JP2847027B2 - 半導体集積回路の形成方法 - Google Patents
半導体集積回路の形成方法Info
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- JP2847027B2 JP2847027B2 JP5341168A JP34116893A JP2847027B2 JP 2847027 B2 JP2847027 B2 JP 2847027B2 JP 5341168 A JP5341168 A JP 5341168A JP 34116893 A JP34116893 A JP 34116893A JP 2847027 B2 JP2847027 B2 JP 2847027B2
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- treating
- haze
- isopropyl alcohol
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の形成方法に関
し、特に、このような製造プロセスにおいて、時間依存
性のヘイズ（haze）の汚染を制御する方法に関する。
し、特に、このような製造プロセスにおいて、時間依存
性のヘイズ（haze）の汚染を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】鏡面研磨されたシリコンウェーハの表面
上のヘイズは、その表面上にＳｉＯ2を形成する。Ｈ+、
またはＯＨ-のイオンが水分による洗浄ステップの間に
ウェーハのバクル内に拡散する。これについては、T.Sh
iraiwa 他の ASTM960,pp.313-323（１９６８）を参照の
こと。この拡散した種は、長い時間かけてゆっくりと
（保管中）抽出して、ＳｉＯ2の粒子を形成する環境下
で、Ｏ2、またはＨ2Ｏと反応する。このＳｉＯ2の粒子
は光を散乱し、ヘイズを発生させる。従って、この表面
を集積回路の形成に寄与する残りのプロセスの前に、鏡
面状態に再度研磨する必要がある。
上のヘイズは、その表面上にＳｉＯ2を形成する。Ｈ+、
またはＯＨ-のイオンが水分による洗浄ステップの間に
ウェーハのバクル内に拡散する。これについては、T.Sh
iraiwa 他の ASTM960,pp.313-323（１９６８）を参照の
こと。この拡散した種は、長い時間かけてゆっくりと
（保管中）抽出して、ＳｉＯ2の粒子を形成する環境下
で、Ｏ2、またはＨ2Ｏと反応する。このＳｉＯ2の粒子
は光を散乱し、ヘイズを発生させる。従って、この表面
を集積回路の形成に寄与する残りのプロセスの前に、鏡
面状態に再度研磨する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、シリコンウェーハ上のヘイズの汚染を制御して、ウ
ェーハを再度研磨する必要を減少させることである。
は、シリコンウェーハ上のヘイズの汚染を制御して、ウ
ェーハを再度研磨する必要を減少させることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、シリコ
ンウェーハ上のヘイズの汚染の回避は、熱水とイソプロ
ピルアルコールからなるグループから選択された物質で
もってウェーハを処理し、その後、窒素あるいはアルゴ
ンのような不活性雰囲気中でウェーハを保管することに
より実現できる。
ンウェーハ上のヘイズの汚染の回避は、熱水とイソプロ
ピルアルコールからなるグループから選択された物質で
もってウェーハを処理し、その後、窒素あるいはアルゴ
ンのような不活性雰囲気中でウェーハを保管することに
より実現できる。
【０００５】
【実施例】半導体集積回路の製造工程において、シリコ
ンウェーハを標準のプロセスによって研磨して鏡面仕上
げし、その後、回路が、ウェーハの主表面上に形成され
る。これらのプロセスは、一般的にはウェーハの主表面
を研磨用スラリー（例、アルカリ媒体中の微細シリカ）
でもって研磨し、その後、この表面を酸（例、硫酸と過
