JP2842430B2 - TAB tape - Google Patents

TAB tape

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JP2842430B2
JP2842430B2 JP9027154A JP2715497A JP2842430B2 JP 2842430 B2 JP2842430 B2 JP 2842430B2 JP 9027154 A JP9027154 A JP 9027154A JP 2715497 A JP2715497 A JP 2715497A JP 2842430 B2 JP2842430 B2 JP 2842430B2
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test pad
test
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insulating film
tab tape
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力一 池田
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、探針テスト等に用
いられるTABテープに関する。
The present invention relates to a TAB tape used for a probe test or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置の需要の増加に伴い、
その検査を効率良く行うために様々な方法が提案されて
いる。中でも、TABテープを用いる検査方法が有効で
ある。この検査のために用いられている従来のTABテ
ープの構造を第1の従来技術として図6に示す。
2. Description of the Related Art Conventionally, with an increase in demand for semiconductor devices,
Various methods have been proposed to perform the inspection efficiently. In particular, an inspection method using a TAB tape is effective. FIG. 6 shows the structure of a conventional TAB tape used for this inspection as a first conventional technique.

【0003】このTABテープ1は、TABキャリヤ5
にセットされて用いられ、TABテープ1上に形成され
た複数のテストパッド2と、テストパッド2から延びた
配線パターン3と、半導体チップ等をセットするデバイ
スホール4とから構成され、半導体チップ6の接続電極
であるボンディングパット7とテストパッド2から延び
た配線パターン3とはTABリード8により接続され
る。
This TAB tape 1 is composed of a TAB carrier 5
The semiconductor chip 6 includes a plurality of test pads 2 formed on a TAB tape 1, wiring patterns 3 extending from the test pads 2, and device holes 4 for setting semiconductor chips and the like. The bonding pad 7 serving as a connection electrode of the above and the wiring pattern 3 extending from the test pad 2 are connected by a TAB lead 8.

【0004】半導体チップ6は、デバイスホール4にセ
ットされ、半導体チップ6上のボンディングパッド7と
TABテープ1上のそれぞれのテストパッド2から延び
ている配線パターン3とをTABリード8により接続す
ることによってTABテープに実装される。後に説明す
るように、この従来のTABテープ1上のそれぞれのテ
ストパッド2は、半導体チップ6上のボンディングパッ
ド7よりもそのサイズは大きくなっており、又、半導体
チップ6上のボンディングパッド7のそれぞれの配置間
隔よりも広い配置間隔を有している。これはTABテー
プ1における探針テストを容易にするためである。
[0004] The semiconductor chip 6 is set in the device hole 4 and connects the bonding pads 7 on the semiconductor chip 6 to the wiring patterns 3 extending from the respective test pads 2 on the TAB tape 1 by TAB leads 8. On the TAB tape. As will be described later, each test pad 2 on the conventional TAB tape 1 is larger in size than the bonding pad 7 on the semiconductor chip 6, and the size of the bonding pad 7 on the semiconductor chip 6 is larger. The arrangement intervals are wider than the respective arrangement intervals. This is for facilitating the probe test on the TAB tape 1.

【0005】図7は、図6に示すテストパッド部9aの
構造を示す図であり、(a)は図6に示すテストパッド
部9aの拡大図であり、(b)は(a)の破線c−c′
部分の断面図である。ここで、10は絶縁膜、2は絶縁
膜上に形成されたテストパッドである。
FIG. 7 is a view showing the structure of the test pad section 9a shown in FIG. 6, (a) is an enlarged view of the test pad section 9a shown in FIG. 6, and (b) is a broken line of (a). cc '
It is sectional drawing of a part. Here, 10 is an insulating film, and 2 is a test pad formed on the insulating film.

【0006】このようなTABテープ1を用いての実装
された半導体チップ6のテストは、このTABテープ1
上に形成されたテストパッド2に探針を接触させる探針
テストによって行われる。
The test of the semiconductor chip 6 mounted using such a TAB tape 1 is performed by using the TAB tape 1
This is performed by a probe test in which the probe is brought into contact with the test pad 2 formed above.

【0007】図8は、上述の探針テストを行う際の探針
とテストパッド2の状態を示したテストパッド部分の断
面図であり、10は絶縁膜、2は絶縁膜上に形成された
テストパッド、12は探針である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the test pad portion showing the state of the probe and the test pad 2 when the above-mentioned probe test is performed. 10 is an insulating film, and 2 is formed on the insulating film. The test pad 12 is a probe.

