開度VAとの関係を示す。
実施例のようにしても、HCエミッションの低減とリ
ーンNOx 触媒8のNOx 浄化率の向上との両立がはか
られる。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、三元触媒6の下流にリ
ーンNOx 触媒8を配置し、かつ三元触媒6をバイパス
するバイパス通路12を設け、排気をバイパス通路に導
くかまたは三元触媒に導くかを制御する制御弁を設け
ので、三元触媒6を排気系高温部に配置できて三元触媒
6によるHCエミッションの低減をはかることができる
とともに、リーンNOx 触媒8を排気系低温部に配置で
きてリーンNOx 触媒8の熱劣化を防止でき、両者を両
立させることができる。しかも、バイパス通路12を設
けてあるので、リーンNOx 触媒8のNOx 還元反応に
必要なHCを、三元触媒6によるHC浄化を経ないで、
リーンNOx 触媒8に供給でき、リーンNOx 触媒8の
NOx 浄化率を、三元触媒6より下流の配置に拘らず、
高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る内燃機関の排気浄化装
置の系統図である。
【図2】本発明の実施例における制御弁開閉制御ルー
チンのフローチャートである。
【図3】機関負荷Q/N対機関回転速度NE座標上の運
転領域と設定空燃比との関係を示すマップである。
【図4】Q/N対NE座標上の運転領域と制御弁の開閉
度との関係を示すマップである。
【図5】本発明の実施例に係る内燃機関の排気浄化装
置の系統図である。
【図6】本発明の実施例における制御弁開閉制御ルー
チンのフローチャートである。
【図7】本発明の実施例における制御弁開閉制御ルー
チンのフローチャートである。
【図8】本発明の実施例におけるHC/NO(=α)
に対する制御弁開度VAの特性図である。
【符号の説明】
2 内燃機関 4 排気系 6 三元触媒 8 リーンNOx 触媒 12 バイパス通路 14 ECU 40 制御弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−124909(JP,A) 特開 平4−224223(JP,A) 特開 平4−175416(JP,A) 実開 平4−34425(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) F01N 3/20 - 3/28

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 希薄燃焼可能な内燃機関と、 前記内燃機関の排気系に設けられた三元触媒と、 前記三元触媒より下流側の内燃機関排気系に設けられ、
    遷移金属あるいは貴金属を担持せしめたゼオライトから
    なり、酸化雰囲気中、HC存在下で、NOx を還元する
    リーンNOx 触媒と、 前記三元触媒より上流の排気系部分を前記三元触媒をバ
    イパスして前記三元触媒より下流でかつ前記リーンNO
    x 触媒より上流の排気系部分に接続するバイパス通路
    と、排気を前記バイパス通路に導くかまたは前記三元触媒に
    導くかを制御する制御弁と、 を備えたことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
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