酸化水素水の溶液）でもって、表面を化学的にウェット
洗浄する。
ンウェーハを標準のプロセスによって研磨して鏡面仕上
げし、その後、回路が、ウェーハの主表面上に形成され
る。これらのプロセスは、一般的にはウェーハの主表面
を研磨用スラリー（例、アルカリ媒体中の微細シリカ）
でもって研磨し、その後、この表面を酸（例、硫酸と過
酸化水素水の溶液）でもって、表面を化学的にウェット
洗浄する。
【０００６】この化学的洗浄ステップの直後では、ウェ
ーハは、粒子密度が少なく、すなわち、ヘイズの密度が
低い（０．１−０．３μｍ直径の粒子が約０．０１／ｃ
ｍ2の密度で存在する）。しかし、このウェーハは、市
販の容器内でクリーンルーム内に保存すると、即ち、高
圧のポリスチレン、あるいは、ポリプロピレン、ポリス
チレン製ボックス内に保持していると、その貯蔵寿命
は、比較的短い（約７日）。これらのウェーハは、時間
とともに微細な表面粒子、すなわち、ヘイズが付着す
る。この現象は、時間依存ヘイズ（time-dependent haz
e）と称する。
ーハは、粒子密度が少なく、すなわち、ヘイズの密度が
低い（０．１−０．３μｍ直径の粒子が約０．０１／ｃ
ｍ2の密度で存在する）。しかし、このウェーハは、市
販の容器内でクリーンルーム内に保存すると、即ち、高
圧のポリスチレン、あるいは、ポリプロピレン、ポリス
チレン製ボックス内に保持していると、その貯蔵寿命
は、比較的短い（約７日）。これらのウェーハは、時間
とともに微細な表面粒子、すなわち、ヘイズが付着す
る。この現象は、時間依存ヘイズ（time-dependent haz
e）と称する。
【０００７】この時間依存ヘイズの発生原因の理論的説
明は以下の通りである。上記のように研磨し、洗浄して
いる間、水素（アトムおよび／または分子）は、ウェー
ハのバルク内に拡散し、ドーパントアトムと複合体を形
成する。このウェーハの保管中に、水素ガスが発生す
る。すなわち、トラップされた水素が、ドーパント水素
複合体が分解して、放出される。この放出された水素
が、雰囲気中の酸素および／または湿分と反応して、あ
る場合には、シリコンと空気との界面でシリカ生成物の
微粒団塊を形成すると考えられる。この生成物は、光を
散乱する小粒子中心として機能する。この初期の小粒子
は、ヘイズの成長に対し、核として機能すると考えられ
る。しかし、急速な熱アニールにより、粒子はウェーハ
の低温部分の方に移動することが実験で分かった。この
影響により、光を散乱する中心はウェーハには溶融せ
ず、その結果、シリカの成長とはならない。ヘイズは、
加熱により脱水し、分離するシリカ水和物から主になっ
ていると仮定した。
明は以下の通りである。上記のように研磨し、洗浄して
いる間、水素（アトムおよび／または分子）は、ウェー
ハのバルク内に拡散し、ドーパントアトムと複合体を形
成する。このウェーハの保管中に、水素ガスが発生す
る。すなわち、トラップされた水素が、ドーパント水素
複合体が分解して、放出される。この放出された水素
が、雰囲気中の酸素および／または湿分と反応して、あ
る場合には、シリコンと空気との界面でシリカ生成物の
微粒団塊を形成すると考えられる。この生成物は、光を
散乱する小粒子中心として機能する。この初期の小粒子
は、ヘイズの成長に対し、核として機能すると考えられ
る。しかし、急速な熱アニールにより、粒子はウェーハ
の低温部分の方に移動することが実験で分かった。この
影響により、光を散乱する中心はウェーハには溶融せ
ず、その結果、シリカの成長とはならない。ヘイズは、
加熱により脱水し、分離するシリカ水和物から主になっ
ていると仮定した。
【０００８】本発明の一側面によれば、研磨され、洗浄
されたシリコンウェーハの表面上のヘイズの汚染は、こ
の表面を熱水、あるいはイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）の蒸気（あるいは、それらを連続するステップで）
処理することにより、そしてその後に、この処理された
ウェーハを窒素、あるいはアルゴンのような不活性雰囲