【0008】ここで、テストパッド2相互の間隔13は
TABテープ1の製造上決められる基準間隔である。ま
た、14は探針時のマージンであり、これは図6で示す
TABテープ1とTABキャリヤ5との組立精度と探針
時の探針精度とを考慮して決められ、その結果テストパ
ッド2のサイズ15は決定される。
Here, the interval 13 between the test pads 2 is a reference interval determined in manufacturing the TAB tape 1. Reference numeral 14 denotes a margin at the time of the probe, which is determined in consideration of the assembly accuracy of the TAB tape 1 and the TAB carrier 5 and the probe accuracy at the time of the probe shown in FIG. Is determined.

【0009】従ってこの第1の従来技術では、マージン
14をテストパッド2に付加しておくことにより、探針
12の位置ずれによる探針12のテストパッド12への
接触ミスを防ぐことができ、探針時の探針精度を向上す
ることができ、その検査時の作業効率を上げることがで
きる。
Therefore, in the first prior art, by adding the margin 14 to the test pad 2, it is possible to prevent a contact error of the probe 12 with the test pad 12 due to a displacement of the probe 12, and The probe accuracy at the time of the probe can be improved, and the work efficiency at the time of the inspection can be increased.

【0010】次に、図9に、第2の従来技術として、T
ABテープを用いなくとも、半導体装置を検査する際の
探針精度を向上させ、検査効率を向上させる方法とし
て、特開平4−152634号公報に開示された半導体
集積回路装置の断面図を示す。
Next, FIG. 9 shows a second conventional technique, T
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-152634 as a method for improving the probe accuracy when inspecting a semiconductor device without using an AB tape and improving the inspection efficiency.

【0011】この半導体集積回路装置は、電極パッド3
00と、ウエハ基板400と、パッシベーション膜50
0とから構成される半導体チップ200であり、電極パ
ッド300の表面をすり鉢状にすることによって、電極
パッド300に針当てする際の精度を向上させている。
This semiconductor integrated circuit device has an electrode pad 3
00, the wafer substrate 400 and the passivation film 50
The semiconductor chip 200 is composed of 0 and the surface of the electrode pad 300 is formed in a mortar shape, so that the accuracy of applying a needle to the electrode pad 300 is improved.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、第1の
従来技術におけるTABテープ1は、テスト時のテスト
パッド2への探針性を確保するため、探針時のマージン
14をテストパッド11に付加することが必要である。
このため、テストパッド2のサイズが大きくなり、テス
トパッド間隔を保ちつつ必要数のテストパッド2をTA
Bテープ1上に並べるためには、テストパッド2を半導
体チップ6から遠く離さなければならなかった。
As described above, in the TAB tape 1 of the first prior art, the margin 14 at the time of the probe is set to the test pad 2 in order to secure the probe property to the test pad 2 at the time of the test. 11 needs to be added.
For this reason, the size of the test pads 2 increases, and the required number of test pads 2
In order to arrange the test pads 2 on the B tape 1, the test pads 2 had to be far away from the semiconductor chip 6.

【0013】その結果、TABテープ1上において、半
導体チップ6のボンディングパッド7とテストパッド2
とを接続する配線パターン3が長くなり、テスト時の電
気的特性を悪化させるという問題点があった。
As a result, the bonding pads 7 of the semiconductor chip 6 and the test pads 2 on the TAB tape 1
There is a problem that the length of the wiring pattern 3 for connecting to the semiconductor device becomes longer, which deteriorates the electrical characteristics at the time of the test.

【0014】また、上述の特開平4−152634号公
報において開示された第2の従来技術では、探針精度を
向上させるため、半導体チップ200の電極パッド30
0の形状を直接すり鉢状にして、TABテープを用いず
にその探針精度を向上させているが、この技術では半導
体チップ200上の全ての電極パッド300を直接すり
鉢状にする必要があり、その製造に手間がかかるという
問題点が有り、やはりTABテープを用いて探針精度を
向上させる方が有効である。
In the second prior art disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-152634, the electrode pad 30 of the semiconductor chip 200 is used to improve the probe accuracy.
Although the shape of 0 is directly formed in a mortar shape and its probe accuracy is improved without using a TAB tape, in this technique, all the electrode pads 300 on the semiconductor chip 200 need to be directly formed in a mortar shape. There is a problem that the production is troublesome, and it is more effective to improve the probe accuracy using a TAB tape.

【0015】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
検査効率を向上させると共に、その電気的特性を改善す
ることのできるTABテープを提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
It is an object of the present invention to provide a TAB tape capable of improving inspection efficiency and improving its electrical characteristics.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
第1の絶縁膜上に、複数のテストパッドと、該テストパ
ッドとLSIパッドとを接続するリードとが形成された
TABテープにおいて、前記テストパッドの周囲に第2
の絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention,
In a TAB tape having a plurality of test pads and leads connecting the test pads and the LSI pads formed on a first insulating film, a second pad is formed around the test pads.
Is formed.

【0017】従って、この発明によれば、テストパッド
の周囲に形成された絶縁膜により、テストパッドに検査
のための探針を接触させる際に、その絶縁膜によりテス
トパッドに探針の位置ずれが防止されて探針精度が向上
すると共に、絶縁膜の存在によってその探針精度を向上
させているのでテストパッドに探針精度向上のための余
分なマージンは必要とせず、テストパッドの小型化が図
れ、テストパッドをLSIの近傍に配置することが可能
となり、従って、テストパッドとLSIとを接続するリ
ードを短くすることができるので、テスト時の電気的特
性の悪化を防止することができる。
Therefore, according to the present invention, when the probe for inspection is brought into contact with the test pad by the insulating film formed around the test pad, the position of the probe is shifted to the test pad by the insulating film. And the accuracy of the probe is improved by the presence of an insulating film, so the test pad does not need an extra margin for improving the probe accuracy, and the test pad can be downsized. Therefore, the test pad can be arranged in the vicinity of the LSI, and therefore, the lead connecting the test pad and the LSI can be shortened. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the electrical characteristics at the time of the test. .

【0018】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記テストパッドの周囲に形成された第2
の絶縁膜の形状は、前記テストパッドを底面として、該
底面から上方に行くに従って、前記テストパッドの周囲
の第2の絶縁膜による開孔面が広くなる形状であること
を特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the second pad formed around the test pad is provided.
The shape of the insulating film is characterized in that the opening surface of the second insulating film around the test pad becomes wider as going upward from the bottom surface with the test pad as the bottom surface.

【0019】従って、この発明によれば、請求項1記載
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲に
形成された絶縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔
面が広くなっているので、テストパッドに検査のための
探針を接触させる際に、その絶縁膜により探針がテスト
パッドに接触されるようにその位置が補正され、探針精
度が向上すると共に、テストパッドのサイズを小さくす
ることができるのでテストパッドをLSIの近傍に配置
することが可能となり、従って、テストパッドとLSI
とを接続するリードを短くすることができるので、テス
ト時の電気的特性の悪化を防止することができる。
Therefore, according to the present invention, the effect of the first aspect of the present invention can be obtained, and the opening surface of the insulating film formed around the test pad becomes wider as it goes upward. Therefore, when the probe for inspection is brought into contact with the test pad, the position of the probe is corrected by the insulating film so that the probe comes into contact with the test pad, the probe accuracy is improved, and the size of the test pad is improved. Can be reduced, so that the test pad can be arranged in the vicinity of the LSI.
Can be shortened, so that it is possible to prevent electrical characteristics from deteriorating during a test.

【0020】請求項3記載の発明は、請求項2記載の発
明において、前記テストパッドの周囲の第2の絶縁膜に
よる開孔面の形状は、すり鉢状の形状、若しくはその頂
角部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形
状であることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the shape of the opening surface formed by the second insulating film around the test pad is a mortar-like shape or the vertex angle portion thereof is It has the shape of an inverted quadrangular pyramid cut by a test pad.