気中で保存することにより阻止される。
されたシリコンウェーハの表面上のヘイズの汚染は、こ
の表面を熱水、あるいはイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）の蒸気（あるいは、それらを連続するステップで）
処理することにより、そしてその後に、この処理された
ウェーハを窒素、あるいはアルゴンのような不活性雰囲
気中で保存することにより阻止される。
【０００９】この水の温度は、ウェーハのバルクから水
素を取り除くに十分なほど高く、しかし、沸騰するほど
は高くない温度である。５０℃−８０℃の範囲が適当と
判断された。この露出時間は、５−１５分の間が良い。
例えば、７５℃で１０分間逆浸透でもって、熱水処理が
有効であった。
素を取り除くに十分なほど高く、しかし、沸騰するほど
は高くない温度である。５０℃−８０℃の範囲が適当と
判断された。この露出時間は、５−１５分の間が良い。
例えば、７５℃で１０分間逆浸透でもって、熱水処理が
有効であった。
【００１０】このイソプロピルアルコールの蒸気による
処理は、水素を吸収したウェーハをそのウェーハの表面
から取り除く。この処理は、ウェーハを加熱したイソプ
ロピルアルコールの浴内で発生した蒸気内にウェーハを
吊るすことによって行われる。このイソプロピルアルコ
ールの浴は、カリフォニア州 Anahein の Verteq から
市販されているイソドライ−２６のような機械である。
このイソプロピルアルコールはオハヨオ州 Columbus の
Ashland Chemicals 社から市販されている。
処理は、水素を吸収したウェーハをそのウェーハの表面
から取り除く。この処理は、ウェーハを加熱したイソプ
ロピルアルコールの浴内で発生した蒸気内にウェーハを
吊るすことによって行われる。このイソプロピルアルコ
ールの浴は、カリフォニア州 Anahein の Verteq から
市販されているイソドライ−２６のような機械である。
このイソプロピルアルコールはオハヨオ州 Columbus の
Ashland Chemicals 社から市販されている。
【００１１】ウェーハを保管する方法は、そのウェーハ
が湿気、あるいは空気から保護するように行われる必要
がある。すなわち、ウェーハは、無酸素環境で保存しな
ければならない。実験を行ったところ、ステンレス製の
容器内に２ＳＣＦ／時間で窒素（またはアルゴン）で充
填した容器内に保管するのが好ましいことが分かった。
このような容器を開けて、ウェーハを挿入すると、窒素
と酸素、あるいは水蒸気が混合してウェーハを汚染する
危険がある。それ故に、公知の室内環境とウェーハが保
管されている不活性ガス室との間にインタロック室を利
用するのが良い。
が湿気、あるいは空気から保護するように行われる必要
がある。すなわち、ウェーハは、無酸素環境で保存しな
ければならない。実験を行ったところ、ステンレス製の
容器内に２ＳＣＦ／時間で窒素（またはアルゴン）で充
填した容器内に保管するのが好ましいことが分かった。
このような容器を開けて、ウェーハを挿入すると、窒素
と酸素、あるいは水蒸気が混合してウェーハを汚染する
危険がある。それ故に、公知の室内環境とウェーハが保
管されている不活性ガス室との間にインタロック室を利
用するのが良い。
【００１２】実験例 以下の実験例は、シリコンウェーハを熱水とイソプロピ
ルアルコール処理でもって行い、その後、窒素雰囲気中
で保管することにより、ヘイズの汚染を極めて減少でき
ることが分かった。
ルアルコール処理でもって行い、その後、窒素雰囲気中
で保管することにより、ヘイズの汚染を極めて減少でき
ることが分かった。
【００１３】この実験で用いられたウェーハは市販され
ているものであり、その識別のために、レーザで記号が
付けられた。レーザで記号付けた後、ウェーハはレーザ
により剥ぎ取られた残留物を取り除くために、ＫＯＨ溶
液内で化学的にエッチングした。このＫＯＨによるエッ
チングの期間は極めて短いが（約１分）、シリコンのウ