【0021】従って、この発明によれば、請求項2記載
の発明の作用が得られると共に、テストパッドの周囲の
絶縁膜による開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しく
はその頂角部分が前記テストパッドでカットされた逆四
角錐の形状であることから、検査時に探針がテストパッ
ドに接触せずに、絶縁体に接触していたとしても、この
絶縁体がガイドとなってテストパッドに探針を導くの
で、探針精度をテストパッドのサイズを大きくすること
なく向上することができ、テストパッドをLSIの近傍
に配置することが可能となり、従って、テストパッドと
LSIとを接続するリードを短くすることができるの
で、テスト時の電気的特性の悪化を防止することができ
る。
Therefore, according to the present invention, the operation of the invention described in claim 2 can be obtained, and the shape of the opening surface formed by the insulating film around the test pad can be a mortar-like shape, or the vertex angle portion thereof can be formed. Since the probe has an inverted quadrangular pyramid shape cut by the test pad, even if the probe does not contact the test pad during the inspection, even if the probe contacts the insulator, the insulator serves as a guide and the test pad Therefore, the probe accuracy can be improved without increasing the size of the test pad, and the test pad can be arranged near the LSI. Therefore, the test pad is connected to the LSI. Since the leads can be shortened, it is possible to prevent the deterioration of the electrical characteristics at the time of the test.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】次に本発明に係るTABテープの
実施形態について図面を参照して説明する。
Next, an embodiment of a TAB tape according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0023】図1は本発明に係るTABテープの第1の
実施形態の平面図である。ただし、上述の図6における
第1の従来技術で説明したTABテープと同様な部材に
は同一の番号を付す。
FIG. 1 is a plan view of a TAB tape according to a first embodiment of the present invention. However, the same members as those of the TAB tape described in the first prior art in FIG. 6 are given the same numbers.

【0024】この実施形態のTABテープ1は、絶縁膜
上に複数のテストパッド2が形成され、さらにこのそれ
ぞれのテストパッド2と半導体チップ6の接続電極であ
るボンディングパッド7とを、配線パターン3及びTA
Bリード8を用いて接続する構成となっている。
In the TAB tape 1 of this embodiment, a plurality of test pads 2 are formed on an insulating film, and each test pad 2 and a bonding pad 7 serving as a connection electrode of the semiconductor chip 6 are connected to a wiring pattern 3. And TA
The connection is made using the B lead 8.

【0025】この実施形態における配線パターン3は、
図6に示された従来のTABテープにおける配線パター
ン3よりも短くなっており、テストパッド2はそのサイ
ズが図6に示された従来のTABテープにおけるテスト
パッド2のサイズよりも小さくなっている。これらは、
TABテープ上面に形成されたテストパッド2の周囲に
絶縁膜20が形成されたことによる。
The wiring pattern 3 in this embodiment is
It is shorter than the wiring pattern 3 in the conventional TAB tape shown in FIG. 6, and the size of the test pad 2 is smaller than the size of the test pad 2 in the conventional TAB tape shown in FIG. . They are,
This is because the insulating film 20 was formed around the test pad 2 formed on the upper surface of the TAB tape.

【0026】上述の周囲の絶縁膜20は、例えばテスト
パッド2上に絶縁膜20を形成し、その後に開孔部16
を設けてテストパッド2を露出させて形づくられる。こ
の絶縁膜20としては例えば酸化膜でも良いが、本発明
においてのこの絶縁膜20の役割は、後述するように、
検査時の探針の位置を補正するために形成されているの
で、特に酸化膜に限定されることはなく、適当な絶縁膜
を使用することができる。
The above-mentioned peripheral insulating film 20 is formed, for example, by forming the insulating film 20 on the test pad 2 and then forming the opening 16
Are formed to expose the test pad 2. Although the insulating film 20 may be, for example, an oxide film, the role of the insulating film 20 in the present invention is as described below.
Since it is formed to correct the position of the probe at the time of inspection, it is not particularly limited to an oxide film, and an appropriate insulating film can be used.

【0027】図2は、図1に示すテストパッド部9bの
構造を示す図であり、(a)は図1に示すテストパッド
部9bの拡大図であり、(b)は図2の(a)に示す破
線c−c′部分の断面図である。また、10は絶縁膜、
2は絶縁膜上に形成されたテストパッド、20はTAB
テープ上に形成されたテストパッド2の周囲の絶縁膜、
16はテストパッド上に開孔された開孔部である。ここ
で開孔部16は円形の形状を有しており、絶縁膜底面が
狭く上面が広く、いわゆる、すり鉢形状となっている。
FIGS. 2A and 2B are views showing the structure of the test pad 9b shown in FIG. 1. FIG. 2A is an enlarged view of the test pad 9b shown in FIG. 1, and FIG. () Is a cross-sectional view taken along the broken line cc '. 10 is an insulating film,
2 is a test pad formed on the insulating film, 20 is TAB
An insulating film around the test pad 2 formed on the tape,
Reference numeral 16 denotes an opening formed on the test pad. Here, the opening 16 has a circular shape, and has a so-called mortar shape with a narrow bottom surface of the insulating film and a wide top surface.