ェーハの表面を荒くし、その後再研磨して鏡面状態に戻
す必要がある。
ているものであり、その識別のために、レーザで記号が
付けられた。レーザで記号付けた後、ウェーハはレーザ
により剥ぎ取られた残留物を取り除くために、ＫＯＨ溶
液内で化学的にエッチングした。このＫＯＨによるエッ
チングの期間は極めて短いが（約１分）、シリコンのウ
ェーハの表面を荒くし、その後再研磨して鏡面状態に戻
す必要がある。
【００１４】このウェーハの表面を再研磨し、その後、
洗浄することは標準のルーチンであり、すなわち、ａ）
比較的荒い（ストックを除去した）パッドの上にアルカ
リ媒体中に微細シリカ（約１００オングストロームの直
径）のコロイド状スラリーでもって研磨する。ｂ）非常
に柔軟性のあるバッファパッドに同一のスラリーでもっ
て、バッファ研磨する。バッファ研磨の終了後、このサ
イクルを Rodelene （polyol polysioxane hydroxyl co
mplex in ethylene glycol、Rodel 社のトリードマー
ク）の希釈溶液でもってコロイド状スラリーを置換する
ことによって完了する。ｃ）脱イオン水の中に希釈した
トリトン−Ｘ（Triton-X）溶液内で、Rodelene をすす
ぎ、ｄ）化学洗浄（硫酸と過酸化水素水の混合溶液で）
し、その後、スクラビング（scrubbing）した。このス
テップは有機フィルム、重金属および粒子を取り除くた
めに措置である。
洗浄することは標準のルーチンであり、すなわち、ａ）
比較的荒い（ストックを除去した）パッドの上にアルカ
リ媒体中に微細シリカ（約１００オングストロームの直
径）のコロイド状スラリーでもって研磨する。ｂ）非常
に柔軟性のあるバッファパッドに同一のスラリーでもっ
て、バッファ研磨する。バッファ研磨の終了後、このサ
イクルを Rodelene （polyol polysioxane hydroxyl co
mplex in ethylene glycol、Rodel 社のトリードマー
ク）の希釈溶液でもってコロイド状スラリーを置換する
ことによって完了する。ｃ）脱イオン水の中に希釈した
トリトン−Ｘ（Triton-X）溶液内で、Rodelene をすす
ぎ、ｄ）化学洗浄（硫酸と過酸化水素水の混合溶液で）
し、その後、スクラビング（scrubbing）した。このス
テップは有機フィルム、重金属および粒子を取り除くた
めに措置である。
【００１５】ヘイズは、Surfscan 6200 Unpatterned Wa
fer Surface Contaminant Detector（Tencor Instrumen
ts,Mountain View,CA）によって検知され、３個のグレ
ンで最大粒子径が１０μｍ2で、０．３μｍ2の検知しき
い値でもって検知された。ステンレス製のキャビネット
を約２ＳＣＦ／時で水素でもって、充填したものを用い
て、このウェーハを不活性雰囲気に保存した（比較のた
めに別のウェーハは不活性雰囲気中には保管していな
い）。
fer Surface Contaminant Detector（Tencor Instrumen
ts,Mountain View,CA）によって検知され、３個のグレ
ンで最大粒子径が１０μｍ2で、０．３μｍ2の検知しき
い値でもって検知された。ステンレス製のキャビネット
を約２ＳＣＦ／時で水素でもって、充填したものを用い
て、このウェーハを不活性雰囲気に保存した（比較のた
めに別のウェーハは不活性雰囲気中には保管していな
い）。
【００１６】熱水（７５℃）を標準のクリーンルームの
テフロン製シンク内にＳＣＰ Manufacturing 社（Boise
Idaho 州）から市販されているステンレス製の浸積コ
イルでもって生成した。この熱水とその後の研磨処理に
対し、ウェーハを熱逆浸透水の中に１０分間漬けて、室
温で逆浸透水中で洗浄し、その後、スピンドライした。
テフロン製シンク内にＳＣＰ Manufacturing 社（Boise
Idaho 州）から市販されているステンレス製の浸積コ
イルでもって生成した。この熱水とその後の研磨処理に