【0028】図3は、探針12によりテストパッド2の
探針テストを行う際の状態を示したテストパッド部分の
断面図であり、(a)は、探針12がすり鉢状の開孔部
16の絶縁膜20に接触している状態、つまり、探針の
位置が不適切な状態を示す図であり、(b)は開孔部1
6のすり鉢状の絶縁膜20がガイドとなって位置が補正
され、探針12がテストパッド2に接触している状態を
示す図である。
FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of a test pad portion showing a state where a probe test of the test pad 2 is performed by the probe 12, and FIG. 3A shows a mortar-shaped opening portion. FIG. 16B is a diagram showing a state in contact with the insulating film 20 of 16, that is, a state where the position of the probe is inappropriate, and FIG.
6 is a diagram showing a state in which the position is corrected by using the mortar-shaped insulating film 20 of No. 6 as a guide, and the probe 12 is in contact with the test pad 2. FIG.

【0029】この図3に示すように、すり鉢状の開孔部
16がテストパッド2の周囲の絶縁膜20によって形成
されることにより、絶縁膜20がガイドとなって探針時
の位置ずれを補正することができる。このため、従来の
技術で説明したような探針時の位置ずれのためのマージ
ンをテストパッドに付与する必要がなくなり、テストパ
ッド2のサイズを小さくでき、その結果テストパッド2
全体の配置位置を半導体チップ6に近づけることができ
る。
As shown in FIG. 3, since the mortar-shaped opening 16 is formed by the insulating film 20 around the test pad 2, the insulating film 20 serves as a guide to prevent positional displacement during probe. Can be corrected. For this reason, it is not necessary to provide the test pad with a margin for displacement at the time of probe as described in the related art, and the size of the test pad 2 can be reduced.
The entire arrangement position can be made closer to the semiconductor chip 6.

【0030】従ってこの第1の実施形態のTABテープ
によれば、テストパッド2全体の配置位置を半導体チッ
プ6に近づけることができるため、TABテープ上の配
線パターン3を短くすることができ、テスト時の電気的
特性を改善することができる。
Therefore, according to the TAB tape of the first embodiment, since the arrangement position of the entire test pad 2 can be made closer to the semiconductor chip 6, the wiring pattern 3 on the TAB tape can be shortened. The electrical characteristics at the time can be improved.

【0031】次に本発明に係るTABテープの第2の実
施形態について説明する。図4は本発明に係るTABテ
ープの第2の実施形態の平面図である。ただし、上述の
図1における第1の実施形態で説明したTABテープと
同様な部材には同一の番号を付す。
Next, a second embodiment of the TAB tape according to the present invention will be described. FIG. 4 is a plan view of a TAB tape according to a second embodiment of the present invention. However, the same members as those of the TAB tape described in the first embodiment in FIG.

【0032】図5は、図4に示すテストパッド部9cの
構造を示す図であり、(a)は図4に示すテストパッド
部9cの拡大図であり、(b)は図5の(a)に示す破
線c−c′部分の断面図である。また、10は絶縁膜、
2は絶縁膜上に形成されたテストパッド、20はTAB
テープ上に形成されたテストパッド2の周囲の絶縁膜、
17はテストパッド2上に開孔された開孔部である。こ
の第2の実施形態と図1に示した第1の実施形態とは、
テストパッド2上の絶縁膜に開孔された開孔部17の形
状が4角形であり、従ってテストパッド2でその頂角部
分がカットされた逆四角錐の形である点が相違してお
り、図5の(b)に示す断面は、図2の(b)に示す断
面と同様な形状を有している。
FIG. 5 is a view showing the structure of the test pad section 9c shown in FIG. 4, (a) is an enlarged view of the test pad section 9c shown in FIG. 4, and (b) is a view (a) of FIG. () Is a cross-sectional view taken along the broken line cc '. 10 is an insulating film,
2 is a test pad formed on the insulating film, 20 is TAB
An insulating film around the test pad 2 formed on the tape,
Reference numeral 17 denotes a hole formed on the test pad 2. This second embodiment and the first embodiment shown in FIG.
The difference is that the shape of the opening 17 formed in the insulating film on the test pad 2 is quadrangular, and therefore, the test pad 2 has the shape of an inverted quadrangular pyramid whose apex is cut off. The cross section shown in FIG. 5B has the same shape as the cross section shown in FIG.

【0033】この第2の実施形態のTABテープにおけ
る探針テストを行う際の説明は上述の、図3を用いた第
1の実施形態での説明と同様なので省略する。
The description of conducting the probe test on the TAB tape of the second embodiment is the same as that of the first embodiment described above with reference to FIG.

【0034】従ってこの第2の実施形態では、図5の
(b)に示す断面のように、絶縁膜20が探針をカイド
してそのテストパッド2への接触を補助することができ
るので、第1の実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
Accordingly, in the second embodiment, as shown in the cross section shown in FIG. 5B, the insulating film 20 can guide the probe and assist the contact with the test pad 2. The same effects as in the first embodiment can be obtained.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、テストパッドの周囲に形成された絶縁膜によ
り、テストパッドに検査のための探針を接触させる際
に、その絶縁膜によりテストパッドに探針の位置ずれが
防止されて探針精度が向上すると共に、絶縁膜の形状に
よってその探針精度を向上させているのでテストパッド
に探針精度向上のための余分なマージンは必要とせず、
テストパッドの小型化が図れ、テストパッドをLSIの
近傍に配置することが可能となり、従って、テストパッ
ドとLSIとを接続するリードを短くすることができる
ので、テスト時の電気的特性の悪化を防止することが可
能なTABテープを提供することができる。
As is clear from the above description, according to the present invention, when the probe for inspection is brought into contact with the test pad, the insulating film is formed by the insulating film formed around the test pad. As a result, the position of the probe is prevented from being displaced on the test pad, and the probe accuracy is improved.In addition, since the probe accuracy is improved by the shape of the insulating film, there is no extra margin for improving the probe accuracy on the test pad. Not needed,
The size of the test pad can be reduced, and the test pad can be arranged near the LSI. Therefore, the lead connecting the test pad and the LSI can be shortened. A TAB tape that can be prevented can be provided.

【0036】また、テストパッドの周囲に形成された絶
縁膜の形状が上方に行くに従ってその開孔面が広くなっ
ているので、テストパッドに検査のための探針を接触さ
せる際に、その絶縁膜によりテストパッドに探針が接触
させるように探針の位置が補正されて探針精度が向上す
ることができ、テストパッドをLSIの近傍に配置する
ことが可能となり、従って、テストパッドとLSIとを
接続するリードを短くすることができるので、テスト時
の電気的特性の悪化を防止することが可能なTABテー
プを提供することができる。
Further, since the opening surface of the insulating film formed around the test pad becomes wider as it goes upward, when the probe for inspection is brought into contact with the test pad, the insulating film becomes thicker. The position of the probe is corrected by the film so that the probe comes into contact with the test pad, so that the probe accuracy can be improved, and the test pad can be arranged near the LSI. Can shorten the lead connecting to the TAB tape, so that it is possible to provide a TAB tape capable of preventing the deterioration of the electrical characteristics at the time of the test.

【0037】さらに、テストパッドの周囲の絶縁膜によ
る開孔面の形状が、すり鉢状の形状、若しくはその頂角
部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の形状
であることから、検査時に探針がテストパッドに接触せ
ずに、絶縁体に接触していたとしても、この絶縁体がガ
イドとなってテストパッドに探針を導くので、探針精度
をテストパッドのサイズを大きくすることなく向上する
ことができ、テストパッドをLSIの近傍に配置するこ
とが可能となり、従って、テストパッドとLSIとを接
続するリードを短くすることができるので、テスト時の
電気的特性の悪化を防止することが可能なTABテープ
を提供することができる。
Further, since the shape of the opening surface formed by the insulating film around the test pad is a mortar shape or the shape of an inverted quadrangular pyramid whose apex portion is cut by the test pad, the shape during the inspection is Even if the probe does not touch the test pad but touches the insulator, the insulator guides the probe to the test pad, so increase the probe accuracy by increasing the size of the test pad. And the test pad can be arranged in the vicinity of the LSI, so that the lead connecting the test pad and the LSI can be shortened, thereby preventing the deterioration of the electrical characteristics during the test. A TAB tape capable of performing the above can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るTABテープの第1の実施形態を
示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a TAB tape according to the present invention.