対し、ウェーハを熱逆浸透水の中に１０分間漬けて、室
温で逆浸透水中で洗浄し、その後、スピンドライした。
【００１７】このイソプロピルアルコールの蒸気とポス
ト研磨処理はIsodry-26装置内で行われた。このアプロ
ーチを用いて、いくつかの実験を行い、ヘイズの汚染を
阻止する本発明の有効性を確認した。ある実験では、３
５日間にわたって、ウェーハ上の平均ヘイズカウントを
測定し、最初の日のウェーハの上のヘイズカウントと３
５日目のヘイズカウントとを比較した。
ト研磨処理はIsodry-26装置内で行われた。このアプロ
ーチを用いて、いくつかの実験を行い、ヘイズの汚染を
阻止する本発明の有効性を確認した。ある実験では、３
５日間にわたって、ウェーハ上の平均ヘイズカウントを
測定し、最初の日のウェーハの上のヘイズカウントと３
５日目のヘイズカウントとを比較した。
【００１８】これらのウェーハは、本発明の処理（熱
水、またはイソプロピルアルコール、または未処理）と
保管条件（室雰囲気、湿分、または窒素）でグループ分
けした。全てのウェーハは、この実験期間の間、幾分か
ヘイズを発生させたが、このヘイズは保管容器の化学成
分とは無関係であった。
水、またはイソプロピルアルコール、または未処理）と
保管条件（室雰囲気、湿分、または窒素）でグループ分
けした。全てのウェーハは、この実験期間の間、幾分か
ヘイズを発生させたが、このヘイズは保管容器の化学成
分とは無関係であった。
【００１９】所定の後研磨処理に対しては、窒素雰囲気
内に保管されていたウェーハのヘイズの発生速度は最低
であり、湿分の多い雰囲気中に保管されていたウェーハ
のヘイズの発生速度は最速であった。この観測は、ヘイ
ズの発生は、湿分が触媒として機能するという仮説と一
致している。
内に保管されていたウェーハのヘイズの発生速度は最低
であり、湿分の多い雰囲気中に保管されていたウェーハ
のヘイズの発生速度は最速であった。この観測は、ヘイ
ズの発生は、湿分が触媒として機能するという仮説と一
致している。
【００２０】熱水でもって処理し、その後、無湿分雰囲
気中で保管されたウェーハは、イソプロピルアルコール
で処理されたウェーハ、あるいは、同一の雰囲気中で保
管された未処理のウェーハの何れよりもその発生速度は
低かった。しかし、イソプロピルアルコールの処理はヘ
イズの発生速度を遅らす点においては有効であった。
気中で保管されたウェーハは、イソプロピルアルコール
で処理されたウェーハ、あるいは、同一の雰囲気中で保
管された未処理のウェーハの何れよりもその発生速度は
低かった。しかし、イソプロピルアルコールの処理はヘ
イズの発生速度を遅らす点においては有効であった。
【００２１】これらの観測結果により熱水による処理、
またはイソプロピルアルコールによる処理と窒素のよう
な不活性雰囲気中で保管することを組み合わせすること
は研磨シリコンウェーハの貯蔵寿命を伸ばすことが分か
った。実際に、ある種の応用については、熱水処理の
後、イソプロピルアルコール処理をし、その後に不活性
雰囲気中に保管することが行うことが望ましい。
またはイソプロピルアルコールによる処理と窒素のよう
な不活性雰囲気中で保管することを組み合わせすること
は研磨シリコンウェーハの貯蔵寿命を伸ばすことが分か
った。実際に、ある種の応用については、熱水処理の
後、イソプロピルアルコール処理をし、その後に不活性
雰囲気中に保管することが行うことが望ましい。
【００２２】他の実験例では、クリーンルーム雰囲気中
に保管するような窒素キャビネット内に保管された未処
理のウェーハ上に時間依存性ヘイズの時間による展開を
測定した。この測定のために、１００個のウェーハを３
つのグループに分けた。（ａ）あるウェーハは窒素キャ
ビネット内の完全な箱状のシールしていない容器内のカ
セット内に配置した。（ｂ）別のウェーハは窒素キャビ
ネット内のウェーハカセット内にのみ配置した。（ｃ）
残りのウェーハは部屋雰囲気中の完全な箱状のシールし
ていない容器内のカセット内に配置した。グループ
（ａ）と（ｃ）で用いられた容器は、ポリプロピレン
（ポリポロピレン製の白い箱（MN.Chanhassenの Empak
から市販されている））である。この３つの全てのグル
ープにおいて、ウェーハはカーボンを充填したポリスチ
レン（poiystyrene）の黒いカーセット（MN州Chaska の
Fluoroware 社から市販されている）内に保持した。
に保管するような窒素キャビネット内に保管された未処
理のウェーハ上に時間依存性ヘイズの時間による展開を
測定した。この測定のために、１００個のウェーハを３
つのグループに分けた。（ａ）あるウェーハは窒素キャ
ビネット内の完全な箱状のシールしていない容器内のカ
セット内に配置した。（ｂ）別のウェーハは窒素キャビ
ネット内のウェーハカセット内にのみ配置した。（ｃ）
残りのウェーハは部屋雰囲気中の完全な箱状のシールし
ていない容器内のカセット内に配置した。グループ
（ａ）と（ｃ）で用いられた容器は、ポリプロピレン
（ポリポロピレン製の白い箱（MN.Chanhassenの Empak
から市販されている））である。この３つの全てのグル
ープにおいて、ウェーハはカーボンを充填したポリスチ
レン（poiystyrene）の黒いカーセット（MN州Chaska の
Fluoroware 社から市販されている）内に保持した。
【００２３】これらのウェーハは１４４日間にわたって
ランダムにヘイズをモニタした。この実験期間の間、窒
素充填キャビネットは通常の使用、すなわち、このキャ
ビネットを、ウェーハを挿入したり、取り出したりする
ために、１日に数回開閉した。
ランダムにヘイズをモニタした。この実験期間の間、窒
素充填キャビネットは通常の使用、すなわち、このキャ
ビネットを、ウェーハを挿入したり、取り出したりする
ために、１日に数回開閉した。
【００２４】前に示したように窒素充填キャビネット
（部屋雰囲気）の外に保管されたウェーハはヘイズの発
生が急速で、一方、窒素充填雰囲気内に保管されたウェ
ーハのヘイズの発生は緩やかであった。窒素雰囲気内に
保管されたウェーハを比較すると、完全な箱内に収納さ
れたウェーハのヘイズの発生は、黒いカセット内にのみ
配置したそれよりも低かった。実際のところ、測定誤差
の範囲内において、個別に完全に箱内に納められたウェ
ーハの上のヘイズのカウントは実験期間にわたって変化
はしなかった。
（部屋雰囲気）の外に保管されたウェーハはヘイズの発
生が急速で、一方、窒素充填雰囲気内に保管されたウェ
ーハのヘイズの発生は緩やかであった。窒素雰囲気内に
保管されたウェーハを比較すると、完全な箱内に収納さ
れたウェーハのヘイズの発生は、黒いカセット内にのみ
配置したそれよりも低かった。実際のところ、測定誤差
の範囲内において、個別に完全に箱内に納められたウェ
ーハの上のヘイズのカウントは実験期間にわたって変化
はしなかった。
【００２５】我々の観測結果では、窒素充填キャビネッ
ト内の完全に箱の中に納められたウェーハと、箱には入
っていない（カセットだけ）内のウェーハにおけるヘイ
ズのカウントの差は１／２桁であった。この差は、部屋
の空気をキャビネットから閉め出すことにより、不活性
雰囲気の有効性を意味することである。窒素充填キャビ
ネットは、工場で使用する条件下では、部屋の空気を閉
め出すことには１００％有効ではないが、このデータ
は、ウェーハを窒素のような不活性雰囲気中に保存する
ことは、ウェーハの貯蔵寿命を長引かせることを意味す
る。上記したように熱水、あるいはイソプロピルアルコ
ールの処置、あるいはその両方の処置の後、窒素雰囲気
中で保管することにより時間依存ヘイズの発生を有効に
制御できる。
ト内の完全に箱の中に納められたウェーハと、箱には入
っていない（カセットだけ）内のウェーハにおけるヘイ
ズのカウントの差は１／２桁であった。この差は、部屋
の空気をキャビネットから閉め出すことにより、不活性
雰囲気の有効性を意味することである。窒素充填キャビ
ネットは、工場で使用する条件下では、部屋の空気を閉
め出すことには１００％有効ではないが、このデータ