【図2】図1に示すTABテープの構造を示す図であ
り、(a)は拡大図、(b)は断面図である。
2A and 2B are diagrams showing the structure of the TAB tape shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A is an enlarged view and FIG. 2B is a sectional view.

【図3】本発明に係るTABテープの探針テストの状態
を示したテストパッド部分の断面図であり、(a)は探
針非接触時の状態を示す図であり、(b)は探針接触時
の状態を示す図である。
3A and 3B are cross-sectional views of a test pad portion showing a state of a probe test of a TAB tape according to the present invention, wherein FIG. 3A is a diagram showing a state when a probe is not in contact, and FIG. It is a figure showing the state at the time of needle contact.

【図4】本発明に係るTABテープの第2の実施形態を
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a TAB tape according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4に示すTABテープの構造を示す図であ
り、(a)は拡大図、(b)は断面図である。
5A and 5B are diagrams showing the structure of the TAB tape shown in FIG. 4, wherein FIG. 5A is an enlarged view and FIG. 5B is a sectional view.

【図6】従来のTABテープの平面図である。FIG. 6 is a plan view of a conventional TAB tape.

【図7】図6に示すTABテープの構造を示す図であ
り、(a)は拡大図、(b)は断面図である。
7A and 7B are diagrams showing the structure of the TAB tape shown in FIG. 6, wherein FIG. 7A is an enlarged view and FIG. 7B is a sectional view.

【図8】従来のTABテープの探針テストの状態を示し
たテストパッド部分の断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a test pad portion showing a state of a probe test of a conventional TAB tape.

【図9】従来の半導体集積回路装置の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TABテープ 2 テストパッド 3 配線パターン 4 デバイスホール 5 TABキャリヤ 6 半導体チップ 7 ボンディングパッド 8 TABリード 9a、9b、9c テストパッド部 10、20 絶縁膜 12 探針 13 テストパッド間隔 14 マージン 15 テストパッドサイズ 16、17 開孔部 Reference Signs List 1 TAB tape 2 Test pad 3 Wiring pattern 4 Device hole 5 TAB carrier 6 Semiconductor chip 7 Bonding pad 8 TAB lead 9a, 9b, 9c Test pad portion 10, 20 Insulating film 12 Probe 13 Test pad interval 14 Margin 15 Test pad size 16, 17 hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 321 H01L 21/60 311 G01R 31/26 H01L 21/66──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/60 321 H01L 21/60 311 G01R 31/26 H01L 21/66

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の絶縁膜上に、複数のテストパッド
と、該テストパッドとLSIパッドとを接続するリード
とが形成されたTABテープにおいて、 前記テストパッドの周囲に第2の絶縁膜が形成されてい
ることを特徴とするTABテープ。
1. A TAB tape in which a plurality of test pads and leads for connecting the test pads and an LSI pad are formed on a first insulating film, wherein a second insulating film is provided around the test pads. A TAB tape, characterized in that a tape is formed.
【請求項2】 前記テストパッドの周囲に形成された第
2の絶縁膜の形状は、前記テストパッドを底面として、
該底面から上方に行くに従って、前記テストパッドの周
囲の第2の絶縁膜による開孔面が広くなる形状であるこ
とを特徴とする請求項1記載のTABテープ。
2. The shape of a second insulating film formed around the test pad is such that:
2. The TAB tape according to claim 1, wherein an opening surface of the second insulating film around the test pad becomes wider as going upward from the bottom surface.
【請求項3】 前記テストパッドの周囲の第2の絶縁膜
による開孔面の形状は、すり鉢状の形状、若しくはその
頂角部分が前記テストパッドでカットされた逆四角錐の
形状であることを特徴とする請求項2記載のTABテー
プ。
3. A shape of an opening surface formed by a second insulating film around the test pad is a mortar shape or an inverted quadrangular pyramid whose apex portion is cut by the test pad. The TAB tape according to claim 2, wherein:
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