は、ウェーハを窒素のような不活性雰囲気中に保存する
ことは、ウェーハの貯蔵寿命を長引かせることを意味す
る。上記したように熱水、あるいはイソプロピルアルコ
ールの処置、あるいはその両方の処置の後、窒素雰囲気
中で保管することにより時間依存ヘイズの発生を有効に
制御できる。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば熱
水、あるいはイソプロピルアルコールでウェーハを化学
処理することにより、時間依存ヘイズの発生を抑止でき
る。
水、あるいはイソプロピルアルコールでウェーハを化学
処理することにより、時間依存ヘイズの発生を抑止でき
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エドワード ジェー バジダ アメリカ合衆国、18103 ペンシルベニ ア、リハイ カントリー、サウス フロ ント ストリート 818 (56)参考文献 特開 平５−166785（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−350934（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291233（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304
Claims (9)
- 【請求項１】 （ａ） シリコンウェーハを提供するス
テップと、 （ｂ） 前記シリコンウェーハの表面上に時間依存ヘイ
ズを生成するようなウェーハを処理するステップと、 （ｃ） 熱水とイソプロピルアルコールからなるグルー
プから選択された材料でもって、前記主表面を処理する
ステップと、 （ｄ） 前記ウェーハを不活性雰囲気中で保持するステ
ップと、 からなることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 - 【請求項２】 前記（ｃ）のステップは、熱水で前記表
面を処理するステップと、イソプロピルアルコールで前
記表面を処理するステップとを含むことを特徴とする請
求項１の方法。 - 【請求項３】 前記（ｄ）のステップは、ウェーハを窒
素雰囲気に保持することを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】 前記（ｂ）のステップは、前記表面を化
学的に洗浄することを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 前記（ｂ）のステップは、硫酸と過酸化
水素水の混合物で表面を洗浄することを特徴とする請求
項４の方法。 - 【請求項６】 前記（ｂ）のステップは、化学的洗浄ス
テップの前にウェーハの表面を研磨するステップを含む
ことを特徴とする請求項４の方法。 - 【請求項７】 前記（ｃ）のステップは、５０℃以上で
１００℃以下の温度の熱水でもって表面を処理すること
を特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項８】 前記（ｃ）のステップは、気相状態のイ
ソプロピルアルコールで処理することを特徴とする請求
項１の方法。 - 【請求項９】 （ａ） シリコンウェーハを提供するス
テップと、 （ｂ） 前記ウェーハの表面をスラリーで研磨するステ
ップと、 （ｃ） 前記研磨された表面を、硫酸と過酸化水素水の
混合物で化学的に洗浄するステップと、 （ｄ） 熱水とイソプロピルアルコールからなるグルー
プから選択された材料でもって、前記主表面を処理する
ステップと、 （ｅ） 前記処理されたウェーハを窒素とアルゴンから
なるグループから選択された不活性雰囲気中に保持する
ステップと、 （ｆ） 前記ステップからウェーハを取り出して、集積
回路の完成に向けて追加の処理を施すステップと、 からなることを特徴とする半導体集積回路の形成方法。
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